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Participatory Forest Management and Actor Role Dependency in Arabuko-Sokoke Forest Reserve, Kenya

Thomas, Christopher 03 October 2013 (has links)
Conservation management of state-controlled forests has shifted away from strict, centralized management by incorporating community-based co-management initiatives. Often termed participatory forest management, these initiatives include local residents in forest planning, implementation, and management. This thesis examines two case studies located at the Arabuko-Sokoke Forest Reserve, Kenya. The case studies illustrate how imbalances of power establish participant (actor) roles through policies set by governments and NGOs. Power imbalances are perpetuated through hegemonies of postcolonialism that reinforce actor role perceptions. Awareness and understanding of role perceptions is paramount in participatory conservation initiatives that benefit both the physical environment and community development. Analyzing histories of past conservation initiatives with assessments of current and perceived future issues may reduce unrealistic role expectations. Examining actor role contributions at multiple scales of power is necessary. Reflection upon how roles influence perceptions may decrease failures of conservation initiatives involving affluent global donors and marginalized local communities.
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Ferroelectric performance for nanometer scaled devices

Plekh, M. (Maxim) 11 December 2010 (has links)
Abstract The work deals with the experimental study of ferroelectric (FE) performance scaling for nanometer-sized devices. In the emerging and advanced devices, it is desirable to couple FE performance with other functions. This requires integration of nanoscale FEs with other materials, which is especially promising in epitaxial heterostructures. Such heterostructures inevitably possess a large lattice mismatch, the effect of which on FE properties is unknown and is in the focus of the present work. In the study, heteroepitaxial thin and ultrathin films and superlattices of ABO3-type perovskite structure FEs were used, with A = Pb, Ba, Sr, K, and N, and B = Ti, Zr, Nb, and Ta. FE domains and local polarization switching were explored on the nanometer scale using piezoresponse force microscopy. The experiment was modified that allowed achieving images with high contrast and lateral resolution, and also allowed analysis of nanodomains in lateral capacitor configuration. Local properties were related to a macroscopic response. For this, the method of simultaneous on-wafer low-frequency impedance measurements was optimized allowing studies of thin and ultrathin (to 5 nm) films in a broad range of conditions and regimes. Experimental studies have reveled phenomena which cannot be explained in the frame of the existing theories. The observed new effects are important for applications such as multistate memory devices, storage capacitors, and FE tunnel junction devices.
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Développement d'un dispositif de champ magnétique réversible à base des cryo-aimants supraconducteurs / Development of a pulsed magnetic field generator based on superconducting cryo-magnets

Dupont, Louis 13 February 2018 (has links)
Les cryo-aimants supraconducteurs sont des sources de champs magnétiques intenses, compactes et peu gourmandes en énergie. Il existe diverses méthodes d’aimantation mais seule l’aimantation par champ magnétique pulsé (PFM) permet d’obtenir des champs excitateurs élevés sans recourir à des bobines supraconductrices refroidies.Basé sur une collaboration industrielle, ce travail a été consacré dans un premier temps à la conception d’un générateur de courant pulsé compact et évolutif générant des rampes de pulse de polarité réglage pouvant atteindre 3000A.Dans un second temps, nous avons mis en place les différents systèmes permettant l’aimantation des cryo-aimants refroidis soit à 77 K, soit dans un cryostat refroidi par un cryo-générateur.Enfin, l’aimantation par pulses de champ des cryo-aimants supraconducteurs a montré la possibilité de piéger un champ magnétique de l’ordre du tesla, réversible et reproductible. Les résultats obtenus répondent aux impératifs industriels de l’étude. Ils sont très encourageants pour le développement d’un dispositif de champ magnétique réversible à base de cryo-aimants supraconducteurs pour l’instrumentation scientifique ou pour les applications électrotechniques. / Superconducting cryomagnets are high magnetic fields sources that are both compact and energy efficient. There are various magnetization technics but only the magnetization by pulsed magnetic field (PFM) results in high excitation fields, that otherwise could only be obtained with large superconducting coils.This work was done in the framework of an industrial collaboration. In a first step, a compact and innovative pulse current generator enabling the generation of pulses with a 3000 Amps maximum intensity was designed and fabricated. Secondly, different systems for the magnetization of cryo-magnets either cooled down to 77 K or cooled in a cryostat by a cryo-generator were implemented. Finally, the pulsed field magnetization of superconducting cryo-magnets has shown that reversible and reproducible magnetic field in the one Tesla range could be generated by the set up.The results obtained are consistent with the industrial goals of this study. They are very encouraging for the development of reversible magnetic field devices based on superconducting cryo-magnets and dedicated to scientific instrumentation or for electrotechnical applications.
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Spektroskopické studium mřížkové dynamiky feroelektrických látek s hustou doménovou strukturou / Spectroscopic Investigation of Lattice Dynamics in Multidomain Ferroelectrics

John Vakkechalil, Elizabeth January 2012 (has links)
Title: Spectroscopic investigations of lattice dynamics in multidomain ferroelectrics Author: Elizabeth Vakkechalil John Department: Department of Condensed Matter Physics Institution: Department of Dielectrics, Institute of Physics, AVČR, Na Slovance 2, Praha 8, 182 21, Czech Republic. Supervisor: Ing. Jiří Hlinka, PhD., Department of Dielectrics, Institute of Physics, AVČR., Na Slovance 2, Praha 8, 182 21, Czech Republic. Consultants: RNDr. Stanislav Kamba CSc., Ing. Ivan Gregora CSc. Fyzikální ústav AVČR, Na Slovance 2, Praha 8, 182 21, Czech Republic. Abstract: Lead based ferroelectric perovskites exhibit attractive physical and structural properties. Ferroelectric domains are known to have a very essential impact on dielectric and piezoelectric properties of ferroelectrics. Tailoring of domain structures allows to change the macroscopic symmetry of the material and to purposely modify its average tensor properties. Ferroelastic domains play also a key role in physics of epitaxial ferroelectric films. Here we studied signature of domain structure in PbTiO3 thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition technique on different substrates, namely LaAlO3, MgO, NdGaO3, SrTiO3 (100), SrTiO3 (110), SrTiO3 (111) doped with 0.5% Nb and LSAT. Certain aspects of domain structure can be...
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Aimantation de pastilles supraconductrices / Magnetization of superconducting bulks

Gony, Bashar 28 September 2015 (has links)
Les pastilles supraconductrices peuvent produire des forts champs magnétiques très supérieurs aux aimants permanents. Plusieurs méthodes d’aimantation de ces pastilles existent néanmoins une seule est principalement utilisée pour les applications en génie électrique, l’aimantation par champ magnétique impulsionnel (Pulsed Field Magnetization). Afin de maîtriser l’aimantation de ces pastilles supraconductrices par PFM, nous avons étudié l’influence de la forme de l’inducteur sur le champ magnétique piégé où nous trouvons une influence significative de la forme de l’inducteur sur le champ piégé dans la pastille supraconductrice. Afin de prévoir la mise en oeuvre des pastilles supraconductrices dans des applications en génie électrique, nous avons étudié l’aimantation de ces pastilles dans un circuit magnétique et l’influence de ce circuit sur le champ piégé. Nous remarquons une nette amélioration du champ piégé dans la pastille en utilisant le circuit magnétique. Nous avons étudié, également, l’influence d’un champ démagnétisant impulsionnel et alternatif sur le champ piégé dans une pastille supraconductrice aimantée. Les dégradations observées ne montrent pas de contre-indication à l’utilisation des pastilles supraconductrices aimantées dans les applications en génie électrique. / The superconducting bulks can produce very strong magnetic fields greater than those of permanent magnets can. Several methods of magnetization of the superconducting bulks exist, however one is mainly used for the electrical applications, the Pulsed Field Magnetization. In order to control the magnetization of the superconducting bulks by PFM, we studied the influence of the shape of the inductor on the trapped magnetic field where we find a significant influence of the shape of the inductor on the trapped magnetic field in the anticipate superconducting bulk. In order to the implementation of the superconducting bulk in the electrical applications, we studied the magnetization of these bulks in a magnetic core and the influence of this magnetic core on the trapped magnetic field. We notice an important improvement of the trapped magnetic field in the superconducting bulk by using the magnetic core. We studied also the influence of a pulsed and an alternating demagnetizing field on the trapped magnetic field in a superconducting bulk. The observed degradation does not show any contraindication to use the superconducting magnetic bulks in the electrical engineering applications.
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An Integrated High Efficiency DC-DC Converter in 65 nm CMOS

Manh, Vir Varinder January 2010 (has links)
This thesis work describes the implementation perspective of an integrated high efficiency DC-DC converter implemented in 65 nm CMOS. The implemented system employs the Buck converter topology to down-convert the input battery voltages. This converter offers its use as a power management unit in portable battery operated devices. This thesis work includes the description of a basic Buck converter along with the various key equations involved which describe the Buck operation as well as are used to deduce the requirements for the various internal building blocks of the system. A detailed description of the operation as well as the design of each of the building blocks is included. The implemented system can convert the input battery voltage in the range of 2.3 V to 3.6 V into an output supply voltage of 1.6 V. The system uses dual-mode feedback control to maintain the output voltage at 1.6 V. For the low load currents the PFM feedback control is used and for the higher load currents the PWM feedback control is used. This converter can supply load currents from 0 to 300 mA with efficiency above 85%. The static line regulation of the system is < 0.1% and the load regulation of the system is < 0.3%. A digital soft-start circuit is implemented in this system. The system also includes the capability to trim the output voltage in ~14 mV steps depending on the 4-bit input digital code.
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Modellierung der Formstoffströme beim Vollformgießen

Kotov, Roman 24 July 2009 (has links) (PDF)
Im Rahmen dieser Arbeit wurde mit Hilfe von Distinct Element Methode und PFC3D-Programm eine 3D-Modellierung der Formstoffströme bei der Formherstellung, indem es zur Sandverdichtung unter der Vibrationseinwirkung kommt, für das Vollformgießen durchgeführt. Hierfür wurden die Fließeigenschaften des trockenen binderfreien Sandes überprüft, mit PFC3D modelliert und eine gute Übereinstimmung zwischen dem realen Sand und dem modellierten Stoff erreicht. Dadurch war es möglich, diese Modellierung für die Untersuchungen des Sandverhaltens unter Vibration zu verwenden und die Sandströmungen im Formbehälter zu beobachten. Die theoretischen Ergebnisse des Simulationsprozesses haben gezeigt, dass die durchgeführte Modellierung nicht nur die Auswahl der optimalen Vibrationsparameter bei der Formherstellung für das Vollformgießen, sondern auch die allgemeine Anwendung des mathematischen Modells für den trockenen binderfreien Sand möglich macht.
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利用PFM衡量我國未上市保險公司之違約風險

許士偉 Unknown Date (has links)
透過KMV公司用來衡量公開發行公司違約風險之Private Firm Model (PFM),衡量台灣公開發行的產壽險保險公司之違約距離,藉由違約距離與違約機率之關係,以得知我國未上市產壽險公司違約風險之大小。估計資產市值時,本文以稅前息前折耗前淨利(EBITDA)前三年、前四年、前五年的平均,期望解決公開發行公司所對應出資產市值為負的情況,但結果不顯著。估計資產報酬標準差時,對觀察值公司規模大小進行群組區分。壽險公司分組臨界點11.25,產險公司分組臨界點10.4,小規模群組呈現顯著。 由於我國上市保險公司家數有限,使得未上市保險公司之資產市值及資產報酬標準差必須以上市保險公司之迴歸式來估計,但少數幾家未上市保險公司估計出來之結果並不合理。並且都在往後的一年或兩年內即退出市場,或者這些少數公司,在市場的認知下原本就是具有財務問題之公司,故PFM可以適用於我們產壽險公司。 / This paper mainly discusses the listed companies’ default risks by KMV’s Private Firm model (PMF) and focuses on evaluating Taiwan’s insurance companies’ distance-to-default (DD). By comparing DD with respective historical default probability, we can obtain the magnitude of default risk of each listed companies. In estimating market asset value, we utilize the average EBITDA of 3-year-ago, 4-year-ago and 5-year-ago data as the proxy to resolve the probable minus-asset-value phenomenon, however the result is insignificant. Pertaining to forecasting asset variance, we categorize the studied companies by its respective capitalization. 11.25 is the decision point for life insurance companies and 10.4 is for Property & Casualty companies. Among the researched objectives, we find that small category displays significantly. Because of insufficient data from publicly traded insurers, while conducting asset value and asset variance by implementing regression methodology, our conclusion indicates acceptable only with few unsatisfactory exceptions. We successfully predict those distressed insurers stepped out the market in the following years. Hereafter, we assert that the PFM model is suitable for both life and P&C companies.
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Extending Efficiency in a DC/DC converter with automatic mode switching from PFM to PWM

January 2014 (has links)
abstract: Switch mode DC/DC converters are suited for battery powered applications, due to their high efficiency, which help in conserving the battery lifetime. Fixed Frequency PWM based converters, which are generally used for these applications offer good voltage regulation, low ripple and excellent efficiency at high load currents. However at light load currents, fixed frequency PWM converters suffer from poor efficiencies The PFM control offers higher efficiency at light loads at the cost of a higher ripple. The PWM has a poor efficiency at light loads but good voltage ripple characteristics, due to a high switching frequency. To get the best of both control modes, both loops are used together with the control switched from one loop to another based on the load current. Such architectures are referred to as hybrid converters. While transition from PFM to PWM loop can be made by estimating the average load current, transition from PFM to PWM requires voltage or peak current sensing. This theses implements a hysteretic PFM solution for a synchronous buck converter with external MOSFET's, to achieve efficiencies of about 80% at light loads. As the PFM loop operates independently of the PWM loop, a transition circuit for automatically transitioning from PFM to PWM is implemented. The transition circuit is implemented digitally without needing any external voltage or current sensing circuit. / Dissertation/Thesis / M.S. Electrical Engineering 2014
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Epitaxie par jets moléculaires de l'oxyde BaTiO3 sur Si et Si1xGex : étude de la croissance, des propriétés structurales ou physico-chimiques et de la ferroélectricité : applications à des dispositifs à effet de champ

Mazet, Lucie 13 July 2016 (has links)
L’intégration monolithique d’oxydes ferroélectriques sur substrats semi-conducteurs pourrait permettre l'ajout de nouvelles fonctionnalités sur puces de la nanoélectronique. L'utilisation d'un ferroélectrique est en particulier intéressante pour la réalisation de dispositifs à basse consommation d'énergie. Toutefois, leur intégration se heurte à un certain nombre de verrous scientifiques et technologiques tels que le contrôle de l'interface oxyde/semi-conducteur, l’instabilité de la polarisation ferroélectrique en couches minces ou encore la compatibilité de l'intégration avec les procédés industriels actuels. Les principaux objectifs de ma thèse ont été : l'optimisation de la croissance MBE de BaTiO3 épitaxié sur Si et Si1-xGex en termes de structure cristalline et de propriétés ferroélectriques, l’étude des effets de taille sur la ferroélectricité et le démarrage de l’intégration de BaTiO3 dans des dispositifs à effet de champ. Différentes conditions de croissance sur substrats de silicium, en particulier la température et la pression d'oxygène P(O2), ont été étudiées. Les analyses de diffraction des rayons X (XRD) combinées à des techniques avancées de microscopie électronique en transmission (STEM-HAADF, GPA, EELS) ont permis d'établir une corrélation, à l'échelle locale, entre l'orientation de la maille tétragonale et la composition cationique des films. La ferroélectricité de films orientés axe c, d'épaisseur 16-20 nm, préparés sous des pressions partielles P(O2) de 1-5 x 10-7 Torr, à 450-525°C, et avec un recuit post-dépôt sous oxygène, a été mise en évidence par microscopie à force atomique en mode piézoélectrique (PFM). Nous avons également démontré la ferroélectricité de couches ultra-minces (1.6, 2.0, 2.8, 3.2 et 4.0 nm) par PFM et par des mesures complémentaires de microscopie à force atomique en mode Kelvin (permettant d'exclure un mécanisme d'origine purement électrochimique). Pour 4, 5, 7 et 8 monocouches, l'amplitude de la polarisation pointant vers l'interface supérieure (Pup) est supérieure à celle de la polarisation Pdown. Ceci est attribué à des régions non ferroélectriques ou à des régions polaires dont la polarisation est ancrée aux interfaces. Nous avons ensuite étudié la croissance de BaTiO3 épitaxié sur substrats Si1-xGex, ce qui constitue une approche inédite, particulièrement intéressante pour moduler les contraintes, notamment en vue des futurs transistors. Afin de comprendre l'effet de la présence de Ge, la croissance de BaTiO3 sur Si0.8Ge0.2 contraint sur Si(001) a été étudiée. Le suivi de la croissance in-situ par spectroscopie de photoélectrons X et l’analyse de la structure cristalline et de l’interface par XRD et STEM-HAADF ont révélé l'importance de la préparation du substrat. La passivation de Si0.8Ge0.2 avec des atomes de Ba permet l’épitaxie directe d’un film de BaTiO3 orienté (112), ceci par l'intermédiaire d'une couche d'interface épitaxiée, identifiée comme étant le silicate de structure orthorhombique Ba2SiO4. Ce silicate est épitaxié selon deux orientations dans le plan de Si0.8Ge0.2, ce qui conduit aux deux orientations <110> et <111> observées pour BaTiO3 dans le plan du substrat. Enfin, en collaboration avec IBM Research, une voie d’intégration basse température « gate-last » a été développée pour intégrer les couches minces de BaTiO3 dans des dispositifs à effets de champ sur Si (condensateurs et transistors). Les films de BaTiO3 ont été déposés par MBE sur des substrats pré-structurés. Un procédé approprié a été choisi pour le dépôt de l'électrode TiN et pour la lithographie/gravure. Certains empilements, composés d'une matrice amorphe et de nano-grains dans les structures capacitives, présentent un comportement ferroélectrique (Tc~105°C). Cette première démonstration d’une capacité ferroélectrique de BaTiO3 "quasi-amorphe" sur Si à permittivité relative modérée (~25) et à faible courant de fuite est particulièrement intéressante. [...] / No abstract

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