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101	Caractérisation d'une famille de récepteurs kinases impliqués dans le développement gamétophytique chez Arabidopsis thaliana Houde, Josée 02 1900 (has links) Au cours du développement des végétaux, de l’établissement de l’identité cellulaire des premiers organes au guidage du tube pollinique, la communication cellule à cellule est d’une importance capitale. En réponse, les voies de signalisation moléculaires sont élaborées pour la perception d’un signal extérieur et la transduction en une réponse génique via une cascade intracellulaire. Les récepteurs kinases font partie des protéines perceptrices des stimuli et constituent chez les plantes une catégorie de protéines avec une occurrence considérable, mais dont très peu d’informations détaillées sont disponibles à ce jour. Une famille de récepteurs kinases chez Arabidopsis thaliana, AtORK11 (Arabidopsis thaliana Ovule Receptor Kinase 11), a été identifiée par orthologie à un récepteur spécifique aux ovaires chez une solanacéee sauvage, Solanum chacoense. La fonction présumée de cette famille de récepteurs kinases de type leucine-rich repeat, suggérée par son patron d’expression, implique les événements relatifs au développement des gamétophytes et à la reproduction. Afin de caractériser la fonction des quatre gènes de la famille (AtORK11a, AtORK11b, AtORK11c et AtORK11d) une stratégie d’analyse de mutants d’insertion de l’ADN-T et d’évaluation du mode d’action par complémentation bimoléculaire par fluorescence (BiFC) a été entreprise. Aucune fonction précise n’a pu être attribuée aux doubles mutants d’insertion, par contre la surexpression d’une construction dominante négative indique un rôle dans le développement gamétophytique. Il a aussi été démontré que les quatre récepteurs peuvent interagir par homodimérisation aussi bien que par hétérodimérisation. Une hypothèse de redondance fonctionnelle est ainsi mise à jour parmi la famille des gènes AtORK11. / Cell to cell communication is paramount during plant developmental processes, from cellular identity in early organogenesis to pollen tube guidance. In response to this requirement, molecular cell signalling is used to perceive an external signal and transduce the response by an intracellular signalling cascade leading to specific gene activation. The sensing protein is typically a receptor kinase, which will transduce the stimulus by phosphorylation of a cytoplasmic interaction partner. Although plant receptor kinases represent the largest protein kinase family, only handfuls are well characterized. By sequence identity (orthology), a family of leucine-rich repeat receptor kinases from Arabidopsis thaliana was identified as AtORK11 (Arabidopsis thaliana Ovule Receptor Kinase 11). Based upon previous results from its ortholog in Solanum chacoense, the ovary- specific ScORK11 receptor kinase, we hypothesized that members of the AtORK11 receptors would be involved in gametophyte development and reproduction. In order to characterize the role of the four family members (AtORK11a, AtORK11b, AtORK11c and AtORK11d), a T-DNA insertional mutant strategy was undertaken, as well as bimolecular fluorescence complementation assays (BiFC). No precise function could be assigned to the double mutants although a dominant negative strategy revealed an involvement in gametophytic development. It was also shown that all of the receptors could form homodimers as well as heterodimers in a heterologous system, suggesting high functional redundancy for the AtORK11 family. transduction de signal mutant d'insertion ADN-T leucine-rich repeat receptor kinase signal transduction T-DNA insertion mutant bimolecular fluorescence complementation tungsten microparticle bombardment
102	Charakterisierung von a-Si:H/c-Si-Heterokontakten und dünnen Schichten aus hydrogenisiertem amorphem Silizium, hergestellt mittels gepulstem DC-Magnetronsputtern Nobis, Frank 17 December 2013 (has links) (PDF) Dünne Schichten aus hydrogenisiertem amorphem Silizium a-Si:H spielen für die Photovoltaik eine wichtige Rolle. Einerseits kommt für die Dünnschicht-Photovoltaik unterschiedlich dotiertes a-Si:H in den Schichten einer p-i-n-Solarzelle zur Anwendung, andererseits stellen Heterokontakt-Solarzellen aus amorphem und kristallinem Silizium (a-Si:H/c-Si) wegen ihres hohen Wirkungsgrades derzeit ein sehr aktuelles Forschungsthema dar. Die Abscheidung der a-Si:H-Schichten im Rahmen dieser Arbeit erfolgt mit der Methode des Magnetronsputterns (Kathodenzerstäubung). Dieses für die in-line-Beschichtung etablierte Verfahren wird speziell für die Photovoltaik noch nicht in industriellem Maßstab eingesetzt (lediglich für transparente leitfähige Oxide TCO). Insbesondere existiert nur eine geringe Zahl von Veröffentlichungen zu Heterokontakten, welche mittels Magnetronsputtern hergestellt wurden. Ein Schwerpunkt der vorliegenden Arbeit ist daher die Herstellung sowie Charakterisierung solcher Heterokontakte unter dem Aspekt variierter Abscheide- und Prozessparameter (Substrattemperatur, Wasserstoffflussrate, Ionenbeschuss). Das für das Sputtern erforderliche Plasma wird mit einer im Mittelfrequenzbereich gepulsten Gleichspannung angeregt. Ein dadurch mehr oder weniger ausgeprägter Ionenbeschuss der wachsenden Schichten in Abhängigkeit der Pulsparameter wird hier analysiert. Die Charakterisierung der Heterokontakte erfolgt hauptsächlich anhand deren Strom-Spannung-Kennlinien, welche auch bei variierter Temperatur gemessen werden. Erzielte Gleichrichtungsverhältnisse um 10000:1 sowie Diodenidealitätsfaktoren η ≈ 1,3 kennzeichnen (p)a-Si:H/(n)c-Si-Heterokontakte mit den besten halbleiterphysikalischen Eigenschaften. Bei zu schwacher Schichthydrogenisierung wurde ein Ladungstransportmechanismus nachgewiesen, welcher in der Literatur als multi-tunneling capture-emission MTCE bekannt ist. Eine erhöhte Hydrogenisierung unterdrückt diesen Mechanismus nahezu vollständig. Durch Abscheidung unterschiedlich stark bordotierter a-Si:H-Schichten wird außerdem die Dotiereffizienz beurteilt. Hohe Werte sind bei amorphen Halbleitern im Allgemeinen schwer zu erreichen. Die mit stärkerer Dotierung erhöhte Gleichrichterwirkung lieferte hier ein Indiz für eine nachweisbare Dotiereffizienz. gepulstes DC-Magnetronsputtern Heterokontakt multi-tunneling capture-emission MTCE Diode Diodenidealitätsfaktor Aktivierungsenergie Ionenbeschuss Dotiereffizienz hydrogenated amorphous Silicon a-Si:H pulsed DC magnetron sputtering heterojunction multi-tunneling capture-emission MTCE diode diode ideality factor activation energy ion bombardment doping efficiency ddc:530 Magnetronsputtern Silicium Diode Heteroübergang Halbleiter Elektrische Messung
103	Transportní, šumové a strukturální vlastnosti detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdTe / Noise, Transport and Structural Properties of High Energy Radiation Detectors Based on CdTe Šik, Ondřej January 2016 (has links) Poptávka ze strany vesmírného výzkumu, zdravotnictví a bezpečnostního průmyslu způsobila v posledních letech zvýšený zájem o vývoj materiálů pro detekci a zobrazování vysokoenergetického záření. CdTe a jeho slitina CdZnTe. jsou polovodiče umožnují detekci záření o energiích v rozsahu 10 keV až 500 keV. Šířka zakázaného pásma u CdTe / CdZnTe je 1.46 -1.6 eV, což umožňuje produkci krystalů o vysoké rezistivitě (10^10-10^11 cm), která je dostačující pro použití CdTe / CdZnTe při pokojové teplotě. V mé práci byly zkoumány detektory CdTe/CdZnTe v různých stádiích jejich poruchovosti. Byly použity velmi kvalitní spektroskopické detektory, materiál s nižší rezistivitou a výraznou polarizací, detektory s asymetrií elektrických parametrů kontaktů a teplotně degenerované vzorky. Z výsledků analýzy nízkofrekvenčního šumu je patrný obecný závěr, že zvýšená koncentrace defektů způsobí změnu povahy původně monotónního spektra typu 1/f na spektrum s výrazným vlivem generačně-rekombinačních procesů. Další výrazná vlastnost degenerovaných detektorů a detektorů nižší kvality je nárůst spektrální hustoty šumu typu 1/f se vzrůstajícím napájecím napětí se směrnicí výrazně vyšší než 2. Strukturální a chemické analýzy poukázaly, že teplotní generace detektorů způsobuje difuzi kovu použitého při kontaktování a stopových prvků hlouběji do objemu krystalu. Část mé práce je věnována modifikaci povrchu svazkem argonových iontů a jejímu vlivu na chemické složení a morfologii povrchu.
104	Charakterisierung von a-Si:H/c-Si-Heterokontakten und dünnen Schichten aus hydrogenisiertem amorphem Silizium, hergestellt mittels gepulstem DC-Magnetronsputtern Nobis, Frank 17 September 2013 (has links) Dünne Schichten aus hydrogenisiertem amorphem Silizium a-Si:H spielen für die Photovoltaik eine wichtige Rolle. Einerseits kommt für die Dünnschicht-Photovoltaik unterschiedlich dotiertes a-Si:H in den Schichten einer p-i-n-Solarzelle zur Anwendung, andererseits stellen Heterokontakt-Solarzellen aus amorphem und kristallinem Silizium (a-Si:H/c-Si) wegen ihres hohen Wirkungsgrades derzeit ein sehr aktuelles Forschungsthema dar. Die Abscheidung der a-Si:H-Schichten im Rahmen dieser Arbeit erfolgt mit der Methode des Magnetronsputterns (Kathodenzerstäubung). Dieses für die in-line-Beschichtung etablierte Verfahren wird speziell für die Photovoltaik noch nicht in industriellem Maßstab eingesetzt (lediglich für transparente leitfähige Oxide TCO). Insbesondere existiert nur eine geringe Zahl von Veröffentlichungen zu Heterokontakten, welche mittels Magnetronsputtern hergestellt wurden. Ein Schwerpunkt der vorliegenden Arbeit ist daher die Herstellung sowie Charakterisierung solcher Heterokontakte unter dem Aspekt variierter Abscheide- und Prozessparameter (Substrattemperatur, Wasserstoffflussrate, Ionenbeschuss). Das für das Sputtern erforderliche Plasma wird mit einer im Mittelfrequenzbereich gepulsten Gleichspannung angeregt. Ein dadurch mehr oder weniger ausgeprägter Ionenbeschuss der wachsenden Schichten in Abhängigkeit der Pulsparameter wird hier analysiert. Die Charakterisierung der Heterokontakte erfolgt hauptsächlich anhand deren Strom-Spannung-Kennlinien, welche auch bei variierter Temperatur gemessen werden. Erzielte Gleichrichtungsverhältnisse um 10000:1 sowie Diodenidealitätsfaktoren η ≈ 1,3 kennzeichnen (p)a-Si:H/(n)c-Si-Heterokontakte mit den besten halbleiterphysikalischen Eigenschaften. Bei zu schwacher Schichthydrogenisierung wurde ein Ladungstransportmechanismus nachgewiesen, welcher in der Literatur als multi-tunneling capture-emission MTCE bekannt ist. Eine erhöhte Hydrogenisierung unterdrückt diesen Mechanismus nahezu vollständig. Durch Abscheidung unterschiedlich stark bordotierter a-Si:H-Schichten wird außerdem die Dotiereffizienz beurteilt. Hohe Werte sind bei amorphen Halbleitern im Allgemeinen schwer zu erreichen. Die mit stärkerer Dotierung erhöhte Gleichrichterwirkung lieferte hier ein Indiz für eine nachweisbare Dotiereffizienz. info:eu-repo/classification/ddc/530 ddc:530
105	Glättungsmechanismen beim Ionenbeschuss rauer amorpher Oberflächen / Smoothing mechanisms due to ion bombardment of rough amorphous surfaces Vauth, Sebastian 11 October 2007 (has links) No description available. 530 Physik RD RV000 RVI000 RVI210 RVI220 RVQ450 RVQ500 RVQ700 RVQ820 RVS500 RVT500 RJM000 RJM200 RJM300 RJM320 RQI000 RQI900 RQL200 RTF500 Mathematics and Natural Science Oberflächen Ionenbestrahlung Strukturentwicklung getriebene Systeme Transportphänomene amorphe Systeme Gläser Metalle Halbleiter Rastertunnelmikroskopie Molekulardynamik-Simulationen stochastische Ratengleichungen surfaces ion bombardment structure evolution driven systems transport phenomena amorphous systems glasses metals semiconductors scanning tunneling microscopy molecular dynamics simulations stochastic rate equations 33.60 33.66 33.68 33.28 33.05 33.06
106	The Characterisation of Putative Nuclear Pore-Anchoring Proteins in Arabidopsis thaliana Collins, Patrick January 2013 (has links) The nuclear pore complex (NPC) is perhaps the largest protein complex in the eukaryotic cell, and controls the movement of molecules across the nuclear envelope. The NPC is composed of up to 30 proteins termed nucleoporins (Nups), each grouped in different sub-complexes. The transmembrane ring sub-complex is composed of Nups responsible for anchoring the NPC to the nuclear envelope. Bioinformatic analysis has traced all major sub-complexes of the NPC back to the last eukaryotic common ancestor, meaning that the nuclear pore structure and function is conserved amongst all eukaryotes. In this study Arabidopsis T-DNA knockout lines for these genes were investigated to characterise gene function. Differences in plant growth and development were observed for the ndc1 knockout line compared to wild-type but gp210 plants showed no phenotypic differences. The double knockout line gp210 ndc1 was generated through crosses to observe plant response to the knockout of two anchoring-Nup genes. No synergistic affect from this double knockout was observed, suggesting that more, as yet unidentified Nups function the transmembrane ring in plants. The sensitivity to nuclear export inhibitor leptomycin B (LMB) was tested also for knockout lines, although growth sensitivity to the drug was not observed. Nucleocytoplasmic transport of knockout lines was measured in cells transformed by particle bombardment. To express fluorescent protein constructs actively transported through the NPC, localisation of protein determined the nucleocytoplasmic transport of the cell. The ndc1single knockout and the double knockout gp210 ndc1 exhibited decreased nuclear export. Further experiments in determining NDC1 localisation and identification of other Nups in the transmembrane ring sub-complex would bring a more comprehensive understanding to the plant NPC. Arabidopsis thaliana transformation insert transient expression epidermal cells root cells gene protein plant bolting flowering root growth knockout ndc1 gp210 At1g73240 At5g40480 SALK SAIL Columbia seed germination DNA sequencing light microscopy stereo-fluorescence microscopy DNA extraction cell nucleus cytoplasm nucleoplasm nuclear pore complex nucleoporin nuclear envelope putative nuclear pore-anchoring protein leptomycin B gene gun particle bombardment agrobacterium T-DNA fasciation rhodococcus fascians cross reverse genetics nucleocytoplasmic transport cross self synergistic silique transmembrane ring dihybrid pumilo homology domain protein GFP YFP RFP PCR homozygote heterozygote inhibition

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