La quantité importante de ressources offertes par les grilles de calcul permet d'envisager la résolution de problèmes de plus en plus complexes. La programmation simple et efficace de tels environnements est un véritable défi. La plupart des travaux réalisés dans ce domaine ont visé à élaborer des modèles de programmation offrant une gestion efficace et transparente de la puissance de calcul offerte par les grilles de calcul. Toutefois, la gestion des données dans de telles infrastructures est comparativement rudimentaire. Elle reste à la charge des développeurs d'applications sur de nombreux aspects: localisation des données, cohérence, tolérance aux fautes, etc. La contribution de ce travail de doctorat est de spécifier le concept de service de partage de données pour grilles, afin d'intégrer aux modèles de programmation actuels un modèle d'accès transparent aux données. Notre proposition s'inspire essentiellement des systèmes à mémoire virtuellement partagée (MVP) et des systèmes pair-à-pair (P2P). Cette approche hybride a pour objectif de conserver les points forts des systèmes à MVP (transparence et gestion de la cohérence) grâce à une organisation fondée sur les points forts des systèmes P2P (passage à l'échelle et tolérance aux fautes). Afin de valider notre concept de service de partage de données, nous proposons une architecture appelée JuxMem (pour Juxtaposted Memory) ainsi qu'une implémentation s'appuyant sur la spécification P2P JXTA. Cette mise en oeuvre a été validée par son intégration dans deux modèles de programmation, utilisés pour concevoir les applications s'exécutant sur les grilles de calcul: le modèle Grid-RPC et les modèles à base de composants logiciels. Les bénéfices de notre approche ont été évalués à grande échelle sur la grille expérimentale Grid'5000. Ce manuscrit décrit également deux autres contributions qui se situent dans le contexte de l'utilisation de techniques P2P, pour la construction d'intergiciels destinés aux grilles de calcul. Au-delà de notre objectif premier, qui a été d'adapter JXTA pour permettre une mise en oeuvre efficace de notre service, ces contributions ont une portée plus générale. Elles concernent d'une part l'utilisation de la plate-forme P2P jxta sur les grilles de calcul et d'autre part à l'optimisation de ses couches de communication dans ce contexte particulier d'exécution.

De nombreuses applications de calcul haute performance requièrent une part importante de ressources. L'utilisation pour leur exécution de support de type cluster ou grille est alors intéressante. Cette thèse vise l'étude et la mise en place d'applications parallèles et séquentielles sur des grappes d'ordinateurs en assurant une gestion fine des ressources afin de définir une qualité de service prédéfinie. Elle aborde la modélisation du support d'exécution, l'expression des besoins des applications et enfin le placement. Deux approches sont proposées : un mode déterministe où tout ce qui s'exécute sur la machine est supposé contrôlé et un mode stochastique où une part de la charge des machines est inconnue. Toute application appartient à une des quatre classes de services définies ce qui détermine le niveau de qualité de service demandé. Des algorithmes de placement sont proposés sur un support de type cluster avec garantie de la qualité de service. Ils sont basés sur des simulations événementielles et des équations différentielles déduites de modèles markoviens. Une extension de l'algorithme au niveau grille est présentée. Les applications sont modélisées par un graphe de tâches communicantes. Les algorithmes ont été validés par simulation et sont intégrés dans un gestionnaire de ressources (AROMA scAlable Resources Manager and wAtcher). Un modèle économique simple est proposé permettant la facturation des clients.

La grille tient une place problématique dans l'histoire de l'art. Le critique y voit une structure abstraite, un signe pictural, une originalité recouvrant la rupture posée début xxème entre peinture et histoire. Or, le cubisme, sensément initial, se montre pluriel et perclus de résonances classiques. D'où, ressortent l'idée de charnière et la nécessité de définir d'abord la grille comme forme, possibilité de structure et qui peut faire sens. Mondrian retourne le tableau brunelleschien puis, fort de Braque, tente de mettre en phase représentation plane et plan de représentation. Par son œil, l'objet devient ainsi << division du mur» et, poussée l'outrance, la grille se réduit à un modèle architectural. Ceci dit, son ultime période suggère que la forme sait autrement répondre d'un modèle textile (le tressage). Matisse, lui, emprunte au tapis qui privilégiele nœud, le module, non la ligne. La grille textile revêt trois variantes, étrangères en termes d'extension et de processus. Le modèle architectural reconnaît ces versions. Un cas unique favorisant le nœud fait ressurgir un troisième modèle: cartographique. Sa variante nodale (le marteloire) se retrouve chez Mondrian (en écho à l'histoire de la peinture hollandaise) et chez Braque (sans plus de raison que formelle). La relation à l’œuvre d'art, propice au<< fictionnement », et son anachronisme expliquent la qualité anhistorique de la forme. Psychologie et anthropologie aidant, une stratégie émerge, permettant (selon certains critères dont le marteloire pour schème) de l'étudier à l’œuvre scientifiquement (non seulement pour document), tel un complexe production-réception duquel la rencontre se rejoue indéfiniment. / The grid occupies a problematic place in art history. Critics consider it as an abstract structure, a pictorial sign or an originality mirroring the division between painting and (hi)story that look place at the beginning of the XXth. But cubism, which supposedly came first, appears in fact to be plural and ridden with classical echoes. Hence the concept of hinge and the necessity of defining the grid as a form, above ali (a possibility of structure, and one thal can make sense). Mondrian first turns the brunelleschian picture and then, forcing Braque, tries to put in phase flat representation and plan of representation. Under his eye, the abject becomes "division of the wall" and, to extrapolate, the grid is reduced to an architectural madel. Nevertheless, his final period suggests thal form can actually answer to a textile madel (plaiting). As for Matisse, he paints from the carpe!, which relies on knots and modules rather than li nes. The textile grid takes three aspects thal are very different in terms of extension and process. The architectural madel follows these three aspects. Aunique case centered on the knot creates a third madel: cartographie. Ils nodal variant (the marte/aire) can be found in the works of Mondrian (as an echo of the history of Dutch painting) and Braque (for formai reasons only). The relation ta the work of art, thal permits "fictioning", and ils anachronic nature explain the ahistoric quality of the form. With the help of psychology and anthropology, a strategy appears thal (following several criteria, among which the marte/aire as a schema) allows to scientifically study it at work (not just as a document), as a production-reception complex.

Les semiconducteurs basés sur les nitrures III - N à large bande interdite présentent un intérêt croissant pour la recherche et le monde industriel. Parmi eux, les composants de puissance à base de nitrure de gallium constituent un domaine de recherche majeur de l'électronique à l'état solide pour les applications hyperfréquences. Les travaux décrits dans cette thèse correspondent à la conception et à la réalisation de transistors de puissance à haute mobilité pour l'amplification en bandes X et Ku (8-18 GHz). L'évolution continue des hétérostructures demande de constantes rétroactions avec le procédé technologique. Dans ce but, l'approche utilisée a consisté au développement et à l'optimisation des briques technologiques de base, associée à l'analyse physique indispensable à l'optimisation des choix technologiques. Une étude fine des contacts ohmique et Schottky a été entreprise. Une optimisation des conditions de réalisation des fossés de grille, du contact ohmique, des métallisations, du prétraitement de surface et de la nature du diélectrique de passivation a été nécessaire. L'ajout d'une électrode de champ a été étudiée afin d'améliorer davantage la tenue en tension des composants et minimiser l'impact des pièges de surface. Dans ce cadre, nous avons conçu et développé différentes topologies de plaque de champ. Plusieurs diélectriques innovants comme le nitrure de bore ont été testés afin d'établir les potentialités de ces transistors HEMTs à grille isolée. L'ensemble de cette technologie optimisée a été appliquée sur une couche HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si (001) et a permis d'établir un état de l'art en puissance à 10GHz pour cette nouvelle filière bas coût. / III-N based semiconductors due to their wide bandgap properties present more and more interest in research and industry. ln this frame, the microwave power devices based on gallium nitride constitute a major research field in electronics regarding solid state for microwave applications. The work described in this thesis is the design and the fabrication of high mobility power transistors for amplification in X and Ku band (8-18 GHz). The constantly improvement of epitaxies is correlated to a constant feedback with the technology. ln this way, the approach used in the development and optimization of base modules is associated to the physical analysis necessary to optimize the technological choices. A detailed study of Schottky and ohmic contacts is undertaken. An optimization of technological process conditions for gate recess, ohmic contact, the metallization, the surface pretreatment and the nature of the dielectric passivation was necessary. Fieldplate structure are also studied to further improve the withstanding voltage of components and minimize the impact of surface traps. ln this context, different fieldplate topologies are designed and developed. Several innovative dielectric material as boron nitride are tested to determine the capabilities of these insulated gate HEMTs transistors. The optimized process is applied to AlGaN/GaN HEMT on Si substrate (100) demonstrating a microwave power state-of-the-art at 10GHz for low-cost applications.

Ce travail de thèse s'inscrit dans le cadre des recherches avancées pour l'élaboration de la grille en silicium amorphe, pour les applications CMOS sub-0,1 µm. Cette étude a été menée sur la plate-forme de gravure du CNET, équipée de différents outils de caractérisation installés in situ. Dans un premier temps, nous avons développé un procédé de gravure à base de HBr/O2 permettant d'assurer une bonne anisotropie de gravure tout en ne générant aucun perçage de l'oxyde de grille très mince (< 2 nm). Au cours de l'optimisation de ce procédé, nous avons observé une augmentation de l'épaisseur de l'oxyde de grille. Grâce à différentes techniques d'analyses, nous avons montré que cette augmentation d'épaisseur est due à une oxydation et une amorphisation partielle du substrat de silicium sous l'oxyde de grille. Le deuxième volet de ce travail a porté sur une étude physico-chimique de la couche de passivation formée sur les flancs de la grille. Cette couche permet d'assurer l'anisotropie de gravure en bloquant toute gravure latérale. Par des analyses XPS, nous avons montré qu'elle se forme dès l'étape de gravure principale. Elle est constituée d'un 'sous' oxyde de silicium bromé. Pendant l'étape de surgravure, cette couche se densifie par substitution du brome par des atomes d'oxygène. Nous avons également montré que sa formation dépend fortement de la chimie utilisée, de l'énergie des ions, de la durée de la surgravure et de la dilution en oxygène. Des observations au microscope électronique à transmission ont révélé que cette couche est plus épaisse au sommet qu'au pied de la grille, favorisant ainsi l'apparition de défaut sous forme d'encoche au pied de la grille, le 'notching'.

Résumé indisponible / The objective of this thesis focuses on the study and the development of bioinformatics platforms and tools on the grid. The second objective is to develop applications in molecular epidemiology and metagenomics based on these tools and platforms. Based on the studies of existing bioinformatics platforms and tools, we propose our solution: a platform and a portal for molecular epidemiology and high throughput metagenomics on the grid. The main idea of ​​our platform is to simplify the submission of jobs to the grid via the pilots jobs (jobs generic that can control and launch many real tasks) and the PULL model (tasks are retrieved and executed automatically). There are other platforms that have similar approaches but our platform focuses on the simplicity and the saving time for the submission of jobs. Bioinformatics tools chosen to deploy the platform are popular tools that can be used in many bioinformatics analyses. We apply a workflow engine in the platform so that users can make the analysis easier. Our platform can be seen as a generalized system that can be applied to both the epidemiological surveillance and metagenomics of which two use cases are deployed and tested on the grid. The first use case is used to monitor bird flu. The approach of this application is to federate data sequences of influenza viruses and provide a portal with tools on the grid to analyze these data. The second use case is used to apply the power of the grid in the analysis of high throughput sequencing of amplicon sequences. In this case, we prove the efficiency of the grid by using our platform to gridifier an existing application, which has much less performance than the gridified version.

Cette thèse présente un ensemble d'objectifs dont le fil conducteur est le programme Décrypthon (projet tripartite entre l'AFM, le CNRS et IBM) où les applications et les besoins ont évolué au fur et à mesure de l'avancée de nos travaux. Dans un premier temps nous montrerons le rôle d'architecte que nous avons endossé pour la conception de la grille Décrypthon. Les ressources de cette grille sont supportées par les cinq universités partenaires (Bordeaux I, Lille I, ENS-Lyon, Pierre et Marie Curie Paris VI et Orsay), ainsi que le réseau RENATER (Réseau National de Télécommunications pour l'Enseignement et la Recherche), sur lequel est connecté l'ensemble des machines. Le Centre de ressources informatiques de Haute Normandie (CRIHAN) participe également au programme, il héberge les données volumineuses des projets scientifiques. Nous présenterons ensuite les expériences que nous avons effectuées sur l'intergiciel DIET afin de tester ses propriétés de façon à explorer sa stabilité dans un environnement à grande échelle comme Grid'5000. Nous nous sommes intéressés, en outre, au projet "Help Cure Muscular Dystrophy", un des projets sélectionnés par le programme Décrypthon. Nous avons conduit des expériences dans le but de préparer la première phase de calcul sur la grille de volontaires "World Community Grid". Nous dévoilerons l'ensemble des étapes qui ont précédées et suivies la première phase calculatoire qui a demandé quelques 80 siècles de temps processeur. Pour terminer, nous avons développé une fonctionnalité à l'intergiciel DIET, le rendant capable de gérer l'exécution de tâches ayant des dépendances. Nous nous sommes intéressés à développer des algorithmes prenant en compte plusieurs applications qui demandent l'accès aux mêmes ressources de manière concurrente. Nous avons validé cette fonctionnalité avec des applications issues des projets du programme Décrython. Ces travaux ont nécessité un développement logiciel important, d'une part sur les applications du Décrypthon elles-mêmes et sur leur portage afin de rendre transparente leur utilisation sur la grille Décrypthon, mais aussi au niveau de l'intergiciel DIET et son écosystème : DIET_Webboard, VizDIET, GoDIET, LogService, MA_DAG, etc. Les résultats présentés ont été obtenus sur trois grilles mises à notre disposition: la grille universitaire du Décrypthon, la grille d'internautes (World Community Grid) et la grille expérimentale Grid'5000.

Depuis plus de trente ans, la micro-électronique subit une évolution continue permettant de répondre à une demande croissante en terme de rapidité et de complexité des circuits intégrés. Cette évolution a été rendue possible grâce à la miniaturisation des composants, qui atteint aujourd'hui les limites physiques des matériaux utilisés en technologie CMOS. Parmi les nombreux problèmes et limitations liés à la réduction de la longueur de canal et de l'épaisseur de l'oxyde (effets de canal court, effets quantiques, déplétion de grille, claquage, quasi-claquage, SILC ¿), nous nous sommes centrés sur la structure PMOS (grille dopée bore), et en particulier sur la réduction de la pénétration du bore depuis la grille vers le substrat, responsable des instabilités de la tension de seuil, et sur l'amélioration de la fiabilité de l'isolant de grille ultra-mince, qui définit sa durée de vie. Un premier chapitre est consacré à une étude bibliographique portant sur les solutions technologiques actuelles répondant à ce problème, et il apparaît intéressant d'utiliser d'une part une grille déposée amorphe, et d'autre part d'introduire de l'azote à l'interface grille/oxyde. A partir de là, nous proposons une alternative technologique qui consiste à développer une grille de 200 nm d'épaisseur à base de silicium dopé azote (NIDOS) déposé amorphe à partir de disilane Si2H6 et d'ammoniac NH3. Un second chapitre concerne l'élaboration des films de NIDOS de 200nm, ainsi qu'à leur caractérisation électrique et mécanique. Nous montrons que la grille doit être composée d'une structure bi-couche comprenant 5nm de NIDOS et 195 nm de silicium afin de minimiser la résistivité totale de la grille. Dans un troisième chapitre, nous sommes intéressés au dopage bore par implantation ionique, et nous avons mis en évidence une forte réduction de la diffusion du bore dans les films de NIDOS. A partir de là, le NIDOS se présente comme une s olution intéressante afin de préserver l'intégrité de l'oxyde, et par là même la pénétration du bore dans le substrat. La fiabilité d'une structure capacitive polySi (P+)/NIDOS(5nm)/SiO2(4.5nm)/Si est étudiée dans un quatrième chapitre. Nous montrons électriquement d'une part le rôle de barrière à la diffusion du bore joué par le NIDOS et des résultats prometteurs en terme de tenue au claquage (Qbd=60C/cm_ à 0.1 A/cm_), et d'autre part des effets de déplétion de grille importants (>20%). Ce dernier point pourrait être amélioré en envisageant un recuit supplémentaire par RTP, ou bien en développant une grille dopée bore in-situ.

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Dans le procédé d'élaboration d'un transistor, la définition des motifs de grilles est une des étapes les plus dures à contrôler. Avec la miniaturisation des dispositifs, les spécifications définies pour la structuration des transistors se sont resserrées jusqu'à l'échelle du nanomètre. Ainsi, le Contrôle Dimensionnel(CD) et la rugosité de bord des lignes (LWR) sont devenus les paramètres les plus importantes à contrôler. Précédemment, pour atteindre les objectifs définis pour les précédentes technologies CMOS, des traitements post-lithographiques tels que les traitements plasma à base d’HBr ont été introduits pour améliorer la résistance des résines aux plasmas de gravure et minimiser la rugosité des motifs de résine avant leur transfert dans l’empilement de grille. Cependant, ces méthodes conventionnelles ne sont plus satisfaisantes pour atteindre les spécifications des nœuds avancés 14FDSOI, qui font intervenir des schémas complexes d’intégration de motifs. Dans ces travaux, les limitations des traitements plasma HBr pour réaliser des motifs de grille bidimensionnels comme définis par les règles de dessin ont été mises en évidence. . En effet, il s’avère que les traitements par plasma HBr sont responsables d'un déplacement local du motif de grille, qui entraine sur le produit final une perte de rendement. Des résultats préliminaires montrent que le retrait de cette étape de traitement améliore le phénomène de décalage des grilles, au détriment de la rugosité des motifs de résines. En effet, les résines non traités par plasma subissent d’importantes contraintes lors de l’ étape de gravure SiARC en plasma fluorocarbonnés, ce qui génère une nette augmentation de la rugosité de la résine qui se transfère par la suite dans les couches actives du dispositif. Dans cette thèse, j’ai étudié les mécanismes de dégradation des résines dans des plasmas fluorocarbonés. Cette compréhension a abouti au développement d’une nouvelle chimie de gravure plasma de la couche de SiARC qui limite la dégradation des résines. De plus, j’ai évalué comment le procédé complet de gravure de grille métallique peut être amélioré pour éliminer la rugosité et la déformation des motifs en travaillant sur chacune des étapes impliquées. Le but de cette étude est d’identifier les étapes de gravure ayant un rôle dans la rugosité finale de la grille. Mes travaux montrent que l'ajout des étapes de nitruration limite la dégradation du profil de grille et de la rugosité des flancs. Au contraire, la microstructure du film de TiN ainsi que les procédés de gravure de grille métal n'ont pas d'impact sur la rugosité finale du dispositif. Le transfert du motif de grille lors des étapes de gravure du masque dur reste toujours le principal contributeur de la rugosité finale de grille. / In a transistor manufacturing process, patterning is one of the hardest stages to control. Along with downscaling, the specifications for a transistor manufacturing have tightened up to the nanometer scale. Extreme metrology and process control are required and Critical Dimension Uniformity (CDU) and Line Width Roughness (LWR) have become two of the most important parameters to control.So far, to meet the requirements of the latest CMOS technologies, post-lithography treatments such as plasma cure treatments have been introduced to increase photo-resist stability and to improve LWR prior to pattern transfer. However, conventional post-lithography treatments are no more efficient to address the specifications of14nm gate patterning where more complicated designs are involved.In this work, we have studied limitations of cure pretreatments in 2D gate integrations. In fact, the HBr plasma post-lithography treatment was identified as being responsible of a local pattern shifting that result in a loss of the device’s electrical performance. Preliminary results show that, cure step removal helps to control pattern shifting but to the detriment of the LWR. Indeed, if no cure treatment is introduced in the gate patterning process flow, photoresist patterns undergo severe stress during the subsequent Si-ARC plasma etching in fluorocarbon based plasmas. In this work, the mechanisms that drive such resist degradation in fluorocarbon plasmas have been studied and improved SiARC etch process condition shave been proposed. Besides, we evaluate how the state-of-art gate etch process can be improved, by investigating the impact of each plasma etching step involved in the high-K metal gate patterning on both LWR and gate shifting. The goal of this study is to determine if the TiN metal gate roughness can be modified by changing the gate etch process conditions. Our research reveals that addition of N2 flash steps prevents from gate profile degradation and sidewall roughening. In revenge, the TiN microstructure as well as the HKMG etch process has no impact on the gate final roughness. The hard mask patterning process remains the main contributor for gate roughening.