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Scanning tunneling spectroscopy of space charge regions in semiconductors: From single donor to heterostructure systems / Rastertunnelspektroskopie von Raumladungszonen in Halbleitern: Vom einzelnen Donator zu HeterostruktursystemenTeichmann, Karen 17 April 2012 (has links)
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Untersuchung des elektrischen Widerstandsschaltens perowskitischer Manganatfilme auf der Nanometerskala / Nanometer scale studies of the electrically induced resistive switching of perovskite manganitesKrisponeit, Jon-Olaf 13 December 2011 (has links)
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Wasserstoffabsorption in epitaktischen Niobschichten: eine STM-Studie / Hydrogen absorption in epitaxial Nb-films: a STM-studyNörthemann, Kai 11 December 2006 (has links)
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Strukturelle Änderungen in dünnen amorphen Zr-Al-Ni-Cu- und Ta-Si-N-SchichtenBicker, Matthias 21 June 2000 (has links)
Mit verschiedenen experimentellen Methoden
werden die strukturabhängigen Eigenschaften amorpher Zr-Al-Ni-Cu-
und Ta-Si-N- Multikomponentenschichten untersucht. Aus Messungen
der mechanischen Spannungen in amorphen Zr-Al-Ni-Cu-Schichten
werden mit hoher Empfindlichkeit relative Volumenänderungen
bestimmt, die bei Schichtwachstum, Relaxation und Kristallisation
auftreten. Das Meßverfahren ermöglicht Untersuchungen der
Spannungsrelaxation und Viskosität in der Nähe des Glasübergangs.
Irreversible Spannungsrelaxationen unterhalb von Tg
können mit der "Freie Volumen-Theorie" gedeutet werden. Als Ursache
für eine schnelle Abnahme von Druckspannungen im Bereich des
Glasübergangs wird dagegen ein Fließprozeß vorgeschlagen.
Unmittelbar während der Kristallisation werden nur geringe
Spannungsänderungen festgestellt. Aus Messungen der isothermen
Spannungsrelaxation werden Viskositäten der amorphen Schichten
bestimmt. Aus den Spannungsmessungen ergeben sich neue Erkenntnisse
über das Relaxations- und Kristallisationsverhalten von
Multikomponentengläsern. Es werden grundlegende Fragestellungen zu
Entmischungs- und Kristallisationsvorgängen in amorphen
Ta-Si-N-Schichten untersucht, die auch für technologische
Anwendungen der Schichten als Diffusionsbarrieren relevant sind.
ASAXS-, TEM- und XRD- Messungen ergeben, daß in amorphen
Ta40Si14N46-Schichten bei
Temperaturen zwischen 1073 K und 1273 K komplexe Prozesse, wie eine
Phasenseparation und eine nachfolgende Nanokristallisation
ablaufen. Diese Prozesse führen zu einer Bildung von Strukturen mit
charakteristischen Ausdehnungen und wirken sich auf die
mechanischen Spannungen aus. Durch die vorliegenden Ergebnisse wird
gezeigt, daß die Stabilität der Diffusionsbarrieren bereits
unterhalb der Kristallisationstemperatur durch die Entmischung und
Nanokristallisation begrenzt ist.
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Amorphe weichmagnetische CoFeNiSiB-Detektionsschichten in Spinventilen / Amorphous soft magnetic CoFeNiSiB detection layers in spinvalvesKäufler, Andrea Regina 16 May 2002 (has links)
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Rauhigkeit und Durchmischung der Grenzflächen in laserdeponierten Cu-Ag- und Fe-Ag-Schichtsystemen / Interface roughness and intermixing in laser deposited Cu-Ag and Fe-Ag multilayersWeisheit, Martin 25 October 2002 (has links)
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Direkte Lasersynthese von Funktionsschichten / Untersuchung physikalischer Prozesse des Lasernitrierens anhand des Modellsystems TiN / Direct laser synthesis of functional coatings / Investigation of physical processes during laser nitriding by means of the model system TiNHöche, Daniel 28 November 2008 (has links)
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Nanoscale pattern formation on ion-sputtered surfaces / Musterbildung auf der Nanometerskala an ion-gesputterten OberflächenYasseri, Taha 21 January 2010 (has links)
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Charakterisierung und Modifizierung glatter laserdeponierter Poly(methyl methacrylat)-Schichten / Characterization and modification of smooth laser deposited poly(methyl methacrylate) filmsFuchs, Britta 23 February 2010 (has links)
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Magneto-microphotoluminescence spectroscopy as a tool for the study of disorder in semiconductor quantum wells / Magneto-Mikrophotolumineszenz-Spektroskopie als Werkzeug zur Untersuchung der Unordnung in Halbleiter-QuantenfilmenErdmann, Matthias 07 May 2007 (has links)
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