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Electronic transport in spin-glasses and mesoscopic wires : correlations of universal conductance fluctuations in disordered conductors / Transport électronique dans des verres de spins et fils mésoscopiques : corrélations de fluctuations universelles de conductance dans des conducteurs désordonnés

Solana, Mathias 29 June 2018 (has links)
Le travail expérimental développé pendant cette thèse se situe à l'interface de deux champs en physique de la matière condensée, à savoir les verres de spins et la physique mésoscopique. Les verres de spins ont été largement étudié et font partie des problèmes les plus débattus au cours des années tant d'un point de vue expérimental que théorique. Cet état est caractérisé par des propriétés très particulières qui se font jour lors d'une transition de phase magnétique à très basses températures qui est elle-même inhabituelle. En effet, cette transition est due à un mélange de frustration et de désordre dans la structure magnétique du système. Ce faisant, c'est un système modèle pour les verres et les systèmes frustrés en général. Après bien des efforts, des travaux théoriques ont réussi à décrire l'état fondamental du système au moyen de deux approches différentes et apparemment incompatibles. Cependant, la question de la vraie nature de la phase verre de spin reste grandement débattue.La physique mésoscopique, de son côté, traite du transport électronique dans les échantillons pour lesquels les électrons gardent leur cohérence de phase. Si les électrons restent cohérents, il est possible de voir des effets d'interférences qui sont des signes quantiques de ce qu'il se passe au niveau atomique. Dans cette thèse, il est utilisé pour sonder le désordre aussi bien magnétique que statique dans un verre de spins.Nous montrons que, contrairement à ce qui est cru, de forts changements se déroulent dans le désordre microscopique même à basses températures. Nous prétendons également que ces changements sont purement structuraux et viennent du fait de systèmes dont la distribution en énergie est très large. / The experimental work developed during this PhD is situated at the interface of two fields of condensed matter physics, namely spin glasses and mesoscopic physics. Spin glasses have been widely studied and are one of the problem that has been the most discussed over the years, both on a theoretical and experimental point of view. This state is characterized by very peculiar properties that come to light as it exhibits a magnetic phase transition at low temperatures that is already unusual. Indeed, this transition is due to a mix of frustration and disorder in the magnetic structure of the system, making it an exceptional model system for glasses and frustrated systems in general. After many efforts, theoreticians managed to described the fundamental state of the system by the mean of two different and apparently incompatible approaches. The first one, called RSB theory, is based on a mean-field approximation and predicts a complex phase space with an unconventional hierarchical organization. The second is based on more phenomenological approach and is named Droplet theory. It points towards a unique ground state and explain all the observation by slow relaxation processes. However, the question of the true nature of the spin glass phase is still heavily debated. Mesoscopic physics, for its part, addresses the question of electronic transport for samples in which the electrons keep their phase coherence. If the electrons remains coherent, it is possible to see interference effects that are quantum signs of what happens at the atomic level. In this work, it is used to probe the magnetic and static disorder in spin glasses. Indeed, it is possible to interpret the change in those interferences as changes in the microscopic disorder configuration and to know exactly how the spin glass state evolves. Some work have already tried to use coherent transport in spin glasses but this remains an open field. This work has then be dedicated to the implementation of transport measurement in spin glasses and mesocopic conductors. The first part will be focused on a the experimental setup that was used to perform very precise transport measurements and on the processing of the data taken out of them. In a second part, we will present some general physical characteristics of our samples such as their resistance dependence to the temperature or magnetic field, before extracting the quantum signature in magnetoresistance measurements. Finally, we will discuss the results obtained. We show that strong changes in the microscopic disorder happen even at low temperatures, in opposition to what is believed. We argue that those observed changes are purely structural and come from systems that are widely distributed in energy.
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Supraconductivité induite dans le graphène dopé par des nanoparticules métalliques / Superconductvity in Graphene doped by metallic nanoparticles

Allain, Adrien 14 December 2012 (has links)
Cette thèse présente une étude des propriétés de transport à basses températures de matériaux hybrides composés de nano-clusters de métaux supraconducteurs (Sn et Pb) auto-assemblés à la surface d'une feuille de graphène. L'auto-assemblage du métal réalise un réseau bi-dimensionnel désordonné de jonctions Josephson. La caractérisation des propriétés supraconductrices révèle une transition de type 'BKT' avec une température de transition dépendant de la morphologie de la surface. Les propriétés supraconductrices de ce système sont fortement influencées par la grille arrière, qui contrôle la résistance dans l'état normal du graphène. Le résultat le plus marquant de cette thèse a été obtenu en utilisant du graphène désordonné. La présence de défauts structuraux dans la maille de graphène induit un régime de localisation forte à basses températures. En faisant varier le voltage de grille, la résistance de tels échantillons peut varier de 3 ordres de grandeurs. Cette grande dynamique a été mise à contribution pour la réalisation d'une transition de phase supraconducteur-isolant dans des échantillons décorés à l'étain. L'étude de cette transition de phase quantique révèle un comportement de type percolatif et une résistivité universelle prédite par la théorie à la transition. Enfin, un travail préliminaire visant à réaliser des résonateurs mécaniques supraconducteurs à l'aide des ces matériaux hybrides est également présenté. / This thesis presents a study of the low temperature transport properties of hybrid materials made of superconducting metals (Sn and Pb) nano-clusters self-assembled onto the surface of a graphene sheet. The self-assembly realizes a two-dimensional disordered array of Josephson junctions. Characterization of the superconducting properties reveals a transition of the 'BKT' kind, with a transition temperature that depends on surface morphology. The superconducting properties are strongly affected by the gate voltage, which controls the normal state resistance of the graphene sheet. The main result of this thesis was obtained using disordered graphene. The presence of structural defects in the graphene lattice induces a regime of strong localization at low temperatures. Upon varying the gate voltage, the resistance of such samples can change by 3 orders of magnitude. Taking advantage of the large dynamics offered by the gate voltage, we have induced a superconductor-insulator transition in Sn-decorated samples. The study of that quantum phase transition reveals a percolating behavior near the threshold and the universal value of resistivity predicted by theory at the transition. Finally, a preliminary work aiming at using such an hybrid material to realize superconducting nano-electro-mechanical resonators is presented.
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Sensitivité de la méthode dite de mélange des courants pour la détection du déplacement nano-mécanique / Sensitivity of the mixing-current technique in the detection of nano-mechanical displacement

Wang, Yue 08 September 2017 (has links)
La détection des déplacements nano-mécaniques par les techniques de transport électronique a atteint un haut niveau de sensibilité et de polyvalence. Afin de détecter l'amplitude d'oscillation d'un oscillateur nano-mécanique, une technique largement utilisée consiste à coupler ce mouvement de façon capacitive à un transistor à un seul électron ou, plus généralement, à un dispositif de transport, et à détecter la modulation haute fréquence du courant à travers le mélange non linéaire avec un signal électrique à une fréquence légèrement désaccordée. Cette méthode, connue sous le nom de technique de mélange des courants, est utilisée notamment pour la détection de nanotubes de carbone suspendus et s'est avérée particulièrement efficace, ce qui a permis d'obtenir des records de sensibilité dans la détection de masse et de force. Dans cette thèse nous étudions théoriquement les conditions qui limitent la sensibilité de cette méthode dans différents types de dispositifs de transport. La sensibilité est un compromis entre le bruit, le bruit de rétroaction et la fonction de réponse. Cette dernière est proportionnel au couplage électromécanique. Pour ces raisons dans la thèse, nous étudions la fonction de réponse, l'effet des fluctuations de courant et de déplacement (back-action) dans les dispositifs de détection suivants: (i) le transistor métallique à électron unique, (ii) le transistor à un seul niveau électronique et (iii) le point quantique cohérent. La sensibilité optimale est obtenue, comme d'habitude, lorsque la rétroaction du dispositif de détection est égale au bruit du signal intrinsèque, ce qui, dans notre cas, est le bruit en courant. Nous avons constaté que les valeurs optimales typiques du couplage sont obtenues dans la limite de couplage fort, où une forte renormalisation de la fréquence de résonance est observée et une bistabilité de l'oscillateur mécanique est présente [comme discuté dans G. Micchi, R. Avriller, F. Pistolesi, Phys. Rev. Lett. 115, 206802 (2015)]. Nous trouvons donc des limites supérieures à la sensibilité de la technique de détection de mélange des courants. Nous considérons également comment la technique du mélange des courants est modifiée dans la limite où le taux de transmission tunnel devient comparable à la fréquence de résonance de l'oscillateur mécanique / Detection of nanomechanical displacement by electronic transport techniques has reached a high level of sensitivity and versatility. In order to detect the amplitude of oscillation of a nanomechanical oscillator, a widely used technique consists of coupling this motion capacitively to a single-electron transistor or, more generally, to a transport device, and to detect the high-frequency modulation of the current through the nonlinear mixing with an electric signal at a slightly detuned frequency. This method, known as mixing-current technique, is employed in particular for the detection of suspended carbon nanotubes and has proven to be particularly successful leading to record sensitivities of mass and force detection. In this thesis we study theoretically the limiting conditions on the sensitivity of this method in different kind of transport devices. The sensitivity is a compromise between the noise, the back-action noise, and the response function. The latter is proportional to the electromechanical coupling. For these reasons in the thesis we study the response function, the effect of current and displacement (back-action) fluctuations for the following detection devices: (i) the metallic single electron transistor, (ii) the single-electronic level single electron transistor, and (iii) the coherent transport quantum dot. The optimal sensitivity is obtained, as usual, when the back-action of the detection device equals the intrinsic signal noise that, in our case, is the current noise. We found that the typical optimal values of the coupling are obtained in the strong coupling limit, where a strong renormalization of the resonating frequency is observed and a bistability of the mechanical oscillator is present [as discussed in G. Micchi, R. Avriller, F. Pistolesi, Phys. Rev. Lett. 115, 206802 (2015)]. We thus find upper bounds to the sensitivity of the mixing-current detection technique. We also consider how the mixing-current technique is modified in the limit where the tunneling rate becomes comparable to the resonating frequency of the mechanical oscillator.
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Microscopie à grille locale comme outil d’extraction des propriétés électroniques locales en transport quantique / Scanning gate microscopy as a tool for extracting electronic properties in quantum transport

Ly, Ousmane 23 November 2017 (has links)
La technique de la microscopie à grille de balayage (SGM) consiste à mesurer la conductance d'un gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG) sous l'influence d'une pointe balayant la surface de l'échantillon. Dans ce travail, une approche analytique complétée par des simulations numériques est développée pour étudier la relation entre les mesures SGM et les propriétés électroniques locales dans des systèmes mésoscopiques. La correspondance entre la réponse SGM et la densité locale partielle (PLDOS) est étudiée pour un contact quantique entouré d’un 2DEG en présence ou en absence de désordre, pour une pointe perturbative ou non perturbative. Une correspondance SGM-PLDOS parfaite est trouvée pour des transmissions entières et des pointes locales. La dégradation de la correspondance en dehors de cette situation est étudiée. D’autre part, la liaison entre la réponse SGM et la transformée de Hilbert de la densité locale est discutée. Pour étudier le rôle de la force de la pointe sur la conductance SGM, une formule analytique donnant la conductance totale est obtenue. Dans le cas d'une pointe à taille finie nous proposons une méthode basée sur les fonctions de Green permettant de calculer la conductance en connaissant les propriétés non-perturbées. En plus, nous avons étudié la dépendance des branches de la PLDOS en fonction de l’énergie de Fermi. / The scanning gate microscopy (SGM) technique consists in measuring the conductance of a two dimensional electron gas (2DEG) under the influence of a scanning tip. In this work, an analytical approach complemented by numerical simulations is developed to study the connection between SGM measurements and local electronic properties in mesoscopic devices. The connection between the SGM response and the partial local density of states (PLDOS) is studied for the case of a quantum point contact surrounded by clean or disordered 2DEG for perturbative or non-perturbative, local or extended tips. An SGM-PLDOS correspondence is found for integer transmissions and local tips. The degradation of this correspondence out of these conditions is studied. Moreover, a presumed link between the SGM response and the Hilbert transform of the LDOS is discussed. To study the role of the tip strength, an analytical formula giving the full conductance in the case of local tips is obtained. Furthermore, a Green function method enabling to calculate the quantum conductance in the presence of a finite size tip in terms of the unperturbed properties is proposed. Finally the dependence of the PLDOS branches on the Fermi energy is studied.
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Propriétés électroniques et thermoélectriques des hétérostructures planaires de graphène et de nitrure de bore / Electronic and thermoelectric properties of graphene/boron nitride in-plane heterostructures

Tran, Van Truong 26 November 2015 (has links)
Les excellentes propriétés électroniques, thermiques et mécaniques du graphène confèrent à ce matériau planaire (bi-dimensionnel) un énorme potentiel applicatif, notamment en électronique. Néanmoins, ce matériau présente de sérieux inconvénients qui pourraient limiter son champ d'applications. Par exemple, sa structure de bandes électronique sans bande interdite rend difficile le blocage du courant dans un dispositif. De plus, pour les applications thermoélectriques, sa forte conductance thermique est aussi une forte limitation. Il y a donc beaucoup de défis à relever pour rendre ce matériau vraiment utile pour des applications. Cette thèse porte sur l'étude des propriétés électroniques et thermoélectriques dans les hétérostructures planaires constituées de graphène et de nitrure de bore hexagonal (BN). Différentes configuration de ce nouveau matériau hybride permettent de moduler la bande interdite, la conductance thermique et le coefficient Seebeck. Cette étude a été menée au moyen de calculs atomistiques basés sur les approches des liaisons fortes (TB) et du modèle à constantes de force (FC). Le transport d'électrons et de phonons a été simulé dans le formalisme des fonctions de Green hors équilibre. Les résultats montrent que, grâce à la modulation de la bande interdite, des transistors à base d'hétérostructures de BN et de graphène peuvent présenter un très bon rapport courant passant / bloqué d'environ 10⁴ à 10⁵. En outre, nous montrons l'existence d'états quantiques hybrides à l'interface zigzag entre le graphène et le BN donnant lieu à des propriétés de transport électronique très intéressantes. Enfin, ce travail montre qu'en agençant correctement des nano-flocons de BN sur les côtés d'un nanoruban de graphène, la conductance des phonons peut être fortement réduite alors que l'ouverture de bande interdite conduit à un accroissement important du coefficient Seebeck. Il en résulte qu'un facteur de mérite thermoélectrique ZT plus grand que l'unité peut être réalisé à température ambiante. / Graphene is a fascinating 2-dimensional material exhibiting outstanding electronic, thermal and mechanical properties. Is this expected to have a huge potential for a wide range of applications, in particular in electronics. However, this material also suffers from a strong drawback for most electronic devices due to the gapless character of its band structure, which makes it difficult to switch off the current. For thermoelectric applications, the high thermal conductance of this material is also a strong limitation. Hence, many challenges have to be taken up to make it useful for actual applications. This thesis work focuses on the theoretical investigation of a new strategy to modulate and control the properties of graphene that consists in assembling in-plane heterostructures of graphene and Boron Nitride (BN). It allows us to tune on a wide range the bandgap, the thermal conductance and the Seebeck coefficient of the resulting hybrid nanomaterial. The work is performed using atomistic simulations based on tight binding (TB), force constant (FC) models for electrons and phonons, respectively, coupled with the Green's function formalism for transport calculation. The results show that thanks to the tunable bandgap, it is possible to design graphene/BN based transistors exhibiting high on/off current ratio in the range 10⁴-10⁵. We also predict the existence hybrid quantum states at the zigzag interface between graphene and BN with appealing electron transport. Finally this work shows that by designing properly a graphene ribbon decorated with BN nanoflakes, the phonon conductance is strongly reduced while the bandgap opening leads to significant enhancement of Seebeck coefficient. It results in a thermoelectric figure of merit ZT larger than one at room temperature.
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Controlling electron transport : quantum pumping and single-electron tunneling oscillations / Contrôle du transport électronique : pompage quantique et oscillations tunnel à un électron

Negri, Carlotta 14 December 2012 (has links)
Exploiter des effets dépendants du temps pour induire et contrôler des courants à travers des conducteurs mésoscopiques et nanoscopiques est un enjeu majeur dans le domaine du transport quantique. Dans cette thèse, nous considérons deux systèmes de taille nanométrique pour lesquels un courant est induit grâce au couplage entre champs extérieurs dépendants du temps et le transport d'électrons. Nous étudions d'abord un problème de pompage quantique au sein d'un système à trois sites en configuration d'anneau, en considérant la possibilité d'induire un courant continu par modulation temporelle des paramètres de contrôle. Nous nous intéressons en particulier à la transition entre régime adiabatique et antiadiabatique en présence d'un mécanisme de dissipation modélisé par un couplage entre le système et un bain extérieur.Nous montrons que le modèle dissipatif admet une solution analytique complète valable pour la composante DC du courant à fréquence arbitraire. Ceci nous permet de bien comprendre comment le courant induit dépend de la fréquence de pompage. Nous nous concentrons ensuite sur un autre système de contrôle du courant exploitant le phénomène des oscillations tunnel à un électron (SETOs). Contrairement au cas précédent, ici la circulation d'un courant continu à travers un circuit comportant une jonction tunnel produit, pour le régime approprié, un courant quasi-périodique d'électrons. On étudie le spectre de bruit à température nulle d'une jonction tunnel dans différents environnements résistifs dans le but de déterminer les limites du régime des SETOs et de quantifier leur degré de périodicité. Nous généralisons par la suite les résultats à température finie et discutons des effets des fluctuations quantiques. / Exploiting time-dependent effects to induce and control currents through mesoscopic and nano\-scopic conductors is a major challenge in the field of quantum transport. In this dissertation we consider two nanoscale systems in which a current can be induced through intriguing mechanisms of coupling between excitations by external fields and electron transport.We first study a quantum pumping problem, analyzing the possibility to induce a DC response to an AC parametric driving through a three-site system in a ring configuration. We are interested in particular in the crossover between adiabatic and antiadiabatic driving regimes and in the presence of dissipation, which is accounted for by coupling with an external bath. We show that for a clever choice of this coupling the dissipative model admits a full analytical solution for the steady state current valid at arbitrary frequency, which allows us to fully understand the pumping-frequency dependence of the induced current. We then focus on a different current-controlling scheme exploiting the phenomenon of single-electron tunneling oscillations (SETOs). In this case, opposite to what happens for pumping, an AC effect, an almost periodic current of single electrons, arises through a tunnel junction circuit as a consequence of a DC bias. We study the zero-temperature noise spectrum of a tunnel junction in different resistive environments with the aim to determine the boundaries of the SETOs regime and quantify their quality in terms of periodicity. We then discuss the finite-temperature generalization and the possibility to account for the effects of quantum fluctuations.
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Traitement quantique original des interactions inélastiques pour la modélisation atomistique du transport dans les nano-structures tri-dimensionnelles / Original quantum treatment of inelastic interactions for modeling of atomistic transport in three-dimensional nanostructures

Lee, Youseung 18 October 2017 (has links)
Le formalisme des fonctions de Green hors-équilibre (NEGF pour « Non-equilibrium Green’s function) a suscité au cours des dernières décennies un engouement fort pour étudier les propriétés du transport quantique des nanostructures et des nano-dispositifs dans lesquels les interactions inélastiques, comme la diffusion des électrons-phonons, jouent un rôle significatif. L'incorporation d'interactions inélastiques dans le cadre du NEGF s’effectue généralement dans l'approximation auto-cohérente de Born (SCBA pour « Self-consistent Born approximation) qui représente une approche itérative plus exigeante en ressources numériques. Nous proposons dans ce travail de thèse une méthode efficace alternative dite LOA pour (« Lowest Order Approximation. Son principal avantage est de réduire considérablement le temps de calcul et de décrire physiquement la diffusion électron-phonon. Cette approche devrait considérablement étendre l'accessibilité de l'utilisation de codes atomistiques de transport quantique pour étudier des systèmes 3D réalistes sans faire à des ressources numériques importantes. / Non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism during recent decades has attracted numerous interests for studying quantum transport properties of nanostructures and nano-devices in which inelastic interactions like electron-phonon scattering have a significant impact. Incorporation of inelastic interactions in NEGF framework is usually performed within the self-consistent Born approximation (SCBA) which induces a numerically demanding iterative scheme. As an alternative technique, we propose an efficient method, the so-called Lowest Order Approximation (LOA) coupled with the Pade approximants. Its main advantage is to significantly reduce the computational time, and to describe the electron-phonon scattering physically. This approach should then considerably extend the accessibility of using atomistic quantum transport codes to study three-dimensional (3D) realistic systems without requiring numerous numerical resources.
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Etudes des effets de taille finie et de l'écrantage causé par une pointe de STM dans les liquides de Lüttinger

Guigou, Marine 19 June 2009 (has links) (PDF)
Cette thèse s'inscrit dans le domaine de la physique mésoscopique. Plus particulièrement, on s'est intéressé aux effets de taille finie et aux effets de l'écrantage causé par une pointe de STM dans un fil quantique, ceci à travers les comportements du courant, du bruit non-symétrisé et de la conductance. Ces études reposent sur, d'une part, la théorie des liquides de Luttinger qui permet de décrire les systèmes 1D d'électrons fortement corrélés et d'autre part, le formalisme Keldysh permettant de considérer des situations hors équilibre. <br />Le bruit présente un comportement non poissonien, résultant des effets de taille finie. A travers le transport photo-assisté, il est également montré que ces effets masquent ceux des interactions coulombiennes. En considérant la proximité entre la pointe de STM, qui sert de sonde comme d'injecteur d'électrons, et un fil quantique, des effets d'écrantage apparaissent. Il est montré qu'ils jouent un rôle similaire à ceux des interactions coulombiennes.
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Étude des propriétés électroniques du graphène et des matériaux à base de graphène sous champs magnétiques intenses

Poumirol, Jean-Marie 22 July 2011 (has links) (PDF)
Cette thèse présente des mesures de transport électronique dans des systèmes bi-dimensionels et uni-dimensionels à base de graphène sous champ magnétique pulsé (60T). L'objectif de ces travaux consiste à sonder la dynamique des porteurs de charge en modifiant la densité d'états du système par l'application d'un champ magnétique. Une première partie est consacrée à l'étude de l'influence des îlots électrons-trous sur les propriétés de transport du graphène au voisinage du point de neutralité de charge. Nous avons constaté l'apparition de fluctuations de la magnéto-résistance liée à la transition progressive des îlots de taille finie dans le régime quantique lorsque le champ magnétique augmente. Nous avons aussi montré que la variation de l'énergie de Fermi, liée à l'augmentation de la dégénérescence orbitale des niveaux de Landau, est directement responsable d'une modification du ratio entre électrons et trous. Dans une deuxième partie consacrée à l'étude des nanorubans de graphène, nous avons exploré deux gammes de largeur différentes. Dans les rubans larges (W>60nm), la quantification de la résistance a été observée révélant ainsi une signature évidente de la quantification du spectre énergétique en niveaux de Landau. Le confinement magnétique des porteurs de charge sur les bords des nano rubans a permis de mettre en évidence, pour la première fois, la levée de dégénérescence de vallée liée à la configuration " armchair " du ruban. Pour des rubans plus étroits (W<30nm), en présence de défauts de bord et d'impuretés chargées, la formation progressive des états de bords chiraux donne lieu à une magnéto-conductance positive quelque soit la densité de porteurs. Enfin, la dernière partie traite du magnéto-transport dans le graphene multi feuillet. En particulier, nous avons observé l'effet Hall quantique dans les systèmes tri-couches de graphène. Une étude comparative des résultats expérimentaux avec des simulations numériques a permis de déterminer l'empilement rhomboédrique des trois couches de graphène constituant l'échantillon.
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Cohérence à un et deux électrons en optique quantique électronique / Single and two-electron coherence in electron quantum optics

Thibierge, Étienne 15 June 2015 (has links)
Cette thèse se place dans le domaine du transport quantique cohérent, et vise à développer un formalisme adapté à la modélisation d'expériences réalisées dans les canaux de bord de l'effet Hall quantique entier. Ce formalisme repose sur les analogies entre ces expériences et celles de l'optique quantique photonique.Le manuscrit commence par une introduction au contexte de la thèse qui propose un tour d'horizon des enjeux, des outils et des succès de l'optique quantique électronique.La première partie du travail traite des propriétés de cohérence mono-électronique et introduit la notion clé d'excès de cohérence à un électron. Plusieurs représentations sont proposées et analysées, permettant d’accéder aux informations physiques contenues dans la fonction de cohérence. Les états émis par des sources à électrons utilisées par plusieurs groupes expérimentaux sont ensuite analysés sous cet angle.Les effets à deux électrons sont au cœur de la seconde partie. L'excès de cohérence à deux électrons est défini en prenant en compte les effets de corrélation classique et d'échange quantique. Les conséquences de l'anti-symétrie fermionique sont également analysées en détail, montrant une redondance dans les informations encodées dans la cohérence à deux électrons. Enfin, un degré de cohérence normalisé est introduit pour étudier plus directement les effets d'indiscernabilité et d'anti-bunching.La mesure et la manipulation de la cohérence électronique par interférométrie sont abordées dans la troisième partie. Dans un premier temps, le lien entre les fonctions de cohérence électronique et les quantités directement accessibles dans les expériences est établi, ce qui justifie le besoin de protocoles plus complexes. La mesure d'excès de cohérence à un électron est alors envisagée par interférométrie Mach-Zehnder à un électron, puis par interférométrie Hong-Ou-Mandel à deux électrons, ce qui suggère une interprétation plus simple d'un protocole de tomographie électronique établi en 2011. Un protocole de mesure de l'excès de cohérence à deux électrons est ensuite proposé par interférométrie de type Franson, étendant les idées relatives à la mesure de cohérence à un électron par un interféromètre de Mach-Zehnder. Enfin, une vision complémentaire est apportée sur l'interféromètre de Franson, en utilisant celui-ci cette fois pour générer une cohérence à deux électrons non locale. / This thesis deals with coherent quantum transport and aims at developing a formalism well suited to model experiments conducted in edge channels of integer quantum Hall effect. This formalism relies on analogies between these experiments and photon quantum optics ones.The manuscript begins with an introduction to the context of the thesis and an overview of issues, tools and successes of electron quantum optics.The first part of the work addresses the question of single electron coherence properties and introduces the key notion of excess of single electron coherence. Several representations are proposed and analyzed, giving access to physical informations encoded in the coherence function. The quantum states emitted by experimentally demonstrated electron sources are then analyzed under this perspective.Two electron effects are at the heart of the second part. The excess of two-electron coherence is defined taking into account both classical correction and quantum exchange effects. A detailed analysis of consequences of fermionic anti-symmetry is provided and shows that information encoded into two-electron coherence is redundant. Last, a normalized degree of coherence is introduced in view of a more direct study of indistinguishability and anti-bunching.The issue of measuring and manipulating electronic coherence by interferometry is addressed in the third part. First the relation between electronic coherence functions and directly measurable quantities in experiments is established, justifying the need for more involved measurement protocols. The measure of the excess of single electron coherence is envisioned through single electron Mach-Zehnder interferometry and two-electron Hong-Ou-Mandel interferometry, suggesting a simpler interpretation of a tomography protocol established in 2011. A protocol for measuring the excess of two-electron coherence is then proposed by Franson-like interferometry, which generalizes the ideas used for measuring single electron coherence with a Mach-Zehnder interferometer. Last, a complementary point of view on Franson interferometer is given, by using it to generate a non-local two-electron coherence.

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