La gravure chimique par voie humide des matériaux est toujours utilisée dans certaines étapes spécifiques des procédés de fabrication de transistors pour la microélectronique. Cette gravure est effectuée en présence de masques de résine photosensible, qui définissent les zones à protéger de l'attaque chimique. Une des difficultés rencontrées lors de cette étape technologique est la dégradation du masque en résine et de l'interface résine/matériau à graver, qui entraine un endommagement du matériau sous-jacent. L'objectif de cette thèse est d'étudier les dégradations occasionnées lors de la gravure humide par une solution chimique de type SC1 (NH4OH/H2O2/ H2O) de la grille métallique TiN / Al / TiN d'un transistor pMOS pour les nœuds technologiques 28nm et inférieurs. Dans notre étude, l'empilement protégeant la grille métallique est constitué d'une bicouche résine photosensible à 248nm / revêtement antireflectif développable (dit dBARC). Une première partie du travail a consisté à mener une étude phénoménologique des facteurs impactant l'adhésion des polymères sur le TiN, et a mis en évidence la forte influence de l'état de surface du film de TiN avant l'étape de lithographie, et notamment son vieillissement. Une seconde partie a consisté à étudier les différentes solutions permettant une amélioration de la tenue des polymères à la gravure SC1. Il a été montré que si aucun traitement de surface du TiN ne permettait d'améliorer cette adhésion, une augmentation de la température de recuit du dBARC permettait quant à elle d'accroitre le greffage du carbone sur la couche de TiN et donc la tenue à la gravure de tout l'empilement. Enfin, une troisième étude a permis de mettre en évidence l'endommagement de la surface de TiN par diffusion du SC1 dans l'empilement dBARC / résine, et de proposer un mécanisme expliquant ce phénomène. La réalisation d'un dispositif expérimental de mesure, innovant, basé sur la spectroscopie infrarouge en mode de réflexions internes multiples (MIR) a par ailleurs permis de caractériser cette diffusion des espèces chimiques dans l'empilement polymérique et d'étudier les facteurs l'impactant. / Materials wet etching is still used in some specific steps of the transistors manufacturing process in microelectronics. This etching is performed in the presence of photoresist masks that define the areas to be protected from the chemical etchants. One of the major problems encountered during this technology step is the degradation of both photoresist patterns and the photoresist / material interface, which leads to the underlying material's damaging. The goal of this thesis is to study these degradations, during the wet etching of the TiN / Al / TiN metal gate of a pMOS transistor using a SC1 chemical solution (NH4OH/H2O2/ H2O), for sub-28 nm technology nodes. In our study, the stack that protects the metal gate is a bilayer with a 248 nm photoresist and a developable anti-reflective coating (or dBARC). The first part of our work was to lead a phenomenology study of the various parameters impacting the polymers adhesion on TiN. It showed the strong influence of the TiN surface state before lithography, especially its ageing. In a second part, we studied various solutions to improve the polymers stack adhesion during the SC1 etching. No TiN surface treatment could enhance this adhesion, but we found that increasing the dBARC bake temperature lead to an increase of carbon grafting on TiN, which thus gave a better resistance of photoresist patterns to SC1 etching. Then in a third part, we highlighted the TiN surface damaging after SC1 diffusion through the resist bilayer and proposed a mechanism explaining this phenomenon. We also developed an innovative experimental device based on infrared spectroscopy in the Multiple Internal Reflections (MIR) mode to characterize the diffusion of chemical etchants in the polymers stack, and study the various parameters that may impact it.

Depuis ses débuts, l’industrie de la microélectronique s’est fixé comme objectif d’augmenter les performances et la densité des circuits, en suivant la loi de Moore. Ainsi, depuis la commercialisation du premier circuit en 1971, les industriels se sont atteler à miniaturiser les transistors, ce qui améliore automatiquement leurs performances. Cela dit, à partir du nœud 28nm, l’électrostatique est devenue très difficile à contrôler, et de nouvelles architectures de transistor, tel que le FDSOI est proposée par STMicroelectronics pour remédier à cette problématique. Les dégradations par effets d’antenne, qui apparaissent lors des procédés plasma, provoque la dégradation de l’oxyde de grille des composants, et peuvent ainsi induire la perte des avantages offerts par cette nouvelle technologie. Dans ce contexte, l’évaluation de l’impact de ce phénomène sur le comportement électrique des transistors en technologie FDSOI est clé. Cela représente l’objectif principal de cette thèse. Tout d’abord, un protocole expérimental a été défini, basé sur des techniques de caractérisation des procédés plasma (structures d’antenne), et sur la caractérisation de la dégradation de l’oxyde de grille. Ensuite, un nouveau mode d’écoulement des charges durant les étapes plasma, spécifique à cette nouvelle technologie est proposé. Le comportement des principaux mécanismes de dégradation par effet d’antenne est aussi investigué. Le premier, est lié à la nonuniformité locale du plasma entre les nœuds du transistor, qui induit des dégradations de type porteurs chauds. Le second, est lié à la topographie des antennes, qui cause des effets d’ombrage électronique, et donc des déséquilibre en courant entre les nœuds du transistor. Enfin, un modèle basé sur un simulateur de circuit ELDO ®, et qui permet de reproduire le comportement de ce phénomène dans la technologie FDSOI est proposé. Ce dernier tient compte des caractéristiques des structures d’antenne ainsi que des paramètres plasma. Diverses solutions sont par la suite proposées pour réduire les tensions d’antenne, basées notamment sur des simulations modèles pour optimiser les paramètres des procédés plasma. Des solutions de prévention dès la conception des circuits sont aussi proposées. / Since its beginning, the microelectronic industry is aiming to increase the circuits performance and density, following Moore’s law. Hence, since the commercialization of the first circuit in 1971, the industry focuses on the transistor dimensions reduction, which improve the device performances. But, starting from the 28nm technological node, the electrostatic has become very difficult to control, and new device structure, such as the FDSOI, is proposed by STMicroelectronics to resolve this issue. The antenna effects, which occur during plasma processes, induce gate oxide damages, which can lead to the loss of those new technology benefits. In this context, the analysis of this phenomenon on the electrical behavior of FDSOI devices is key. This is the main objective of this work. First, an experimental protocol is defined, based on plasma processes characterization technique (antenna structures), and gate oxide damage characterization. Then, a charging flow mode specific to this new technology is proposed. The mechanisms linked to the antenna damages are also investigated. The first mechanism is linked to the plasma local nonuniformity between the device nodes, which induces a stress mode similar to hot carrier injection. The second mechanism is related to the antenna topography, which generates electron shading effect, thus promoting an electrical imbalance between the device nodes. Finally, a model based on the simulator circuit ELDO ®, which allows reproducing the behavior of this phenomenon on the FDSOI technology is proposed. This model takes into account the antenna structure characteristics and the plasma parameters. Based on the model simulations, various solutions to reduce the antenna voltages are proposed. Prevention rules during the circuit design were also proposed and implemented.

Les semiconducteurs composés III-V, et en particulier l’InGaAs, sont considéréscomme une alternative attractive pour remplacer le Silicium (Si) habituellement utilisépour former le canal dans les dispositifs Métal-Oxide-Semiconducteur (MOS). Sa hautemobilité électronique et sa bande interdite modulable, des paramètres clés pourl’ingénierie de dispositifs à haute performance, ont fait de l’InGaAs un candidatprometteur. Cependant, la stabilité thermique et la chimie des interfaces desdiélectriques high-k sur InGaAs est beaucoup plus complexe que sur Si. Tandis que laplupart des études se concentrent sur diverses méthodes de passivation, telles que lacroissance de couches passivantes d’interface (Si, Ge, et Si/Ge) et/ou le traitementchimique afin d’améliorer la qualité de l’interface high-k/InGaAs, les phénomènes telsque la diffusion d’espèces atomiques provenant du substrat dus aux traitementsthermiques n’ont pas été étudiés attentivement. Les traitements thermiques liés auxprocédés d’intégration de la source (S) et du drain (D) induisent des changementsstructurels qui dégradent les performances électriques du dispositif MOS. Unecaractérisation adaptée des altérations structurelles associées à la diffusion d’élémentsdepuis la surface du substrat est importante afin de comprendre les mécanismes defaille. Dans ce travail, une analyse de la structure ainsi que de la stabilité thermiquedes couches TiN/ZrO2/InGaAs par spectroscopie de photoélectrons résolue en angle(ARXPS) est présentée. Grâce à cette méthode d’analyse non destructive, il a étépossible d’observer des effets subtils tels que la diffusion d’espèces atomiques àtravers la couche diélectrique due au recuit thermique. A partir de la connaissance dela structure des couches, les profils d’implantation d’In et de Ga ont pu être estiméspar la méthode des scenarios. L’analyse de l’échantillon avant recuit thermique apermis de localiser les espèces In-O et Ga-O à l’interface oxide-semiconducteur. Aprèsrecuit, les résultats démontrent de façon quantitative que le recuit thermique cause ladiffusion de In et Ga vers les couches supérieures. En considérant différents scénarios,il a pu être démontré que la diffusion d’In et de Ga induite par le recuit atteint lacouche de TiO2. Dans le cas où l’échantillon est recuit à 500 °C, seule la diffusion d’Inest clairement observée, tandis que dans le cas où l’échantillon est recuit à 700 °C, onobserve la diffusion d’In et de Ga jusqu’à la couche de TiO2. L’analyse quantitative~ viii ~montre une diffusion plus faible de Gallium (~ 0.12 ML) que d’Indium (~ 0.26 ML) à 700°C /10 s. L’analyse quantitative en fonction de la température de recuit a permisd’estimer la valeur de l’énergie d’activation pour la diffusion d’Indium à travers leZircone. La valeur obtenue est très proche des valeurs de diffusion de l’Indium àtravers l’alumine et l’hafnia précédemment rapportées. Des techniquescomplémentaires telles que la microscopie électronique en transmission à hauterésolution (HR-TEM), la spectroscopie X à dispersion d’énergie (EDX) et laspectrométrie de masse à temps de vol (TOF-SIMS) ont été utilisés pour corréler lesrésultats obtenus par ARXPS. En particulier, la TOF-SIMS a révélé le phénomène dediffusion des espèces atomiques vers la surface. / III-V compound semiconductors, in particular InGaAs, are considered attractivealternative channel materials to replace Si in complementary metal-oxidesemiconductor(MOS) devices. Its high mobility and tunable band gap, requirementsfor high performance device design, have placed InGaAs as a promising candidate.However, the interfacial thermal stability and chemistry of high-k dielectrics on InGaAsis far more complex than those on Si. While most studies are focused on variouspassivation methods, such as the growth of interfacial passivation layers (Si, Ge, andSi/Ge) and/or chemical treatments to improve the quality of high-k/InGaAs interface,phenomena such as the out-diffusion of atomic species from the substrate as aconsequence of the thermal treatments have not been carefully studied. The thermaltreatments, which are related with integration processes of source and drain (S/D),lead to structural changes that degrade the electrical performance of the MOS device.A proper characterization of the structural alterations associated with the out-diffusionof elements from the substrate is important for understanding failure mechanisms. Inthis work it is presented an analysis of the structure and thermal stability ofTiN/ZrO2/InGaAs stacks by angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS).Through a non-destructive analysis method, it was possible to observe subtle effectssuch as the diffusion of substrate atomic species through the dielectric layer as aconsequence of thermal annealing. The knowledge of the film structure allowed forassessing the In and Ga depth profiles by means of the scenarios-method. For the asdeposited sample, In-O and Ga-O are located at the oxide-semiconductor interface. Byassuming different scenarios for their distribution, it was quantitatively shown thatannealing causes the diffusion of In and Ga up to the TiO2 layer. For the sampleannealed at 500 °C, only the diffusion of indium was clearly observed, while for thesample annealed at 700 °C the diffusion of both In and Ga to the TiO2 layer wasevident. The quantitative analysis showed smaller diffusion of gallium (~ 0.12 ML) thanof indium (~ 0.26 ML) at 700 °C/10 s. Since the quantification was done at differenttemperatures, it was possible to obtain an approximate value of the activation energyfor the diffusion of indium through zirconia. The value resulted to be very similar topreviously reported values for indium diffusion through alumina and through hafnia.~ vi ~Complementary techniques as high resolution transmission electron microscopy (HRTEM),energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) and time of flight secondary ion massspectrometry (TOF-SIMS) were used to complement the results obtained with ARXPS.Specially, TOF-SIMS highlighted the phenomenon of diffusion of the substrate atomicspecies to the surface. / Compuestos semiconductores III-V, en particular InxGa1-xAs, son consideradosmateriales atractivos para reemplazar el silicio en estructuras metal-oxidosemiconductor(MOS). Su alta movilidad y flexible ancho de banda, requisitos para eldiseño de dispositivos de alto rendimiento, han colocado al InxGa1-xAs como uncandidato prometedor. Sin embargo, la estabilidad térmica en la interfazdieléctrico/InxGa1-xAs es mucho más compleja que aquella formada en la estructuraSiO2/Si. Mientras que la mayoría de los estudios se centran en diversos métodos depasivación tales como el crecimiento de las capas intermedias (Si, Ge y Si/Ge) y/otratamientos químicos para mejorar la calidad de la interfaz, fenómenos como ladifusión de las especies atómicas del sustrato como consecuencia del recocido no hansido cuidadosamente estudiados. Los tratamientos térmicos, los cuales estánrelacionados con los procesos de integración de la fuente y el drenador (S/D) en undispositivo MOSFET, conducen a cambios estructurales que degradan el rendimientoeléctrico de un dispositivo MOS. Una caracterización apropiada de las alteracionesestructurales asociadas con la difusión de los elementos del substrato hacia las capassuperiores es importante para entender cuáles son los mecanismos de falla en undispositivo MOS. En este trabajo se presenta un análisis de la estructura y laestabilidad térmica de la estructura TiN/ZrO2/InGaAs por la espectroscopía defotoelectrones por rayos X con resolución angular (ARXPS). A través de un método deanálisis no destructivo, fue posible observar efectos sutiles tales como la difusión delas especies atómicas del sustrato a través del dieléctrico como consecuencia delrecocido. El conocimiento detallado de la estructura permitió evaluar los perfiles deprofundidad para las componentes de In-O y Ga-O por medio del método deescenarios. Para la muestra en estado como se depositó, las componentes de In-O yGa-O fueron localizadas en la interfaz óxido-semiconductor. Después del recocido, semuestra cuantitativamente que éste causa la difusión de átomos de In y Ga hacia a lascapas superiores. Asumiendo diferentes escenarios para su distribución, se muestraque el recocido provoca la difusión de In y Ga hasta la capa de TiO2. Para la muestrarecocida a 500 °C, se observó claramente la difusión de indio, mientras que para lamuestra recocida a 700 °C tanto In y Ga difunden a la capa de TiO2. El análisis~ iv ~cuantitativo mostró que existe menor difusión de átomos de galio (0.12 ML) que deindio (0.26 ML) a 700 °C/10 s. Puesto que el análisis sobre la cantidad de materialdifundido se realizó a diferentes temperaturas, fue posible obtener un valoraproximado para la energía de activación del indio a través del ZrO2. El valor resultóser muy similar a los valores reportados previamente para la difusión de indio a travésde Al2O3 y a través de HfO2. Con el fin de correlacionar los resultados obtenidos porARXPS, se emplearon técnicas complementarias como la microscopía electrónica detransmisión (TEM), la espectroscopía de energía dispersiva (EDX) y la espectrometríade masas de iones secundarios por tiempo de vuelo (SIMS-TOF). Particularmente, TOFSIMSdestacó el fenómeno de difusión de las especies atómicas sustrato hacia lasuperficie.

Depuis plus d'un demi-siècle, le monde de la microélectronique est rythmé par une course à la miniaturisation de son élément central, le transistor MOS, dans le but d'améliorer la densité d'intégration, les performances et le coût des circuits électroniques intégrés. Depuis plusieurs générations technologiques maintenant, la simple réduction des dimensions du transistor n'est plus suffisante et de nouveaux modules technologiques (utilisation de la contrainte, empilement de grille high-k/métal…) ont du être mis en place. Cependant, le transistor MOS conventionnel, même optimisé, ne suffira bientôt plus à répondre aux attentes toujours plus élevées des nouvelles technologies. De nouvelles architectures doivent alors être envisagées pour épauler puis, à terme, remplacer la technologie BULK. Dans ce contexte, cette thèse porte sur l'étude, la fabrication et la caractérisation électrique des architectures à film mince que sont le SOI localisé (ou LSOI) et le double grille planaire à grille enrobante (ou GAA). Les résultats obtenus mettent ainsi en évidence l'intérêt de ces dispositifs qui permettent une réduction du courant de fuite (et donc de la consommation), un excellent contrôle des effets électrostatiques et fonctionnent sans dopage canal (faible variabilité) tout en proposant de très bonnes performances statiques. L'impact d'une orientation de substrat (110) sur les propriétés de transport dans les transistors LSOI est également étudié. Ce travail de thèse garde comme ligne de mire la réalisation d'une plateforme basse consommation complète, impliquant une éventuelle intégration hybride avec des dispositifs BULK et la possibilité d'offrir plusieurs niveaux de tension de seuil, le tout sur une même puce. / For more than 50 years, microelectronic industry is driven by a race to the miniaturisation of its central element, the MOS transistor, to improve the integration density, the performances and the cost of the electronic integrated circuits. Since the adoption of 100nm node, the only reduction of the dimensions of the transistor is no more sufficient and new technological modules (use of strain, high-k/metal gatestack…) have been introduced. However, conventional MOSFET, even opimized, will soon be unable to reach the specifications, always higher, of new technologies. Then, new structures should be considered to help and, finally, to replace the BULK technology. In this context, the work concerns the study, the fabrication and the electrical characterization of the thin film devices : Localized-SOI (LSOI) and planar gate-all-around (GAA). The obtained resultats point out the interest of such devices which allow the reduction of the leakage current (and thus the consumption), an excellent control of electrostatics and are able to work with an undoped channel while offering very good static performances. Impact of (110) substrates on transport properties in LSOI transistors is also studied. This work focuses on the integration of a full low-power platform, what induces the possibility of an hybrid integration with BULK devices and to offer several threshold voltages, everything on the same chip.

Le passage de l'échelle des nouvelles plates-formes de calcul parallèle et distribué soulève de nombreux défis scientifiques. À terme, il est envisageable de voir apparaître des applications composées d'un milliard de processus exécutés sur des systèmes à un million de coeurs. Cette augmentation fulgurante du nombre de processeurs pose un défi de résilience incontournable, puisque ces applications devraient faire face à plusieurs pannes par jours. Pour assurer une bonne exécution dans ce contexte hautement perturbé par des interruptions, de nombreuses techniques de tolérance aux pannes telle que l'approche de sauvegarde et reprise (checkpoint) ont été imaginées et étudiées. Cependant, l'intégration de ces approches de tolérance aux pannes dans le couple formé par l'application et la plate-forme d'exécution soulève des problématiques d'optimisation pour déterminer le compromis entre le surcoût induit par le mécanisme de tolérance aux pannes d'un coté et l'impact des pannes sur l'exécution d'un autre coté. Dans la première partie de cette thèse nous concevons deux modèles de performance stochastique (minimisation de l'impact des pannes et du surcoût des points de sauvegarde sur l'espérance du temps de complétion de l'exécution en fonction de la distribution d'inter-arrivées des pannes). Dans la première variante l'objectif est la minimisation de l'espérance du temps de complétion en considérant que l'application est de nature préemptive. Nous exhibons dans ce cas de figure tout d'abord une expression analytique de la période de sauvegarde optimale quand le taux de panne et le surcoût des points de sauvegarde sont constants. Par contre dans le cas où le taux de panne ou les surcoûts des points de sauvegarde sont arbitraires nous présentons une approche numérique pour calculer l'ordonnancement optimal des points de sauvegarde. Dans la deuxième variante, l'objectif est la minimisation de l'espérance de la quantité totale de temps perdu avant la première panne en considérant les applications de nature non-préemptive. Dans ce cas de figure, nous démontrons tout d'abord que si les surcoûts des points sauvegarde sont arbitraires alors le problème du meilleur ordonnancement des points de sauvegarde est NP-complet. Ensuite, nous exhibons un schéma de programmation dynamique pour calculer un ordonnancement optimal. Dans la deuxième partie de cette thèse nous nous focalisons sur la conception des stratégies d'ordonnancement tolérant aux pannes qui optimisent à la fois le temps de complétion de la dernière tâche et la probabilité de succès de l'application. Nous mettons en évidence dans ce cas de figure qu'en fonction de la nature de la distribution de pannes, les deux objectifs à optimiser sont tantôt antagonistes, tantôt congruents. Ensuite en fonction de la nature de distribution de pannes nous donnons des approches d'ordonnancement avec des ratios de performance garantis par rapport aux deux objectifs. / The parallel computing platforms available today are increasingly larger. Typically the emerging parallel platforms will be composed of several millions of CPU cores running up to a billion of threads. This intensive growth of the number of parallel threads will make the application subject to more and more failures. Consequently it is necessary to develop efficient strategies providing safe and reliable completion for HPC parallel applications. Checkpointing is one of the most popular and efficient technique for developing fault-tolerant applications on such a context. However, checkpoint operations are costly in terms of time, computation and network communications. This will certainly affect the global performance of the application. In the first part of this thesis, we propose a performance model that expresses formally the checkpoint scheduling problem. Two variants of the problem have been considered. In the first variant, the objective is the minimization of the expected completion time. Under this model we prove that when the failure rate and the checkpoint cost are constant the optimal checkpoint strategy is necessarily periodic. For the general problem when the failure rate and the checkpoint cost are arbitrary we provide a numerical solution for the problem. In the second variant if the problem, we exhibit the tradeoff between the impact of the checkpoints operations and the lost computation due to failures. In particular, we prove that the checkpoint scheduling problem is NP-hard even in the simple case of uniform failure distribution. We also present a dynamic programming scheme for determining the optimal checkpointing times in all the variants of the problem. In the second part of this thesis, we design several fault tolerant scheduling algorithms that minimize the application makespan and in the same time maximize the application reliability. Mainly, in this part we point out that the growth rate of the failure distribution determines the relationship between both objectives. More precisely we show that when the failure rate is decreasing the two objectives are antagonist. In the second hand when the failure rate is increasing both objective are congruent. Finally, we provide approximation algorithms for both failure rate cases.

Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistors vont nous permettre d’augmenter la densité d’intégration et de réaliser de nouvelles fonctionnalités (par exemple : des interconnections reconfigurables) dans les zones froides d’un circuit intégré. La thèse proposée se déroulera dans le cadre d'une collaboration entre le laboratoire LTM-CNRS et le laboratoire SiNaPS du CEA/INAC/SP2M et utilisera la Plateforme Technologique Amont (PTA) au sein du pôle MINATEC. / The goal of this thesis is to build and characterize nanowire based field-effect-transistors. These FET will have either back or wrapping gate using standard CMOS process. Theses transistors will allow us to increase the integration density in back end stages of IC's fabrication and add new functionnalities suc as reconfigurable interconnections. The thesis will be done in collaboration between LTM/CNRS and CEA/INAC/SP2M/SiNaPS laboratories using the PTA facilities located in MINATEC.

Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramètres de la technologie 32/28nm. Ces résultats ont été reliés à une variation de travail de sortie au vide du TiN, à des dipôles induits par l'Al et le La à l'interface HfSiON/SiON et à leur diminution aux petites épaisseurs de SiON (roll-off). Nous avons montré que l'aluminium déposé sous forme métallique dans le TiN cause une diminution de son travail de sortie, opposée au faible dipôle positif induit par l'Al. Nous avons évalué l'influence du roll-off pour ces différents métaux et mis en évidence pour la première fois sa forte dépendance avec l'épaisseur de lanthane déposée. Le développement de procédés de dépôt de TiN, Al, La a permis d'accroître les bénéfices de ces matériaux pour la technologie CMOS 32/28nm. / This thesis is about the manufacturing and the characterization of TiN, aluminum and lanthanum metal gate for high-k based 32/28nm CMOS technologies. The effect of metal gate layer thickness and composition has been characterized on 32/28nm technology parameters. These results have been related to a change in the TiN vacuum work function, to Al- and La- induced dipoles at the HfSiON/SiON interface or their lowering on thin SiON (roll-off). We have shown that metallic aluminum introduced in the TiN metal gate causes a work function lowering, opposed to the weak Al-induced dipole. We have evaluated the roll-off influence for theses different metals. For the first time we report the strong roll-off dependence with the deposited lanthanum thickness. Newly developed TiN, Al, La deposition processes have brought benefits for the CMOS 32/28nm technology

Dans le domaine des systèmes distribués et du calcul haute performance, la validation expérimentale est de plus en plus utilisée par rapport aux approches analytiques. En effet, celles-ci sont de moins en moins réalisables à cause de la complexité grandissante de ces systèmes à la fois au niveau logiciel et matériel. Les chercheurs doivent donc faire face à de nombreux challenges lors de la réalisation de leurs expériences rendant le processus coûteux en ressource et en temps. Bien que de larges plateformes parallèles et technologies de virtualisation existent, les expérimentations sont, pour la plupart du temps, limitées en taille. La difficulté de passer une expérimentation à l'échelle représente un des grands facteurs limitant. Le niveau technique nécessaire pour mettre en place un environnement expérimentale approprié ne cesse d'augmenter pour suivre les évolutions des outils logiciels et matériels de plus en plus complexes. Par conséquent, les chercheurs sont tentés d'utiliser des méthodes ad-hoc pour présenter des résultats plus rapidement et pouvoir publier. Il devient alors difficile d'obtenir des informations sur ces expérimentations et encore plus de les reproduire.Une palette d'outils ont été proposés pour traiter cette complexité lors des expérimentations. Ces outils sont motivés par le besoin de fournir et d'encourager des méthodes expérimentales plus construites. Cependant, ces outils se concentrent principalement sur des scénarios très simple n'utilisant par exemple qu'un seul noeud ou client/serveur. Dans le contexte des systèmes distribués et du calcul haute performance, l'objectif de cette thèse est de faciliter la création d'expériences, de leur contrôle, répétition et archivage.Dans cette thèse nous proposons deux outils pour mener des expérimentations nécessitant une pile logicielle complexe ainsi qu'un grand nombre de ressources matérielles. Le premier outil est Expo. Il permet de contrôler efficacement la partie dynamique d'une expérimentation, c'est à dire l'enchaînement des tests expérimentaux, la surveillance des taches et la collecte des résultats. Expo dispose d'un langage de description qui permet de mettre en place une expérience dans un contexte distribué avec nettement moins de difficultés. Contrairement aux autres approches, des tests de passage à l'échelle et scénarios d'usage sont présentés afin de démontrer les avantages de notre approche. Le second outil est appelé Kameleon. Il traite les aspects statiques d'une expérience, c'est à dire la pile logicielle et sa configuration. Kameleon est un logiciel qui permet de décrire et contrôler toutes les étapes de construction d'un environnement logiciel destiné aux expérimentations. La principale contribution de Kamelon est de faciliter la construction d'environnements logiciels complexes ainsi que de garantir de futur reconstructions. / In the field of Distributed Systems and High Performance Computing experimental validation is heavily used against an analytic approach which is not feasible any more due to the complexity of those systems in terms of software and hardware.Therefore, researchers have to face many challenges when conducting their experiments, making the process costly and time consuming. Although world scale platforms exist and virtualization technologies enable to multiplex hardware, experiments are most of the time limited in size given the difficulty to perform them at large scale.The level of technical skills required for setting up an appropriate experimental environment is risen with the always increasing complexity of software stacks and hardware nowadays. This in turn provokes that researchers in the pressure to publish and present their results use ad hoc methodologies.Hence, experiments are difficult to track and preserve, preventing future reproduction. A variety of tools have been proposed to address this complexity at experimenting. They were motivated by the need to provide and encourage a sounder experimental process, however, those tools primary addressed much simpler scenarios such as single machine or client/server. In the context of Distributed Systems and High Performance Computing, the objective of this thesis is to make complex experiments, easier to perform, to control, to repeat and to archive. In this thesis we propose two tools for conducting experiments that demand a complex software stack and large scale. The first tool is Expo that enable to efficiently control the dynamic part of an experiment which means all the experiment workflow, monitoring of tasks, and collection of results.Expo features a description language that makes the set up of an experiment withdistributed systems less painful. Comparison against other approaches, scalability tests anduse cases are shown in this thesis which demonstrate the advantage of our approach.The second tool is called Kamelon which addresses the static part of an experiment,meaning the software stack and its configuration.Kameleon is a software appliance builderthat enables to describe and control all the process ofconstruction of a software stack for experimentation.The main contribution of Kameleon is to make easy the setup of complex software stacks andguarantee its post reconstruction.

Les travaux de recherche présentés dans cette thèse portent sur le problème de la perception de l’environnement en milieu urbain, complexe et dynamique et ce en présence de mesures extéroceptives bruitées et incomplètes obtenues à partir decapteurs embarqués. Le problème est formalisé sous l’angle de la fusion de données capteurs à l’aide d’une représentation spatiale de l’environnement. Ces travaux ont été réalisés pour la navigation autonome de véhicules intelligents dans le cadre du projet national ANR CityVIP. Après avoir considéré les principaux formalismes de modélisation de l’incertitude, un système de fusion de grilles spatio-référencées gérant l’incertitude avec des fonctions de croyances est étudié. Ce système est notamment capable de fusionner les mesures d’un lidar multi-nappes et multi-échos, obtenues à différents instants pour construire une carte locale dynamique sous la forme discrète d’une grille d’occupation évidentielle.Le principal avantage des fonctions de croyance est de représenter de manière explicite l’ignorance et ne nécessite donc pas d’introduire d’information à priori non fondée. De plus, ce formalisme permet d’utiliser facilement l’information conflictuelle pour déterminer la dynamique de la scène comme par exemple les cellules en mouvement. Le formalisme de grilles d’occupation évidentielles est présenté en détails et un modèle de capteur lidar multi-nappes et multi-echos est ensuite proposé. Deux approches de fusion séquentielle multi-grilles sont étudiées selon les paradigmes halocentréet égo-centré. Enfin, l’implémentation et les tests expérimentaux des approches sont décrits et l’injection d’informations géographiques connues a priori est étudiée. La plupart des travaux présentés ont été implémentés en temps réel sur un véhicule du laboratoire et de nombreux tests en conditions réelles ont été réalisés avec une interface d’analyse de résultat utilisant une rétro-projection dans une image grand angle. Les résultats ont été présentés dans 5 conférences internationales [Moras et al., 2010, Moras et al., 2011a, Moras et al., 2011b, Moras et al., 2012, Kurdej et al., 2012] etle système expérimental a servi à la réalisation de démonstrations officielles dans le cadre du projet CityVIP à Paris et lors de la conférence IEEE Intelligent Vehicles Symposium 2011 en Allemagne. / The research presented in this thesis focuses on the problem of the perception of the urban environment which is complex and dynamic in the presence of noisy and incomplete exteroceptive measurements obtained from on-board sensors. The problem is formalized in terms of sensor data fusion with a spatial representation of the environment. This work has been carried out for the autonomous navigation of intelligent vehicles within the national project ANR CityVIP. After having considered various formalisms to represent uncertainty, a fusion of spatio-referenced grids managing uncertainty with belief functions is studied. This system is capable of merging multi-layers and multi-echoes lidar measurements, obtainedat different time indexes to build a dynamic local map as a discrete evidential occupancy grid. The main advantages of belief functions are, firstly, to represent explicitly ignorance, which reduces the assumptions and therefore avoid introducing wrong a priori information and, secondly, to easily use conflicting information to determine the dynamics of the scene such as movements of the cells. The formalism of evidential occupancy grids is then presented in details and two multi-layers and multi-echos lidar sensor models are proposed. The propagation of the information through geometrical transformations is formalized in a similar way of image transformation framework. Then, the implementation of the approach is described and the injection of prior geographic information is finally investigated. Most of the works presented have been implemented in real time on a vehicle and many tests in real conditions have been realized. The results of these researches were presented through five international conferences [Moras et al., 2010, Moras et al., 2011a, Moras et al., 2011b, Moras et al., 2012], [Kurdej et al., 2012] and the experimental vehicle was presented at the official demonstration project CityVIP in Paris and at the IEEE Intelligent Vehicles Symposium 2011, in Germany.

Cette étude fait l’objet d’un double traitement des manuels de français utilisés en Grèce : d’une part, l’étude de leur histoire et, d’autre part, le recensement et l’analyse de leur dimension culturelle. Cette rétrospective nous permet de mieux cerner les lignes directrices des manuels, d’en dégager des constantes, des éléments communs, au cours des diverses époques étudiées et d’en confronter les données.Les manuels de notre recherche sont classés en deux catégories, les manuels du XIXe siècle et ceux qui sont datés principalement de la première décennie du XXIe siècle ou plus précisément ont été publiés entre 1998 et 2008.Nous voulons montrer par l’étude de la naissance de l’enseignement du français en Grèce qu’il y a un rapport étroit entre l’introduction du français en tant que discipline dans les cursus des écoles publiques grecques et les événements historiques des époques de référence. Ce travail permet de retrouver ainsi, les premières racines de la disciplinarisation du français langue étrangère en Grèce.À travers notre analyse des manuels contemporains, qui s’appuie sur l’observation d’un corpus de plus de vingt manuels de français en usage en Grèce dans les écoles de l’enseignement secondaire et primaire publics, nous nous interrogeons aussi sur le rôle de l’image en tant que porteur de culture dans les manuels et sur la façon de rendre l’acte didactique interculturel plus clair au moyen du traitement des dialogues. Est également posée la question de la valeur des dialogues qui figurent dans les manuels de FLE en tant que documents authentiques ou fabriqués et du métalangage utilisé. Le recensement des aspects culturels des manuels de notre corpus nous permet d’élaborer une grille d’analyse et d’évaluation d’un manuel de FLE. Cette grille sert à comparer les manuels quant à leur pertinence sur certains points précis et met en avant leurs rubriques consacrées aux aspects culturels. / This research intends to make a double study of Greek textbooks for French as a foreign language: on the one hand it examines the history of these textbooks in Greece and on the other hand it records and analyses their cultural dimension. This flashback allows us to distinguish more clearly the books’ guidelines, to deduce their constancy, the common elements of the different eras as well as to compare and contrast this data.The textbooks are divided into two categories, the 19th century textbooks and those dating mostly at the first decade of the 21st century, more specifically those published between 1998 and 2008.We would like to point out by studying the birth of the French language teaching in Greece that there is an unbreakable connection between the introduction of French as a taught subject in the curriculum of the Greek public schools and the historical events of that time period. This study allows us to find the origins of disciplinarization of the French language teaching in Greece.The examination of the contemporary textbooks, which is based on the analysis of a selection of more than twenty textbooks used in primary and secondary Greek schools, focuses firstly on the role of image as culture conveyor in the textbooks and secondly on the way we could make the teaching cultural act clearer through the study of dialogues. It refers also to the question of the value of the dialogues we come across often in the textbooks as authentic or fabricated productions as well as to the metalanguage used by them.The recording of the cultural aspects in the textbooks of our selection allows us to develop a chart which analyses and evaluates those which are used in teaching French as a foreign language. This chart serves in comparing and contrasting the textbooks concerning the accuracy of specific points and in demonstrating the rubrics dedicated to cultural elements.