La gestion de l'énergie électrique est au cœur des enjeux environnementaux. L'éclosion de semi-conducteurs à grand gap comme le carbure de silicium (SiC) permet la réalisation de composants aux performances supérieures à celles des composants en silicium pour l'électronique de puissance. Toutefois, le comportement de ces dispositifs lors de décharges électrostatiques (ESD) ou lors de radiations est mal connu et nécessite des études spécifiques. Dans ces travaux, plusieurs composants MESFET SiC ont ainsi été testés face aux ESD et l'étude des mécanismes de défaillance a montré soit la défaillance de l'oxyde de passivation, soit la sublimation du SiC suite au déclenchement d'une structure parasite. L'intégration d'une diode Zener sur le drain du MESFET a ainsi été testée et validée comme protection ESD. La simulation démontre que la protection est inefficace par rapport à la tenue aux radiations d'ions lourds. Assurer la robustesse de ces technologies n'apparaît pas plus simple que pour les composants en silicium. Des solutions sont toutefois envisageables pour aider les concepteurs à améliorer la robustesse aux ESD, bien que des études supplémentaires restent à mener. / Power management is nowadays crucial with the global warming and the electronic needs of the society. Wideband gap semi-conductors like Silicon Carbide (SiC) are emerging in power electronic landscape because of their better properties in comparison with Silicon. Nevertheless reliability and knowledge about internal physic during electrostatic discharge (ESD) or radiation event is still missing and need specific studies. In this work, several SiC MESFET have been tested and results show two mains failure mechanism. First the passivation oxide clamping, and secondly the SiC sublimation induced by a parasitic structure in the device. An ESD protection was tested and validated. Unfortunately, this solution isn't efficient for heavy ion protection. Indeed, no impact on the radiation robustness is noticed on the MESFET during a radiation event. SiC ESD reliability doesn't look better than for Silicon devices. ESD robustness improvements are proposed in this work even if integration of this MESFET is still required to validate the improvement.

Dans l’industrie semiconducteur, une décharge électrostatique peut se produire tout au long de la vie d’une puce électronique, et constitue un vrai problème pour la fiabilité du circuit intégré et une cause majeure de défaillance. Un nouveau modèle, modèle du composant chargé (CDM, Charged Device Model) a été récemment développé pour simuler un composant chargé qui se décharge au travers d'une de ses broches vers la masse. La forme d’onde d’une telle décharge se présente comme une impulsion de courant de grande amplitude (15A pour un CDM de 1KV sur une capacité de charge de 10pF) d’une durée de seulement quelques nanosecondes. En effet, il est de plus en plus courant de constater des signatures de défaillance ESD au coeur des circuits intégrés, généralement des claquages d’oxyde qui sont typiquement induites par les décharges CDM. Une protection ESD ayant une dynamique de déclenchement inappropriée ou la circulation d'un fort courant de décharge (dans le substrat ou sur les pistes métalliques) peut induire localement des variations de potentiel suffisantes pour endommager les oxydes (3-5nm d’épaisseur pour la technologie CMOS 45nm). Face aux défis de la décharge CDM, dans cette thèse, nous nous sommes intéressée d’abord à la détection et la compréhension des défauts latents induits par les stress CDM dans les circuits intégrés, en utilisant une technique de haute sensibilité, « la mesure de bruit en basse fréquence ». Un convertisseur DC-DC a été stressé par le test CDM, après chaque étape de traitement (stockage, recuit, et vieillissement), et l’évolution des défauts latents générés a été étudiée. Ensuite, nous avons proposé une méthodologie de modélisation du circuit intégré complet afin de simuler la stratégie de protection vis-à-vis des stress CDM en limitant les problèmes de convergence de simulation. Son originalité réside dans la modélisation de la résistance du substrat en très forte injection adaptée à la décharge CDM à l’aide de la mesure VF-TLP (Very Fast Transmission Line Pulsing) et de la simulation physique 2D et 3D. La méthodologie a été validée sur une technologie CMOS avancée 45nm et une technologie BiCMOS 0,25mm). A la fin, la méthodologie de simulation CDM a été validée sur un produit commercial. / In the semiconductor industry, electrostatic discharge (ESD) can occur throughout over the whole life of a chip. This is a real problem for the reliability of the integrated circuit (IC) and a major failure cause. A new ESD model, Charged Device Model (CDM) was recently developed to simulate a charged device which discharges through one of its pin to ground. The waveform of such a discharge is a current pulse of high amplitude (15A for a 1KV CDM stress on a precharged capacitor of 10pF) over a few nanoseconds duration. Indeed, it is increasingly common to encounter ESD failure signatures into the IC core, usually gate oxide breakdowns that are typically induced by CDM stress. ESD protections with inappropriate triggering speed or strong discharge currents (into the substrate or the metal tracks) can locally lead to potential drop sufficient to damage the oxide (3-5nm thickness in 45nm CMOS technology).Given the challenges of the CDM discharges, this thesis was firstly focused on the detection and understanding of latent defects caused by CDM stress in integrated circuits, using a high- ensitivity technique, namely low frequency noise measurement (LFN). A DCDC converter has been stressed by the CDM test. After each step of processing (storage, burn-in, and aging), the evolution of latent defects generated was investigated. Secondly, a methodology for modeling the complete integrated circuit has been proposed to simulate the CDM protection strategy by limiting the simulation convergence problems. Its main originality consists in the modeling of the substrate resistance under very high injection adapted to the CDM discharge using both VF-TLP (Very Fast Transmission Line Pulsing) measurement and 2D/3D physical simulation. The model was successfully validated on 45nm CMOS and 0.25 µm BiCMOS technologies. Finally, the CDM simulation methodology was validated on a commercial product.

Práce analyzuje postavení obce jako veřejnoprávního subjektu v zákoně o DPH, především vymezuje situace, za nichž je obec považována za osobu povinnou k dani. Tuzemská právní úprava je porovnána se směrnicí ES. Na základě zjištěných poznatků je analyzováno hospodaření města Čáslav s cílem zhodnotit, zda město Čáslav, které není plátcem DPH, může počítat s udržením tohoto statusu i do budoucna, nebo zda by městu mohla vzniknout povinnost zaregistrovat se za plátce DPH.

Vytvoření jednotného vnitřního trhu je jedním z hlavních cílů Evropské unie. Daně a tedy i přímé daně mohou vytvářet překážky fungování jednotného trhu a mohou být diskriminační. Proto je nutná jejich harmonizace. U přímých daní hovoříme o negativní harmonizaci založené na odstraňování diskriminačních opatření pomocí rozsudků Evropského soudního dvora. Práce popisuje postavení ESD, způsob jeho rozhodování a dopad jeho rozsudků z oblasti přímých daní na členské státy. Klade si za cíl ověřit základní tezi, že soudy členských států a následně i zákonodárná moc zohledňují při své činnosti v oblasti přímých daní judikaturu ESD.

Diplomová práce pojednává o překážkách voného pohybu pracovníků v judikatuře ESD. Nejprve se teoreticky věnuje právní úpravě této problematiky a přináší určitou typologii překážek volného pohybu pracovníků. Zvláštní pozornost je věnována překážkám vyplývajícím ze vzájemného uznávání diplomů a kvalifikací. Ve druhé části jsou uvedeny a okomentovány vybrané rozsudky Evropského soudního dvora dotýkající se dané tematiky.

There is a huge emergence for sustainable change, but there are not many clear approaches for teaches to teach into sustainability. With the proof that the International Primary Curriculum (IPC) can be used up to large extent to provide primary schools from Education to sustainable development (ESD), the aims of ESD can be achieved in great extent, while the IPC is used in over 98 countries. Therefore teacher do not have to be introduced to a new approach; they can continue using the IPC. There is done a literature research about the similarities between the educational vision & mission and practical investigation into the teachers experiences, by the use of a questionnaire, about similarities in the teachers competences between ESD and the IPC. Concerning the research the educational vision of ESD and the IPC are very similar, but in the education mission is a difference in focus. Where ESD wants a behavioural change, is the IPC focusing on improving the learning. However, this different focus is not eliminating the similarities that are shown. Practically seen are teachers who work with the IPC are experiencing a 66.6% match with the teacher competences of ESD. The differences that are found are based on the different educational focuses of ESD and the IPC, but in here the IPC can easily adjust. All together I can state that the IPC can be used as an approach to provide Dutch primary school pupils with ESD from a reasonable up to a pretty large extent, under the condition that the IPC is adapting to the educational mission of the ESD, without letting go of their own educational mission.

Tato práce se zabývá popisem základních vlastností LDMOS tranzistorů. V první části práce jsou rozebrány vlastnosti LDMOS tranzistorů, jejich základní parametry a techniky pro vylepšení parametrů těchto tranzistorů. V další části je rozebrána spolehlivost LDMOS tranzistorů, tato část popisuje bezpečnou pracovní oblast (SOA), injekci horkých nosičů (HCI) a negativní teplotní stabilitu (NBTI). Poslední teoretická část popisuje používané modely pro simulaci ESD událostí. Praktická část práce je zaměřena na simulaci základních parametrů PLDMOS a NLDMOS tranzistorů, porovnání simulovaných a změřených koncentračních profilů. Dále se práce zabývá simulacemi změny geometrických parametrů PLDMOS tranzistoru a vliv těchto změn na elektrické parametry. Poslední část práce tvoří TLP simulace, které zkoumají elektrické vlastnosti PLDMOS tranzistoru při použití jako ESD ochrana.

Education for Sustainable Development (ESD) provides a framework for reorienting education towards sustainability. The ESD framework is criticized for reproducing rather than transforming unsustainable systems, thus a critical analysis of the framework is crucial to understand its role in reorienting education towards sustainability. To this end, we contribute to an understanding of the role of ESD through the lens of experts who are reorienting education towards sustainability. These experts use various approaches at regional, national, and/or international levels. Based on thirteen semi-structured interviews, we find two strands in the understanding of ESD. The first strand reflects the importance of the framework in reorienting education, and the second strand reflects on ESD as part of a larger movement. Furthermore, we flag a critical need for a democratic process of reorienting education towards sustainability, to progress transformative change through ESD. Lastly, our findings suggest a need to consider the individual experience of those involved in bringing ESD into practice.

Syftet med denna studie var att jämföra rektorers syn på hållbar utveckling i förskolan i två olika länder, Sverige och Thailand, samt öka kunskapen om arbetet med hållbar utveckling i förskolan. De frågor som hjälpt oss genom studien är: Hur definierar rektorer begreppet hållbar utveckling? Hur beskriver rektorer att deras förskolor arbetar med de tre dimensionerna inom hållbar utveckling? Vilka likheter och skillnader går att hitta i arbetet med hållbar utveckling på förskolor i Sverige och Thailand? Som metod för studien användes kvalitativa intervjuer där rektorer på svenska förskolor både i Sverige och Thailand inkluderas. Tidigare forskning visade att begreppet hållbar utveckling är komplext och att det inte finns någon liknande forskning sedan tidigare. Denna studie har utgått från att hållbar utveckling består av tre dimensioner; en ekologisk, en social och en ekonomisk dimension. Resultatet visade att rektorerna mestadels beskriver hållbar utveckling utifrån miljö- och naturfrågor samt att de hade svårt att sätta ord på alla tre dimensioner. Däremot beskrev samtliga rektorer på ett eller annat sätt hur ett arbete med hållbar utveckling i förskolan kan gå till. Studien visade också att det fanns likheter och skillnader i arbetet med hållbar utveckling på svenska förskolor i Sverige och Thailand trots att de följer samma läroplan.

The purpose of the research paper is to find out what thoughts and emotions environmental and climate issues provoke among pupils according to scientific research. Furthermore, the intention is to ascertain what possible connections there are between the emotions and the education in sustainable development. The research methodology is based upon searching in databases, primarily ERIC and Education Research Complete. Delimitations are made in order to focus on sources that are up-to-date and concern primary school pupils. The results show that many pupils are concerned about climate change and that their thoughts and feelings give rise to a pessimistic view of the future and emotions of anxiety, sadness and anger. Pupils may use different strategies to cope with these feelings which can affect how they behave when climate and environmental issues are discussed. The results also show that the tuition outline and a teacher’s communication with his/her pupils affect how committed they are in climate and environmental issues. The paper concludes that the part of sustainable development education that concerns climate and the environment gives rise to a lot of feelings. It furthermore states that there is a connection between how the tuition is conducted and the emotions of the pupils. It is suggested that if a teacher acknowledges and addresses the feelings of the pupils respectfully, he/she may make use of the emotional aspects to strengthen the pupils ability to express their knowledge and commitment in the subject both in school and at home.