L’émergence des circuits complexes numériques, ou System-On-Chip (SOC), pose notamment la problématique de la consommation énergétique. Parmi les blocs fonctionnels significatifs à ce titre, apparaissent les mémoires et en particulier les mémoires statiques (SRAM). La maîtrise de la consommation énergétique d’une mémoire SRAM inclue la capacité à rendre la mémoire fonctionnelle sous très faible tension d’alimentation, avec un objectif agressif de 300 mV (inférieur à la tension de seuil des transistors standard CMOS). Dans ce contexte, les travaux de thèse ont concerné la proposition d’un point mémoire SRAM suffisamment performant sous très faible tension d’alimentation et pour les nœuds technologiques avancés (CMOS bulk 28nm et FDSOI 28nm). Une analyse comparative des architectures proposées dans l’état de l’art a permis d’élaborer deux points mémoire à 10 transistors avec de très faibles impacts de courant de fuite. Outre une segmentation des ports de lecture, les propositions reposent sur l’utilisation de périphéries adaptées synchrones avec notamment une solution nouvelle de réplication, un amplificateur de lecture de données en mode tension et l’utilisation d’une polarisation dynamique arrière du caisson SOI (Body Bias). Des validations expérimentales s’appuient sur des circuits en technologies avancées. Enfin, une mémoire complète de 32kb (1024x32) a été soumise à fabrication en 28 FDSOI. Ce circuit embarque une solution de test (BIST) capable de fonctionner sous 300mV d’alimentation. Après une introduction générale, le 2ème chapitre du manuscrit décrit l’état de l’art. Le chapitre 3 présente les nouveaux points mémoire. Le 4ème chapitre décrit l’amplificateur de lecture avec la solution de réplication. Le chapitre 5 présente l’architecture d’une mémoire ultra basse tension ainsi que le circuit de test embarqué. Les travaux ont donné lieu au dépôt de 4 propositions de brevet, deux conférences internationales, un article de journal international est accepté et un autre vient d’être soumis. / Emergence of large Systems-On-Chip introduces the challenge of power management. Of the various embedded blocks, static random access memories (SRAM) constitute the angrier contributors to power consumption. Scaling down the power supply is one way to act positively on power consumption. One aggressive target is to enable the operation of SRAMs at Ultra-Low-Voltage, i.e. as low as 300 mV (lower than the threshold voltage of standard CMOS transistors). The present work concerned the proposal of SRAM bitcells able to operate at ULV and for advanced technology nodes (either CMOS bulk 28 nm or FDSOI 28 nm). The benchmarking of published architectures as state-of-the-art has led to propose two flavors of 10-transitor bitcells, solving the limitations due to leakage current and parasitic power consumption. Segmented read-ports have been used along with the required synchronous peripheral circuitry including original replica assistance, a dedicated unbalanced sense amplifier for ULV operation and dynamic forward back-biasing of SOI boxes. Experimental test chips are provided in previously mentioned technologies. A complete memory cut of 32 kbits (1024x32) has been designed with an embedded BIST block, able to operate at ULV. After a general introduction, the manuscript proposes the state-of-the-art in chapter two. The new 10T bitcells are presented in chapter 3. The sense amplifier along with the replica assistance is the core of chapter 4. The memory cut in FDSOI 28 nm is detailed in chapter 5. Results of the PhD have been disseminated with 4 patent proposals, 2 papers in international conferences, a first paper accepted in an international journal and a second but only submitted paper in an international journal.

Les filtres spectraux à réseaux résonants, ou GMRF (Guided-Mode Resonance Filters), sont une nouvelle génération de filtres à bande étroite et constituent une alternative très prometteuse aux filtres conventionnels multicouches Fabry-Pérot. Le pic de résonance d'un GMRF peut être très fin spectralement et de longueur d'onde de centrage accordable en fonction de l'angle d'incidence. Ces propriétés sont particulièrement importantes pour la spectroscopie. Les travaux antérieurs ont permis de mettre en œuvre une structure originale comportant deux réseaux 1D croisés. Les performances de ce filtre surpassent celles des filtres conventionnels par leur réponse spectrale subnanométrique, leur accordabilité, et leur capacité à s'affranchir de l'influence de la polarisation de l'onde incidente sous incidence oblique. Le but de ce travail est d'explorer les performances ultimes de ce type de dispositif en termes de résolution et taux de réjection, par une approche mêlant théorie, technologie et caractérisation. Nous présentons des résultats expérimentaux d'un filtre en réflexion indépendant de la polarisation, accordable sur 40 nm avec 8.3nm/° d'accordabilité, ayant une réflexion de 10-3 sur une plage de 90nm en dehors de la résonance et un facteur de qualité supérieur à 5000. / Guided Mode Resonance Filters ( GMRF ) are a new generation of narrowband optical filters and are a very promising alternative to conventional multilayer Fabry-Perot filters. The resonance peak of GMRF can be spectrally extremely thin and with a centering wavelength tunable according to the angle of incidence of the light. These properties are particularly important for spectroscopy. Previous works have helped to implement an original structure with two 1D crossed gratings. The performance of this filter overpasses those of conventional filters in their spectral subnanometric response, tunability and their ability to overcome the influence of the polarization of the incident wave under oblique incidence. The aim of this work is to explore the final performances of such devices in terms of resolution and rejection rate, thanks to an approach combining theory, fabrication technology and characterization. We present experimental results of a polarization independent reflective filter, tunable over 40nm with a tunability of 8.3nm / °, having a reflection of 10-3 on a 90nm range outside the resonance and a quality factor over 5000.

L’utilisation des alimentations à découpage (SMPSs : switched mode power supplies) est à présent largement répandue dans des systèmes embarqués en raison de leur rendement. Les exigences technologiques de ces systèmes nécessitent simultanément une très bonne régulation de tension et une forte compacité des composants. SEPIC (Single-Ended Primary Inductor Converter) est un convertisseur à découpage DC/DC qui possède plusieurs avantages par rapport à d’autres convertisseurs de structure classique. Du fait de son ordre élevé et de sa forte non linéarité, il reste encore peu exploité. L’objectif de ce travail est d’une part le développement des stratégies de commande performantes pour un convertisseur SEPIC et d’autre part l’implémentation efficace des algorithmes de commande développés pour des applications embarquées (FPGA, ASIC) où les contraintes de surface silicium et le facteur de réduction des pertes sont importantes. Pour ce faire, deux commandes non linéaires et deux observateurs augmentés (observateurs d’état et de charge) sont exploités : une commande et un observateur fondés sur le principe de mode de glissement, une commande prédictive et un observateur de Kalman étendu. L’implémentation des deux lois de commande et l’observateur de Kalman étendu sont implémentés sur FPGA. Une modulation de largeur d’impulsion (MLI) numérique à 11-bit de résolution a été développée en associant une technique de modulation Δ-Σ de 4-bit, un DCM (Digital Clock Management) segmenté et déphasé de 4-bit, et un compteur-comparateur de 3-bit. L’ensemble des approches proposées sont validées expérimentalement et constitue une bonne base pour l’intégration des convertisseurs à découpage dans les alimentations embarquées. / The use of SMPS (Switched mode power supply) in embedded systems is continuously increasing. The technological requirements of these systems include simultaneously a very good voltage regulation and a strong compactness of components. SEPIC ( Single-Ended Primary Inductor Converter) is a DC/DC switching converter which possesses several advantages with regard to the other classical converters. Due to the difficulty in control of its 4th-order and non linear property, it is still not well-exploited. The objective of this work is the development of successful strategies of control for a SEPIC converter on one hand and on the other hand the effective implementation of the control algorithm developed for embedded applications (FPGA, ASIC) where the constraints of Silicon surface and the loss reduction factor are important. To do it, two non linear controls and two observers of states and load have been studied: a control and an observer based on the principle of sliding mode, a deadbeat predictive control and an Extended Kalman observer. The implementation of both control laws and the Extended Kalman observer are implemented in FPGA. An 11-bit digital PWM has been developed by combining a 4-bit Δ-Σ modulation, a 4-bit segmented DCM (Digital Clock Management) phase-shift and a 3-bit counter-comparator. All the proposed approaches are experimentally validated and constitute a good base for the integration of embedded switching mode converters