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Einsatz von Niederdruck-Mikrowellen-Plasmen für die Oberflächenmodifikation und Erzeugung von Diffusions-Barrieren auf Brennstoffzellen-MembranenFeichtinger, Jochen, January 2004 (has links)
Stuttgart, Univ., Diss., 2004.
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Einsatz von Poly(3,4-ethylendioxithiophen) als Katalysatorträger und Methanolbarriere in der Anode der Direktmethanol-BrennstoffzelleDrillet, Jean-François January 2008 (has links)
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2008
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Herstellung ultraschmaler Leitbahnen mit herkömmlichen Prozessen und Untersuchungen zum Pore Sealing bei porösen low-k DielektrikaBonitz, Jens 31 March 2005 (has links)
Gegenstand dieser Arbeit sind zwei Problemstellungen der Mikroelektronik. Dies ist einerseits die Notwendigkeit zur Erzeugung kleiner Strukturgrößen um Untersuchungen an diesen durchzuführen. Innerhalb dieser Arbeit wurden ultraschmale Leitbahnen mit herkömmlichen Prozessen hergestellt, was den Einsatz neuer Lithographieanlagen oder auflösungsverbessernden Maßnahmen nicht notwendig macht. Hierzu wurde für zwei Verfahren, die Backfill- und die TiN-Spacer-Technologie, die Prozessschritte entwickelt und untersucht und beide Technologien hinsichtlich der erreichbaren Strukturgrößen bewertet.
Das zweite Thema dieser Arbeit war das pore sealing von porösen low-k-Dielektrika. Für diese Untersuchungen wurden verschiedene pore sealing Methoden wie Plasmabehandlungen oder dünne Schichten (Liner) angewandt. Die Effektivität dieser Methoden, auch in Abhängigkeit von low-k-Materialien mit verschiedenen Porengrößen, wurde durch Rasterelektronenmikroskopie, Untersuchung der Barrierestabilität und Untersuchung von Diffusion der Barriere in das Dielektrikum mittels TEM und EDX line scan bestimmt. / This work is concerned with two problems of microelectronic research. This is first the need for small features sizes to carry out investigations on them. Within this work very narrow conductor lines were fabricated with conventional processes. So the use of new lithography tools or resolution enhancement techniques was not necessary. For two technologies, the Backfill and the TiN spacer technology, the process steps were developed and investigated and both technologies were evaluated regarding the reachable feature sizes.
The second topic was pore sealing of porous low k dielectrics. For these investigations various pore sealing methods like plasma treatments or thin films (liner) were applied. The effectiveness of these methods, also depending of low k materials with different pore sizes, were investigated by scanning electron microscopy, by barrier integrity investigations and by investigations of barrier diffusion into the dielectric material using TEM and EDX line scan.
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Optical Properties of Sputtered Tantalum Nitride Films Determined by Spectroscopic EllipsometryWaechtler, Thomas, Gruska, Bernd, Zimmermann, Sven, Schulz, Stefan E., Gessner, Thomas 16 March 2006 (has links)
Tantalum and tantalum nitride thin films are
routinely applied as diffusion barriers in
state-of-the-art metallization systems of
microelectronic devices. In this work, such films
were prepared by reactive magnetron sputtering
on silicon and oxidized silicon substrates and
studied by spectroscopic ellipsometry in the
spectral range from 190 nm to
2.55 μm.
The complex refractive index for thick films
(75 to 380 nm) was modeled using a
Lorentz-Drude approach. These models were
applied to film stacks of
20 nm TaN / 20 nm Ta on
unoxidized and thermally oxidized Si.
With free oscillator parameters, accurate values
of the film thicknesses were obtained according
to cross-sectional scanning electron microscope (SEM)
measurements. At the same time, a strong
variation of the optical properties with film
thickness and substrate was observed.
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Abscheidung (CVD) und Charakterisierung W-basierter Diffusionsbarrieren für die KupfermetallisierungEcke, Ramona 11 December 2006 (has links)
Die Arbeit beschreibt die Entwicklung von
plasmaunterstützten CVD-Prozessen zur Abscheidung
ultradünner (≤10 nm) wolframbasierter
Diffusionsbarrieren für die Kupfermetallisierung
in
integrierten Schaltkreisen. Es wird ein
PECVD-Prozess mit der Gaschemie WF<sub>6</sub>/N<sub>2</sub>/H<sub>2</sub>/(Ar)
vorgestellt, mit dem amorphe und leitfähige
WN<sub>x</sub>-Schichten abgeschieden werden. Dabei wird der
Prozess umfassend charakterisiert (z.B. Rate,
Homogentität, Kantenbedeckung) und die Einflüsse
von Parameteränderungen (besonders
Gasflussvariationen) auf die Schichteigenschaften
untersucht. Ausgewählte Schichtzusammensetzungen,
welche den Barriereanforderungen hinsichtlich
geringen elektrischen Widerstandes und sehr guter
Homogenität über den Wafer entsprachen, wurden im
für den praktischen Einsatz relevanten
Schichtdickenbereich von 10 nm eingehender
untersucht. Dies erfolgte einerseits
mikrostrukturell mit GI-XRD, GDOES und TEM zu
Schichtzusammensetzung, Kristallisationsverhalten
und Schichtstabilität unter Wärmebehandlung in
verschiedenen Medien in direktem Kontakt zu
Kupfer. Zudem erfolgte die Beurteilung der
Diffusionswirkung der WN<sub>x</sub>-Schichten mit
elektrischen Messverfahren (CV, TVS) über
MIS-Strukturen.
Auf Grundlage des WN<sub>x</sub>-Prozesses wird durch Zugabe
von Silan zur Prozessgaschemie die Möglichkeit
der Abscheidung einer ternären Zusammensetzung
WSiN untersucht. Es erfolgt eine ausführliche
Auswertung der Literatur zu verschiedenen
WSiN-Abscheideprozessen und eine Wertung der
beschriebenen ternären Zusammensetzung in Bezug
auf geringen elektrischen Widerstand und
thermischer Stabilität. Mit den daraus gewonnenen
Erkenntnissen kann ein ternärer
Zusammensetzungsbereich von Me-Si-N eingegrenzt
werden, der sowohl amorphe Mikrostruktur,
niedrigen elektrischen Widerstand und hohe
thermische Stabilität garantiert. Der entwickelte
PECVD-Prozess mit Silan führte zu einer
Si-stabilisierten WN<sub>x</sub>-Schicht mit nur geringfügig
höherer
thermischer Stabilität aber deutlich höheren
elektrischen Widerstand. Es wird die Frage
diskutiert, ob die Entwicklung einer amorphen
ternären Verbindung mit höherer thermischer
Stabilität aber zu Lasten des elektrischen
Widerstandes notwendig ist, wenn für das
Stoffsystem schon eine amorphe binäre
Zusammensetzung existiert, die die Anforderungen
einer Diffusionsbarriere hinsichtlich hoher
Leitfähigkeit und ausreichend hoher thermischer
Stabilität erfüllt.
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Untersuchungen zu Schichtwachstum und Grenzflächen an Ta-basierten Dünnschichten mittels XPSZier, Michael 14 December 2007 (has links) (PDF)
In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum von Ta- und TaN-Schichten auf Si- und SiO_2-Substraten untersucht Die Schichten werden dabei unter technologienahen Bedingungen mittels Magnetron-Sputtern abgeschieden. Die Untersuchungen erfolgen hauptsächlich mit winkelaufgelöster röntgenstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie (ARXPS). Die Analysen erfolgen in situ, ohne Unterbrechung des Ultrahochvakuums, um die Deposite vor Oxidation und Kontamination zu schützen. Zur zerstörungsfreien Tiefenprofilanalyse wird ein Quantifizierungsalgoritmus beschrieben und angewandt. Für die Kombination Ta/Si wird die Bildung einer zunächst unvollständigen TaSi_2-Schicht, danach das Aufwachsen von Ta auf diese Zwischenschicht beobachtet. Für die Kombination Ta/SiO_2 wird eine Reduktion des SiO_2-Substrates bei gleichzeitigem Aufwachsen von Ta-Oxiden beobachtet. Auf dem durchmischten Schichtstapel wächst danach Ta auf. Für die Kombination TaN/Si wird die Bildung einer Si-N-Zwischenschicht bei gleichzeitigem Wachsen einer TaN-Schicht beobachtet. Für die Kombination TaN/SiO_2 wird das Aufwachsen einer TaN-Schicht ohne Ausbilung von Zwischenschichten beobachtet. Das Wachstumsverhalten des Ta/Si-Systems wird zusätzlich mit in situ Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie untersucht. Es wurden Untersuchungen zur thermischen Stabilität von abgeschiedenen Schichten an den Systemen Ta/Si und TaN/SiO_2 durchgeführt. Als mögliche Alternative zur winkelaufgelösten XPS wurden Untersuchungen mittels synchrotronstrahlungsangeregter Photoelektronenspektroskopie bei variierter Anregungsenergie durchgeführt.
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Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen / Preparation, characterization and evaluation of conductive diffusion barriers based on tantalum, titanium and tungsten for the copper metallization of silicon integrated circuitsBaumann, Jens 16 May 2004 (has links) (PDF)
Summary (english):
The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress
copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and
gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circuit are summarized. The
degradation mechanisms to be expected are the solution of Cu in Si and the formation of Cu3Si. Thin
conductive diffusion barriiers are needed to suppress this mechanisms.
The requirements on these barriers are discussed. The most important criterion, their resistivity, is
determined by the place of application. The resitivity has to be lower than 100 mOhmcm for contacts
and lower than 2000 mikroOhmcm for vias. The materials to be separated by a diffusion barrier can
pass it by diffusion or the diffusion barrier can be destroyed by reaction (reactive diffusion). Therefore
one can distinguish in passive and sacrificial barriers.
The thin films were prepared by magnetron sputtering in Ar or Ar/N2 mixture. The films were
characterized with respect to composition, phase/structure as well as their resulting electrical, optical,
and mechanical properties. The appearance of new phases correlates with changes in process
parameters like target voltage and condensation rate. All films - except for a small process window for
amorphous/nanocrystalline WNx films - are polycrystalline. The influence of annealing steps in
different ambients is investigated. Amorphous/nanocrystalline WNx films do recrystallize during
annealing. For a direct contact of Cu to Si a sufficient energy supply during Cu depotsition or during
following annealing (T> 200 °C) results in the formation of Cu3Si.
The potential of diffusion barriers of different thicknesses and nitrogen contents to suppress this
reaction is investigated for annealing steps up to 650 °C. The characterization is performed by
analytical methods, sheet resistance measurements as well as leakage current measurements (pn, np
and schottky diodes). A diffusion barrier is able to suppress the Cu3Si formation, until itself is
consumed by silicidation or intermetallic phase formation. The metal nitrides are more stable, since the
present metal nitrogen bonding has to be broken before these reactions can start. With the failure of a
diffusion barrier a Cu Si contact occurs with the consequence of copper silicide formation. The
silicidation can be either homogeneous (on a large area) or in the form of crystallites several
mikrometers in diameter. The distance between the crystallites is up to several 100 mikrometers. It is
shown, that results of a barrier evaluation can be paradox if different methods are applied to the same
sample. The diffusion of Cu accross a barrier into Si can be shown using analytical methods, already
before the formation of Cu3Si. However, the leakage current of pn or schottky diodes is not or not
unequivocal modified by this diffusion. The leakage current does not change before the diodes are
shorted by the Cu3Si formation.
The results of parallel prepared references with Al metallization show, that the diffusion barriers are
more stable in a Cu metallization than in an Al metallization. / Zusammenfassung (detusch):
Die Arbeit beschreibt das Potential von Schichten des Ta, Ti, W und ihrer Nitride zur Unterdrückung
kupferinduzierter Degradationen im Kontakt zu Silicium. Mögliche Wechselwirkungen zwischen Cu
und den im Herstellungsprozess sowie der Lebensdauer von Schaltkreisen präsenten Gasen und
Feststoffen werden zusammengestellt. Für das System Cu-Si sind als Degradationsmechanismen die
Lösung von Cu und die Cu3Si Bildung zu erwarten.
Die Anforderungen an die zur Unterdrückung der Degradationen notwendigen leitfähigen
Diffusionsbarrieren werden diskutiert. Ihr spezifischer elektrischer Widerstand als wichtigstes Kriterium
für die Integration wird vom Einsatzort bestimmt. Er muss für Kontakte unter 100 mOhm cm und für
Vias unter 2000 mikroOhmcm liegen. Diffusionsbarrieren können von den zu trennenden Materialien
durch Diffusion überwunden oder durch Reaktion (reaktive Diffusion) aufgezehrt werden. Damit kann
in passive und Opferbarrieren unterschieden werden.
Die Schichtherstellung erfolgt mit dem Verfahren der Magnetronzerstäubung in Ar oder Ar/N2
Atmosphäre. Sie werden hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, Phase/Struktur sowie resultierender
elektrischer, optischer und mechanischer Eigenschaften charakterisiert. Das Auftreten neuer Phasen
korreliert mit Verlaufsänderungen einfach zugänglicher Prozessparameter wie Targetspannung und
Kondensationsrate. Alle Schichten mit Ausnahme eines engen Prozessfensters für
amorphes/nanokristallines WNx sind polykristallin. Der Einfluss von Temperungen in verschiedenen
Medien wird untersucht. Amorphe/nanokristalline WNx Schichten rekristallisieren während
Temperung. Für direkten Kontakt Cu zu Si führt ausreichende Energiezufuhr schon während der
Abscheidung oder während nachfolgender Temperung (T> 200 °C) zur Cu3Si Bildung.
Das Potential der Diffusionsbarrieren zur Unterdrückung dieser Reaktion wird für unterschiedliche
Dicken und Stickstoffgehalte nach Temperungen bis maximal 650 °C untersucht. Dazu werden
analytische Methoden, Schichtwiderstandsmessungen und Sperrstromdichtemessungen an pn, np
und Schottkydioden eingesetzt. Die Diffusionsbarrieren können die Cu3Si Bildung unterdrücken, bis
sie selbst durch Silicierung und/oder intermetallische Phasenbildung aufgezehrt sind. Die Nitride der
Metalle sind thermisch stabiler, weil Metall Stickstoff Bindungen erst aufgebrochen werden müssen.
Mit dem Versagen der Barrieren treffen Cu und Si zusammen - mit der Folge der Kupfersilicidbildung.
Sie kann grossflächig oder in Form mikrometergrosser und einige 100 mikrometer voneinander entfernt
liegender Kristallite stattfinden. Für beide Degradationsmechanismen kann gezeigt werden, dass eine
Barrierebewertung für unterschiedliche Methoden paradoxe Ergebnisse liefern kann. Die Cu Diffusion
über die Diffusionsbarriere in das Si kann mit analytischen Methoden schon vor der Cu3Si Bildung
nachgewiesen werden. Der Sperrstrom von pn oder Schottkydioden wird dadurch nicht bzw. nicht
eindeutig verändert. Er reagiert erst, wenn sie durch Cu3Si Wachstum kurzgeschlossen sind.
Ergebnisse parallel präparierter Referenzen mit Al Metallisierung belegen, dass die
Diffusionsbarrieren gegen Cu gleich oder besser wirken als gegen Al.
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Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen / Preparation, characterization and evaluation of conductive diffusion barriers based on tantalum, titanium and tungsten for the copper metallization of silicon integrated circuitsBaumann, Jens 21 May 2004 (has links) (PDF)
The thesis investigates the potential of thin films of Ta, Ti and W and their nitrides to suppress
copper induced interactions in the contact area to silicon. Possible interactions between Cu and
gaseos or solid materials within preparation and lifetime of an integrated circuit are summarized. The
degradation mechanisms to be expected are the solution of Cu in Si and the formation of Cu3Si. Thin
conductive diffusion barriiers are needed to suppress this mechanisms.
The requirements on these barriers are discussed. The most important criterion, their resistivity, is
determined by the place of application. The resitivity has to be lower than 100 mOhmcm for contacts
and lower than 2000 mikroOhmcm for vias. The materials to be separated by a diffusion barrier can
pass it by diffusion or the diffusion barrier can be destroyed by reaction (reactive diffusion). Therefore
one can distinguish in passive and sacrificial barriers.
The thin films were prepared by magnetron sputtering in Ar or Ar/N2 mixture. The films were
characterized with respect to composition, phase/structure as well as their resulting electrical, optical,
and mechanical properties. The appearance of new phases correlates with changes in process
parameters like target voltage and condensation rate. All films - except for a small process window for
amorphous/nanocrystalline WNx films - are polycrystalline. The influence of annealing steps in
different ambients is investigated. Amorphous/nanocrystalline WNx films do recrystallize during
annealing. For a direct contact of Cu to Si a sufficient energy supply during Cu depotsition or during
following annealing (T> 200 °C) results in the formation of Cu3Si.
The potential of diffusion barriers of different thicknesses and nitrogen contents to suppress this
reaction is investigated for annealing steps up to 650 C. The characterization is performed by
analytical methods, sheet resistance measurements as well as leakage current measurements (pn, np
and schottky diodes). A diffusion barrier is able to suppress the Cu3Si formation, until itself is
consumed by silicidation or intermetallic phase formation. The metal nitrides are more stable, since the
present metal nitrogen bonding has to be broken before these reactions can start. With the failure of a
diffusion barrier a Cu Si contact occurs with the consequence of copper silicide formation. The
silicidation can be either homogeneous (on a large area) or in the form of crystallites several
mikrometers in diameter. The distance between the crystallites is up to several 100 mikrometers. It is
shown, that results of a barrier evaluation can be paradox if different methods are applied to the same
sample. The diffusion of Cu accross a barrier into Si can be shown using analytical methods, already
before the formation of Cu3Si. However, the leakage current of pn or schottky diodes is not or not
unequivocal modified by this diffusion. The leakage current does not change before the diodes are
shorted by the Cu3Si formation.
The results of parallel prepared references with Al metallization show, that the diffusion barriers are
more stable in a Cu metallization than in an Al metallization.
(copying allowed)
new: pdf version 1.4 / Die Arbeit beschreibt das Potential von Schichten des Ta, Ti, W und ihrer Nitride zur Unterdrückung
kupferinduzierter Degradationen im Kontakt zu Silicium. Mögliche Wechselwirkungen zwischen Cu
und den im Herstellungsprozess sowie der Lebensdauer von Schaltkreisen präsenten Gasen und
Feststoffen werden zusammengestellt. Für das System Cu-Si sind als Degradationsmechanismen die
Lösung von Cu und die Cu3Si Bildung zu erwarten.
Die Anforderungen an die zur Unterdrückung der Degradationen notwendigen leitfähigen
Diffusionsbarrieren werden diskutiert. Ihr spezifischer elektrischer Widerstand als wichtigstes Kriterium
für die Integration wird vom Einsatzort bestimmt. Er muss für Kontakte unter 100 mOhm cm und für
Vias unter 2000 mikroOhmcm liegen. Diffusionsbarrieren können von den zu trennenden Materialien
durch Diffusion überwunden oder durch Reaktion (reaktive Diffusion) aufgezehrt werden. Damit kann
in passive und Opferbarrieren unterschieden werden.
Die Schichtherstellung erfolgt mit dem Verfahren der Magnetronzerstäubung in Ar oder Ar/N2
Atmosphäre. Sie werden hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, Phase/Struktur sowie resultierender
elektrischer, optischer und mechanischer Eigenschaften charakterisiert. Das Auftreten neuer Phasen
korreliert mit Verlaufsänderungen einfach zugänglicher Prozessparameter wie Targetspannung und
Kondensationsrate. Alle Schichten mit Ausnahme eines engen Prozessfensters für
amorphes/nanokristallines WNx sind polykristallin. Der Einfluss von Temperungen in verschiedenen
Medien wird untersucht. Amorphe/nanokristalline WNx Schichten rekristallisieren während
Temperung. Für direkten Kontakt Cu zu Si führt ausreichende Energiezufuhr schon während der
Abscheidung oder während nachfolgender Temperung (T > 200 °C) zur Cu3Si Bildung.
Das Potential der Diffusionsbarrieren zur Unterdrückung dieser Reaktion wird für unterschiedliche
Dicken und Stickstoffgehalte nach Temperungen bis maximal 650 C untersucht. Dazu werden
analytische Methoden, Schichtwiderstandsmessungen und Sperrstromdichtemessungen an pn, np
und Schottkydioden eingesetzt. Die Diffusionsbarrieren können die Cu3Si Bildung unterdrücken, bis
sie selbst durch Silicierung und/oder intermetallische Phasenbildung aufgezehrt sind. Die Nitride der
Metalle sind thermisch stabiler, weil Metall Stickstoff Bindungen erst aufgebrochen werden müssen.
Mit dem Versagen der Barrieren treffen Cu und Si zusammen - mit der Folge der Kupfersilicidbildung.
Sie kann grossflächig oder in Form mikrometergrosser und einige 100 mikrometer voneinander entfernt
liegender Kristallite stattfinden. Für beide Degradationsmechanismen kann gezeigt werden, dass eine
Barrierebewertung für unterschiedliche Methoden paradoxe Ergebnisse liefern kann. Die Cu Diffusion
über die Diffusionsbarriere in das Si kann mit analytischen Methoden schon vor der Cu3Si Bildung
nachgewiesen werden. Der Sperrstrom von pn oder Schottkydioden wird dadurch nicht bzw. nicht
eindeutig verändert. Er reagiert erst, wenn sie durch Cu3Si Wachstum kurzgeschlossen sind.
Ergebnisse parallel präparierter Referenzen mit Al Metallisierung belegen, dass die
Diffusionsbarrieren gegen Cu gleich oder besser wirken als gegen Al.
(Kopiermöglichkeit)
neu: PDF-Version 1.4
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Herstellung, Charakterisierung und Bewertung leitfähiger Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal, Titan und Wolfram für die Kupfermetallisierung von SiliciumschaltkreisenBaumann, Jens, January 2004 (has links)
Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2003. / Auch im Shaker-Verl. ersch. u.d.Titel: Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen Diffusionsbarrieren auf Basis von Ta, Ti und W für die Kupfermetallisierung von Siliciumschaltkreisen, 2004 (3-8322-2532-3).
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Low-k SiCxNy Etch-Stop/Diffusion Barrier Films for Back-End Interconnect ApplicationsLeu, Jihperng, Tu, H.E., Chang, W.Y., Chang, C.Y., Chen, Y.C., Chen, W.C., Zhou, H.Y. 22 July 2016 (has links)
Lower k and low-leakage silicon carbonitride (SiCxNy ) films were fabricated using single precursor by using radio-frequency (RF) plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). We explored precursors with (1) cyclic-carbon-containing structures, (2) higher C/Si ratio, (3) multiple vinyl groups, as well as (4) the incorporation of porogen for developing low-k SiCxNy films as etch-stop/diffusion barrier (ES/DB) layer for copper interconnects in this study. SiCxNy films with k values between 3.0 and 3.5 were fabricated at T≦ 200 o C, and k~4.0-4.5 at 300-400 °C. Precursors with vinyl groups yielded SiCxNy films with low leakage, excellent optical transmittance and high mechanical strength due to the formation of cross-linked Si-(CH2)n-Si linkages.
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