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A conduta universal: governo de si e políticas de gênero na Igreja Universal do Reino de Deus / The universal conduct: the government of the self and gender politics in the Universal Church of the Kingdom of God

Teixeira, Jacqueline Moraes 09 March 2018 (has links)
A emergência da Lei 11.340/06 também conhecida como lei Maria da Penha que regula e criminaliza a violência doméstica aparece como diretriz fundante do Projeto Raabe. Trata-se de um projeto desenvolvido pela Igreja Universal do Reino de Deus (IURD), voltado para o atendimento de mulheres em situação de violência doméstica. Idealizado por Cristiane Cardoso, filha mais velha do Bispo Edir Macedo, o projeto reúne hoje uma equipe de profissionais tais como advogados, psicólogos e assistentes sociais, e visa oferecer assistência jurídica e psicológica a mulheres que procuram o atendimento em delegacias denominadas delegacias da mulher. Pretendo analisar - a partir de um conjunto de materiais produzidos pelo projeto, que compreende desde reuniões temáticas até relatos publicados como livros biográficos -, a produção civil de uma noção de conversão que se baseia no reconhecimento jurídico da condição de sofrimento. Nesse processo a categoria divórcio se desenha como um caminho primeiro para o aprendizado da relação heterossexual saudável, e o degrau necessário rumo a conversão. A concepção de afetividade saudável e o desenvolvimento constante de uma pedagogia que visa o cuidado de si tornam-se linguagens substanciais de produção de um sujeito feminino que deve afasta-se da condição jurídica de sujeito de sofrimento para assumir o relato público como crente civil. Assim, esta pesquisa tem por finalidade mapear e descrever práticas relacionadas à produção de uma performatividade de gênero mimetizada em formas de falar, de se apreender e de experienciar os corpos femininos a partir de programas de incentivo ao relacionamento heterossexual, pensando o papel de tais políticas têm na formação de performatividades, ora por meio de linguagem de gendramento dos gêneros, mediante tecnologias de poder que conformam a sujeição e a subjetivação dos sujeitos. / The emergence of the 11.340/06 law, also known as Maria da Penha law, that regulates and criminalizes domestic violence, appears as a fundamental guideline of the Raabe project. Its a project that has been developed by the Universal Church . Of the Kingdom of God (UCKG) , aimed at supporting women who have undergone domestic violence. Conceived by Cristiane Cardoso, Edir Macedos oldest daughter. The Project encompasses a set of professional such as lawyers , psychologixtx, and social assistents, and aims at offering juridical and psychological assistence for women who look for support at the so called Women Police Stations, which are specialized in domestic violence. I intend to analyze from a set of materials produced by the Project that compreheds theme meetings and also reports which were published as biografical books the civil production of a notion of conversin that is based on the juridical acknowledgement of suffering. In this process, the category divorce is drawn as the first step to the learning process of a healthy heterossexual relationship, and its the necessary step for the conversion.The concept of healthy affectivity and the constant development of a pedagogy of the self become substantial languages of the production of a female subject that should step away from the juridical condition of sufferer to take up the public role of a civilian evangelical . . Therefore this research intends to map and describe practices which are related to the production of gender perfomrnace which is mimetized in the act of speaking, seeing oneself and experience female bodies from programs that stimulate heterossexual relationships , thinking about the role that those policies have, whether by the language of gender gendering or through Technologies of power that forge the subjection and subjectivation of subjects.
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'Esli' et l'expression de la condition en russe moderne

Kor Chahine, Irina 15 December 2001 (has links) (PDF)
Nous avons organisé notre travail d'après la sémantique d'une phrase type esli p, q, en commençant par les conditionnelles, modèle le plus fréquent. Organisée d'après le type de connecteur qui apparaît dans ces constructions, notre présentation expose les caractéristiques de chaque variante conditionnelle prise séparément. Nous proposons comme base de cette thèse une classification des types de condition en 4 groupes : • condition potentielle • condition irréelle • condition virtuelle • condition réelle Ainsi, la Ie partie est consacrée aux conditionnelles proprement dites et aux hypothétiques avec esli qui réalisent les trois premiers types de condition. Cette partie traite des caractéristiques particulières de ces phrases, de la spécificité de leur construction et de leur fonctionnement. Un chapitre à part est consacré à l'usage des synonymes lexicaux de esli en russe moderne. La IIe partie est centrée sur d'autres variantes conditionnelles. Il s'agit des phrases asyndétiques sans connecteur. Cette partie comprend également les phrases où le rôle du connecteur est assuré par un lexème ou forme grammaticale qui, en soi, n'est pas spécialisé dans l'expression de la condition (l'impératif, stoit, tol'ko, ljuboj, etc.). Ces phrases représentent des synonymes syntaxiques des phrases avec esli. Enfin, la IIIe partie comprend les conditionnelles secondaires, où l'expression de la condition n'est pas mise au premier plan, et les factuelles. Dans le premier cas, il s'agit des itératives, véhiculant une condition réelle. Les déductives et concessives, elles, se trouvent à la limite des conditionnelles et des factuelles. Quant aux factuelles, phrases de mise en relief et phrases oppositives, elles ne sont jamais hypothétiques, mais elles partagent avec les conditionnelles la structure commune du type esli p, q. La présentation de l'ensemble des phrases du type esli p, q permet de montrer une certaine unité où le modèle central est constitué par les conditionnelles.
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Interprétation et traitement des données de sonde atomique tomographique : application à la precipitation dans les Al-Mg-Si

De Geuser, Frederic 13 December 2005 (has links) (PDF)
Les alliages Al-Mg-Si-(Cu) de la série 6016 sont utilisés sous forme de tôles pour<br />la réalisation d'ouvrants dans l'industrie automobile. Leur particularité est de pouvoir<br />être durcis durant la cuisson des peintures (typiquement 30 minutes à 185°C). Ce phénomène<br />s'explique par un durcissement structural : le traitement thermique de cuisson des<br />peintures appliqué à une solution solide sursaturée active la diffusion des solutés et la précipitation<br />de phases métastables plus ou moins cohérentes avec la matrice d'aluminium<br />qui vont ralentir le mouvement des dislocations.<br />Ces différentes phases métastables ont des tailles extrêmement petites (parfois inférieures<br />à 1nm), ce qui les rend difficiles à analyser autrement qu'en sonde atomique tomographique.<br />Une attention toute particulière a été apportée au développement de nouvelles<br />techniques d'interprétation et de traitement des données afin de faire reculer les limites de<br />l'instrument.<br />Grâce à la sonde atomique, parfois couplée au microscope électronique en transmission,<br />les mécanismes de précipitation de la phase beta" ont été mieux compris. En particulier,<br />nous avons montré qu'un traitement de prérevenu à 90°C appliqué avant le revenu rendait<br />ce dernier plus efficace par la formation d'amas diffus de Mg et de Si qui augmentent la<br />densité numérique d'objets durcissants (amas +beta"). La présence d'aluminium dans les<br />précipités a été démontrée.<br />L'effet du prérevenu sur la corrélation entre les atomes durant les tout premiers stades<br />de décomposition a été étudié directement par le calcul de fonctions partielles de corrélation<br />de paires. Cette méthode a également permis de suggérer un scénario expliquant le<br />durcissement pendant le stockage à l'ambiante par la formation d'atmosphères de solutés<br />autour des dislocations, ralentissant ainsi leur mouvement.
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Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium: théorie de la Fonctionnelle de la Densité et Monte Carlo cinétique

Hemeryck, Anne 22 January 2008 (has links) (PDF)
La tendance permanente à la réduction des dimensions des composants de la microélectronique mène à la fabrication de couches d'oxydes de plus en plus fines. Afin de poursuivre cette miniaturisation, le recours à la caractérisation de ces couches, impliquant la connaissance parfaite de l'interface Si/SiO2, devient incontournable. Des simulations précises et prédictives des procédés aux échelles atomiques et microscopiques peuvent aider à cette caractérisation. Notre étude consiste en la détermination des premiers stades de l'oxydation thermique d'un substrat de silicium grâce à la mise en oeuvre d'une approche multi échelles. L'utilisation des calculs ab initio permet l'identification des propriétés locales des mécanismes élémentaires de l'oxydation à l'échelle atomique en termes de structures atomiques et électroniques, d'énergies d'activation de diffusions& La croissance d'oxyde selon les procédés de fabrication peut être reproduite par le développement d'un simulateur Monte Carlo cinétique à partir des mécanismes réactionnels identifiés. Le recours au Monte Carlo cinétique est nécessaire pour atteindre des échelles de temps et d'espace suffisantes pour simuler les procédés de fabrication. Nous avons réalisé des calculs ab initio à l'échelle atomique et développé un code Monte Carlo cinétique nommé Oxcad afin d'appréhender, de caractériser et de simuler les premières étapes de l'oxydation thermique d'une surface de silicium.
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Etude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures Si/CaF2 déposées sur des substrats de Si(111)

Guirleo, Guillaume 13 December 2002 (has links) (PDF)
Ce travail porte sur l'étude des propriétés électriques et optiques de diverses hétérostructures Si/CaF2 élaborées par la technique d'épitaxie par jets moléculaires. Cette technique de croissance a permis l'élaboration de couches minces de fluorure de calcium (CaF2) et de structures plus complexes telles que des multicouches photoluminescentes ainsi que des structures Fabry-Perot.<br />Dans une première partie, nous nous sommes intéressés aux propriétés électriques de couches minces de CaF2 monocristallines et nanocristallines, déposées sur substrats Si(111), de différentes épaisseurs en faisant varier les paramètres de croissance, en particulier la température d'élaboration. Cette étude montre l'importance de la préparation du substrat pour l'obtention de couches de CaF2 de bonne qualité. En particulier, une couche tampon de Si permet d'obtenir des couches de CaF2 exemptes de trous. Egalement cette étude montre que l'interface est de type B (interface maclée) pour des couches de CaF2 élaborées à haute température alors qu'il est de type A pour les couches déposées à basse température. Ce type (A ou B) fixe la densité de pièges électriques à l'interface mesurée. Des mesures électriques résolues en temps ont permis de mettre en évidence des temps de relaxation longs des porteurs de charges à l'origine des phénomènes d'hystérésis observés sur les caractéristiques I-V et du comportement de résistance différentielle négative. Ces effets dynamiques ont pu être modélisés en utilisant un circuit électrique équivalent formé d'éléments discrets (résistances, capacités).<br />Dans une deuxième partie, nous nous sommes intéressés à la fabrication et à la caractérisation de filtres interférentiels (miroirs de Bragg, structures Fabry-Perot) afin d'une part d'ajuster la longueur d'onde d'émission et d'autre part de réduire la largeur spectrale de photoluminescence des multicouches nanométriques Si/CaF2. Les mesures de réflectivité montrent qu'il est possible d'obtenir des miroirs de Bragg présentant une forte réflectivité sur un large domaine spectral pour un nombre réduit de périodes et d'obtenir des structures Fabry-Perot ayant un mode bien défini de quelques dizaines de nanomètres dans le visible.
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Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : caractérisation physico-chimique de l'interface film/substrat

Brevet, Aude 13 January 2006 (has links) (PDF)
L'étude des premiers instants de la croissance par dépôt chimique en phase vapeur à partir d'un précurseur métalorganique (MOCVD) de films de TiO2 sur Si(100) a été réalisée in situ par analyse de surfaces (XPS, ARXPS, AES). Un dispositif expérimental original a été conçu à cet effet et mis au point. Des caractérisations ex situ (HRTEM, SIMS, GIXRD...) ont complété les informations obtenues in situ.<br />La formation d'une couche interfaciale de SiOy<2, par interaction du précurseur Ti(OCH(CH3)2)4 avec le substrat, précède la formation de TiO2 et conduit à la présence de carbone à l'interface. La diffusion de silicium au sein de la couche superficielle de TiO2 a été constatée à la température de dépôt de 675 °C. Dès les premiers instants de la croissance, des cristallites de structure anatase et rutile se forment au sein de la couche de TiO2 amorphe. La croissance des grains de rutile s'arrête en cours de dépôt. Celle des grains d'anatase se poursuit sous forme de colonnes monocristallines.
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Analyse en profondeur des défauts de l'interface Si-SiO2 par la technique du pompage de charges

MANEGLIA, Yves 18 December 1998 (has links) (PDF)
Ce mémoire a pour but d'apporter une contribution dans le domaine de la caractérisation électrique de l'interface Silicium-Oxyde.<br /> Les deux premiers chapitres sont consacrés à des rappels sur le système Si-SiO2 et à la présentation des principales méthodes de caractérisation électriques qui ont permis d'apporter des informations sur les états dits « lents », états situés dans l'oxyde au voisinage de l'interface et communiquant avec le semiconducteur par effet tunnel. Dans le troisième chapitre un modèle ayant pour but d'extraire à partir de mesures de pompage de charges, le profil en profondeur des défauts de l'interface Si-SiO2 est proposé. Ce modèle, qui prend en compte à la fois les états rapides et les états lents, est basé sur la statistique de Shockley-Read-Hall et sur un modèle de capture des porteurs par effet tunnel (modèle d'Heiman et Warfield). La validité de ce modèle est d'abord discutée. Il est ensuite montré que les liens faits dans certaines publications entre les courbes de pompage de charges et la présence d'un dopage non uniforme au voisinage des régions de source et de drain des transistors sont à reconsidérer. Les profils en profondeur de défauts extraits pour la première fois et pour un grand nombre de dispositifs de différentes technologies, depuis l'interface jusqu'à environ une quinzaine d'angströms dans l'oxyde, sont de la forme Nt(x) = Ntsexp(-x/d) + Nt0. Le premier terme de cette relation correspond aux défauts d'interface à proprement parler, le deuxième correspond aux défauts de la couche dite « contrainte » de l'oxyde. Ces résultats, confortés de différentes manières, sont corrélés avec les résultats de la littérature obtenus par les méthodes physiques de caractérisation de l'interface. Deux applications de la technique sont présentées. La première porte sur l'évolution des paramètres de l'interface en fonction de la concentration en azote d'oxynitrures obtenus par RTCVD. La seconde consiste en l'étude de la dégradation de l'interface Si-SiO2 sous injection Fowler-Nordheim et permet de connaître l'évolution avec la contrainte de la densité des états lents par rapport à celle des états rapides. Finalement, la comparaison avec la spectroscopie de bruit permet une corrélation claire entre l'évolution avec la dose injectée des caractéristiques des profils de pièges et la pente des spectres du bruit en 1/f.
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Microscopie de photodétachement de Si- et OH-. Spectroscopie microeV par imagerie de fonction d'onde pour un test de validité du modèle de l'électron libre

Goldfarb, Fabienne 10 October 2003 (has links) (PDF)
Le microscope de photodétachement, construit au laboratoire Aimé Cotton au milieu des années 90, permet de visualiser les images d'interférences obtenues à partir d'électrons détachés d'ions négatifs par excitation laser, en présence d'un champ électrique uniforme. Après détachement, dans une première approximation, l'électron et l'espèce neutre précédemment liés n'interagissent plus : on a une source d'électrons libres. Or, selon les équations de la mécanique classique, un électron libre d'énergie cinétique donnée placé dans un champ électrique uniforme a deux trajectoires paraboliques différentes pour arriver en un même point. Quantiquement parlant, l'onde de matière électronique se divise et suit les deux chemins possibles. Du fait de la cohérence de l'onde électronique émise par photodétachement, les deux demi-ondes interfèrent. Les images d'interférences enregistrées sont très sensibles à l'énergie cinétique des électrons qui les composent. On peut ainsi mesurer cette énergie par comparaison entre les images expérimentales et celles prédites par le modèle théorique de l'électron libre, et faire de la spectroscopie de très haute résolution. L'étude quantitative des images a été utilisée pour tester la validité du modèle de l'électron libre pour le détachement de Si- et OH-, en recherchant d'éventuels effets d'interaction entre l'électron détaché et l'espèce neutre. L'anion Si- a permis de valider le modèle pour un atome plus lourd que ceux précédemment utilisés. L'anion moléculaire OH- a été choisi notamment pour examiner l'effet d'un potentiel dipolaire sur les interférences. Les résultats obtenus n'ont pas mis en évidence de modification des images, et ont donc validé cette méthode pour la mesure des énergies de détachement d'anions diatomiques. Ces travaux ont permis de proposer de nouvelles mesures des affinités électroniques de Si et de OH, avec une meilleure précision.
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Étude de la rugosité de surface induite par la déformation plastique de tôles minces en alliage d'aluminium AA6016

Guillotin, Alban 28 May 2010 (has links) (PDF)
Dans le cadre d'un programme de recherche visant à l'allègement de la structure des véhicules, l'origine de lignage dans des tôles en aluminium AA6016 a été étudiée. Ce phénomène, qui peut apparaître à la suite d'une déformation plastique, est apparenté à de la rugosité de surface alignée dans la direction de laminage (DL). Sa présence est néfaste à une bonne finition de surface, et son intensité est appréciée visuellement par les fabricants.Une méthode de quantification rationnelle a été développée. La caractérisation de la distribution morphologique des motifs de rugosité a été rendue possible par l'utilisation de fonctions fréquentielles telle la densité de puissance spectrale. La note globale, construite à partir de la quantification individuelle des composantes de lignage pur et de rugosité globulaire, s'est montrée en bon accord avec les estimations visuelles, et notamment avec le niveau de lignage intermédiaire regroupant plusieurs aspects de surface différents.La microstructure des matériaux à l'état T4 a été expérimentalement mesurée couche de grains par couche de grain à l'aide d'un couplage entre polissage contrôle et acquisition par EBSD. Les 4 à 5 premières couches sous la surface (-120μm) semblent jouer un rôle mécanique prépondérant dans la formation du lignage car elles offrent à la fois une grande taille de grains moyenne, une importante ségrégation d'orientations cristallines, et une forte similitude de longueurs d'onde entre la rugosité de surface et les motifs de la microtexture.Des simulations numériques ont permis de vérifier que les couples de texture identifiés (Cube/Goss, Cube/Aléatoire et Cube/CT18DN) possédaient des différences d'amincissements hors-plans suffisantes pour générer l'ondulation d'une couche d'éléments. En revanche, l'influence mécanique de cette même couche décroit très rapidement avec son enfouissement dans la profondeur et devient négligeable sous plus de 4 couches d'éléments.
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Modifications de matériaux polymères pour des visées antibactériennes

Casimiro, Jessie 18 October 2011 (has links) (PDF)
Maîtriser la biocontamination surfacique et les risques susceptibles d'y être associés demeure un challenge majeur. Cette maîtrise passe par la préparation de nouveaux matériaux polymères possédant des propriétés de surface adaptées. Dans cette optique le LCOM développe depuis quelques années une thématique consistant à mettre au point des méthodes de modifications de surfaces de matériaux polymères par greffage de biomolecules. [ ] [ ] [ ] Dans ce contexte, l'objectif de cette étude est de fonctionnaliser des films polymères de type poly (téréphtalate d'éthylène) (PET) avec des dérivés sucrés et/ou polysaccharides dans le but d'étudier le caractère bactériostatique, biocide et pro ou anti-adhésion. [ ] La préparation des matériaux se fait en plusieurs étapes :Etape 1 : Fonctionnalisation de surfaces polymères (films) par traitement plasma N2/H2 et NH3 pour introduire à la surface des fonctions amines. Cette technique modifie la surface sans changer les propriétés intrinsèques des matériaux.Etape 2 : Greffage d'un amorceur de polymérisation radicalaire par transfert d'atome (ATRP)Etape 3 : Polymérisation en surface d'un monomère sucré par ATRP (contrôle de la longueur des chaînes greffées). La mise au point des paramètres de polymérisation ATRP de ces monomères est d'abord menée en solution avant d'étudier la polymérisation en surface.Etape 4 : Etudes microbiologiques des surfaces modifiées.Après chaque étape de modification de surface, les matériaux sont caractérisés par différentes méthodes d'analyses telles que : la spectroscopie de photoélectrons X (XPS), la microscopie à force atomique, la chromatographie d'exclusion stérique. Des glycopolymères protégés et déprotégés issus du galactose et de la glucosamine ont été synthétisés. Ceux issus de la glucosamine ont été synthétisés afin de mimer les propriétés antibactériennes du chitosane. Le glycomonomère issu du galactose est polymérisé par ATRP par voie " grafting from " sur des surfaces de PET. Ces surfaces modifiées présentent des propriétés anti-adhésives intéressantes contre les bactéries du type Bacillus subtilis. En effet, après greffage du glycomonomère déprotégé, il n' ya plus d'adhésion de bactéries. Des polymères contenant des fonctions ammonium quaternaire et fluor ont aussi été greffés avec succès sur les films de PET par la même méthode.

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