Nessa dissertação, abordamos o problema de dois qubits interagindo com campos externos e entre si controladamente, de acordo com um Hamiltoniano considerado realista para implementação da porta lógica quântica XOR. Introduzimos acoplamentos entre as observáveis do sistema de dois qubits e um banho de osciladores harmônicos a fim de tratarmos o problema da dissipação e da decoerência. Primeiramente nós consideramos o limite no qual a decoerência é mais rápida que qualquer processo gerado pelo Hamiltoniano do sistema. Prosseguimos então, através do método numérico conhecido como Integrador Unitário, com o estudo da matriz densidade do sistema durante a operação da porta lógica quântica sem incluir, inicialmente, o acoplamento com o banho de osciladores harmônicos. Finalmente, implementamos o método numérico conhecido como Propagador quase adiabático para estudar a decoerência e a dissipação durante a operação da porta lógica quântica XOR, a fim de analisarmos os aspectos perturbativos do sistema quântico de dois qubits. / In this dissertation, we approach the problem of two qubits interading with themselves and with externa1 fields in a controlled way, according to a Hamiltonian considered realistic to implement the XOR quantum gate. We introduce couplings between the observables of the two-qubits system and of a bath of harmonic oscillators, to treat the problems of dissipation and decoherence. Preliminarly, we consider the limit in which decoherence is faster than any process dictated by the Hamiltonian evolution of the system. Then, through a unitary-integrator numerical method, we proceed with the study of the evolution of the density matrix of the system during the operation of the logical quantum gate, initially, without the coupling with the bath of harmonic oscillators. Finally, we use the quasiadiabatic path integral method to study the dissipation and decoherence during the logical operation, through the inclusion of the bath.

FundaÃÃo de Amparo à Pesquisa do Estado do Cearà / Neste trabalho, portas lÃgicas Ãpticas sÃo propostas a partir da utilizaÃÃo de um acoplador direcional nÃo linear (NLDC) triplo planar simÃtrico de fibra Ãptica e com um dos guias operando como controle. Para tal fim, obtemos as caracterÃsticas de transmissÃo do acoplador e, em seguida, fizemos uma anÃlise do coeficiente de extinÃÃo e do fator de compressÃo. Inicialmente, investigamos o desempenho do acoplador proposto operando no regime CW e posteriormente utilizando pulsos ultracurtos, tipo sÃliton com 2ps de largura. Com o modelo proposto para o dispositivo, conseguimos efetivar portas lÃgicas AND, NAND, OR, XOR e NOT para um conjunto de fases aplicadas ao pulso de controle. As portas lÃgicas geradas com o dispositivo operando com sinais CW, apresentaram-se mais eficientes que as mesmas portas geradas com sinais pulsados. / In this work, optical logical gates are proposed starting from the use of a symmetric three-core nonlinear directional coupler (NLDC) of fiber optic and with one of the guides operating as control. For such end, we obtain the characteristics of transmission of the coupler and, soon afterwards, we made an analysis of the extinction ratio and of the compression factor. Initially, we investigated the acting of the proposed coupler operating in the regime CW and later using ultra short pulses, type sÃliton with 2ps of width. With the model proposed for the device, we got to execute logical gates AND, NAND, OR, XOR and NOT for a group of applied phases to the control pulse. The logical gates generated with the device operating with signs CW, they came more efficient than the same gates generated with soliton pulses.

Nesta tese são discutidos alguns aspectos importantes no desenvolvimento de sistemas fotovoltaicos moleculares. São abordados temas de interesse como a síntese de novos sensibilizadores para células solares sensibilizadas por corante, o desenvolvimento de novos materiais fotoativos, Química Supramolecular, bem como a aplicação de sistemas fotovoltaicos em eletrônica molecular, especificamente no desenvolvimento de portas lógicas moleculares e dispositivos de memória. A porfirina TBPyP, contendo quatro ligantes 2,2\'-bipiridina ligados covalentemente aos carbonos meso do anel porfirínico, foi sintetizada. Este derivado porfirínico serviu como bloco de construção de sistemas supramoleculares. A utilização desses sistemas como sensibilizadores em células solares (células de Grätzel) é discutido. Fios moleculares derivados da TBPyP foram obtidos via coordenação com íons de metais de transição e são investigados quanto à possibilidade de utilização em eletrônica molecular. Novos sistemas fotovoltaicos multicamada, utilizando filmes de porfirina depositados por evaporação a vácuo como elementos fotoativos e filmes de V2O5 como eletrodo passivo, foram estudados quanto a sua eficiência e quanto ao seu mecanismo de funcionamento. Os filmes finos de porfirina obtidos neste estudo foram testados como elelementos fotoativos em células fotovoltaicas com diferentes configurações, além daquelas utilizando filmes de V2O5. A obtenção de filmes híbridos compostos de nanopartículas de ouro e ligantes orgânicos foi desenvolvida e sua aplicação em sistemas fotovoltaicos bem como em dispositivos de memória investigada. Novas portas lógicas moleculares foram obtidas utilizando-se o arranjo de células de Grätzel convencionais sensibilizadas por clusteres trigonais de rutênio sintetizados para este fim. Seu princípio de funcionamento é discutido, bem como a seu potencial de integração em circuitos lógicos. / In this thesis some aspects concerning the development of molecular photovoltaic systems are discussed. Themes of current interest such as the synthesis of new sensitizers for dye-sensitized solar cells, the development of new photoactive materials, and Supramolecular Chemistry are treated, as well as the application of photovoltaic systems in molecular electronics, specifically in the development of molecular logic gates and memory devices. The porphyrin TBPyP, comprised of four 2,2\'-bipyridine ligands covalently linked to the porphyrin meso carbons, was synthesized. This porphyrin derivative was used as a building block on supramolecular systems. The utilization of these supramolecular species in solar cells (Grätzel cells) is discussed. The coordination of the porphyrin TBPyP with transition metal ions gave rise to molecular wires, which are investigated about its potential use in molecular electronics. New multilayer photovoltaic systems, using thermo-evaporated porphyrin films as photoactive elements and V2O5 films as passive electrodes, had their efficiency and mechanism studied. The confection of hybrid films comprised of gold nanoparticles and organic ligands was developed and its application in photovoltaic systems, as well as in memory devices, was investigated. New molecular logic gates were realized using the a Grätzel cell in its conventional configuration, sensitized by ruthenium trigonal clusters synthesized to this end.

Conhecimentos sobre fisiologia da produção de mudas cítricas sob condições de deficiência hídrica são necessários para fomentar as práticas de irrigação em viveiros telados. O objetivo deste trabalho foi avaliar o efeito de deficiência hídrica induzido por polietileno glicol (PEG) e por interrupção da irrigação sobre o desenvolvimento e variáveis fisiológicas de mudas de laranja Valência (Citrus sinensis L. Osbeck) enxertada sobre limão Cravo (Citrus limonia Osbeck) e citrumelo Swingle (Poncirus trifoliata (L.) Raf x Citrus paradisi Macf). As mudas foram produzidas em sacolas plásticas de 4,5L contendo substrato a base de casca de pinus e submetidas à deficiência hídrica durante três fases fenológicas, e em duas estações do ano (outono-inverno e primavera-verão). O trabalho foi dividido em dois experimentos. No primeiro, avaliaram-se plantas mantidas em capacidade de container e submetidas à interrupção intermitente da irrigação, até o potencial hídrico do substrato atingir -15kPa, e a duas concentrações de PEG, correspondentes ao potencial hídrico no substrato de respectivamente -15 e -25kPa. No segundo experimento, avaliaram-se plantas mantidas em capacidade de container e submetidas a interrupção intermitente da irrigação até o potencial hídrico do substrato atingir respectivamente -15 e -25kPa. Dados coletados incluíram variáveis biométricas, concentrações foliares de nutrientes, de prolina e de clorofila, concentração de carboidratos em raízes, caule e folhas, aproveitamento comercial de mudas, taxa de assimilação de CO2, condutância estomática, transpiração e eficiência do uso da água. O delineamento adotado foi o de blocos ao acaso, seguindo o esquema fatorial 2 x 3 x 4 (porta-enxerto x fase de crescimento x deficiência hídrica), perfazendo 24 tratamentos e cinco repetições para o primeiro experimento, e esquema fatorial 2 x 3 x 3, com 18 tratamentos e seis repetições no segundo experimento. A parcela experimental foi constituída de seis plantas. Mudas de laranja Valência enxertadas sobre limão Cravo e citrumelo Swingle apresentam crescimento e características fisiológicas distintas, sendo que maior vigor é induzido por aquele porta-enxerto. O emprego de PEG como osmólito em estudos para indução de deficiência hídrica in vivo não é indicado para citros em vasos, já que este material acarreta efeitos fisiológicos distintos daqueles apresentados por plantas submetidas à interrupção da irrigação. Mudas sobre ambos porta-enxertos são afetadas pela interrupção da irrigação entre a retirada do fitilho e a maturação do segundo fluxo de crescimento do enxerto, sendo os prejuízos proporcionais à duração da deficiência hídrica. Os efeitos da seca temporária são mais intensos quando aplicados isoladamente a partir da maturação do primeiro fluxo de crescimento, devido ao maior tamanho das plantas. A interrupção da irrigação até que o potencial hídrico do substrato seja de -15kPa permite produção satisfatória de mudas de laranja Valência sobre limão Cravo e citrumelo Swingle, independentemente do período em que ocorra a deficiência hídrica. A interrupção da irrigação até que o potencial hídrico do substrato atinja -25kPa afeta significativamente a produção das mudas cítricas. O limão Cravo induziu maior aclimatação à copa, apresentando grande capacidade de recuperação do crescimento e do desempenho fisiológico após sucessivos ciclos de suspensão / restauração da irrigação. / Physiological aspects of citrus nursery tree production submitted to water deficit are necessary to support irrigation management in screen houses. This work evaluated water stress induced either by polyethylene glycol (PEG) or irrigation suspending on growth and physiological traits of Valencia sweet orange (Citrus sinensis L. Osbeck) budded on Rangpur lime (Citrus limonia Osbeck) and Swingle citrumelo (Poncirus trifoliata (L.) Raf x Citrus paradisi Macf). Nursery trees were produced in 4.5L containers filled with composted pine bark, and submitted to water stress in three phenological phases in two seasons (autumn-winter and spring-summer). Experimental works were divided in two trials. In the first one, evaluation was carried on plants submitted to container capacity, irrigation suspending when substrate water potential dropped to -15kPa, and two PEG concentrations in water equivalents to substrate water potential of -15 and -25kPa. In the second trial, evaluation was carried on plants submitted to container capacity and irrigation suspending when substrate water potential dropped to -15 and -25kPa. Data collected included biometric variables, leaf concentrations of nutrients, proline and chlorophyll, carbohydrates concentrations in roots, stems and leaves, commercial feasibility of nursery trees, CO2 assimilation rate, stomatal conductance, leaf transpiration and temperature, and water use efficiency. Experimental design was randomized blocks with a 2 x 3 x 4 factorial (rootstock x phenological phase x water stress), performing 24 treatments and five replicates for the first experiment, and a 2 x 3 x 3 factorial with 18 treatments and six replicates for the second experiment. Experimental unit consisted of six nursery plants aligned on concrete benches. Valencia sweet orange budded on Rangpur lime and Swingle citrumelo had different growth and physiological behavior, with the first rootstock inducing higher vigor. PEG should not be used for in vivo water stress studies in containerized citrus, as a result of toxicity and physiological effects distinct from those observed in plants submitted to suspended irrigation. Nursery trees on both materials are affected by suspended irrigation from unwrapping to the maturation of scion second growth flush. Damages to plant development due to water deficit are proportional to stress duration. However, temporary drought is more harmful when partially induced after the scion first growth flush, probably because of higher plant size and container restriction. Substrate water potential of -15kPa can be used as adequate irrigation threshold for Valencia sweet orange nursery production on Rangpur lime and Swingle citrumelo rootstocks regardless of phenological phase. On the other hand, substrate water potential of -25kPa significantly reduces horticultural value of citrus nursery trees. Rangpur lime induces higher morphological and physiological acclimation to the scion due to irrigation suspending, and it also has great plasticity and recovery of growth and physiological performance after successive suspending / restoring irrigation cycles.

Neste trabalho é apresentado um estudo do efeito da tensão mecânica uniaxial e biaxial no ruído de baixa frequência nos transistores SOI planares e tridimensionais (MuGFETs de porta tripla) com diferentes orientações cristalográficas, além de um estudo das características analógicas nos transistores planares e tipo MuGFET de porta tripla. Nos transistores planares, o estudo do ruído de baixa frequência demonstrou uma melhora para os transistores tensionados no regime de saturação, independente do comprimento de canal, entretanto para a região linear, a tensão mecânica somente reduziu o ruído para um comprimento de canal pequeno (160nm). Nas características analógicas, foi utilizado o recurso da simulação numérica bidimensional para obtenção dos resultados. Os resultados mostram que os transistores tensionados são capazes de promover um melhor desempenho na transcondutância, na ordem de um aumento no mínimo de 40% , indicando para comprimentos longos de canal (910 nm) uma aumento de 56% para tensão mecânica biaxial e o oposto para a uniaxial (45%) (160 nm): entretanto, na condutância de saída, a tensão mecânica de forma geral promove uma maior degradação, aumento de 3% para um transistor uniaxial e aumento de 105% para o transistor biaxial. No ganho intrínseco de tensão, mais uma vez os transistores tensionados melhoraram de desempenho: contudo, neste caso, melhor resultado foi para o transistor biaxial, chegando a 5 dB de ganho. Nos transistores de porta tripla, a análise do ruído foi realizada nos transistores tensionados e convencionais operando em saturação e, de forma geral, a tensão mecânica piora o ruído de baixa frequência em uma ordem de grandeza para o transistor estreito, ocorrendo apenas uma melhora quase imperceptível num transistor largo ou quase planar. Na análise do ruído para os transistores rotacionados para a região linear, apresentaram dependência 1/f, com o ruído governado pela flutuação do número de portadores associado à flutuação na mobilidade: a tensão mecânica piora o ruído, entretanto, adicionando a rotação do substrato, ocorre uma melhora do ruído devido à redução das armadilhas de interface, ocasionando numa melhor interface lateral. Para dispositivos largos, o plano de topo sofre um aumento da concentração das armadilhas, piorando a interface superior devido a rotação do substrato, resultando um pior ruído. Nas características analógicas, os transistores de MuGFETs de porta tripla com tensão mecânica e substrato rotacionado foram estudados, onde a rotação do substrato em 45º mais a presença da tensão mecânica promoveram uma piora nos resultados, principalmente na transcondutância, onde a piora variou de 45 % até 15 %, para um dispositivo estreito (20 nm ) e um largo (870 nm). / This work presents a study of the uniaxial and biaxial mechanical stress effect on low frequency noise in planar and three-dimensional SOI transistors (triple gate) with different crystal orientation, and an study of analog parameters in planar and for triple gate MuGFET. In planar transistor, the study of low frequency noise showed an improvement in low frequency noise for strained transistors in saturation regime, regardless of the channel length, however for the linear regime, the mechanical stress only reduced the noise in a small channel length (160nm). In the analog characteristics was used the feature of two-dimensional numerical simulation for the expansion of the results. The results shows that the strained transistors are capable to promoting a better performance in transconductance in a order at least 40%, indicating for a long channel lengths (910nm) an improvement of 56% in favor of biaxial stress and the opposite to uniaxial (45%) (160nm), however in the output conductance, the mechanical stress promotes higher degradation, ranging from 3% to uniaxial transistor and 105% for biaxial transistor. The intrinsic voltage gain, the strained transistors improved the performance, but in this case a best result was found for the biaxial strain reaching 5 dB. In triple gate transistors, the analysis of noise was performed on strained and conventional operating in saturation, and generally the worsening of mechanical stress on the low frequency noise in a order of magnitude for the marrow transistor, occurring only barely perceptible improvement seen in wider transistor or quasi-planar. The noise analysis for rotated transistors in linear region, showed a 1/f noise characteristic governed by the carrier number of fluctuations associated with fluctuations in mobility, the mechanical stress worsens the noise, however, by adding the substrate rotation occurs improves noise due to reduction of interface traps leading to a better sidewall interface. For larger devices the top plane suffer an increase of interface traps, worsening the top interface due to rotation of the substrate, causing a worse noise. In the analog characteristics, the triple gate MuGFETs transistors with mechanical stress and rotated substrate were studied, where the rotation of the substrate in 45º plus mechanical stress promoted a worsening of the results, particularly in the transconductance, where the worsening ranged from 45% up to 15% for a narrow device (20 nm) and a large (870 nm).

Este trabalho apresenta o estudo da influência do tensionamento mecânico (strain) no efeito de abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em dispositivos SOI FinFETs de porta tripla com e sem crescimento seletivo epitaxial. Também é analisada a influência do uso de crescimento seletivo epitaxial nesses dispositivos em relação ao efeito de canal curto mencionado. O uso de transistores verticais de múltiplas portas tem permitido a continuidade do escalamento dos dispositivos, apresentando melhora nos níveis de corrente bem como a supressão dos efeitos de canal curto. No entanto, ao reduzir a largura do canal, aumenta-se a resistência total do transistor, diminuindo seu desempenho. A fim de melhorar essa característica, as técnicas de tensionamento mecânico e crescimento de fonte e dreno tem sido empregadas. No primeiro caso, ao se deformar mecanicamente a estrutura do canal, altera-se o arranjo das camadas eletrônicas que ocasiona o aumento da mobilidade dos portadores. Conseqüentemente, a corrente aumenta tal como a transcondutância do dispositivo. A técnica de crescimento de fonte e dreno chamada de crescimento seletivo epitaxial (SEG) tem como finalidade reduzir ainda mais a resistência elétrica total da estrutura, uma vez que a área dessas regiões aumenta, possibilitando o aumento das áreas de contato, que são responsáveis pela maior parcela da resistência total. Esse trabalho baseia-se em resultados experimentais e simulações numéricas tridimensionais que analisam o comportamento dos transistores com as tecnologias acima apresentadas em função do efeito de DIBL. / This work presents a study about the influence of strain in the drain induced barrier lowering effect (DIBL) in triple gate SOI FinFETs. Also it is analyzed the selective epitaxial growth used in that structures, comparing their behavior in relation to DIBL effect. Using the vertical multi-gate devices become possible the downscale whereas they present higher current level and suppressed short channel effects. However, reducing the channel width, the transistors total resistance increases and consequently its performance decreases. In order to improve this feature, the strained technology and the Source/Drains growth technique has been employed. In the first case, the mechanical deformation causes a change in the electron shell, which improves the carrier mobility. Consequently, the current level and the transconductance also improve. The selective epitaxial growth technique aims to reduce the devices total resistance since these regions areas increase, allowing large contacts which are responsible for the main parcel of the total resistance. This work is based on experimental results and tridimensional simulations that analyze the transistor behavior using the technologies above presented as a function of DIBL effect.

Neste trabalho é apresentado um estudo dos transistores MOS sem junções (Junctionless Nanowire Transistors - JNTs), cujo foco é a modelagem de suas características elétricas e a análise do funcionamento dos mesmos quanto à tensão de limiar, ponto invariante com a temperatura e operação analógica. Os JNTs possuem uma concentração de dopantes constante da fonte ao dreno sem apresentar gradientes. Eles foram desenvolvidos a fim de se evitar as implantações iônicas de fonte e dreno, que requerem condições rigorosamente controladas para se evitar a difusão de dopantes para o interior do canal em dispositivos de tamanho extremamente reduzido (sub-20 nm). Dessa forma, esses dispositivos permitem um maior escalamento, com um processo de fabricação simplificado. Os trabalhos recentes de modelagem desses transistores consideram dispositivos de canal longo, de forma geral o comprimento utilizado é de 1 µm, de porta dupla ou cilíndricos. Pouco tem sido feito relacionado à modelagem de JNTs porta tripla e a influência da temperatura no funcionamento dos mesmos. Assim, este trabalho tem como objetivo a modelagem do funcionamento dos dispositivos MOS sem junções de porta tripla quanto à tensão de limiar, potencial de superfície, carga de condução e corrente de dreno. Os modelos são derivados da solução da equação de Poisson com as condições de contorno adequadas, apresentando grande concordância com simulações numéricas tridimensionais e com resultados experimentais para dispositivos com comprimento de canal de até 30 nm. No caso do modelo da tensão de limiar, o maior erro obtido entre modelo e simulação foi de 33 mV, que representa uma percentagem menor que 5 %. Também foi apresentado um método de extração da tensão de limiar baseado na igualdade das componentes de deriva e difusão da corrente de dreno. Este método foi igualmente validado com resultados simulados, apresentando um erro máximo de 3 mV (menor que 0,5 %) e aplicado à dispositivos experimentais. A influência da temperatura na tensão de limiar também foi analisada tanto pelo modelo proposto como por simulações e resultados experimentais, mostrando que a dependência da concentração de dopantes ionizados com a temperatura devido à ionização incompleta dos portadores tem grande influência na tensão de limiar. No caso da modelagem da corrente de dreno e do potencial de superfície, foi acrescentada uma correção de efeitos de canal curto. O erro médio foi menor que 12 % para as curvas de corrente e suas derivadas quando comparadas à dos dispositivos experimentais de comprimento de canal de 30 nm. Também foi realizado um estudo do funcionamento dos JNTs, mostrando que o ponto invariante com a temperatura, onde a corrente de dreno se mantém constante independente da temperatura, pode ou não existir nesses dispositivos dependendo da resistência série e de sua dependência com a temperatura. Por fim, a operação analógica dos dispositivos sem junções é analisada para dispositivos de diferentes dimensões. / In this work, a study of the Junctionless Nanowire Transistors (JNTs) is presented, focusing their modeling and analyzing their operation. The JNTs are heavily doped devices with a doping concentration constant from source to drain, without presenting doping gradients. They have been developed in order to avoid drain and source ion implantation, which requires rigorous controlled conditions to avoid dopants diffusion into the channel in extremely reduced devices (sub-20 nm). Therefore, these devices provide a higher scalability with a simplified fabrication process. Recent works on junctionless nanowire transistors modeling have considered long-channel (a length of 1 µm is commonly used) double-gate or cylindrical devices. Few works have presented the modeling of triple-gate JNTs and the temperature influence on the device operation. The goal of this work is the modeling of the threshold voltage, surface potential, conduction charge and drain current in triple-gate junctionless nanowire transistors. The models are derived from the solution of the Poisson equation with the appropriate boundary conditions and exhibit a great concordance with three-dimensional numerical simulations and experimental data even for devices with channel length of 30 nm. In the case of the threshold voltage, the higher error obtained between model and simulation was 33 mV, which represents an error lower than 5 %. A method for the threshold voltage extraction based on the equality of the drift and diffusion components of the drain current has also been presented. This method was also validated using simulated results, with a maximum error of 3 mV (lower than 0.5 %), and applied to experimental devices. The influence of the temperature on the threshold voltage has also been analyzed through the proposed model, the numerical simulations and the experimental data. It has been shown that the dependence of the ionized dopant concentration with the temperature due to the incomplete carrier ionization has a great influence on the threshold voltage. In the case of the surface potential and drain current modeling, a correction for the short channel effects has been proposed. The mean error has been lower than 12 % for the drain current curves and their derivatives when compared to the ones of experimental devices with a channel length of 30 nm. An analysis on the operation of the JNTs has been also performed, showing that the zero temperature coefficient point, in which the current is the same independent of the temperature, can or not exist depending on the series resistance and its dependence on the temperature. Finally, the operation of junctionless nanowire transistors in analog applications has been analyzed for devices of different dimensions.

Submitted by JOSIANE SANTOS DE OLIVEIRA (josianeso) on 2017-11-30T11:22:21Z No. of bitstreams: 1 Cláudio Trindade Scherer_.pdf: 4509704 bytes, checksum: 6adc0f4eb6a2c5abca0aa3ac53dbcea7 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-11-30T11:22:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cláudio Trindade Scherer_.pdf: 4509704 bytes, checksum: 6adc0f4eb6a2c5abca0aa3ac53dbcea7 (MD5) Previous issue date: 2017-08-14 / Nenhuma / O conjunto de paredes e portas separadas pela circulação condominial em edifícios residenciais passou a ter seu desempenho acústico avaliado, a partir da entrada em vigor da norma brasileira NBR 15575, que trata do desempenho das edificações. Nesse contexto, esse trabalho propõe determinar a influência das características dos elementos construtivos – portas e circulações entre unidades habitacionais – no isolamento ao ruído aéreo do conjunto de paredes e portas separadas pelo hall de entrada. Primeiramente foi realizado um estudo piloto que envolveu ensaios em campo feitos em diversas obras. Com isso, foram escolhidos três prédios e executados uma série de ensaios de desempenho acústico em campo, abrangendo diversas situações. Também foram usados artifícios para a vedação das frestas das portas, a fim de verificar a melhora do desempenho do sistema. Os resultados obtidos apontam para a perda de desempenho acústico com o aumento das frestas entre a folha da porta e o piso. Foram encontradas também relações com tempo de reverberação dos ambientes de circulação e a distância entre as portas de entrada das unidades habitacionais. / Sets of walls and doors separated by condominium corridors in residential buildings started having their acoustic performance evaluated when the Brazilian standard NBR 15575 came into effect, which concerns the performance of buildings. In this context, this study proposed to determine the influence of the characteristics of constructive elements – doors and corridors between residential units – on the airborne sound insulation of the set of walls and doors separated by the entrance hall. First, a pilot study was conducted based on tests performed on many buildings, but it was noted that a deeper study on the subject would be required. Thereby, three buildings were chosen and a series of acoustic performance tests was executed, covering several situations. Maneuvers for sealing door gaps were used as well, in order to assess the performance gains of the system. The results indicated loss of acoustic performance when there were more gaps between the door leaf and the floor. Moreover, relations were found regarding the reverberation time of the corridors and the distance between the entrance doors of residential units.

Neste trabalho é apresentado um estudo dos transistores MOS sem junções (Junctionless Nanowire Transistors - JNTs), cujo foco é a modelagem de suas características elétricas e a análise do funcionamento dos mesmos quanto à tensão de limiar, ponto invariante com a temperatura e operação analógica. Os JNTs possuem uma concentração de dopantes constante da fonte ao dreno sem apresentar gradientes. Eles foram desenvolvidos a fim de se evitar as implantações iônicas de fonte e dreno, que requerem condições rigorosamente controladas para se evitar a difusão de dopantes para o interior do canal em dispositivos de tamanho extremamente reduzido (sub-20 nm). Dessa forma, esses dispositivos permitem um maior escalamento, com um processo de fabricação simplificado. Os trabalhos recentes de modelagem desses transistores consideram dispositivos de canal longo, de forma geral o comprimento utilizado é de 1 µm, de porta dupla ou cilíndricos. Pouco tem sido feito relacionado à modelagem de JNTs porta tripla e a influência da temperatura no funcionamento dos mesmos. Assim, este trabalho tem como objetivo a modelagem do funcionamento dos dispositivos MOS sem junções de porta tripla quanto à tensão de limiar, potencial de superfície, carga de condução e corrente de dreno. Os modelos são derivados da solução da equação de Poisson com as condições de contorno adequadas, apresentando grande concordância com simulações numéricas tridimensionais e com resultados experimentais para dispositivos com comprimento de canal de até 30 nm. No caso do modelo da tensão de limiar, o maior erro obtido entre modelo e simulação foi de 33 mV, que representa uma percentagem menor que 5 %. Também foi apresentado um método de extração da tensão de limiar baseado na igualdade das componentes de deriva e difusão da corrente de dreno. Este método foi igualmente validado com resultados simulados, apresentando um erro máximo de 3 mV (menor que 0,5 %) e aplicado à dispositivos experimentais. A influência da temperatura na tensão de limiar também foi analisada tanto pelo modelo proposto como por simulações e resultados experimentais, mostrando que a dependência da concentração de dopantes ionizados com a temperatura devido à ionização incompleta dos portadores tem grande influência na tensão de limiar. No caso da modelagem da corrente de dreno e do potencial de superfície, foi acrescentada uma correção de efeitos de canal curto. O erro médio foi menor que 12 % para as curvas de corrente e suas derivadas quando comparadas à dos dispositivos experimentais de comprimento de canal de 30 nm. Também foi realizado um estudo do funcionamento dos JNTs, mostrando que o ponto invariante com a temperatura, onde a corrente de dreno se mantém constante independente da temperatura, pode ou não existir nesses dispositivos dependendo da resistência série e de sua dependência com a temperatura. Por fim, a operação analógica dos dispositivos sem junções é analisada para dispositivos de diferentes dimensões. / In this work, a study of the Junctionless Nanowire Transistors (JNTs) is presented, focusing their modeling and analyzing their operation. The JNTs are heavily doped devices with a doping concentration constant from source to drain, without presenting doping gradients. They have been developed in order to avoid drain and source ion implantation, which requires rigorous controlled conditions to avoid dopants diffusion into the channel in extremely reduced devices (sub-20 nm). Therefore, these devices provide a higher scalability with a simplified fabrication process. Recent works on junctionless nanowire transistors modeling have considered long-channel (a length of 1 µm is commonly used) double-gate or cylindrical devices. Few works have presented the modeling of triple-gate JNTs and the temperature influence on the device operation. The goal of this work is the modeling of the threshold voltage, surface potential, conduction charge and drain current in triple-gate junctionless nanowire transistors. The models are derived from the solution of the Poisson equation with the appropriate boundary conditions and exhibit a great concordance with three-dimensional numerical simulations and experimental data even for devices with channel length of 30 nm. In the case of the threshold voltage, the higher error obtained between model and simulation was 33 mV, which represents an error lower than 5 %. A method for the threshold voltage extraction based on the equality of the drift and diffusion components of the drain current has also been presented. This method was also validated using simulated results, with a maximum error of 3 mV (lower than 0.5 %), and applied to experimental devices. The influence of the temperature on the threshold voltage has also been analyzed through the proposed model, the numerical simulations and the experimental data. It has been shown that the dependence of the ionized dopant concentration with the temperature due to the incomplete carrier ionization has a great influence on the threshold voltage. In the case of the surface potential and drain current modeling, a correction for the short channel effects has been proposed. The mean error has been lower than 12 % for the drain current curves and their derivatives when compared to the ones of experimental devices with a channel length of 30 nm. An analysis on the operation of the JNTs has been also performed, showing that the zero temperature coefficient point, in which the current is the same independent of the temperature, can or not exist depending on the series resistance and its dependence on the temperature. Finally, the operation of junctionless nanowire transistors in analog applications has been analyzed for devices of different dimensions.

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