Orientador: Peter Jurgen Tatsch / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T21:34:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Manera_LeandroTiago_M.pdf: 1877187 bytes, checksum: a0545f28b99f4d215578ff2ba56d909f (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Orientador: Paulo Roberto Mei / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-25T21:38:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pires_JoseCarlosdosSantos_M.pdf: 4326893 bytes, checksum: 268a9b6c58d0f5ea36ffd65a86e69b2c (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Neste trabalho utilizou-se a fusão em forno de feixe de elétrons para a purificação de silício grau metalúrgico (Si-GM). Essa técnica de purificação foi iniciada no Departamento de Engenharia de Materiais em 1994 obtendo-se ótimos resultados. Partindo-se de Si-GM lixiviado com 99,97%, conseguiu-se 99,999% de pureza. Baseando-se nesses resultados, procurou-se melhorar o grau de pureza. Para isso, partindo-se de Si-GM lixiviado, na forma de pó com 99,91 % de pureza, utilizou-se de dois modos diferentes de fusão: o processo estático e a fusão com alimentação lateral (processo dinâmico) bem como um número maior de refusões sucessivas. Realizou-se também uma fusão, utilizando-se o processo estático, partindo-se de Si GM na forma de pedra, com 99,88% em massa, sem o tratamento prévio de lixiviação ácida. As análises químicas demostraram que não houve grandes diferenças entre os processos estático e dinâmico pois os resultados finais foram bastante parecidos. Como o processo dinâmico é mais trabalhoso, com relação à preparação da barra a ser fundida, o processo estático passa a ser mais vantajoso e mais prático. Com relação ao processo estático apenas duas refusões seriam necessárias para atingir o limite de extração das impurezas. A fusão do Si-GM na forma de pedra demonstrou ser mais eficiente em termos de custo beneficio, pois elimina as etapas de moagem e lixiviação, bem como o corte e a soldagem necessários no processo dinâmico / Abstract: ln this work, Electron Beam Melting (EBM) was used to purify the leached Metallurgical-Grade Silicon (MG-Si). This purification technique was begun in the Material Engineering Department in 1994 with fine results. From the leached MG-Si (99,97% in mass) it was obtained purity of 99,999%. From the better results, the goal was to improve the purification leveI. So, ITom the powder leached MG-Si (99,91% in mass), it was used two different ways ofmelting: static and dynamic (lateral feed) processes, besides more number of successive re-melting. It was made another melting of MG-Si stone without previous leaching. The chemical analysis showed that there wasn't difference between static and dynamic processes, the final results of both processes were very similar. As the dynamic process is more laborious in preparing the bar to be melted, so the static process is more practical and advantageous. The static process needs only two re melting to get the extraction impurity limito The melting of stone MG-Si showed to be more efficient since it eliminates the grinding and leaching stages besides the cut and weld used in the dynamic process / Mestrado / Materiais e Processos de Fabricação / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Wilmar Bueno de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T09:59:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferreira_ElnatanChagas_M.pdf: 10427742 bytes, checksum: 211b9c380d185df7128e3df0ddbb6de6 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: O objetivo deste trabalho é investigar a obtenção de filmes de silício policristalino, depositados no reator epitaxial projetado e construído no nosso laboratório, a partir da redução de tetracloreto de silício por hidrogênio, e caracterizar estes filmes visando aplicá-los em uma tecnologia MOS porta de silício. Para tanto, ajustamos alguns parâmetros geométricos do reator epitaxial, verificamos a dependência da deposição e morfologia dos filmes com os parâmetros CVD (temperatura do substrato, fluxo total de gases e concentração de SiCl4). Dopamos os filmes por difusão térmica convencional, determinamos: taxa e resolução de ataque químico, resistência de folha, resistência de contato da interface silício policristalino/alumínio, largura efetiva da linha de silício policristalino, cargas no óxido de porta, etc. E ainda, foi definido um roteiro de instruções básicas para a construção de um transistor canal N com porta de silício. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Submitted by Marco Antônio de Ramos Chagas (mchagas@ufv.br) on 2015-11-05T08:26:19Z No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 855193 bytes, checksum: 945267d07c8abf78ed2835a5935b4d77 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-11-05T08:26:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 855193 bytes, checksum: 945267d07c8abf78ed2835a5935b4d77 (MD5) Previous issue date: 2014-09-10 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / Objetivou-se neste estudo avaliar o efeito da aplicação de silicato de Ca e Mg e de B sobre a tolerância do girassol à deficiência hídrica. Dois experimentos foram realizados em condições de casa de vegetação, no Departamento de Fitotecnia da Universidade Federal de Viçosa, em Viçosa, MG. O experimento 1 foi realizado no período de 15 de agosto a 25 de novembro de 2012. O delineamento experimental foi em blocos casualizados, num arranjo fatorial 24 com cinco repetições. Os tratamentos foram constituídos da combinação de dois materiais corretivos de acidez (silicato de cálcio e magnésio e calcário dolomítico), dois níveis de saturação por bases (30% e 70%), dois níveis de B (0,18 mg dm-3 valor disponível no solo e 1,20 mg dm-3) e dois regimes hídricos (sem e com deficiência hídrica a partir do início do florescimento). As variáveis das trocas gasosas foram avaliadas aos 2 (55 dias após a semeadura– DAS), 9 (62DAS), 16 (69DAS), 21 (74 DAS) e 30 (83 DAS) dias após o emprego do déficit hídrico (DAEDH); um dia após cada data citada, avaliaram-se as variáveis da fluorescência da clorofila. A leitura do potencial hídrico foliar foifeita somente aos 22 DAEDH. A colheita foi realizada 102 DAS, quando as plantas se encontravam no estádio de maturação fisiológica (R9). Os capítulos foram cortados, colocados em sacos de papel, etiquetados e transportados ao Laboratório de Análise de Semente da UFV. Após a separação das sementes do capítulo, estas foram submetidas às avaliações de qualidade física, fisiológica e de teor de óleo das sementes. Pode-se concluir que o suprimento de Si e B podem reduzir os danos causados ao girassol pela deficiência hídrica. A maior dose de B proporcionou melhorias nas qualidades física e fisiológica das sementes de girassol em condições de déficit hídrico. O Si aumentou a produção de aquênios e reduziu a porcentagem de sementes classificadas como malformadas e vazias. O Si não alterou a qualidade fisiológica e teor de óleo das sementes. O experimento 2 foi realizado no período de 21 março a 1o de agosto de 2013, com o objetivo de verificar as respostas fitotécnicas, fisiológicas e o teor de óleo das sementes de girassol cultivado sob déficit hídrico com a aplicação de doses de silicato de Ca e Mg e de B. O delineamento experimental foi o de blocos casualizados com quatro repetições, utilizando a matriz experimental Plan Puebla III, modificada por Leite (1984), para composição dos tratamentos, constituídos da combinação de dois fatores: doses de silicato de Ca e Mg e de B em função do regime hídrico (sem e com deficiência hídrica a partir do início do florescimento). Silício e B aumentam a tolerância do girassol ao déficit hídrico. Pesquisas futuras conduzidas com plantas cultivadas no campo em condições contrastantes de umidade do solo devem ser realizadas para determinar o beneficio do Si e do B sobre a produtividade da cultura submetida ao déficit hídrico. / The objective of this study was to evaluate the effect of applying silicate of Ca and Mg and B on the tolerance of sunflower to water deficit. Two experiments were conducted under greenhouse conditions, in the Department of Phytotechny, Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, state of MG. Experiment 1 was conducted from August 15 to November 25, 2012. The experimental design was randomized blocks in a factorial arrangement 24 with five replications. The treatments consisted of the combination of two acidity corrective agents (silicate of calcium and magnesium and dolomitic lime), two saturation levels by bases (30% and 70%), two levels of B (0.18 mg dm-3 value available in the soil and 1.20 mgdm-3) and two water regimes (with and without water deficit from the beginning of flowering). The variables of gas exchange were evaluate d2 (55 days after sowing-DAS), 9 (62 DAS), 16 (69 DAS), 21 (74 DAS) and 30 (83 DAS) days after the use of water deficit (DAUWD); one day after each date mentioned, the variable of chlorophyll fluorescence were evaluated. The reading of the leaf water potential was made only after 22 DAUWD. Plants were harvested 102 DAS, when the plants were in the physiological maturity (R9). The capitol were cut, placed in paper bags, labeled and transported to the Seed Analysis Laboratory of UFV. After separation of the seeds of the capitulum, they were subjected to evaluations of physical, physiological quality and seed oil content. It can be concluded that the supply of Si and B can reduce the damage caused to sunflower by water deficit. The highest dose of B improved the physical and physiological qualities of sunflower seeds in water deficit conditions. The Si increased the production of achines and reduced the percentage of seeds classified as malformed and empty. The Si did not alter the physiological quality and oil content. Experiment 2 was conducted from March 21 to August 1, 2013, with the objective of verifying the phytotechnical and physiological responses and sunflower seed oil content cultivated under water deficit with the application of doses of silicate of Ca and Mg and B. The experimental design was a randomized block with four replications, using the experimental matrix Plan Puebla III, modified by Leite (1984), for the treatment composition, consisting of the combination of two factors: doses of silicate of Ca and Mg and B according to the water regime (with and without water deficit from the beginning of flowering). Silicon and B increase sunflower tolerance to water deficit. Future research conducted with plants grown in the field in contrasting soil moisture conditions should be performed to determine the benefit of Si and B on the crop yield submitted to water deficit.

Orientador: Itamar Ferreira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-20T17:22:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 LombelloNeto_Amador_M.pdf: 13040046 bytes, checksum: 21ff8ae12a614e317c6ef784acbe59d8 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Barras de Si3N4 foram brasadas com liga de Ag-Cu-Ti em vácuo à temperatura de 855°C. por 10 min. Variou-se a espessura da camada de liga de brasagem entre 50 e 100um. Foram feitos, análise semi-quantitativa da região de junção para levantamento da distribuição dos elementos após brasagem, imagens de raio-X para mapeamento dos elementos, ensaio de flexão em 4 pontos e fractografia. Notou-se urna descontinuidade entre as camadas interfaciais metálicas na espessura de 100um. Observou-se que o cobre e a prata não reagem com a cerâmica, mas o metal ativo, neste caso o titânio, difunde-se quase por completo na região da interface metal/cerâmica, com brusca queda de concentração para distâncias maiores de 10um. da cerâmica, comprovando a eficiência do titânio na molhabilidade do substrato cerâmico. A existência de titânio em pontos distantes da interface, mesmo que em pequenas concentrações, leva a crer que o tempo de brasagem não foi suficiente para a difusão completa do elemento para a região da interface. Os ensaios de flexão foram realizados à temperatura ambiente e sem preparação dos corpos de prova pós-brasagem. Os níveis de resistência à flexão do material brasado foram da ordem de 50% da resistência da cerâmica monolítica. Partículas alongadas de nitreto de silício foram encontradas na região metálica da junção metal/cerâmica, estas partículas podem ser atribuídas a destacamentos na interface cerâmica no processo de brasagem, ou ainda, ao processo de polimento pós-brasagem. Imagens de raio-X mostram que a concentração de Ti nestas partículas é pronunciada / Abstract: Hot-pressed Si3N4 was joined using an active metal brazing filler metal at 1128 K (855°C) for 1O min. in vacuum for 2 different widths of metallic layer, 50 and 100um. A semi-quantitative analysis of joint region, X-ray images for mapping of elements, four-bend test and fractography have been done. The strength of the monolithic ceramic tested in the same apparatus of four-bend test has demonstrated values up to 200MPa at room temperature. The joint region was examined on a SEM on EDX mode. A discontinuity observed throughout the metallic layers suggests that pressure required to contact parts to be joined becomes very important when the process is based in a multi-layer metallic brazing filler. The 4 point bending tests were done without surface preparation. The copper and silver alloys do not react with the ceramic, but the active metal, titanium in this particular case, diffuse almost completely in the metal/ceramic interface region, varying greatly the concentration beyond 10um. of the ceramic interface within the metallic filler, evidencing the wettability of this element on the ceramic substrate. The existence of titanium in distant sites of the metal/ceramic interface, even in small concentrations, make believe brazing time was not enough to complete diffusion of the element to the interface's region. The results indicate a final joint strength values up to 50% of the monolithic one. Elongated particles of silicon nitride were found in the metallic region of the metal/ceramic joint. These particles could be attributed to detachment of Si3N4 from the ceramic interface in the brazing processo X-ray images show concentrations of Ti in these particles / Mestrado / Materiais e Processos de Fabricação / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Roberto de Toledo Assumpção / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-18T05:29:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_AdrianaFrancoBueno_M.pdf: 1709458 bytes, checksum: 8599ea64042c078ec0b9cde17d4f444a (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: o Brasil possui uma posição de destaque como segundo maior produtor mundial de silício. Este material tem emprego em setores industriais variados, como, o metalúrgico (na produção de ligas de aço e de aluminio), a produção de organosilanos e uma pequena fração representada pela indústria microeletrônica. Este último segmento, apesar de ser o menor, apresenta um caráter importante, devido ao crescimento tecnológico nesta àrea na última década e do, conseqüente, capital envolvido. A eficiência de um dispositivo, produzido pela indústria microletrônica, està associada à concentração de impurezas. Dessa forma o controle da presença de elementos quimicos em concentrações definidas é muito importante. O trabalho propõe a técnica de Espectroscopia de Absorção Atômica como uma alternativa viável de anàlise quimica. Um estudo da preparação da amostra bem como uma avaliação dos fenômenos de interferência no método de análise empregado, são mostrados através da determinação em chama de Alumínio, Ferro, Titânio, Manganês, Cálcio e Cromo / Abstract: Metallurgical-grade silicon is used in the manufacture of a wide range industry fields (metalurgical steel and aluminium alloys, organosilicon industry and microelectronics). Special problems exist in the analysis of material used in microelectronics (raw material and final product) . Analytical methods with very good absolute detection limits are needed to qnalytical problems occurring in the analysis. Atomic Absorption Spectroscopy (AAS) has been used in the last ten years in silicon analisys. The present work reports atomic absorption methods developed for the determination of AI, Fe, Ti, Mn, Ca, and Cr impurities in metalurgical- grade silicon. An study of sample preparation, and interfering phenomenon in analisys analisys. method, are present in flame analysis / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Na escala industrial a obtenção do carboneto de silício (SiC) pela redução carbotérmica da sílica ainda é o meio mais utilizado para sua sintetização. O presente estudo visa identificar, de forma comparativa, dentre os redutores comuns como coque de petróleo, negro de fumo, carvão vegetal e grafite o resultado da reação carbotérmica da sílica a partir da turfa. Menciona-se como que a turfa, pode ocorrer na natureza concomitantemente a jazimentos de areias de sílica de elevada pureza, uma das fontes de sílica, destacando que, a proximidade da matéria prima e sua qualidade são, elementos essenciais que determinam os tipos, pureza e custo de produção do SiC. Os ensaios desenvolveram-se a partir de amostras produzidas em forno de resistência elétrica com atmosfera controlada nas temperaturas de 1550ºC, 1600ºC e 1650ºC, tantos os precursores como os produtos da reação de redução carbotérmica foram caracterizados aplicando-se técnicas de difração de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV) e espectroscopia de energia dispersiva de raios X (EDS). Os resultados evidenciaram a formação do SiC para todos os redutores comuns, bem como para a turfa, mas não foi possível perceber claramente a diferença entre eles, sendo necessário para tanto, ensaios específicos adicionais. / The production of silicon carbide (SiC) in an industrial scale still by carbothermal reduction of silica . This study aims to identify, in a comparative way, among the common reducers like petroleum coke, carbon black, charcoal and graphite the carbothermal reduction of silica from the peat. It is shown, that the peat, also occurs in nature together with high purity silica sand deposits, where the proximity of raw materials and their quality are key elements that determine the type, purity and cost of production of SiC. Tests were running from samples produced in the electric resistance furnace with controlled atmosphere at temperatures of 1550ºC, 1600°C and 1650°C, both the precursors and products of reaction of carbothermal reduction were characterized by applying techniques of X-ray diffraction, scanning electron microscopy (SEM) and Energy-Dispersive X-ray analysis Spectroscopy (EDS). The results showed the formation of SiC for all common reducers, as well as for peat, but it was not possible to realize clearly the difference between them, being necessary, specific tests.

Novas rotas para obtenção de silício grau solar a partir de silício grau metalúrgico estão em desenvolvimento e a solidificação direcional é uma etapa presente em todos os processos propostos. O refino de silício por solidificação direcional baseia-se no fenômeno de macrossegregação das impurezas. Experimentos de solidificação direcional transiente foram realizados em condições estáticas utilizando um equipamento projetado no âmbito desse trabalho. A partir de um experimento de referência, foram avaliadas as influências da alteração do material da base do cadinho, altura do lingote e condição de resfriamento do forno. Para estudo das condições de solidificação e dos mecanismos envolvidos no fenômeno de macrossegregação de solutos foi proposto e implementado um modelo matemático. Esse modelo considera as equações gerais de transporte no caso unidirecional e o transporte de espécies químicas por difusão macroscópica e convecção. A convecção foi tratada a luz da teoria da camada estagnada a frente da interface sólido-líquido. Variáveis como velocidade da interface sólido-líquido, gradiente de temperatura, perfis de concentração de soluto e de fração de sólido foram obtidos com o modelo matemático utilizando as temperaturas medidas no silício durante os experimentos de solidificação como condições de contorno do modelo. Os resultados experimentais mostraram que sob algumas condições foram obtidos lingotes com macroestrutura típica de solidificação unidirecional e, além disso, as microestruturas mostraram evidências de macrossegregação de solutos. Os resultados do modelo matemático mostraram que a solidificação ocorreu em diferentes condições de velocidade da interface sólido-líquido e gradiente de temperatura nos experimentos. Os resultados obtidos com a utilização do modelo matemático mostraram que a convecção teve papel fundamental no fenômeno de macrossegregação de solutos. / New process routes are under development to obtain solar grade silicon from metallurgical grade one, and the directional solidification is an essential step in all proposed process routes. The silicon refining by directional solidification is based on the impurities macrosegregation phenomena. Transient solidification experiments were conducted under a static condition in a furnace projected for this work. From a reference experiment it was analyzed the effects of the changing the material of the crucible base, the ingot height and the cooling condition of the furnace. A mathematical model was proposed and implemented in order to study the solidification conditions and the main mechanisms regarding the macrosegregation phenomena. The mathematical model considers the conservation equations in one direction and the transport of chemical species occurs by diffusion and convection. The convection was treated using the diffusion layer theory. The velocity of solid-liquid interface, temperature gradient and profiles of solute concentration and solid fraction were obtained using the temperatures on silicon during the solidification experiments as boundaries conditions of the model. The experimental results showed that under some conditions it was obtained ingots with typical unidirectional macrostructure and, besides, showed in the microstructure evidences of macrosegregation. The mathematical model results showed that the solidification took place under different conditions of solid-liquid interface velocities and temperature gradient in the experiments. The results from the mathematical model showed that convection plays an essential role in the macrosegregation phenomena.

The cost reductions and the environmental benefits aligned with global concerns about climate change have made solar photovoltaic technology the most installed source of energy in the power sector worldwide. Brazil has the largest know reserves of silicon in the world. Therefore, there is a huge potential for developing a national technology for purifying and manufacturing silicon wafers within an increasingly competitive and efficient photovoltaic industry. The IPEN initiative of investigating the production of metallic silicon and metallurgical route purification required a characterization of samples in different stages of production from quartz to wafer and understanding the characterization methods for silicon wafers taking into account the main defect mechanisms such as light-induced degradation. Metalic silicon is produced in IPEN via magnesiothermal reduction through acid leaching to form a metallurgical grade silicon with relatively low impurities. One more acid leaching step resulted in a specific ultra-metallurgical grade silicon. The same acid leaching was processed in a commercially available Brazilian-made metallurgical grade silicon produced via carbothermal reduction. All samples impurities was measured by ICP-OES. The result is a material with ultra-metallurgical grade silicon content with excess of B and P. While wafer characterization was studied, an extensive investigation was taken on LeTID, which causes remain unknown, at Institute for Energy Technology, Norway. Neighboring high performance mc-Si p-type wafers were tested in different firing process conditions. The effects was investigated in terms of defects activation and a corresponding lifetime degradation and recovery at illuminated annealing. A sample with almost fully suppressed LeTID is shown. A new method have been proposed to separate Boron Oxygen-Light Induced Degradation effects of LeTID, enabling to measure even where it was thought to be fully suppressed. New models for LeTID defect formation and suppression are proposed. Both silicon purification and light-induced degradation characterization in mc-Si studies shows a wide range of research on new production routes that may require tailored processes of crystallization and solar cell manufacturing such as gettering and firing. / As reduções de custos e benefícios ambientais alinhadas às preocupações globais com as mudanças climáticas tornaram a tecnologia solar fotovoltaica a fonte de energia mais instalada no setor de energia do mundo. O Brasil possui as maiores reservas conhecidas de silício. Portanto, existe um enorme potencial para o desenvolvimento de uma tecnologia nacional para purificação e fabricação de wafers de silício dentre a indústria fotovoltaica cada vez mais competitiva e eficiente. A iniciativa do IPEN de investigar a produção de silício metálico e a purificação de rotas metalúrgicas exigiu a caracterização de amostras em diferentes estágios de produção, do quartzo ao wafer e a compreensão dos métodos de caracterização dos wafers de silício, levando em consideração os principais mecanismos de defeitos, como a degradação induzida pela luz. O silício metálico é produzido no IPEN através da redução magnesiotérmica através da lixiviação ácida para formar um silício de grau metalúrgico com impurezas relativamente baixas. Mais uma etapa de lixiviação ácida resultou em um silício de grau ultra-metalúrgico específico. A mesma lixiviação foi feita em um silício de grau metalúrgico fabricado no Brasil, disponível comercialmente, produzido por redução carbotérmica. Todas as amostras foram medidas por ICP-OES. O resultado é um material com teores de silício de grau ultra-metalúrgico e excesso de B e P. Enquanto a caracterização do wafer foi estudada, uma extensa investigação foi realizada sobre o LeTID, que tem causas desconhecidas, no Institute for Energy Technology, Noruega. Os wafers vizinhos de mc-Si do tipo-p de alto desempenho foram testados em diferentes condições do processo de firing. Os efeitos foram investigados em termos de ativação de defeitos e uma correspondente degradação e recuperação no lifetime sob recozimento iluminado. Uma amostra com LeTID quase totalmente suprimido é mostrada. Um novo método foi proposto para separar os efeitos de Degradação Induzida por Luz relacionados ao Oxigênio e Boro do LeTID, permitindo até medir onde se pensava que estivesse totalmente suprimido. Novos modelos para formação e supressão de defeitos LeTID são propostos. Tanto a purificação de silício quanto a caracterização de degradação induzida pela luz nos estudos de mc-Si mostram uma ampla gama de pesquisas sobre novas rotas de produção que podem exigir processos personalizados de cristalização e fabricação de células solares, como gettering e firing.

Nesta Dissertação, foram investigadas propriedades físico-químicas de estruturas dielétrico/SiC e das camadas interfaciais formadas. Utilizando análises por reação nuclear, verificou-se que a presença de uma camada interfacial de oxicarbetos de silício, gerados durante a oxidação térmica do SiC, e não removidos através de ataque químico por via úmida, reduz a taxa de crescimento térmico de óxido sobre esse substrato. O efeito da utilização de atmosfera contendo nitrogênio nas características do dielétrico e na espessura da camada interfacial formada foi investigado por análises com feixes de íons, Refletometria de Raios-X e Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios-X. Foi observado que a incorporação de nitrogênio nas estruturas dielétrico/SiC reduz a espessura da camada interfacial formada, o que foi relacionado com a melhoria das propriedades elétricas dessas estruturas. A investigação do transporte atômico de oxigênio e da estabilidade térmica de filmes de óxido de alumínio depositados sobre SiC foi realizada utilizando, principalmente, Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios-X e análise por reação nuclear. Observou-se que tratamentos térmicos a temperaturas elevadas induzem à formação de SiO2 e de uma camada interfacial entre os filmes de óxido de alumínio depositados e o SiC, além de promoverem a cristalização e um aumento na densidade do filme de Al2O3. / In this Dissertation, physico-chemical properties of dielectric/SiC structures and of the interfacial layers formed were investigated. Using nuclear reaction analyses it was verified that the silicon oxide growth rate is reduced due to the presence of an interfacial layer of silicon oxycarbides, formed during SiC thermal oxidation, which were observed to remain in the samples submitted to wet chemical etchings. The effect of thermal treatments in nitrogen-containing atmospheres on the characteristics of the dielectric and of the interfacial layer and on the interfacial layer thickness was investigated by ion beams, X-ray reflectometry, and X-ray photoelectron spectroscopy techniques. It was observed that nitrogen incorporation in dielectric/SiC structures leads to the formation of a thinner interfacial layer, fact that was related to the improvement of electrical properties of those structures. The investigation of atomic transport of oxygen and thermal stability of aluminum oxide films deposited on SiC was performed mainly using X-ray photoelectron spectroscopy and nuclear reaction analysis. It was observed that thermal treatment at high temperatures induces the formation of SiO2 and of an interfacial layer between aluminum oxide films and SiC, as well as crystallization and an increase in Al2O3 films mass densities.