La recherche sur la dynamique électronique des atomes et des molécules, exposés à des champs laser intenses, a suscité un grand intérêt dans de nombreuses disciplines au cours des décennies. Dans ce domaine, les expériences de l'interaction laser-matière, pour l'exploration des mécanismes sous-jacents, sont en réelle expansion avec l'avènement des impulsions laser de ultracourtes (femtoseconde et attoseconde). Cependant, la description théorique du l'irradiation laser reste un défi, en particulier pour les systèmes complexes comme le fullerène C60. Pour ce faire, nous exploitons à part entière "La Théorie de la Fonctionnelle de la Densité dépendant du temps (TDDFT)", pour décrire l'émission d'électrons induite par un large éventail d'impulsions laser, de faible à forte intensité, et de la femtoseconde à l'attoseconde de durée. La première partie de la thèse consiste en l'étude de la dynamique électronique du C60, irradié par des impulsions laser de l'ordre de la femtoseconde. Trois mécanismes, l'ionisation à un photon, l'ionisation multi-photon, et l'ionisation à champ fort, sont largement explorés via les Spectres de PhotoÉlectrons (PES) et la Distribution Angulaire des Photoélectrons (PAD). Notre analyse montre que pour une ionisation à un photon, les PES révèlent essentiellement les états occupés à une particule qui peuvent être associés à la dépletion orbitale. Les PAD, quant à eux, peuvent être définis comme un paramètre d'anisotropie sensible aux états électroniques, et non à la fréquence du laser. Pour une ionization multi-photon, les PES sont principalement générés par les orbitales les plus élevées, et les PAD révèlent l'augmentation de l'anisotropie avec l'ordre des photons. Pour une ionisation à champ fort, les PES sont caractérisés par un large plateau à hautes energies, cause de la réintégration des électrons émis, les détails de ce plateau sont analysés à l'aide d'un modèle à trois étapes. Les PAD des électrons à haute énergie montrent un fort alignement le long de la polarisation laser, générant ainsi un faisceau d'électrons hautement collimaté. De plus, nous discutons également des effets de la température du mouvement ionique sur les PES et PAD. La deuxième partie du travail est centrée sur l'ionisation des atomes et des molécules qui sont soumis à des impulsions de l'ultraviolet extrême (XUV) de l'ordre de l'attoseconde en présence d'un champ infrarouge (IR). En utilisant des paramètres laser similaires aux expériences, nous constatons que pour l'atome He, l'ionisation est répartie en cycles sur l'échelle attoseconde de temps en function du déphasage entre les ondes IR et XUV, alors que pour l'atome Ar ceci n'existe pas. Pour mieux comprendre ce phénomène, nous faisons une étude systématique sur l'effet des paramètres clé du laser dans le régime IR. Nos résultats montrent que l'intensité du laser IR et la fréquence XUV sont des paramètres décisifs. Nous étudions en outre, les effets de résonance sur l'émission d'électrons dans Na2, et nous constatons que modèle d'ionisation peut être liée soit à la fréquence laser IR, soit la fréquence propre du système. Nous étendons ensuite au régime mi-IR (MIR), où des modèles d'ionisation plus complexes sont observés. Enfin, nous développons un modèle schématique qui représente l'émission d'électrons dans un champ laser à deux couleurs, et une solution analytique de la probabilité d'ionisation est également obtenue, ce qui explique bien les principales caractéristiques du modèle d'ionisation. / The investigation of ionization dynamics of atoms and molecules illuminated with intense laser fields has attracted a great of interest in many disciplines over the decades. In this context, experiments of laser-matter interaction on the exploration of underlying mechanisms are considerably expanding with the advent of ultrashort femtosecond and attosecond laser pulses. However, the description of the laser irradiation process from a theoretical perspective is still a challenge, in particular for complex systems, such as the fullerene C60. To that end, we turn to exploit a fully fledged approach "Time-Dependent Density-Functional Theory (TDDFT)" to describe electron emission induced by a broad range of laser pulses from weak to strong and from femtoseconds to attoseconds. The first part of the thesis contributes to the study of ionization dynamics of C60 irradiated by femtosecond laser pulses. Three ionization mechanisms, single-photon ionization, multi-photon ionization, and strong-field ionization, are extensively explored via photoelectron spectra (PES) and photoelectron angular distribution (PAD). Our analysis shows that for single-photon ionization, the PES basically reveal the occupied single-particle states which can be associated with the orbital depletion, and the PAD can be generalized into the anisotropy parameter which sensitively depends on the electronic states instead of the photon frequency. For multi-photon ionization, the PES are mostly generated by few uppermost orbitals, and the PAD reveal larger anisotropy with the increase of photon order. For strong-field ionization, the PES are featured by an extended plateau at high energies due to electron recollisions, and the delicate pattern on the plateau is analyzed by using a three-step model. The PAD of the high-energy electrons shows a strong alignment along the laser polarization, which is promising to generate a highly collimated electron beam. Moreover, we also discuss temperature effects from ionic motion on the PES and PAD. The second part of the work focuses on the ionization dynamics of simple atoms and molecules subject to extreme ultraviolet (XUV) attosecond pulses in the presence of an infrared (IR) field. Using similar laser parameters as experiments, we find that for He atom it leads to subcycle ionization on the attosecond time scale depending on the delay time between IR and XUV pulses, while for Ar atom this is absent. To better understand it, we make a systematic study on the effect of key laser parameters in the IR regime. Our results reveal that IR laser intensity and XUV frequency are decisive parameters. We further study resonance effects on electron emission in Na2 molecule, and we find that ionization pattern can be related to either IR laser frequency or the eigenfrequency of the system. We then extend it to the mid-IR (MIR) regime, where more complex ionization patterns are observed. Finally, we develop a schematic model accounting for electron emission in two-color laser field, and an analytical solution of ionization probability is also obtained, which well explains the main characteristics of the ionization pattern.

Les mémoires à pont conducteur (CBRAM) sont une option actuellement étudiée pour la prochaine génération de mémoires non volatiles. Le stockage des données est basé sur la commutation de la résistivité entre les états de résistance élevée (HRS) et faible (LRS). Sous polarisation électrique, on suppose qu'un trajet conducteur est créé par la diffusion des ions de l'électrode active dans l'électrolyte solide. Récemment, une attention particulière a été portée sur les dispositifs contenant un élément semi-conducteur tel que le tellure, fonctionnant avec des courants réduits et présentant moins de défaillances de rétention. Dans ces « subquantum CBRAMs », le filament est censé contenir du tellure, ce qui donne une conductance de 1 atome (G₁atom) significativement réduite par rapport aux CBRAMs standard et permettant ainsi un fonctionnement à faible puissance. Dans cette thèse, nous utilisons la spectroscopie de photoélectrons par rayons X (XPS) pour étudier les réactions électrochimiques impliquées dans le mécanisme de commutation des CBRAMs à base de Al₂O ₃ avec des alliages ZrTe et TiTe comme électrode active. Deux méthodes sont utilisées: i) spectroscopie de photoélectrons par rayons X de haute énergie non destructive (HAXPES) pour étudier les interfaces critiques entre l'électrolyte (Al₂O ₃ ) et les électrodes supérieure et inférieure et ii) les faisceaux d'ions à agrégats gazeux (GCIB), une technique de pulvérisation qui conduit à une dégradation plus faible de la structure, avec un profilage en profondeur XPS pour évaluer les distributions des éléments en profondeur. Des mesures ToF-SIMS sont également effectuées pour obtenir des informations complémentaires sur la répartition en profondeur des éléments. Le but de cette thèse est de clarifier le mécanisme de changement de résistance et de comprendre les changements chimiques aux deux interfaces impliquées dans le processus de « forming » sous polarisation positive et négative ainsi que le mécanisme de « reset ». Pour cela, nous avons effectué une comparaison entre le dispositif vierge avec un état formé, i.e. l'échantillon après la première transition entre HRS et LRS et un état reset, i.e. l'échantillon après la première transition entre LRS et HRS.L'analyse du « forming » positif pour les dispositifs ZrTe / Al₂O ₃ a montré une libération de Te liée à l’oxydation de Zr due au piégeage de l'oxygène de l'Al₂O ₃ sous l’effet du champ électrique. D'autre part, pour les dispositifs TiTe / Al₂O ₃, la présence d'une couche importante d'oxyde de titane à l'interface avec l'électrolyte a provoqué une dégradation permanente de la cellule en polarisation positive. Pour le « forming » négatif, nos résultats montrent un mécanisme hybride, à savoir une combinaison de formation de lacunes d'oxygène dans l'oxyde provoquée par la migration de O2- entraîné par le champ électrique vers l'électrode inférieure et la libération de tellure pour former des filaments conducteurs. De plus, les résultats obtenus par profilométrie XPS et ToF-SIMS ont indiqué une possible diffusion de Te dans la couche d'Al₂O ₃. Lors du « reset », il y a une recombinaison partielle des ions oxygène avec les lacunes d'oxygène près de l'interface TiTe / AlAl₂O ₃ avec une perte de Te. Un mécanisme hybride a également été observé sur les dispositifs ZrTe / Al₂O ₃ pendant le « forming » négatif. En tenant compte du rôle important de la migration d'oxygène dans la formation / dissolution des filaments, nous discutons également des résultats obtenus par XPS avec polarisation électrique in- situ (sous ultravide) pour mieux comprendre le rôle de l'oxydation de surface et des interfaces dans la commutation résistive. / Conducting bridging resistive random accessmemories (CBRAMs) are one option currently investigated for the next generation of non volatile memories. Data storage is based on switching the resistivity between high (HRS) and low (LRS) resistance states. Under electrical bias,a conductive path is assumed to be created by ions diffusion from the active electrode into the solid electrolyte. Recently, special attention has been drawn to devices containing an elemental semiconductor such as tellurium, operating with reduced currents and less retention failures. In these subquantum CBRAM cells, the filament is thought to contain tellurium , yielding a 1-atomconductance (G₁atom) significantly reduced compared to standard CBRAMs and thus allowing low power operation. In this thesis, we use X-rayphotoelectron spectroscopy (XPS) to learn about electrochemical reactions involved in the switching mechanism of Al₂O₃ based CBRAMswith ZrTe and TiTe alloys as active electrode. Two methods are used: i) non-destructive Hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) to investigate the critical interfaces between the electrolyte (Al₂O₃) and the top and bottom electrodes and ii) Gas Cluster Ion Beams (GCIB), a sputtering technique that leads to lower structure degradation, combined with XPS depth profiling to evaluate chemical depth distributions. To FSIMS measurements are also performed to get complementary in-depth chemical information.The aim of this thesis is to clarify the driving mechanism and understand the chemical changes at both interfaces involved in the forming process under positive and negative polarization as well as the mechanism of the reset operation. For that,we performed a comparison between as-grown state, i.e. the pristine device with a formed state,i.e. the sample after the first transition between HRS and LRS, and reset state, i.e. the sample after the first transition between LRS and HRS.Conducting bridging resistive random access memories (CBRAMs) are one option currently investigated for the next generation of non-volatile memories. Data storage is based on switching the resistivity between high (HRS) and low (LRS) resistance states. Under electrical bias,a conductive path is assumed to be created byions diffusion from the active electrode into the solid electrolyte. Recently, special attention has been drawn to devices containing an elemental semiconductor such as tellurium, operating with reduced currents and less retention failures. In these subquantum CBRAM cells, the filament is thought to contain tellurium , yielding a 1-atom conductance (G₁atom) significantly reduced compared to standard CBRAMs and thus allowing low power operation. In this thesis, we use X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to learn about electrochemical reactions involved in the switching mechanism of Al₂O₃ based CBRAMs with ZrTe and TiTe alloys as active electrode. Twomethods are used: i) non-destructive Hard X-rayphotoelectron spectroscopy (HAXPES) toinvestigate the critical interfaces between the electrolyte (Al₂O₃) and the top and bottom electrodes and ii) Gas Cluster Ion Beams (GCIB), a sputtering technique that leads to lower structure degradation, combined with XPS depth profiling to evaluate chemical depth distributions. To FSIMS measurements are also performed to get complementary in-depth chemical information.The aim of this thesis is to clarify the driving mechanism and understand the chemical changes at both interfaces involved in the forming process under positive and negative polarization as well as the mechanism of the reset operation. For that,we performed a comparison between as-grown state, i.e. the pristine device with a formed state,i.e. the sample after the first transition between HRS and LRS, and reset state, i.e. the sample after the first transition between LRS and HRS.

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Cette thèse examine le bruit de photon lors de la détection d’impulsions provenant d’un peigne de fréquences. En premier lieu, nous faisons abstraction du mécanisme physique produisant le bruit de photon, réduisant son effet à celui d’une source de bruit additif non-stationnaire (avec des statistiques variables dans le temps). Ce modèle de traitement de signal est ensuite utilisé dans l’analyse de deux expériences importantes pour l’utilisation d’un peigne de fréquence comme mécanisme de compteur de fréquence dans une horloge optique : la conversion du train d’impulsions optiques en un train d’impulsions électriques, et le battement hétérodyne entre un peigne de fréquences et un laser à onde continue. Nous démontrons en premier lieu que le bruit de photon lié à la photodétection produit principalement du bruit d’amplitude, et une quantité presque négligeable de jigue aléatoire de temps sur le signal électrique détecté. Des résultats expérimentaux viennent confirmer nos prédictions théoriques. Nous explorons ensuite les limites de ce mécanisme en considérant la physique de la photodétection, ce qui révèle un étalement du temps de transit qui peut affecter la jigue aléatoire produite par cette conversion. Dans un deuxième temps, nous démontrons que la nature pulsée du peigne de fréquences peut être utilisée pour donner un rapport signal-sur-bruit plus élevé que celui qui est prédit en considérant seulement le battement d’un seul mode du peigne avec le laser à onde continue. La première technique développée, le GATOR, rejette une grande partie du bruit de photon produit par le laser à onde continue afin d’améliorer le rapport signal-sur-bruit lorsque la puissance du peigne est faible. Avec cette technique, nous démontrons un rapport signal-sur-bruit 100 fois plus élevé que la limite en admettant l’utilisation d’un seul mode. Nous démontrons ensuite un raffinement de cette technique qui utilise le glissement de fréquence de l’impulsion optique afin d’utiliser efficacement tous les photons du peigne dans une bande passante déterminée. Cette technique nous a permis de produire un battement avec le plus grand rapport signal-sur-bruit parmi les résultats dans la littérature, 68.3 dB, obtenu en normalisant dans une bande passante commune de 100 kHz. / This thesis is a study of shot noise in the photodetection of pulses from a frequency comb. We first make abstraction of the physical mechanism of shot noise to reduce its effects to that of an additive, non-stationary (meaning with time-varying statistics) noise source. This signal processing model is then used to analyze two experiments of importance for the operation of optical clockwork based on frequency combs: the conversion of the optical pulse train into an electrical pulse train by a photodetector, and the heterodyne (or beating) experiment between a frequency comb and a continuous wave laser. For the detection of the optical pulse train, we show that photodetection shot noise yields mostly amplitude noise and vanishingly low timing jitter on the electrical signal. Experimental results confirm our theoretical predictions. We then explore the limits of this jitter when considering practical photodetection physics. This reveals a transit time spread parameter that can affect the jitter produced by this conversion. Next, we turn our attention to the heterodyne experiment. We show that the pulsed nature of the frequency comb can be exploited in different schemes to yield higher signal-to-noise ratio (SNR) that is predicted by the use of the beating of a single comb mode with the continuous wave laser. The first technique that we develop, the GATOR, gates out shot noise from the continuous wave, and improves the SNR in the case of low comb power. Using this technique, we have demonstrated a factor of 100 higher SNR than the single-mode limit. We then show a further refinement of the technique which uses chirping of the optical pulse to effectively use all the available photons from the comb in a given bandwidth. This technique enabled us to produce the beating with the highest SNR reported in the literature of 68.3 dB, when normalizing to the common detection bandwidth of 100 kHz.

Semiconductor surfaces coupled to molecular structures derived from organic chemistry form the basis of an emerging class of field-effect devices. In addition to molecular electronics research, these interfaces are developed for a variety of sensor applications in the electronic and optical domains. Of practical interest are self-assembled monolayers (SAMs) comprised of n-alkanethiols [HS(CH[subscript 2])[subscript n]R], which couple to the GaAs(001) surface through S-GaAs covalent bond formation. These SAMs offer potential functionality in terms of the requisite sensor chemistry and the passivation effect such coupling is known to afford. In this thesis, the SAM-GaAs interface is investigated in the context of a photonic biosensor based on photoluminescence (PL) variation. The scope of the work is categorized into three parts: i) the structural and compositional analysis of the surface using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ii) the investigation of electronic properties at the interface under equilibrium conditions using infrared (IR) spectroscopy, the Kelvin probe method, and XPS, and iii) the analysis of the electro-optic response under steady-state photonic excitation, specifically, the surface photovoltage (SPV) and PL intensity. Using a partial overlayer model of angle-resolved XPS spectra in which the component assignments are shown to be quantitatively valid, the coverage fraction of methyl-terminated SAMs is shown to exceed 90%. Notable among the findings are a low-oxide, Ga-rich surface with elemental As present in sub-monolayer quantities consistent with theoretical surface morphologies. Modal analysis of transmission IR spectra show that the SAM molecular order is sufficient to support a Beer-Lambert determination of the IR optical constants, which yields the observation of a SAM-specific absorbance enhancement. By correlation of the IR absorbance with the SAM dipole layer potential, the enhancement mechanism is attributed to the vibrational moments added by the electronic polarizability in the static field of the SAM. Lastly, the surface Fermi level position is determined by XPS and is used to interpret SPV results in terms of a thiol-induced reduction of the surface cross-section for minority carrier-capture. Numerical analysis confirms this result based on the carrier transport theory of PL intensity by means of a reduction of the surface recombination velocity.

La mise en évidence d'une conductivité métallique à l'interface entre deux oxydes isolants, le SrTiO3 et le LaAlO3, a ouvert un champ nouveau pour l'électronique tout oxyde (A. Ohtomo & H. Y. Hwang, Nature 427, 2004). Au-delà du fort potentiel applicatif de cette découverte, par exemple pour l'électronique de faible puissance, de nombreuses questions restent posées sur les propriétés de ces interfaces et les différents moyens de les contrôler. L'apparition de la conductivité à l'interface LaAlO3 / SrTiO3 est attribuée à la survenue d'une reconstruction électronique au-dessus d'une épaisseur critique de 4 cellules unités (u.c.) de LaAlO3, visant à compenser la discontinuité de charge à cette interface entre matériaux polaire (LaAlO3) et non polaire (SrTiO3). En plus de cet effet, qui requiert une interface d'excellente qualité, divers paramètres sont susceptibles d'affecter les propriétés de cette interface et un effort de recherche très important porte sur le contrôle et l'amélioration de ces propriétés par des moyens tels que le changement de la nature du substrat, l'application d'un champ de contraintes ou l'introduction de légères modifications chimiques dans la couche ou à l'interface. Ce travail de thèse participe à cet effort en explorant les propriétés de transport et la structure fine des interfaces LaAlO3 / SrTiO3 dopées avec des atomes de métaux de transition. Il est centré sur la fabrication et l'étude d'interfaces LaAlO3 / SrTiO3 dopées avec des atomes d'iridium ou de cobalt. La croissance de nanostructures de haute qualité, typiquement LaAlO3 (5 u.c.) / SrTiO3 dopé (1 u.c.) / SrTiO3 (substrat), a été effectuée dans un bâti de dépôt laser pulsé (PLD) équipé d'un RHEED in situ. L'effet des dopants Ir ou Co sur les propriétés de transport et sur la structure électronique et atomique de l'interface LaAlO3 / SrTiO3 a été analysé en fonction du niveau de dopage grâce à une combinaison de différentes méthodes expérimentales et de calculs DFT. En particulier, des investigations par des techniques avancées comme la diffraction de photoélectrons sur synchrotron (XPD) et la microscopie électronique de résolution atomique en mode STEM-HAADF ont été mises en œuvre pour sonder la structure locale à l'interface et quantifier le niveau de déformation dans la couche LaAlO3. La structure électronique a été étudiée par spectroscopie de perte d'énergie électronique dans un STEM. Les résultats montrent qu'il est possible d'induire des changements dans les propriétés des interfaces LaAlO3 / SrTiO3 en dopant la surface de SrTiO3 avec un dopant et une concentration appropriés. En particulier, les effets du niveau de dopage sur la déformation élastique et les distorsions locales dans les couches LaAlO3 et ses conséquences sur les propriétés mesurées sont décrits. / The demonstration in 2004 of a metallic conductivity at the interface between two insulating oxides, SrTiO3 and LaAlO3, opened a new field for all-oxide electronics (A. Ohtomo & H. Y. Hwang, Nature 427, 2004). Beyond the important applicative potential of this discovery for multifunctional and low power electronics, many questions remain about the properties of such interfaces and the different ways to control them. The occurrence of a conductive behaviour of the LaAlO3 / SrTiO3 interface is attributed to the advent of an electronic reconstruction above a critical thickness of 4 unit cells (u.c.) of LaAlO3, in order to compensate the charge discontinuity at the interface between a polar (LaAlO3) and a non-polar (SrTiO3) materials. In addition to this effect, which implies an interface of excellent quality, various parameters are likely to affect the properties of this interface, and a major research effort aims to control and improve these properties by ways such as the change in the nature of the substrate, the application of a stress field or the introduction of slight chemical modifications in the layer or at the interface. This thesis participates to this effort by exploring the transport and structural behaviour of LaAlO3 / SrTiO3 interfaces doped with transition metal atoms. It focuses on the fabrication and study of LaAlO3 / SrTiO3 interfaces doped with iridium or cobalt atoms. High quality nanostructures, typically LaAlO3 (5 u.c.) / doped-SrTiO3 (1 u.c.) / SrTiO3 (substrate), were grown by pulsed laser deposition (PLD) equipped with in-situ RHEED. The effect of Ir or Co dopants on both the transport properties and the electronic and atomic structure of the LaAlO3 / SrTiO3 interface was analysed as a function of the doping level thanks to a combination of different experimental methods and DFT calculations. In particular, advanced investigations by hard X-ray photoelectron diffraction on a synchrotron facility and by atomically resolved high angle annular dark field- scanning transmission electron microscopy (HAADF-STEM) were implemented to probe the local structure at the interface and quantify the level of strain in the LaAlO3. The electronic structure was investigated by electron energy loss spectroscopy in a STEM. Our results show that it is possible to induce changes in the properties of the LaAlO3 / SrTiO3 interfaces by doping the SrTiO3 surface with suitable dopant and concentration. In particular, effects of the doping level on the elastic deformation and the local distortions in the LaAlO3 layers and its consequences on the measured properties are described.

Ce travail de thèse s'inscrit dans le cadre des recherches avancées pour l'élaboration de la grille en silicium amorphe, pour les applications CMOS sub-0,1 µm. Cette étude a été menée sur la plate-forme de gravure du CNET, équipée de différents outils de caractérisation installés in situ. Dans un premier temps, nous avons développé un procédé de gravure à base de HBr/O2 permettant d'assurer une bonne anisotropie de gravure tout en ne générant aucun perçage de l'oxyde de grille très mince (< 2 nm). Au cours de l'optimisation de ce procédé, nous avons observé une augmentation de l'épaisseur de l'oxyde de grille. Grâce à différentes techniques d'analyses, nous avons montré que cette augmentation d'épaisseur est due à une oxydation et une amorphisation partielle du substrat de silicium sous l'oxyde de grille. Le deuxième volet de ce travail a porté sur une étude physico-chimique de la couche de passivation formée sur les flancs de la grille. Cette couche permet d'assurer l'anisotropie de gravure en bloquant toute gravure latérale. Par des analyses XPS, nous avons montré qu'elle se forme dès l'étape de gravure principale. Elle est constituée d'un 'sous' oxyde de silicium bromé. Pendant l'étape de surgravure, cette couche se densifie par substitution du brome par des atomes d'oxygène. Nous avons également montré que sa formation dépend fortement de la chimie utilisée, de l'énergie des ions, de la durée de la surgravure et de la dilution en oxygène. Des observations au microscope électronique à transmission ont révélé que cette couche est plus épaisse au sommet qu'au pied de la grille, favorisant ainsi l'apparition de défaut sous forme d'encoche au pied de la grille, le 'notching'.

Cette thèse concerne l'étude de la désexcitation d'agrégats et d'atomes par imagerie de photoélectrons. La première partie s'intérèsse à l'émission thermoïonique d'un système de taille finie. Un dispositif d'imagerie 3D nous permet de mesurer l'évolution temporelle du spectre d'énergie des électrons émis par différents agrégats (Wn-, Cn-, C60). Nous avons alors un accès direct aux quantités fondamentales qui caractérisent cette émission statistique : la température du bain thermique fini et le taux de déclin. La deuxième partie concerne l'ionisation d'états de Rydberg atomiques en présence d'un champ électrique statique. Nous avons réalisé la première expérience de microscopie de photoïonisation qui permet d'obtenir une image qui est la projection macroscopique de la fonction d'onde électronique. Nous avons ainsi accès au détail de la photoïonisation et en particulier aux propriétés quantiques de l'électron habituellement confinées à l'échelle atomique

Depuis les premiers travaux publiés en 2004, le graphène est obtenu par trois principales techniques, l'exfoliation, le dépôt chimique en phase vapeur et la graphitisation du carbure de silicium. Seules les deux dernières sont adaptées aux technologies standards de la microélectronique. Une autre méthode est étudiée dans ce travail, consistant à faire croître le graphène par épitaxie par jets moléculaires. Le SiC a été utilisé comme substrat du fait du faible désaccord de maille avec le graphène et de sa compatibilité avec les processus technologiques. La croissance de graphène a été obtenue avec succès sur les deux faces du SiC, à partir d'une source de carbone solide. La gamme de température utilisable est restreinte du fait de l'amorphisation ou de la graphitisation. La structure du graphène dépend fortement de la face du SiC considérée, de façon analogue à ce qui est obtenu par graphitisation (plan d'interface riche en C et empilement graphite sur la face Si, absence de couche d'interface et plans tournés et découplés électroniquement sur la face C). Les bandes de valence ont été mesurées en spectroscopie de photoélectrons résolue angulairement, et présentent la dépendance linéaire caractéristique du graphène aux points de Dirac. Cependant, la présence de défauts dans le matériau induit une forte réduction de la mobilité électronique. Cette dernière a été améliorée en réalisant la croissance épitaxiale sous un flux de Si externe, à plus haute température.

De nombreuses opérations d'usinage nécessitent la présence d'un fluide de coupe afin d'en assurer le succès du fait de la sévérité des sollicitations que subit l'outil. Le but de l'étude est d'identifier les performances de divers additifs soufrés dans les huiles entières, de sélectionner parmi eux l'additif soufré le plus efficace pour la coupe des métaux, ainsi que de comprendre leurs mécanismes d'action dans les différentes applications d'usinage. L'objectif de l'étude est donc d'analyser les mécanismes tribochimiques de lubrification mis en jeu dans les procédés d'usinage et d'optimiser la formulation du lubrifiant. L'influence des différents paramètres liés à la coupe est également étudiée afin d'apporter plus de connaissances sur l'action générale des lubrifiants dans le cas de l'usinage moderne.