Religion in popular culture has the power to evoke strong feelings and reactions, especially if someone feels offended by it. Jesus is a person with grave importance for many, since many people in the world are Christians. However, there is not a lot that can be said with certainty about the historical person Jesus. This uncertainty leaves room for interpretation and creative freedom, which gives origin to art centered around Jesus’ life. This essay aims to examine the reactions to two different Jesus films: The Last Temptation of Christ from 1988 and The First Temptation of Christ from 2019. The purpose of the study is to explore possibilities of interpretation, similarities, and differences in the reception of these films through a study of newspaper articles, user reviews and journalistic reviews of both the films. The material used are user reviews from the website IMDb, reviews aimed at catholic readers, reviews for newspapers, reviews for websites specifically for movie reviews and newspaper articles about reactions to the two films. The material has been compared and analyzed through a description of reception research. Previous studies related to the subject of the essay includes research about religion and popular culture, religion in film, Jesus in film and research about reception and reviews. These books, essays, and dissertations include studies of the movie The Last Temptation of Christ, but not of The First Temptation of Christ. The films differ in a lot of ways: genre, language, the makers objective, and time of release. These differences make up obstacles in comparing the reception of the films, but despite this several similarities have been found. The results of the study are presented thematically; first with a presentation of the articles and reviews of The Last Temptation of Christ, then with a similar presentation of The First Temptation of Christ. After these presentations, the conclusions about similarities and differences in the reception are given followed by an analysis in which the reactions are understood to be either a dominant, negotiating or opposing interpretation of the respective film. It can be seen in the results that there are similarities in the user reviews on IMDb, where high ratings correspond to a dominant interpretation and low ratings correspond to an oppositional interpretation. Also, similarities have become apparent in the reactions of Christian critics, protesters, and religious leaders. In the concluding part I reflect about the didactic value of the essay and its material, then I reflect on the essay itself and the process of working with it.

Presentamos el caso de una mujer de 53 años con antecedentes de artritis reumatoide que, tras recuperarse de un cuadro de COVID-19grave, desarrolló hemorragia digestiva como manifestación de hipertensión portal e insuficiencia hepática progresiva. Basados en la serología y ecografía, se diagnosticó un síndrome overlap de hepatitis autoinmune y colangitis biliar primaria asociado a trombosis de vena porta. La respuesta a la corticoterapia y anticoagulación fue favorable. El compromiso hepático, inducido por el virus, está descrito en la COVID-19. Sin embargo, pueden desarrollarse enfermedades autoinmunes y fenómenos tromboembólicos, teniendo el hígado como órgano diana.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:00:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4668.pdf: 1300864 bytes, checksum: 47714fffabd94cd02784d632c827ebcd (MD5) Previous issue date: 2010-12-15 / The collection of solid waste generated in urban areas is a growing concern for governments, health professionals and environmentalists. Among these concerns is the disposal of vegetable oil used in homes, which requires a more appropriate final allocation. For this to be attained, it is necessary, in addition to public awareness, the planning for the collection, with pre-defined routes. This study simulates alternative systems to collect waste oil in some sectors of the city of São Carlos SP using a Geographic Information System GIS. Using this system, routes to be travelled by the collectors from door to door, are defined. The program used was the TransCAD, which is a GIS specific for transportation planning, transport professionals, enabling the development routes using algorithms that include a procedure for arc routing. For this study it was assumed that a collector truck would be parked at some defined points and the collection would be performed by collecting agents with carts following pre-defined routes. Several simulations were made, aiming at minimizing the length of the routes and the number of agents necessary for the task. The results obtained with the simulations demonstrated that it is possible to define sets of routes that minimize the cost and the manpower required for the door to door collection of discarded frying oil. / A coleta dos resíduos sólidos gerados no meio urbano é uma preocupação crescente para governantes, profissionais da saúde e ambientalistas. Dentre estas preocupações, encontra-se o descarte do óleo vegetal utilizado nas residências, que exige uma destinação final mais adequada. Para isto se faz necessário, além da conscientização da população, um planejamento de coleta, com rotas pré-definidas. Este estudo simula sistemas alternativos para coleta do óleo residual em alguns setores da cidade de São Carlos SP, usando um Sistema de Informações Geográficas SIG. Com o uso desse sistema são definidas rotas a serem percorridas pelos agentes coletores no processo de coleta seletiva para o óleo residual de fritura através do sistema porta-aporta. O programa utilizado foi o TransCAD, que é um SIG específico para planejamento de transportes, permitindo desenvolver rotas utilizando-se algoritmos que incluem um procedimento de roteirização em arco (Rotina Arc Routing). Para este estudo considerou-se que um caminhão coletor ficaria estacionado em pontos determinados e o serviço de coleta seria realizado por agentes coletores com carrinhos manuais seguindo percursos de coleta a pé. Foram feitas diversas simulações procurando minimizar os percursos de coleta e o número de agentes coletores necessários para a execução do serviço. Os resultados obtidos com as simulações demonstraram que é possível se obter conjuntos de rotas que minimizam o custo e a mão de obra necessária para a coleta porta a porto do óleo residual de fritura.

[pt] O contínuo processo de transformação do mercado faz com que as empresas não pensem unicamente em si mesmas, mas em toda a cadeia de suprimentos, na qual estão inseridas. Atualmente, a principal meta é a redução dos seus diversos custos de distribuição, fazendo uso de novas tecnologias ou melhores sistemas, sem esquecer de manter ou melhorar o seu nível de serviço. Este trabalho considera um sistema de distribuição física constituído por um centro de distribuição (CD) e 44 furgões. A partir do CD os furgões atendem diariamente todos os clientes situados na Região Metropolitana do Rio de Janeiro. Nesta dissertação serão examinadas algumas propostas de configuração da rede de distribuição porta-a-porta de uma grande empresa industrial, na Região Metropolitana do Rio de Janeiro, para se chegar a menores custos, desperdícios e maior eficiência. O sistema atual é avaliado e diversas configurações de modificação na estrutura do sistema são examinadas, incluindo a colocação de um ou mais depósitos regionalizados, dentro da Região Metropolitana do Rio de Janeiro, auxiliando o depósito central (CD Principal), de modo a reduzir as distâncias percorridas, reduzir a frota e melhorar o atendimento aos clientes. Após a montagem das configurações, são feitas três análises para examinar as variações dos custos logísticos, dependendo da evolução da demanda e de congestionamentos resultantes nas vias da Região Metropolitana. O trabalho conclui mostrando que o aumento de custos das estruturas propostas, com mais um único depósito avançado, pode ser recompensado com ganhos operacionais e mercadológicos. A consideração de cenários futuros, com maiores custos de combustíveis e maiores congestionamentos reforça a proposta, sem chegar a viabilizar a proliferação dos depósitos avançados. / [en] The continuous process of transformation of the market forces the companies to think not only on themselves, but on the whole supply chain, in which they are inserted. Currently, the main goal is the reduction of their diverse costs of distribution, making use of new technologies or better systems, without forgetting to keep or improving its level of service. This study considers a physical distribution system that operates with one distribution center (DC) and 44 small trucks. Departing everyday from the DC the trucks supply all customers that belong to the Metropolitan Region of Rio de Janeiro. In this thesis some proposals for the door-to-door configuration of the distribution network of a great industrial company will be examined, in the Metropolitan Area of Rio de Janeiro, to reach lower costs, less waste and greater efficiency. The current system is evaluated and diverse configurations of modification in the system`s structure are examined, including the introduction of one or more deposits, in the Metropolitan Area, assisting the central deposit, in order to reduce the traveled distances, to reduce the fleet and to improve the customer`s attendance. After the assembly of the configurations, and considering various scenarios of evolution of demand and increase of traffic congestion, analyses are made to examine the variations of the logistics costs. The thesis goes to showing that the increase in the costs of an additional advanced warehouse, can be paid with operational and marketing profits. The consideration of future scenarios with larger fuel costs and more dramatic traffic congestion shall reinforce the proposal of one warehouse but yet do not recommend the proliferation of them.

O presente trabalho faz inicialmente uma revisão básica a respeito de diodos controlados por porta ressaltando o método criado por Grove, e corrigido por Pierret, para a determinação da velocidade de recombinação superficial, parâmetro esse, importante na análise do desempenho do dispositivo frente a situações que tendem a degradar o funcionamento do mesmo. Em seguida, propomos a utilização de DCP\'s como sensores de radiação luminosa e possivelmente como sensor de cores. Para tanto, simulamos o comportamento de uma junção PN sob iluminação quando variamos a extensão da região de depleção associada à mesma. De acordo com essas simulações, observamos que o rendimento de conversão da energia luminosa para elétrica, em função do comprimento de onda da luz incidente, apresenta dependência com relação a extensão da região de carga espacial. Essa característica pode vir a ser usada, futuramente, na detecção seletiva de comprimentos de onda, e portanto, permitindo a discriminação de cores. A variação da largura da região de depleção nas proximidades de uma junção PN pode ser conseguida, numa estrutura do tipo DCP, através da aplicação em sua porta, de pulsos de amplitude e inclinação adequadas, de forma a levá-lo a operar em depleção profunda. Nessas condições, o valor máximo da largura da região de depleção é maior do que o seu valor máximo estacionário, podendo chegar a até 3 vezes o mesmo, conforme foi constatado por simulação, através de um software por nós desenvolvido, para uma estrutura MOS pulsada. Tal simulação forneceu-nos o campo e potencial elétricos e a concentração de portadores em função da profundidade através da resolução da equação de Poisson com condições de contorno adequadas. Dados os resultados obtidos nas simulações, a próxima etapa foi a elaboração de máscaras litográficas para construir diodos controlados por porta com diferentes geometrias, algumas sugeridas pela literatura, outras ) desenvolvidas para esse trabalho. Tais máscaras foram confeccionadas pelo CTI em Campinas e foram desenhadas através do software Microeletrônica de Etienne Sicard da universidade de Toulouse. Utilizamos as máscaras fabricadas para construir uma pastilha-teste preliminar com os diodos controlados por porta propostos. Infelizmente, nesta única corrida, tivemos curto-circuito entre porta e substrato e apenas as junções PN funcionaram a contento. Obtivemos diodos com fator de idealidade de ~1,4 e densidade de corrente reversa, no melhor dos casos, igual a 1,23.104 nA/cm² para áreas de (1000 x 1000) µm². Por outro lado, como não conseguimos DCP\'s funcionando, utilizamos transistores nMOS convencionais, fornecidos pelo Prof. João Antonio Martino, para medir a velocidade de recombinação superficial, \"velocidade de recombinação aparente\", que resultou em 5,5×106 cm/s, segundo o método proposto por Pierret. / This work presents a basic review about gate-controlled diodes (GCD) mainly on the method created by Grove and corrected by Pierret, for measuring the surface recombination velocity that is an important parameter on the analysis of device performance. In the sequence, we propose the use of GCD\'s as light radiation sensors and, probably as color sensors. To do so, we have simulated the behavior of a PN junction under illumination, varying the depletion region length. The simulations revealed that the luminous to electrical energy conversion depends on the length of the spatial charge region. This could be used, in the future, on the selective wavelength detection, alloying color discrimination. The variation of the depletion region length in the vicinity of a PN junction can be done, in a GCD structure, by applying in its gate, a set of electrical pulses with the right characteristics, in order to drive it to the deep depletion mode. In these conditions, the maximum length of the depletion region is larger than its steady state value, reaching as much as 3 times that value, as could be determined by means of simulation of a pulsed MOS structure, in a specific software developed for that purpose. This software give us the electric field and potencial and the carrier concentration against depth into the silicon by solving the Poisson equation with the right boundary conditions. Keeping these results in mind, the next step was the project of the lithographic masks in order to explore some different geometries, some of them suggested by the literature, others developed in this work. The fabrication of those masks were done by CTI in Campinas e were designed with the software Microeletrônica by Etienne Sicard from the university of Toulouse. We have used the masks to manufacture a preliminary chip test which included gate-controled diodes.Unfortunately, in this unique run, \"short circuits\" between gate and bulk has occurred and only the PN junctions worked as expected. We have obtained diodes with ideality factor of ~1.4 and reverse current density of 1.23.104 nA/cm² in the best case for junction areas of (1000 x 1000) µm². On the other hand, as we have not got gate-controlled diodes which were working, we have used conventional nMOS transistors borrowed by Prof. João Antônio Martino. Surface recombination velocity so was measured in these nMOS transistors and resulted in 5.5.106 cm/s, according to the method proposed by Pierret.

Este trabalho tem como objetivo investigar o comportamento de transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta de metal. Inicialmente estudou-se a aplicação dos métodos de extração de parâmetros através de curvas da capacitância, previamente desenvolvidos para estruturas SOI planares, em dispositivos de porta tripla com óxido de porta de háfnio (HfO2) e porta de metal com nitreto de titânio (TiN). Foram utilizados dispositivos com grandes dimensões, onde a influência das portas laterais pode ser desprezada, apresentando desta forma, um comportamento similar aos dispositivos com geometria planar. Simulações numéricas tridimensionais seguidas de medidas experimentais validam a utilização desses métodos em estruturas de múltiplas portas com grande largura de canal. A capacitância também foi utilizada para se analisar a influência que o efeito de canto exerce sobre estas estruturas de múltiplas portas. Na seqüência, foi investigado o impacto que a variação da espessura da porta de metal TiN causa nas características elétricas dos transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de silicato de óxido de háfnio (HfSiO). Parâmetros como tensão de limiar, função de trabalho, mobilidade, cargas de interface assim como as características analógicas foram analisadas. Os resultados indicaram que camadas de TiN mais finas são mais atrativas, apresentando menor tensão de limiar e armadilhas de interface, assim como um aumento na mobilidade e no ganho intrínseco do transistor. Contudo uma maior corrente de fuga pelo óxido de porta é vista nestes dispositivos. Juntamente com esta análise, o comportamento de transistores de porta tripla com dielétrico de porta de silicato de óxido de háfnio nitretado (HfSiON) também foi estudado, onde observou-se um maior impacto nas cargas de interface para o óxido de háfnio nitretado. Contudo, o mesmo é capaz de reduzir a difusão de impurezas até o óxido de silício (SiO2) interfacial com o canal de silício. Finalmente transistores de porta tripla com diferentes composições de estrutura de porta foram estudados experimentalmente, onde uma camada de óxido de disprósio (Dy2O3) foi depositada entre o silicato de óxido de háfnio (HfSiO) e a porta de metal TiN. Observou-se uma redução na tensão de limiar nos dispositivos com o óxido de disprósio assim como uma variação na tensão de faixa plana. Em resumo, quando a camada de óxido de disprósio foi depositada dentro da porta de metal TiN, uma melhor interface foi obtida, assim como uma maior espessura de óxido efetivo, indicando desta forma uma menor corrente de fuga. / The main goal of this work is to investigate the behavior of SOI triple gate transistors with high dielectric constant gate oxide and metal gate material. Initially it was studied the application of process parameters extraction methods through capacitance curves, developed previously for planar SOI structures, in the triple-gate devices with hafnium gate oxide (HfO2) and metal gate of titanium nitride (TiN). Devices with larger dimensions were used, where the lateral gate influence can be neglected, presenting a planar behavior. Three-dimensional numerical simulations followed by experimental measurements validated the methods used in multiple-gate structures with wide channel width. The capacitance was also used in order to analyze the corner effect influence under these structures. In sequence, it was investigated the impact that the metal gate TiN thickness variation cause on the electric characteristics on the SOI triple gate transistors with silicate of hafnium oxide (HfSiO) as gate oxide. Beyond threshold voltage, work function, mobility, interface trap density and analog characteristics were analyzed. The results showed that thinner TiN are highly attractive, showing a reduction on the threshold voltage and trap density, an improved mobility and of the intrinsic gain of the transistor. However, an increase on the leakage current is observed in these devices. Together with this analyzes the behavior of triple gate transistors with gate dielectric of silicate of hafnium oxide nitrated (HfSiON) was also studied, where for the HfSiON a higher interface trap density impact was observed. Nevertheless it is efficient on the reduction impurity diffusion to cross until the silicon oxide (SiO2) that interfaces with the silicon channel. Finally, triple gate transistors with different gate stacks were experimentally studied, where a dysprosium oxide layer (Dy2O3) was deposited between the silicate of hafnium oxide (HfSiO) and the TiN metal gate. We observed a reduction in the threshold voltage of theses devices with dysprosium oxide as well as a variation of flatband voltage. In summary, when the dysprosium oxide layer was deposited inside the TiN metal gate, a better interface was obtained, as well as a higher effective oxide thickness, resulting in a lower leakage current.

Complicações vasculares do transplante hepático podem causar alterações de perfusão e drenagem do enxerto com prejuízo à sua função, comprometendo a qualidade de vida e a sobrevida do receptor. A angioplastia transluminal percutânea é uma opção de tratamento para estas complicações. No entanto, pela falta de trabalhos dedicados para população pediátrica, não há consenso sobre sua segurança em longo prazo e qual técnica seria a mais adequada. Este estudo teve como objetivo avaliar a resposta terapêutica do tratamento endovascular percutâneo da estenose de veia porta em crianças submetidas ao transplante de fígado. Entre agosto de 2000 e agosto de 2009, foram realizados 254 transplantes hepáticos no Instituto da Criança Professor Pedro de Alcântara do Hospital das Clínicas da Faculdade de Medicina da Universidade de São Paulo. Quinze delas (5,9%; 15/254) desenvolveram estenose de veia porta com indicação de tratamento. O diagnóstico da lesão foi confirmado pela ultrassonografia em todos os casos. O tratamento da estenose consistiu inicialmente na angioplastia com balão por acesso transparietohepático ao sistema porta, sendo o implante de stent indicado nos casos de estenose residual maior que 30%, ou na recidiva da estenose. A idade média do grupo tratado foi de 4,5 anos ± 2,9 anos (mediana de 3,6 anos) e o peso médio, de 15,3 kg ± 5,7 kg (mediana de 14,6 kg). Dez pacientes (66,7%; 10/15) foram tratados com sucesso por uma única sessão de angioplastia com balão. Outra criança (1/15; 6,7%) foi tratada com sucesso por implante de stent indicado pela estenose residual > 30% após a tentativa de tratamento com balão numa mesma sessão. Outras quatro, inicialmente tratadas por angioplastia com balão (26,7%; 4/15), evoluíram com recidiva da estenose após 19 dias, 2 meses, 8 meses e 2 anos do tratamento e foram submetidas a nova angioplastia, desta vez com implante de stent. O tempo médio de seguimento foi de 7,4 anos ± 2,6 anos (mediana de 7,9 anos) com taxa de perviedade primária foi de 73,3% (11/15) e taxa de perviedade primária assistida, obtida pela reintervenção precoce da re-estenose da veia porta antes de sua obstrução, de 100%. A angioplastia com balão da estenose de veia porta após transplante hepático em crianças demonstrou ser um método seguro e efetivo neste grupo de pacientes no seguimento avaliado. Os casos tratados com stent apresentaram índices semelhantes de segurança e sucesso terapêutico / Vascular complications of liver transplantation can compromise grafts perfusion and drainage affecting its function and recipients quality of life. Percutaneous transluminal angioplasty is an option for these complications. However, especially in children, there is no consensus about its long-term safety and which technique would be most appropriate. This study has the objective to evaluate the therapeutic response of percutaneous endovascular treatment of portal vein stenosis in children submitted to liver transplantation. Between August 2000 and August 2009, 254 liver transplants were performed at the Instituto da Criança - Professor Pedro de Alcântara do Hospital da Clínicas da Faculdade de Medicina da Universidade de São Paulo. Fifteen of them (5.9%, 15/254) developed portal vein stenosis confirmed by ultrasound in all cases. The treatment of the portal vein stenosis consisted initially in balloon angioplasty. The stent was indicated in residual (greater than 30%) or recurrent stenosis. The mean age of the treated group was 4.5 years ± 2.9 years (median 3.6 years) and the mean weight was 15.3 kg ± 5.7 kg (median 14.6 kg). Ten patients (66.7%, 10/15) were successfully treated by a single session of balloon angioplasty. Another child (1/15, 6.7%) was successfully treated by stent due to residual stenosis after balloon angioplasty. Four other children (26.7%, 4/15) developed recurrent stenosis after 19 days, 2 months, 8 months and 2 years of initial treatment with balloon and underwent to a new angioplasty this time, with stent. The primary patency rate was 73.3% (11/15) and the assisted primary patency rate, determined by early intervention before portal vein occlusion, was 100%. Follow-up time was 7.4 years ± 2.6 years (median 7.9 years). Balloon angioplasty of portal vein stenosis after liver transplantation in children demonstrated to be a safe and effective method in this group of patients during the follow-up period of this research. Cases treated with stent had similar rates of safety and therapeutic successes

O tomateiro (Solanum lycopersicum L.) é uma das plantas cultivadas de maior importância no mundo, sendo uma das principais hortaliças em importância econômica no Brasil. A murcha-bacteriana é uma doença dentre as mais limitantes para a cultura do tomateiro e o uso de cultivares resistentes à Ralstonia spp. é uma das únicas alternativas para evitar as perdas causadas por esse patógeno. Contudo, existem raríssimos estudos sobre a base genética de genótipos resistentes aos principais isolados de Ralstonia spp. Objetivou-se nesse trabalho estudar parâmetros genéticos da resistência à murcha-bacteriana em linhagens e híbridos usados como porta-enxertos de tomateiro, por meio de abordagens complementares que envolvem desde o ajuste das metodologias para indução artificial da doença, até estimativas das capacidades de combinação e a heterose entre linhagens, visando identificar cruzamentos promissores para o estabelecimento de um programa de melhoramento genético para resistência à murcha-bacteriana em tomateiro para porta-enxertos. Comparando-se quatro métodos de indução da resistência verificou-se que o método da lesão das raízes do torrão com objeto cortante (bisturi) e pulverização de 5 mL da suspensão bacteriana no torrão, comparativamente aos outros métodos avaliados, apresenta fácil execução, requer quantidades reduzidas de suspensão bacteriana e proporciona boas quantidades de plantas de tomateiro com sintomas de murcha-bacteriana, sendo o mais adequado entre os métodos testados. Foi estimada a heterose e capacidade de combinação entre linhagens de tomateiro para um isolado do biovar 2 de Ralstonia solanacearum em estágio de plântulas, em ambiente protegido, e em um solo naturalmente infestado por Ralstonia spp. Entre as linhagens avaliadas, apenas o genótipo Hawaii 7996 apresentou níveis aceitáveis de resistência, sendo necessário encontrar novas fontes de resistência para o início de um programa de melhoramento. Verificou-se que nenhuma das progênies derivadas dos cruzamentos desse estudo apresentaram resistência superior ao parental superior Além disso, foi verificada a importância dos efeitos aditivos e, consequentemente, os cruzamentos de genitores com alta CGC para o caráter e a seleção recorrente seriam as melhores alternativas no melhoramento para resistência à murcha-bacteriana. Finalmente, foram estudados os genitores e seus híbridos, utilizados como porta-enxerto em condições de campo e em ambiente protegido visando o aumento da resistência à murcha-bacteriana causada por Ralstonia spp., e incremento dos parâmetros produtivos de um híbrido comercial utilizado como copa. Verificou-se influência dos diferentes porta-enxertos em caracteres de produção e massa dos frutos e no desenvimento de copa. Caracteres relacionados ao sistema radicular dos porta-enxertos apresentaram heterose em relação aos seus genitores, com efeitos aditivos e não aditivos importantes, mostrando o desempenho das linhagens e sua contribuição para a produção de híbridos superiores. Por fim, este estudo possibilitou o melhor entendimento sobre a base genética da resistência em genótipos de tomateiro que possuem uso potencial como porta-enxertos resistentes à murcha-bacteriana. / The tomato (Solanum lycopersicum L.) is one of the most important cultivated plants in the world, being one of the main vegetables of economic importance in Brazil. The bacterial wilt is one of the most limiting diseases for the tomato crop and the use of resistant cultivars to Ralstonia spp. is one of the only alternatives to avoid losses caused by this pathogen. However, there are very few studies on the genetic basis of genotypes resistant to the main isolates of Ralstonia spp. The objective of this work was to study the genetic parameters of resistance to bacterial wilt in lines and hybrids used as tomato rootstocks, through complementary approaches that range from the adjustment of the methodologies for artificial induction of the disease, to estimates of the combining abilities and heterosis among lines, aiming to identify promising crosses for the establishment of a rootstock genetic breeding program for resistance to bacterial wilt in tomatoes. Comparing four resistance induction methods, it was verified that the method of injuring roots with cutting object (scalpel) and spraying 5 mL of the bacterial suspension in the clod compared to the other\'s methods evaluated, is easiest to perform, requires less amounts of bacterial suspension and provides good amounts of tomato plants with wilt symptoms, being the most suitable among the methods tested. The heterosis and combining ability of tomato lines for a strain of biovar 2 of Ralstonia solanacearum in greenhouse at seedling stage and in soil naturally infested by Ralstonia spp were estimated. Among the lines evaluated, only the Hawaii 7996 genotype showed acceptable levels of resistance, and it is necessary to find new sources of resistance for the beginning of a breeding program. It was verified that none of the progenies derived from the crosses of this study presented superior resistance to the superior parental. In addition, the importance of the additive effects was verified and, consequently, the crossings of parents with high CGC for the character and the recurrent selection would be the best alternatives in the improvement for resistance to bacterial wilt. Finally, we studied the parents and their hybrids, used as rootstocks under field conditions and in a protected environment aiming the increasing resistance to bacterial wilt caused by Ralstonia spp., and increasing of the yield parameters of a commercial hybrid used as a scion. The influence of the different rootstocks was verified in characters of yield and mass of the fruits and in the development of the scion. Characteristics related to the root system of rootstocks showed heterosis in relation to their parents, with important additive and non-additive effects, showing the performance of the lines and their contribution to the production of superior hybrids. Finally, this study allowed a better understanding of the genetic basis of resistance in tomato genotypes that have potential use as bacterial wilt resistant rootstocks.

Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da mobilidade de portadores em transistores SOI nMOS e pMOS avançados planares e de porta tripla através de simulações tridimensionais e resultados experimentais. Devido à sua estrutura física, os transistores de porta tripla apresentam duas mobilidades, uma referente ao canal de condução na porta superior (orientação cristalográfica ) e uma referente ao canal de condução das portas laterais (orientação cristalográfica ). Inicialmente foi feito um estudo comparativo dos métodos de extração da mobilidade através de simulações numéricas tridimensionais dos dispositivos de porta tripla, tendo como objetivo analisar o comportamento dos diferentes métodos de extração da mobilidade efetiva de portadores e separação das mobilidades da porta superior e laterais, para fazer a escolha dos métodos mais adequados para aplicação nos resultados experimentais. De modo geral todos os métodos estudados sofrem maior influência com a redução do comprimento de canal devido aos efeitos da resistência série e de canal curto. Dentre os métodos estudados o que apresenta maior influência com a redução do comprimento de canal é o por gm,máx que apresentou maiores erros. E o método por Y-function apresentou o melhor comportamento com a redução do comprimento de canal, seguido pelo método Split C-V. Para os dispositivos com comprimento de canal acima de 0,5micro metros o maior erro encontrado foi de 13% para os métodos McLarty e Y-function. Neste caso os métodos por gm,máx e Split C-V apresentaram melhores resultados. Com relação à largura de canal os métodos por gm,máx e Split C-V tiveram os melhores resultados com a utilização de dispositivos de porta tripla. Foi observado que para dispositivos com Wfin maior que 0,7 micro metros os maiores erros encontrados foram de 11,2 % para o método Y-function e 10% para o método por gm,máx. No entanto, para dispositivos com Wfin menores que 0,7 micro metros os métodos Y-function e McLarty apresentaram os piores resultados chegando a quase 50% de erro para o dispositivo mais estreito (Wfin = 50nm). Quanto aos métodos de separação das mobilidades todos os métodos estudados apresentaram bons resultados e se mostraram eficientes mostrando um erro máximo de 11,3%. O que os diferencia é o grau de dificuldade de aplicação. Posteriormente foram realizadas medidas experimentais a fim de possibilitar o entendimento dos fenômenos físicos relacionados à mobilidade de portadores. Primeiramente foram analisados os dispositivos de porta tripla em temperatura ambiente e em baixa temperatura para dispositivos nMOS e pMOS. O estudo foi feito em dispositivos com diferentes comprimentos e larguras de canal a fim de analisar os efeitos das dimensões nesta tecnologia. Em seguida são apresentados os resultados para dispositivos SOI avançados planares em temperatura ambiente com variação da largura de canal e com aplicação de tensão no substrato, com objetivo de analisar o comportamento da mobilidade na primeira interface (óxido de porta/canal) e na segunda interface (óxido enterrado/canal). Esse estudo foi realizado com a aplicação de dois diferentes métodos de extração da mobilidade. Por fim foi feito um estudo de um novo método para extração da mobilidade de portadores chamado de magnetoresistência que consiste na aplicação de um campo magnético perpendicular ao fluxo de corrente do transistor. O uso do campo magnético altera a resistividade do canal, de onde é possível extrair a mobilidade. Foram apresentados os resultados com a utilização deste método para os dispositivos de porta tripla tipo nMOS com variação do comprimento de canal (90 a 910 nm) e da temperatura (200K a 77K). / This work presents a study of the carrier mobility behavior in planar and triple gate advanced SOI nMOS and pMOS transistors through three-dimensional simulations and experimental results. Due to its physical structure, the triple gate transistors presents two mobilities, one referring to the conduction channel on the top gate (crystallographic orientation ) and one referring to the conduction channel on the lateral gates (crystallographic orientation ). Initially, a comparative study of the mobility extraction methods through three-dimensional numerical simulations of the triple gate devices was made, with the purpose to analyze the behavior of different effective carrier mobility and separation of top and lateral gates mobilities extraction methods, to make the choice of the suitable methods for application in the experimental results. From a general way, all the studied methods suffer higher influence with channel length reduction due to short channel and the series resistance effects. Among the studied methods, the method by gm,max presents the higher influence with the channel length reduction that shows the bigger errors. The Y-function method presents the best behavior with the channel length reduction, followed by Split C-V method. For the devices with channel length above 0.5 mirco meters the highest error founded was 13% for McLarty and Y-function methods. In this case the gm,max and Split C-V methods presented the better results. With regard to the channel width the Split C-V and gm,max methods presented the better results with the use of triple gate devices. It was observed that for devices with Wfin higher than 0.7 mirco meters the highest errors founded were 11.2% for the Y-function method and 10% for gm,max method. Nevertheless, for devices with Wfin smaller than 0.7 micro meters the Yfunction and McLarty methods presented the worst results arriving almost 50% of error for the narrowest device (Wfin = 50nm). With regard to mobilities separation methods all the studied methods presented good results and had shown efficient showing a maximum error of 11.3%. The difference between them is the application difficulty level. After that, experimental measures were made in order to make possible the understanding of physical phenomena related to carrier mobility. Firstly, it was analyzed the triple gate devices at room and low temperatures for nMOS and pMOS devices. The study was done in devices with different channel lengths and widths in order to analyze the dimensions effects in this technology. After that it was present the results for planar advanced SOI devices at room temperature with variation of channel width and with the application of back gate voltage, with the purpose to analyze the behavior of the mobility in the first interface (gate oxide/channel) and second interface (buried oxide/channel). This study was done with the application of two different mobility extraction methods. Finally a study of a new mobility extraction method called magnetoresistance was made; this method consists in a perpendicular magnetic field application to transistor current flow. The uses of magnetic field change the channel resistivity, where it is possible to extract the mobility. It was presented results with the use of this method for triple gate nMOS devices with variation of channel length (90 a 910 nm) and temperature (200K to 77K).

O presente trabalho faz inicialmente uma revisão básica a respeito de diodos controlados por porta ressaltando o método criado por Grove, e corrigido por Pierret, para a determinação da velocidade de recombinação superficial, parâmetro esse, importante na análise do desempenho do dispositivo frente a situações que tendem a degradar o funcionamento do mesmo. Em seguida, propomos a utilização de DCP\'s como sensores de radiação luminosa e possivelmente como sensor de cores. Para tanto, simulamos o comportamento de uma junção PN sob iluminação quando variamos a extensão da região de depleção associada à mesma. De acordo com essas simulações, observamos que o rendimento de conversão da energia luminosa para elétrica, em função do comprimento de onda da luz incidente, apresenta dependência com relação a extensão da região de carga espacial. Essa característica pode vir a ser usada, futuramente, na detecção seletiva de comprimentos de onda, e portanto, permitindo a discriminação de cores. A variação da largura da região de depleção nas proximidades de uma junção PN pode ser conseguida, numa estrutura do tipo DCP, através da aplicação em sua porta, de pulsos de amplitude e inclinação adequadas, de forma a levá-lo a operar em depleção profunda. Nessas condições, o valor máximo da largura da região de depleção é maior do que o seu valor máximo estacionário, podendo chegar a até 3 vezes o mesmo, conforme foi constatado por simulação, através de um software por nós desenvolvido, para uma estrutura MOS pulsada. Tal simulação forneceu-nos o campo e potencial elétricos e a concentração de portadores em função da profundidade através da resolução da equação de Poisson com condições de contorno adequadas. Dados os resultados obtidos nas simulações, a próxima etapa foi a elaboração de máscaras litográficas para construir diodos controlados por porta com diferentes geometrias, algumas sugeridas pela literatura, outras ) desenvolvidas para esse trabalho. Tais máscaras foram confeccionadas pelo CTI em Campinas e foram desenhadas através do software Microeletrônica de Etienne Sicard da universidade de Toulouse. Utilizamos as máscaras fabricadas para construir uma pastilha-teste preliminar com os diodos controlados por porta propostos. Infelizmente, nesta única corrida, tivemos curto-circuito entre porta e substrato e apenas as junções PN funcionaram a contento. Obtivemos diodos com fator de idealidade de ~1,4 e densidade de corrente reversa, no melhor dos casos, igual a 1,23.104 nA/cm² para áreas de (1000 x 1000) µm². Por outro lado, como não conseguimos DCP\'s funcionando, utilizamos transistores nMOS convencionais, fornecidos pelo Prof. João Antonio Martino, para medir a velocidade de recombinação superficial, \"velocidade de recombinação aparente\", que resultou em 5,5×106 cm/s, segundo o método proposto por Pierret. / This work presents a basic review about gate-controlled diodes (GCD) mainly on the method created by Grove and corrected by Pierret, for measuring the surface recombination velocity that is an important parameter on the analysis of device performance. In the sequence, we propose the use of GCD\'s as light radiation sensors and, probably as color sensors. To do so, we have simulated the behavior of a PN junction under illumination, varying the depletion region length. The simulations revealed that the luminous to electrical energy conversion depends on the length of the spatial charge region. This could be used, in the future, on the selective wavelength detection, alloying color discrimination. The variation of the depletion region length in the vicinity of a PN junction can be done, in a GCD structure, by applying in its gate, a set of electrical pulses with the right characteristics, in order to drive it to the deep depletion mode. In these conditions, the maximum length of the depletion region is larger than its steady state value, reaching as much as 3 times that value, as could be determined by means of simulation of a pulsed MOS structure, in a specific software developed for that purpose. This software give us the electric field and potencial and the carrier concentration against depth into the silicon by solving the Poisson equation with the right boundary conditions. Keeping these results in mind, the next step was the project of the lithographic masks in order to explore some different geometries, some of them suggested by the literature, others developed in this work. The fabrication of those masks were done by CTI in Campinas e were designed with the software Microeletrônica by Etienne Sicard from the university of Toulouse. We have used the masks to manufacture a preliminary chip test which included gate-controled diodes.Unfortunately, in this unique run, \"short circuits\" between gate and bulk has occurred and only the PN junctions worked as expected. We have obtained diodes with ideality factor of ~1.4 and reverse current density of 1.23.104 nA/cm² in the best case for junction areas of (1000 x 1000) µm². On the other hand, as we have not got gate-controlled diodes which were working, we have used conventional nMOS transistors borrowed by Prof. João Antônio Martino. Surface recombination velocity so was measured in these nMOS transistors and resulted in 5.5.106 cm/s, according to the method proposed by Pierret.