Esse trabalho tem como objetivo estudar o comportamento de transistores de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos (UTBB SOI nMOSFET) e transistores de nanofios horizontais com porta ômega ? (?G NW SOI MOSFET) com ênfase na variação da tensão aplicada no substrato (VGB). As análises foram feitas através de medidas experimentais e simulações numéricas. Nos dispositivos UTBB SOI nMOSFET foram estudados dispositivos com e sem implantação de plano de terra (GP), de três diferentes tecnologias, e com diferentes comprimentos de canal. A partir do modelo analítico de tensão de limiar desenvolvido por Martino et al. foram definidos os valores de VGB. A tecnologia referência possui 6 nm de camada de silício (tSi) e no óxido de porta uma camada de 5 nm de SiO2. A segunda tecnologia tem um tSi maior (14 nm) em relação a referência e a terceira tecnologia tem no óxido de porta um material de alta constante dielétrica, HfSiO. Na tecnologia de referência, os dispositivos com GP mostraram melhores resultados para transcondutância na região de saturação (gmSAT) devido ao forte acoplamento eletrostático entre a região da porta e do substrato. Porém os dispositivos com GP apresentam uma maior influência do campo elétrico longitudinal do dreno no canal, assim os parâmetros condutância de saída (gD) e tensão Early (VEA) são degradados, consequentemente o ganho de tensão intrínseco (AV) também. Na tecnologia com tSi de 14 nm, a influência do acoplamento eletrostático entre porta e substrato é menor em relação a referência, devido à maior espessura de tSi. Como a penetração do campo elétrico do dreno é maior em dispositivos com GP, todos os parâmetros analógicos estudados são degradados em dispositivos com GP. A última tecnologia estudada, não apresenta grande variação nos resultados quando comparadodispositivos com e sem GP. O AV, por exemplo, tem uma variação entre 1% e 3% comparando os dispositivos com e sem GP. Foram feitas análises em dispositivos das três tecnologias com comprimento de canal de 70 nm, e todos os parâmetros degradaram com a diminuição do comprimento de canal, como esperado. O fato de ter um comprimento de canal menor faz com que a influência do campo elétrico longitudinal do dreno seja mais relevante, degradando assim todos os parâmetros analógicos nos dispositivos com GP. Nos dispositivos ?G NW SOI MOSFET foram feitas análises em dispositivos pMOS e nMOS com diferentes larguras de canal (WNW = 220 nm, 40 nm e 10 nm) para diferentes VGB. Através de simulações viu-se que dispositivos com largura de canal de 40 nm possuem uma condução de corrente pela segunda interface para polarizações muito altas (VGB = +20 V para nMOS e VGB -20 V para pMOS). Todavia essa condução de corrente na segunda interface ocorre ao mesmo tempo que na primeira interface, impossibilitando fazer a separação dos efeitos de cada interface.A medida que a polarização no substrato faz com que haja uma condução na segunda interface, todos os parâmetros degradam devido a essa condução parasitária. Dispositivos estreitos sofrem menor influência de VGB e, portanto, tem os parâmetros menos degradados, diferente dos dispositivos largos que tem uma grande influência de VGB no comportamento elétrico do transistor. Quando a polarização no substrato é feita a fim de que não haja condução na segunda interface, a variação da inclinação de sublimiar entre dispositivos com WNW = 220 nm e 10 nm é menor que 2 mV/déc. Porém a corrente de dreno de estado ligado do transistor (ION) apresenta melhores resultados em dispositivos largos chegando a 6 vezes maior para nMOS e 4 vezes maior para pMOS que em dispositivos estreitos. Os parâmetros analógicos sofrem pouca influência da variação de VGB. Os dispositivos estreitos (WNW = 10 nm) praticamente têm resultados constantes para gmSAT, VEA e AV. Já os dispositivos largos (WNW = 220 nm) possuem uma pequena degradação de gmSAT para os nMOS, o que degrada levemente o AV em cerca de 10 dB. A eficiência do transistor (gm/ID) apresentou grande variação com a variação de VGB, piorando-a a medida que a segunda interface ia do estado de não condução para o estado de condução. Porém analisando os dados para a tensão que não há condução na segunda interface observou-se que, em inversão forte, a eficiência do transistor apresentou uma variação de 1,1 V-1 entre dispositivos largos (WNW = 220 nm) e estreitos (WNW = 10 nm). Com o aumento do comprimento do canal, esse valor de variação tende a diminuir e dispositivos largos passam a ser uma alternativa válida para aplicação nessa região de operação. / This work aims to study the behavior of the ultrathin body and buried oxide SOI nMOSFET (UTBB SOI nMOSFET) and the horizontal ?-gate nanowire SOI MOSFET (?G NW SOI MOSFET) with the variation of the back gate bias (VGB). The analysis were made through experimental measures and numerical simulation. In the UTBB SOI nMOSFET devices, devices with and without ground plane (GP) implantation of three different technologies were studied. Based on analytical model developed by Martino et al. the values VGB were defined. The reference technology has silicon film thickness (tSi) of 6 nm and 5 nm of SiO2 in the front oxide. The second technology has a thicker tSi of 14 nm comparing to the reference and the third technology has a high-? material in the front oxide, HfSiO. In the reference technology, the devices with GP shows better result for transconductance on saturation region (gmSAT) due to the strong coupling between front gate and substrate. However, devices with GP have major influence of the drain electrical field penetration, then the output conductance (gD) and Early voltage (VEA) are degraded, consequently the intrinsic voltage gain (AV) as well. In the technology with tSi of 14 nm, the influence of the coupling between front gate and substrate is lower because of the thicker tSi. Once the drain electrical field penetration is higher in devices with GP, all analog parameters are degraded in devices with GP. The third technology, presents results very close between devices with and without GP. The AV has a variation from 1% to 3% comparing devices with and withoutGP. Devices with channel length of 70 nm were analyzed and all parameters degraded with the decrease of the channel length, as expected. Due to the shorter channel length, the influence of the drain electrical field penetration is more relevant, degrading all the analog parameters in devices with GP. In the ?G NW SOI MOSFET devices, the analysis were done in nMOS and pMOS devices with different channel width (WNW = 220 nm, 40 nm and 10 nm) for different VGB. By the simulations, devices with channel width of 40 nm have a conduction though the back interface for very high biases (+20 V for nMOS and -20 V for pMOS). However, this conduction occurs at the same time as in the front interface, so it is not possible to separate de effects of each interface. As the substrate bias voltage induces a back gate current, all the parameters are degraded due to this parasitic current. Narrow devices are less affected by VGB and thus its parameters are less degraded, different from wider devices, in which VGB has a greater influence on their behavior. When the back gate is biased in order to avoid the conduction in back interface, the subthreshold swing variation between devices with WNW = 220 nm and 10 nm is lower than 2 mV/déc. However, the on state current (ION) has better results in wide devices reaching 6 times bigger for nMOS and 4 times bigger for pMOS The analog parameterssuffer little influence of the back gate bias variation. The narrow devices (WNW = 10 nm) have practically constant results gmSAT, VEA and AV. On the other hand, wide devices (WNW = 220 nm) have a small degradation in the gmSAT for nMOS, which slightly degrades de AV. The transistor efficiency showed great variation with the back gate bias variation, worsening as the back interface went from non-conduction state to conduction state. However, when the back gate is biased avoiding the conduction in back interface, the transistor efficiency for strong inversion region has a small variation of 1,1 V-1 between wide (WNW = 220 nm) and narrow (WNW = 10 nm) devices. As the channel length increases, this value of variation tends to decrease and wide devices become a valid alternative for applications in this region of operation.

Le développement de la microélectronique « ultime » requiert la fabrication de structures de type SOI (Silicon-On-Insulator) dotées d’une couche superficielle de Si d’épaisseur très fine (de l’ordre de 10 nm) et uniforme (<+/- 0,5 nm). Une des voies pour relever ce challenge serait d’intégrer, dans la technologie Smart CutTM, des substrats donneurs modifiés permettant de « forcer » l’hydrogène à précipiter, en cours de recuit, dans un plan parallèle à, et proche de, la surface. Dans ce travail, nous étudions les effets de l’implantation ionique d’ions hydrogène et d’un recuit thermique dans des structures de silicium contenant de fines couches « enterrées » de Si:B ou de SiGe. Nous avons tout d’abord identifié les conditions d’implantation et de recuit permettant l’obtention de cloques sur des surfaces libres et donc devant permettre de fracturer la couche en présence d’un raidisseur mécanique, ce que nous avons testé. La couche Si:B permet d’obtenir la fracture pour une dose d’hydrogène implanté plus faible et pour un budget thermique plus faible qu’avec une couche de SiGe. De plus, la rugosité de ces couches après transfert est nettement plus faible qu’obtenue avec le procédé de référence. Nous avons observé (par MET et SIMS) que l’hydrogène se piège dans la couche Si:B, et aux interfaces entre le SiGe et le Si, ce qui suggère que les mécanismes mis en jeu dans ce piégeage sont différents. Nous avons ensuite étudié la redistribution de l’hydrogène après implantation et recuit (par SIMS) ainsi que l’évolution des platelets (par MET) au cours d’un recuit isotherme dans la structure Si/Si:B/Si. En cours de recuit, les platelets formés en dehors de la couche Si:B se dissolvent au profit de ceux, plus grands, formés dans la couche dopée, qui finalement forment des microfissures. Cette croissance est à la base du transfert de l’hydrogène implanté vers la couche piégeante. Cette diffusion est néanmoins lente et tout l’hydrogène implanté n’est finalement pas « pompé » par cette couche piégeante. Un modèle numérique simple a permis de comprendre puis de reproduire qualitativement le phénomène de redistribution observé par SIMS. Ce travail a donc montré que les couches de Si:B sont très prometteuses pour la fabrication de SOI ultrafins. Ce procédé a été optimisé en milieu industriel et une rugosité du film transféré de 2 à 8 Å a été obtenue, ce qui est 10 fois plus faible que la rugosité obtenue avec le procédé Smart CutTM classique. / The development of the advanced microelectronics requires the manufacturing of SOI (Silicon-On-Insulator) wafers with a very thin top Si layer (around 10 nm) and drastic uniformity specification (<+/- 0,5 nm on 300 mm wafers). An interesting way to raise this challenge would be to integrate, in the Smart CutTM technology, modified donors substrates in order to “force” hydrogen to precipitate, during the annealing, in a plane parallel and close to the surface. In this work, we study the potential benefits of the incorporation of thin buried layers of boron doped silicon (Si:B) or SiGe alloy in the donor substrate. We show that Si:B is particularly interesting: fracture is obtained for a lower implanted hydrogen dose and for a lower thermal budget than when using a SiGe buried layer. Moreover, the layer roughness after transfer is obviously lower than that obtained with the reference process. We have shown, using TEM and SIMS, that the mechanisms leading to hydrogen trapping are different in these two types of buried layers. Then, we have studied the hydrogen redistribution after implantation and annealing (by SIMS) and the platelets evolution (by TEM) during isothermal annealing in the Si/Si:B/Si structure. During annealing, the platelets formed outside of the Si:B buried layer dissolved in favor of the ones, larger, formed in the doped layer, which grow and finally form microcracks. This growth results in the transfer of implanted hydrogen towards the trapping layer. Nevertheless, this diffusion is slow and all implanted hydrogen is not finally « pumped » by the trapping layer. A simple numerical model makes it possible to understand then to reproduce qualitatively the redistribution phenomenon observed by SIMS. This work shows that the incorporation of Si:B buried layer in the donor substrate is a very promising technique for the manufacturing of ultrathin SOI. This process was optimized in an industrial environment and transferred films with a post fracture roughness a decade lower compared to the reference process were obtained.

La technologie Smart Cut™ est un procédé générique de transfert de couches minces utilisé pour la fabrication des substrats silicium sur isolant (SOI) à l’échelle industrielle. L’implantation d’ions légers dans un substrat de silicium oxydé mène à la formation d’une zone fragilisée enterrée au sein du cristal. Ce substrat implanté est ensuite solidarisé à un support mécanique grâce à la technique de collage par adhésion moléculaire. Sous l’effet de la température, les espèces implantées évoluent sous la forme de microfissures qui se développent de manière parallèle à la surface. Après recuit, une fracture se déclenche au niveau de la zone implantée et permet le report de la fine couche monocristalline. L’objet de cette thèse est d’étudier l’aspect dynamique de cette étape de fracture.Pour ce faire, la vitesse de rupture et la déformation des plaques à l’arrière du front de fracture ont tout d’abord été mesurées à l’aide d’un montage optique original qui a ensuite été étendu aux études sur plaque entière 300mm. Ces données ont ensuite été modélisées. Dans un deuxième temps, l’interaction entre le front de fracture et des ondes acoustiques émises dynamiquement au cours de sa propagation a été étudiée. Celle-ci conduit à l’apparition récurrente d’un motif périodique sur le faciès de rupture qui consiste en une très faible variation de rugosité sur de très grandes périodes (mm). Des mesures expérimentales permettent tout d’abord de mettre en évidence cette émission acoustique et d’étudier ses caractéristiques. La modélisation physique du phénomène puis sa simulation numérique permettent ensuite de retrouver la forme typique de ce motif. Enfin, des solutions technologiques sont proposées pour empêcher son apparition sur le faciès de rupture des plaques SOI. / The Smart Cut™ technology is a generic way of transferring very thin layers of crystalline material onto a mechanical substrate. It is currently the industrial standard for Silicon On Insulator (SOI) manufacturing. The implantation of relatively high doses of gas ions in a thermally oxidized silicon substrate leads to the formation of a buried weakened layer in the crystal. The implanted wafer is then bonded onto a host substrate using direct wafer bonding. Under annealing, the implanted species evolve into microcracks lying parallel to the surface, and a controlled fracture process finally occurs along the implanted layer. The aim of this thesis is to study the dynamics of this fracture step.First of all, the fracture velocity and the deformation profile behind the crack tip have been measured using an original optical setup, which has been extended to full wafer studies. A model has been established to explain these data. Then, the interaction of the fracture front with self-generated acoustic waves has been studied. This interaction leads to the appearance of a macroscopic periodic pattern on post-split SOI wafers which is made of small variations of the SOI roughness on very large periods (mm). Experimental studies are first carried out to look at the fracture acoustic emission for different experimental conditions. Numerical simulations based on acoustic phase calculations are then performed to recover the typical pattern shape, with results consistent with experimental data. Finally, technologic solutions are proposed to prevent the pattern formation on the post-split SOI wafers.

La notion d’exercice spirituel, proposée par Hadot, désigne des pratiques nées en Grèce antique et qui se prolongent dans les méditations chrétiennes. Opposées à une philosophie théorique, elles poursuivent l’ambition d’apprendre à mieux agir et à se connaître soi-même. La thèse propose une vue d’ensemble de cette tradition associée à l’examen de textes précis de diverses périodes, afin de mettre en perspective les Essais de Montaigne qui se la réapproprient en poursuivant le projet de définir un art de vivre. À la fin du XVIe siècle, la confiance que les Anciens portaient à la raison n’est plus de mise : peut-on encore envisager de se maîtriser ou même de se connaître ? Les Chrétiens le croient possible en ayant recours à la grâce divine. Montaigne propose des exercices proprement humains et ordinaires. Prenant exemple sur une figure de Socrate idéalisée et associée à celle de l’Indien cannibale, il entend promouvoir un rapport à soi plus « naïf » et « primitif ». Cela lui demande d’effectuer un travail sur lui-même que seuls des exercices naturalisés pourront réaliser. Les élans de la fantaisie participent à cette démarche au même titre que le travail de la raison, tandis que cette dernière acquiert le droit de rêver. Il ne renonce pas pour autant à se poser en maître de lui-même, reprenant la méthode stoïcienne qui transforme en choix ce contre quoi on ne peut pas lutter. Au moment où la Contre-Réforme réclame le repentir, l’exercice permet à Montaigne de découvrir et d’assumer ce qu’il est. Et tandis que de nombreux traités cherchent la tranquillitas animi, il endosse le rôle d’agitateur, proposant des exercices qui maintiennent le mouvement, conçu comme élan vital. / The concept of spiritual exercise, proposed by Hadot, refers to practices born in ancient Greece and prolonged in Christian meditations. Opposed to theoretical philosophy, they pursue the ambition of learning to act better and to know oneself. The thesis proposes an overview of this tradition which is associated with examining precise texts of various periods, in order to put into perspective the Montaigne Essays which reclaim this tradition by pursuing the project of defining an art of living. At the end of the sixteenth century, the trust that the ancients brought to reason is no longer applicable : can we still consider mastering ourselves or even knowing ourself ? The Christians believe this is possible, by having recourse to divine grace. The exercises that Montaigne proposes are strictly human and ordinary. Taking the example of an idealized figure of Socrates, also associated with that of the Indian cannibal, the author of the Essays intends to promote a more « naïve » and « primitive » relationship to oneself. It requires to do self-work that only naturalized exercises can achieve. The impulses of fantasy participate in the process in the same way as the work of reason, whereas the latter acquires the right to dream. He does not give up the idea of setting himself up as a master of himself, taking up the Stoic method of transforming the inevitable into a choice. At the moment when the Counter-Reformation requires repentance, spiritual exercises allow Montaigne to discover and assume what he is. And when Neo-Stoic treatises look for tranquillitas animi, he assumes the role of agitator, proposing exercises that maintain movement, conceived as vital impetus.

De même que l'action sur le monde physique implique des actes de nomination, les sujets dans leurs interactions sociales procèdent à une catégorisation reposant sur leurs expériences préalables. Cet étiquetage d'autrui fonctionne comme une grille d'interprétation des rapports entre sujets. Elle est en cohérence avec la place et le rôle que le sujet se donne lui-même et la manière dont il voit sa propre action, ainsi que la place et le rôle qu'il assigne à autrui. Les pratiques d'étiquetage sont visibles dans les institutions, donnant lieu à autant de métiers d'interventions sur autrui (éducation, formation, travail social, santé, etc.). Cette thèse analyse les processus d'étiquetage à partir de ce que les acteurs sociaux repèrent comme le fait d'"être catalogué", et pour cela, s'appuie sur l'analyse d'un débat filmé entre patients de la psychiatrie. Les personnes étiquetées négativement ont le sentiment de n'être pas vues comme des personnes, mais regardées comme membres d'une catégorie stigmatisée. Comment les personnes perçoivent ces étiquetages et comment se les sont-elle appropriés ? De quelles façons les négocient-elles de soi à soi et de soi à autrui, particulièrement lorsqu'elles se présentent ? C'est au travers d'une variété de mises en scène de soi que chacun de ces acteurs manifeste verbalement et gestuellement son étiquette pour s'imposer dans la situation d'interaction. Ainsi, se révèlent des stratégies d'ostension de soi caractérisées par des positionnements plus ou moins critiques vis-à-vis des soignants, vis-à-vis des pairs et du groupe d'appartenance auquel ils sont assimilés. Le rappel d'un vécu de situations d'étiquetage est un déterminant d'une présentation de soi en situation d'interaction et de communication. Ce jugement sur soi, dépendant de ce que les personnes pensent être les images et les attentes de l'autre sur elles, s'accompagne d'une expression de justifications, d'énoncés de vérités, auxquelles elles voudraient croire, pour être acceptées, admises parmi "les gens normaux". Ce travail de recherche met au jour un processus expérientiel, producteur de représentations de soi et d'images données à autrui, identifié en être vu, se voir, se donner à voir comme, liant vécus de situations d'étiquetage et retentissement de ce vécu. Ainsi, dans de nouvelles situations paraissant "similaires" aux situations d'étiquetage connues par expérience, c'est-à-dire ressenties comme mettant en jeu et en danger l'image de soi, cette représentation de soi et d'autrui va conditionner l'agir du sujet, influencer ses comportements et ses compétences. Le sujet, actif dans sa façon de vivre ses étiquettes, n'est pas le "porteur" passif des étiquettes émises par d'autres. Alors, s'ouvrent des perspectives de compréhension et d'action tant pour la recherche, que pour les pratiques sociales des personnes "étiquetées" négativement.

En ce début du XXIème siècle, un nombre d'auteurs sans cesse plus important développe un véritable enthousiasme pour des thématiques féminines. Plus précisément, il s'agit pour eux de mettre en exergue la quête identitaire des femmes dans notre société. Cette littérature révèle une omniprésence du corps et de la sexualité en lien étroit avec la société et les schémas culturels imposés tenant ainsi un discours novateur sur les femmes. Le but de cette recherche est de montrer comment un discours littéraire, en reprenant les discours socioculturels, féministes et psychanalystes du moment, conçoit la question de la femme et quelle représentation de la femme il produit. Face à cette réflexion sur la question de la femme et son identité, cette thèse centre son étude sur les romans de trois auteurs, Virginie Despentes, écrivain français, Lucía Etxebarria, écrivain espagnol et Maïssa Bey, écrivain algérien francophone. L'être femme est représenté dans un rapport avec la violence masculine mais aussi avec sa propre violence, dans son rapport au corps et à la sexualité, par des relations humaines conflictuelles ainsi que par une aliénation sociale et culturelle. Le personnage féminin est un personnage seul, enfermé dans une identité dans laquelle il ne se reconnaît plus et qu'il rejette. La quête de soi et de la reconnaissance de soi laisse apparaître leurs aspirations, en contradictions avec leurs attributions. A la fin de chaque roman, l'individualisation de la femme est envisagée par la reprise de parole. La reconstruction de soi ne peut être permise que par la maîtrise de la parole sur soi, et la quête d'individualisation doit se poursuivre

L'objectif de la thèse est de déterminer, du point de vue subjectif, ce qui constitue le vécu identitaire. Conscients que la notion d'identité a été travaillée principalement du point de vue objectif en épistémologie, nous voudrions nous pencher plus avant sur l'identité telle qu'elle est vécue par le sujet. Il nous semble que ce concept prend sens pour le sujet à la fois dans le temps, comme continuité d'une présence à soi, et dans un sentiment d'appartenance ou de reconnaissance indissociable de l'expérience incarnée d'être soi. Dans une conception naturaliste de l'identité, nous illustrerons notre propos philosophique par l'étude expérimentale de deux pathologies qui affectent directement le sentiment d'identité du sujet, l'une dans le sens d'une fragmentation de son histoire qui perturbe alors l'appropriation d'un vécu comme sien propre (maladie d'Alzheimer), l'autre dans le sens d'une dépossession du corps comme outil de la volonté qui menace alors l'appropriation du corps comme corps propre (locked-in syndrome). Cette étude se situe donc d'emblée à l'intersection des philosophies du corps et des sciences cognitives contemporaines, proposant un renouveau épistémologique du concept d'identité.

Cette étude a pour objectif d'examiner les relations entre deux types de mesure d'aide précoce - le redoublement et le suivi en Réseaux d'Aides Spécialisées aux Elèves en Difficulté (RASED) -, la maîtrise de la lecture au cycle II, et l'estime de soi des jeunes enfants. Pour cela, 468 élèves de CP et de CE1, dont 107 suivis longitudinalement, ont participé à cette étude. Des mécanismes fondamentaux de la lecture en cours de construction sont évalués au travers d'une tâche d'Identification du Mot Ecrit (Khomsi, 1997). L'estime de soi est appréhendée à l'aide d'un Instrument de Mesure de l'Estime de Soi (IMES) adapté du Self Perception Profil (Harter, 1982). Les analyses menées sur cet outil témoignent de propriétés psychométriques satisfaisantes. Une deuxième étude met en évidence que les décisions pédagogiques concernant le redoublement et le RASED semblent justifiées, mais qu'elles ne sont pas efficaces pour remédier aux difficultés d'acquisition de la lecture. Enfin, une troisième étude teste un modèle postulant que les décisions pédagogiques influencent l'estime de soi générale qui, en retour, agit sur l'acquisition de la lecture.

Cette recherche s'intéresse à des collégiens à l'aube de l'âge adulte se préparant à faire le choix d'un projet d'études. Nous avons cherché à mieux comprendre la perception qu'ils se sont construite à travers leur parcours scolaire et ce qui les amène à s'engager dans leur projet d'études actuel. Nous avons étudié en quoi leur parcours scolaire et les contextes les entourant ont influencé ce choix. En d'autres tenues, de quelle manière l'école, et l'expérience scolaire qui en découle, a-t-elle pu ou non faciliter le choix de leur projet d'études? Comment les autres contextes, familial et social, ont-ils pu soutenir ou non les jeunes dans leur expérience scolaire? Quels sont les facteurs qui ont influencé leur estime d'eux-mêmes et éventuellement avoir un effet sur leur parcours scolaire et leur projet d'études. Nous avons décidé de laisser la parole aux jeunes, pour mieux comprendre leur récit. Pour ce faire, nous avons mené 10 entrevues semi-structurées auprès de collégiens inscrits à la session d'accueil et intégration 2006-2007 du Collège de Valleyfield. Ces entrevues ont fait l'objet d'une analyse thématique, dans le but de nous approprier le contenu des récits. Puis, s'est ensuivie la rédaction de quatre parcours scolaires, et d'une synthèse d'entrevues que nous avons présentée avec un début d'analyse. Le contexte scolaire étant au centre du parcours scolaire, c'est donc de cela que nous discutons dans notre analyse. Les principaux résultats de la recherche font foi de l'importance de la dimension relationnelle avec les personnes de leur entourage: parents, amis, professeurs. La satisfaction à l'égard de ces contacts influence de façon positive leur perception du climat scolaire et l'image qu'ils ont d'eux-mêmes. Tous les élèves rencontrés ont mentionné l'influence positive d'une pédagogie basée sur des méthodes interactives. En ce qui a trait au contexte familial, nous avons vu que la famille joue un rôle majeur quant à la réussite scolaire. Pour ce qui est du contexte social, son influence nous est apparue plus diffuse en regard du projet d'études en devenir. Dans l'ensemble, c'est un portrait positif que nous avons découvert. Les collégiens engagés dans leur projet d'études cherchent un équilibre entre leur vie familiale et leur vie professionnelle. Ces résultats nous indiquent que le sentiment d'estime de soi représente une donnée importante quant à la poursuite d'un projet d'études au collégial. Le sentiment de valeur personnelle des collégiens est influencé par leur cercle d'amis, le contact avec leurs enseignants, et les liens familiaux. Lorsque ces contextes d'interactions tendent vers le positif, nous présumons que les collégiens arrivent à se construire une meilleure estime de soi, ce qui facilite l'expérience scolaire. Dans ce contexte, nos résultats laissent croire à l'importance que les élèves vivent du succès au cours de leur parcours scolaire afin de se construire une image positive d'eux-mêmes. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Estime de soi, perception de soi, parcours scolaire, valeurs des jeunes, relations pédagogiques, contextes sociaux.

In this thesis, the Cross-Gate SOI MOSFET that has double sources and double drains was successfully fabricated. The new SOI device structure has five unique features. First, it uses mesa isolation instead of using conventional LOCOS and trench isolation to avoid the bird¡¦s beak effect in LOCOS isolation and the complexity of digging trench in trench isolation¡F second, it has three surfaces of gate structures which can increase the effective channel width of the device to enhance the current drivability of the device without reducing the packing density of the circuit¡F third, it has four channels which can increase the current drivability of the device¡F fourth, it has narrowed source and drain that can reduce the leakage current¡F fifth, it has double sources and double drains that can design double or half current in the electric circuit by one device. According to the simulation results of the TSUPREM-4 and TMA TCAD, the saturation drain current of the multi-gate SOI devices are almost double larger than that of the conventional SOI device as VGS - Vth = 0.7 V. And the threshold voltage¡B Ion/Ioff and subthreshold factor of the Cross-Gate SOI device are almost the same with such of the Four Channels Multi-Gate SOI device. As far as the fabrication process is concerned, the new SOI device has simpler isolation processes than that of the conventional one. In addition, the nano-devices that Leff ¡× 71nm was successfully fabricated. As concerning the electrical behavior, under the same condition of Leff ¡× 71nm, Weff ¡× 440nm, tsi ¡× 120nm, the Cross-Gate SOI device has the lower subthreshold factor which is 93.153 and the higher Ion/Ioff which is 1.66¡Ñ10E5 than those of the Four Channels Multi-Gate SOI device, in addition, the Cross-Gate SOI device has no kink effect. So, it can be concluded that such the Cross-Gate SOI device presented is much more applicable to the development of low power and high speed ULSI in the nearest future.