Copper has become the material of choice for metallization of high-performance ultra-large scale integrated circuits. As the feature size is continuously decreasing, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) appears promising for depositing the Cu seed layer required for electroplating, as well as for filling entire interconnect structures. In this work, four novel organophosphane and organophosphite Cu(I) trifluoroacetates were studied as precursors for Cu MOCVD. Details are reported on CVD results obtained with Tris(tri-n-butylphosphane)copper(I)trifluoroacetate, (ⁿBu₃P)₃CuO₂CCF₃. Solutions of this precursor with acetonitrile and isopropanol were used for deposition experiments on 100 mm Si wafers sputter-coated with Cu, Cu/TiN, and Al(2 % Si)/W. Experiments were carried out in a cold-wall reactor at a pressure of 0.7 mbar, using a liquid delivery approach for precursor dosage. On Cu seed layers, continuous films were obtained at low deposition rates (0.5 to 1 nm/min). At temperatures above 320°C, hole formation in the Cu films was observed. Deposition on TiN led to the formation of single copper particles and etching of the TiN, whereas isolating aluminum oxyfluoride was formed after deposition on Al(Si)/W. It is concluded that the formation of CF₃ radicals during decarboxylation has a negative effect on the deposition results. Furthermore, the precursor chemistry needs to be improved for a higher volatility of the complex.

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Synthese von Phosphan-Kupfer(I)- und Silber(I)-Thiocarboxylaten der Art [(nBu3P)mMSC(O)R] (m = 2, 3; M = Cu, Ag; R = Me, Ph). Die Verbindungen wurden in Hinsicht auf ihr Potential zur thermischen Abscheidung dünner Schichten untersucht. Weiterhin befasst sich diese Arbeit mit der Darstellung von Silber(I)- und Kupfer(I)-Carboxylaten, die im organischen Rest mindestens eine zusätzliche Donorfunktion besitzen ([(nBu3P)mMO2CR]; m = 1, 2; M = Ag, Cu; R = ungesättigter organischer Rest, CH2O(CH2)2OCH3). Das thermische Verhalten und die Anwendbarkeit dieser Komplexe zur Abscheidung dünner Metallschichten mittels CVD-Verfahren wurden untersucht. Das Verhalten von Phosphan-Silber und -Kupfer-Verbindungen in Lösung wurde mittels dynamischer NMR-Spektroskopie untersucht. Dazu wurden phosphankoordinierte Silber(I)- und Kupfer(I)-Acetate als Modellsystem benutzt und mit einem ausgewählten Vertreter der ungesättigten Carboxylate verglichen.

Atmosphärendruckplasmen sind aufgrund ihrer vergleichsweise einfachen Anlagentechnik, potentiell geringen Betriebs- und Investitionskosten sowie ihrer Flexibilität bezüglich Substratgröße seit vielen Jahren von großem Interesse. Die Nutzung von Plasmaquellen mit hoher Precursoranregungseffizienz und ausgedehnter Beschichtungszone ist in diesem Zusammenhang besonders vorteilhaft. In der vorliegenden Arbeit wird deshalb erstmals eine neuartige Langlichtbogenplasmaquelle vom Typ LARGE (Long Arc Generator) zur plasmagestützten Synthese von Schichten bei AP (Atmosphärendruck) eingesetzt. Bei der Remoteaktivierung des Precursors erweisen sich insbesondere sauerstoff- sowie stickstoffhaltige Plasmagase als geeignet, um einen signifikanten Anteil der Plasmaenergie in den Remotebereich zu transferieren. Die entwickelte bogenbasierten PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) unter Atmosphärendruckbedingungen ist durch die Erzeugung hochenergetischer Plasmen gekennzeichnet, der Precursor wird stark fragmentiert und ursprüngliche Bindungen des Precursormoleküls werden vollkommen aufgebrochen. Die Ergebnisse der Gasphasencharakterisierung mittels optischer Emissions- sowie Infrarotspektroskopie lassen beim Prozess der Precursorfragmentierung im Remoteplasma auf eine zentrale Bedeutung metastabiler sowie dissoziierter Spezies schließen. Weiterhin sind hohe Plasmaleistungen, Molekulargasanteile im Plasmagas und große Plasmagasflüsse für eine wirkungsvolle Remoteaktivierung des Precursors von Vorteil. Einen wichtigen Aspekt des Verfahrens stellt darüber hinaus die Möglichkeit der Synthese sauerstofffreier Schichtmaterialien dar. Es konnte gezeigt werden, dass sowohl der genutzte Atmosphärendruckreaktoraufbau mit seinem Gasschleusenkonzept, als auch die Gasreinheit des verwendeten Prozessgases zu keiner nennenswerten Einlagerung von Sauerstoff in die Schicht führt. Die Schichthärte synthetisierter Siliziumnitrid-Schichten lässt sich ohne zusätzliche Substratheizung durch Prozessparameteroptimierung bis auf eine Härte von 17 GPa steigern. Die dynamische Abscheiderate ist mit 39 nm∙mm/s ebenfalls für eine technische Anwendung ausreichend hoch. Eine eingehende Analyse aller Daten legt den Schluss nahe, dass das Schichtwachstum bei der Atmosphärendruck Remote-PECVD häufig kinetisch gehemmt ist und nicht im thermodynamischen Gleichgewicht stattfindet. Der Wachstumsprozess ist in diesem Fall durch das Phänomen des DLG (Diffusion Limited Growth) gekennzeichnet. Homogennukleation bzw. Gasphasennukleation spielt anders als bislang angenommen auch bei Atmosphärendruckbedingungen keine bzw. eine nur untergeordnete Rolle und ist damit nicht limitierend für die erzielbare mechanische und chemische Stabilität der gebildeten Schichten. Mit steigender Diffusionslimitierung des Schichtbildungsvorganges wird eine Zunahme der Schichtrauheit beobachtet, daraus und aus dem Zuwachs an strained sowie dangling Bonds in der Schicht resultiert eine gesteigerte Affinität der synthetisierten Schichten gegenüber Sauerstoff. Als Schlüsselparameter bezüglich Schichtmorphologie sowie Topographie wird der DLG-Quotient angesehen, welcher das Verhältnis aus Oberflächendiffusionskoeffizient und Auftreffrate schichtbildender Spezies auf dem Substrat darstellt. Damit wurden im Rahmen dieser Arbeit die entscheidenden und verfahrenslimitierenden Aspekte identifiziert und die Grundlage für die weitere Optimierung dieses und anderer Remote-AP-PECVD-Verfahren geschaffen. In ähnlicher Weise wie dies auch durch die Bereitstellung einer verbesserten thermischen Aktivierung des Diffusionsprozesses schichtbildender Spezies auf der Substratoberfläche geschieht, lässt sich mit Hilfe eines niedrigen Stickingkoeffizienten eine Diffusionslimitierung des Schichtbildungsvorgangs bei AP-PECVD unterdrücken. In diesem Zusammenhang besitzt insbesondere Ammoniak im Remotegas einen günstigen Einfluss auf die entstehende Schichtmorphologie und Konformalität der Beschichtung.

Magister Pharmaceuticae - MPharm / Cardiovascular diseases (CVDs) such as ischaemic heart diseases, heart failure and stroke remain a major cause of death globally. Various deep-rooted factors influence CVD development; these include but are not limited to elevated blood lipids, high blood pressure, obesity and diabetes. A considerable number of proteins are involved directly and indirectly in the transport, maintenance and elimination of plasma lipids, including high and low-density lipoprotein cholesterol (HDL-C and LDL-C). There are several mechanisms involved in the removal of LDL particles from systemic circulation. One such mechanism is associated with the gene that encodes proprotein convertase subtilisin/kexin type 9 (PCSK9), which has become an exciting therapeutic target for the reduction of residual risk of CVDs. Currently, statins are the mainstay treatment to reduce LDL-C, and a need exists to further develop more effective LDL-C-lowering drugs that might supplement statins.

When the Minority Health Improvement and Health Disparity Elimination Act of 2007 went into effect, there was a corresponding increase in research focused on cardiovascular disease (CVD) in underrepresented groups, except for 1: culturally Deaf Americans. Guided by the health belief model, the purpose of this study was to determine if there were significant differences in the level of knowledge, perceived barriers, and preventive behaviors associated with CVD among Deaf and hearing employees at Gallaudet University, Washington D.C. This cross-sectional quantitative research study used a survey with questions derived from 2 existing national surveys. One hundred eighty-six subjects were recruited on the campus of Gallaudet University. Chi-square analysis was conducted to seek any association between respondents and cardiovascular knowledge. A t test assessed for association between respondent characteristics and knowledge of CVD. A multivariate linear regression model was used to discover if differences in CVD knowledge score were predicted by socioeconomic factors. Deaf (28%) and hearing (43%) participants differed significantly in identifying all 6 correct signs/symptoms of heart attack (p = 0.04). Hearing females (80%) managed their blood pressure at healthy levels which is twice more than their Deaf female counterparts (61%, p = 0.01). Hearing Blacks (78%) had a discussion of their high blood pressure with their doctor more than Deaf Black counterparts (28%, p = 0.05). Gaining a better understanding of the Deaf health trends on CVD could inspire positive social change that ultimately could improve health for Deaf individuals in the United States.

No description available.

Metal matrix composites have seen a rise in demand within the last decade. Aluminum alloy reinforced with silicon carbide particles is a type of particle metal matrix composite that has seen applications in the aerospace, ground transportation, and electronics industry. However, the abrasive SiC particles have made this material difficult to machine through conventional machining strategies. This research will focus on using computer aided manufacturing with trochoidal tool paths to maximize machining productivity and extend the tool life of CVD diamond coated end mills. The focus of this research will be on AlSiCp with a high volume fraction of reinforcement (30%) to expand the potential applications of this pMMC. The cutting experiments are divided into three parts: cutting test, confirmation test, and endurance test. Taguchi method will be used to perform an analysis of variance and signal-to-noise ratio to optimize a combination of material removal rate, average cutting forces, and surface roughness. The optimal cutting conditions were found to be 254 mm/min, 30°, and 9500 r/min for MRR+AvgFxy+Ra, 1524 mm/min, 30°, and 9500 r/min for MRR+AvgFxy, and 1524 mm/min, 90°, and 9500 r/min. The cutting conditions for MRR+AvgFx+Ra was not considered for the endurance tests as the machining productivity was too low to be considered a feasible option in the industry. It was concluded that trochoidal milling under wet cutting conditions produced nearly half the tool wear as previous research with conventional milling strategies. However, the longer the CVD diamond coated end mills were engaged in the AlSiCp workpiece, the more dominant the abrasive wear mechanisms appear and cause tool damage. It was concluded that square end mills may not be suitable for machining AlSiCp and that future research should focus on varying the tool geometry or utilizing ball end mills.

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19728号 / 工博第4183号 / 新制||工||1645(附属図書館) / 32764 / 京都大学大学院工学研究科材料化学専攻 / (主査)教授 田中 勝久, 教授 平尾 一之, 教授 三浦 清貴 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM

No description available.

While investigations of semiconductor nanowires (NWs) has a long history, a significant progress is yet to be made in silicon carbide (SiC) NW technologies before they are ready to be utilized in electronic applications. In this dissertation work, SiC NW polytype control, NW axis orientation with respect to the growth substrate and other issues of potential technological importance are investigated. A new method for growing SiC NWs by vapor-liquid-solid mechanism was developed. The method is based on an in-situ vapor phase delivery of a metal catalyst to the growth surface during chemical vapor deposition. This approach is an alternative to the existing seeded catalyst method based on ex-situ catalyst deposition on the target substrate. The new SiC NW growth method provided an improved control of the NW density. It was established that the NW density is influenced by the distance from the catalyst source to the substrate and is affected by both the gas flow rate and the catalyst diffusion in the gas phase. An important convenience of the new method is that it yields NW growth on the horizontal substrate surfaces as well as on titled and vertical sidewalls of 4H-SiC mesas. This feature facilitates investigation of the NW growth trends on SiC substrate surfaces having different crystallographic orientations simultaneously, which is very promising for future NW device applications. It was established that only certain orientations of the NW axes were allowed when growing on a SiC substrate. The allowed orientations of NWs of a particular polytype were determined by the crystallographic orientation of the substrate. This substrate-dependent (i.e., epitaxial) growth resulted in growth of 3C-SiC NWs in total six allowed crystallographic orientations with respect to the 4H-SiC substrate. This NW axis alignment offers an opportunity to achieve a limited number of NW axis directions depending on the surface orientation of the substrate. The ease of controlling the NW density enabled by the vapor-phase catalyst delivery approach developed in this work, combined with the newly obtained knowledge about how to grow unidirectional (wellaligned) NW arrays, offer new opportunities for developing novel SiC NW electronic and photonic devices.