Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida se discute o efeito da radiação ionizante sobre estes circuitos integrados. Para o estudo do caso foi realizado o projeto de um amplificador operacional de dois estágios para as tecnologias de 350nm e 130nm, no qual foi testado, através de simulação elétrica, o efeito de dose ionizante total, verificando seu impacto sobre o desempenho destes. O efeito da dose total foi testado inicialmente de maneira simples, alterando-se os valores da tensão de limiar (VTh), bem como adicionada corrente de fuga em cada transistor, para o valor de radiação testado, conforme dados disponíveis na literatura. Em seguida foi realizada a análise de pequenos sinais para ambos os amplificadores, com o objetivo de verificar a degradação de desempenho. Em um segundo momento se repetiu a análise de pequenos sinais, porém juntamente com a análise de Monte Carlo, também em ambos os amplificadores. A análise de Monte Carlo permitiu verificar o comportamento do amplificador no caso em que há uma componente aleatória no impacto da radiação sobre o desempenho do circuito. Isto é, a situação em que os parâmetros dos transistores não são afetados (alterados) de maneira idêntica. Por fim, através da simulação elétrica, foi possível identificar as partes do amplificador operacional mais sensíveis à radiação, relacionando as com o descasamento dos transistores casados devido a radiação. / This work aims at, initially, make a brief review on the main radiation sources of relevance for integrated circuits operating in aero-space environments. The effect of ionizing radiation on MOS devices is also discussed. The design of a two stages operational amplifier of 350nm and 130nm technology is also performed. The response of the operational amplifier to total ionizing dose (TID) will be evaluated trough electric simulation. This effect will be initially evaluated in a simple way, that is, changing its threshold voltage (Vth) values and adding a leakage current in each transistor, according to the data found in the literature. Then the small signal analyses of is performed in both amplifiers, in order to evaluate the performance degradation. In a second moment the small signal analyses is repeated but now in the context of Monte Carlo simulations, in order to evaluate the situation in which the radiation does not change the parameters of all transistors by exactly the same amount. Finally, further electrical simulations are performed in order to identify the components of the operational amplifier that are most sensitive to radiation relating to the mismatch of transistors married due to radiation.

abstract: Digital systems are essential to the technological advancements in space exploration. Microprocessor and flash memory are the essential parts of such a digital system. Space exploration requires a special class of radiation hardened microprocessors and flash memories, which are not functionally disrupted in the presence of radiation. The reference design ‘HERMES’ is a radiation-hardened microprocessor with performance comparable to commercially available designs. The reference design ‘eFlash’ is a prototype of soft-error hardened flash memory for configuring Xilinx FPGAs. These designs are manufactured using a foundry bulk CMOS 90-nm low standby power (LP) process. This thesis presents the post-silicon validation results of these designs. / Dissertation/Thesis / Masters Thesis Electrical Engineering 2016

Ibakgrunden framkommer det att allt fler sjuksköterskor mår allt sämre i sin profession vilket kan leda till förlamande trötthet och känslomässig utmattning.Syftetvar att beskriva sjuksköterskestudenters uppfattningar kring vilka faktorer som kan bidra till att finna kraft i vårdandet.Metoden som användes var en induktiv kvalitativ innehållsanalys där data utgjordes av intervjuer från sju deltagande sjuksköterskestudenter.Resultatet presenteras i kategorierna (1) Att kunna göra skillnad för patienten (2) Tidens möjligheter och begränsningar (3)Arbetsgruppens betydelse, med respektive underkategorier (1)Vara medlidsam och bekräftelse i mötet med patienten (2)Tid för patienten viktigt, tid för reflektion behövs och tid för återhämtning krävs (3)Känna stöd i arbetsgruppen och gemenskap i arbetsgruppen. Slutsatsen är att olika faktorer samverkar för att bidra till att finna kraft i vårdandet. Själva kraften i vårdandet verkar ligga i det utbyte av bekräftelse som uppstår i den förtroendeingivande relation i mötet med patienten. Den förtroendeingivande relationen är beroende av att sjuksköterskan innehar ett medlidsamt förhållningssätt och drivs av en vilja att kunna göra skillnad för varje enskild patient. Yttre miljöfaktorer, som tidens möjligheter och begränsningar samt arbetsgruppens betydelse är lika viktiga samverkande faktorer som bidrar till att finna kraft i vårdandet.

Os efeitos produzidos pela interação da radiação ionizante com os circuitos integrados podem ser classificados em efeitos de eventos únicos (Single Event Effects - SEE), comumente relacionados a problemas transientes, e efeitos de dose total ionizante (Total Ionization Dose - TID), os quais se originam em decorrência do longo tempo de exposição à radiação ionizante. Com relação à proteção desses circuitos, técnicas, como redundâncias temporais e espaciais, podem ser aplicadas a fim de reduzir a ocorrência de eventos transientes. Por outro lado, efeitos de TID e mesmo alguns SEE específicos, como os que causam degradações permanentes do circuito, podem ser atenuados drasticamente através de técnicas propostas em nível de layout. Nesse contexto, este trabalho analisa os conceitos básicos envolvidos na interação da radiação com o transistor MOS, desvios de suas características elétricas e técnicas de atenuação dos efeitos acumulativos aplicadas em níveis de arquitetura de sistemas, de processo de fabricação e de dispositivo. Contudo, este trabalho realiza uma abordagem mais detalhada de técnicas de tolerância em nível de layout. A tolerância em nível de layout do transistor é o resultado da combinação entre tecnologia escolhida agregada ao uso de anéis de guarda (guard rings) e aplicação de técnicas em nível de dispositivo como, por exemplo, a de geometria fechada (enclosed-gate). Este trabalho explora diferentes topologias de geometria fechada analisando diferentes modelagens e estimativas de razão de aspecto (W⁄L). Além disso, todas as análises e propostas apresentadas ao longo deste trabalho levam em conta o ambiente de projeto comercial, de forma que os dispositivos e técnicas propostas possam ser aplicadas e fabricadas utilizando ferramentas de projeto comerciais, respeitando restrições quando a dimensões e espaçamentos entre estruturas de acordo com requisitos comerciais de litografia. Os resultados obtidos corroboram o fato de que ao custo de área é possível que se obtenha um dispositivo mais tolerante à radiação e, neste caso, técnicas de mais alto nível ainda podem ser aplicadas de forma a atingir uma maior eficiência de proteção. / Studies related to ionizing radiation effects into MOS transistors are usually classified into two main groups, Single Event Effects (SEE) and Total Ionization Dose (TID). The former is related to transient effects and the later to the permanent effects which occurs during the whole lifetime of integrated circuits and devices. Architecture level for SEE mitigation techniques usually involves redundancy and majority voters, on the other hand, TID mitigation techniques act avoiding or reducing the weak and critical regions in the layout perspective. In this context this work proposes the analysis of primary physical mechanisms of radiation effects in semiconductor components and MOS transistors by exploring the electrical properties and related degradations. The mitigation (or hardening) techniques are explored not only at the architectural level but also by processes improvements. Nonetheless, this work is primarily focused to achieve a radiation hardened circuit by applying specific changes in the layout perspective making the design named as Radiation Hardened by Design (RHBD). Trading the area and circuit density it is possible to harden the most basic building block of electrical circuits (MOS transistors) and, in this case, by applying higher levels of mitigation techniques it is even possible to harden the entire circuit. Hardening by device is a combination of technology node, use of guard rings and techniques such as Enclosed Layout Transistor (ELT). Thus, this work realizes a comparative study of different proposed models to estimate the effective W/L aspect ratio in ELTs. Moreover, the analysis and approaches presented throughout this work take into account the commercial context, i.e., respecting the commercial Process Design Kits rules.

Syfte: Syftet med denna studie är att utifrån miljömässiga och sociala kategorier undersöka om det skett någon förändring i omfattning hållbarhetsrapportering hos svenska kommuner mellan åren 2012 och 2016. Metod: Studien utgår från en positivistisk forskningsfilosofi med en deduktiv ansats. En innehållsanalys har genomförts som baserats på sekundärdata i form av årsredovisningar från svenska kommuner åren 2012 och 2016. Resultat och slutsats: Studiens resultat visar att den totala miljömässiga och sociala hållbarhetsrapporteringen har ökat över tid. Den sociala kategorin har visats öka mellan år 2012 och år 2016 medan den miljömässiga kategorin visat sig sjunka. Den sociala kategorin har högst procentandel båda åren och är därmed den mest framstående kategorin som rapporterats av svenska kommuner avseende social och miljömässig hållbarhetsinformation. Examensarbetets bidrag: Denna studie bidrar med en nationell redogörelse för hur offentliga sektorers sociala och miljömässiga hållbarhetsrapportering ser ut med utgångspunkt i GRI:s riktlinjer. Studien har ett längre tidsperspektiv än tidigare studier inomforskningsområdet vilket efterfrågats av forskare. Studien bidrar även till ökad insikt i den offentliga sektorns hållbarhetsrapportering, hur obalanserna i rapporteringen ser ut samt förändringen över tid. Förslag till fortsatt forskning: Förslag till vidare forskning är att undersöka varför obalanserna mellan kategorierna ser ut som de gör, om det finns några faktorer som påverkar men även att genomföra en liknande studie med ett längre tidsperspektiv.

Sammanfattning  Titel: Hållbarhetsrapportering- en deskriptiv studie om skillnader mellan finans- och industrisektornNivå: C-uppsats i ämnet företagsekonomiFörfattare: Amanda Johansson och Josefin WerkmästerHandledare: Fredrik Hartwig Datum: 2018 - januari Syfte: Syftet med denna studie är att utifrån ekonomiska, miljömässiga och sociala indikatorer undersöka skillnaderna i hållbarhetsrapporteringen mellan företag inom industrisektorn och finanssektorn i Sverige samt att undersöka om det har skett någon förändring över tid. Metod: I föreliggande studie antas en positivistisk forskningsfilosofi med en deduktiv ansats. Studien är kvantitativ och sekundärdata i form av hållbarhetsrapporter har samlats in från företagens hemsidor. En longitudinell design har använts där data från åren 2012 och 2016 har granskats. Resultat & slutsats: Studiens resultat visar att hållbarhetsrapporteringen skiljer sig åt mellan industri- och finanssektorn. Resultatet visar även att det har skett en förändring gällande rapporteringen över tid. Förslag till fortsatt forskning: Framtida studier skulle kunna undersöka andra sektorer och avgränsa sig till en storlek. Det skulle även kunna göras en undersökning som fokuserar på kausala samband för att se vad skillnaderna kan bero på. Uppsatsens bidrag: Studiens bidrag är att den jämför skillnaderna mellan enbart två sektorer på den svenska marknaden då tidigare studier har gjorts i andra länder och på flera branscher. Nyckelord: CSR, GRI, hållbarhetsrapportering, indikatorer, sektorer, tid / Abstract Title: Sustainability reporting- A descriptive study on differences between the financial and industrial sectorLevel: Final assignment for Bachelor Degree in Business Administration Authors: Amanda Johansson och Josefin WerkmästerSupervisor: Fredrik Hartwig Date: 2018 – January Aim: The aim of this study is to investigate the differences in sustainability reporting between companies in the industrial sector and the financial sector in Sweden based on economic, environmental and social indicators and to investigate whether there has been any change over time. Method: In this study, a positivist research philosophy is assumed with a deductive approach. The study is quantitative and secondary data in the form of sustainability reports have been collected from companies' websites. A longitudinal design has been used where data from 2012 and 2016 have been reviewed. Result & Conclusions: The study's results show that sustainability reporting differs between the industry and the finance sector. The result also shows that there has been a change in reporting over time. Suggestions for future research: Future studies could investigate other sectors and limit themselves to one size. It could also be a study focusing on causal relationships to see what the differences may be. Contribution of the thesis: The contribution of the study is that it compares the differences between only two sectors in the Swedish market since previous studies have been conducted in other countries and in several industries. Key words: CSR, GRI, sustainability reporting, indicators, sectors, time.

This essay deals with a harbor near Swedish castles called sea courtyards in the 17th century. It also deals with an old work made by Erik Dahlbergh called Suecia antiqua et hodierna as a source material in order to find these sea courtyards that does not exist in present day.

Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida se discute o efeito da radiação ionizante sobre estes circuitos integrados. Para o estudo do caso foi realizado o projeto de um amplificador operacional de dois estágios para as tecnologias de 350nm e 130nm, no qual foi testado, através de simulação elétrica, o efeito de dose ionizante total, verificando seu impacto sobre o desempenho destes. O efeito da dose total foi testado inicialmente de maneira simples, alterando-se os valores da tensão de limiar (VTh), bem como adicionada corrente de fuga em cada transistor, para o valor de radiação testado, conforme dados disponíveis na literatura. Em seguida foi realizada a análise de pequenos sinais para ambos os amplificadores, com o objetivo de verificar a degradação de desempenho. Em um segundo momento se repetiu a análise de pequenos sinais, porém juntamente com a análise de Monte Carlo, também em ambos os amplificadores. A análise de Monte Carlo permitiu verificar o comportamento do amplificador no caso em que há uma componente aleatória no impacto da radiação sobre o desempenho do circuito. Isto é, a situação em que os parâmetros dos transistores não são afetados (alterados) de maneira idêntica. Por fim, através da simulação elétrica, foi possível identificar as partes do amplificador operacional mais sensíveis à radiação, relacionando as com o descasamento dos transistores casados devido a radiação. / This work aims at, initially, make a brief review on the main radiation sources of relevance for integrated circuits operating in aero-space environments. The effect of ionizing radiation on MOS devices is also discussed. The design of a two stages operational amplifier of 350nm and 130nm technology is also performed. The response of the operational amplifier to total ionizing dose (TID) will be evaluated trough electric simulation. This effect will be initially evaluated in a simple way, that is, changing its threshold voltage (Vth) values and adding a leakage current in each transistor, according to the data found in the literature. Then the small signal analyses of is performed in both amplifiers, in order to evaluate the performance degradation. In a second moment the small signal analyses is repeated but now in the context of Monte Carlo simulations, in order to evaluate the situation in which the radiation does not change the parameters of all transistors by exactly the same amount. Finally, further electrical simulations are performed in order to identify the components of the operational amplifier that are most sensitive to radiation relating to the mismatch of transistors married due to radiation.

Os efeitos produzidos pela interação da radiação ionizante com os circuitos integrados podem ser classificados em efeitos de eventos únicos (Single Event Effects - SEE), comumente relacionados a problemas transientes, e efeitos de dose total ionizante (Total Ionization Dose - TID), os quais se originam em decorrência do longo tempo de exposição à radiação ionizante. Com relação à proteção desses circuitos, técnicas, como redundâncias temporais e espaciais, podem ser aplicadas a fim de reduzir a ocorrência de eventos transientes. Por outro lado, efeitos de TID e mesmo alguns SEE específicos, como os que causam degradações permanentes do circuito, podem ser atenuados drasticamente através de técnicas propostas em nível de layout. Nesse contexto, este trabalho analisa os conceitos básicos envolvidos na interação da radiação com o transistor MOS, desvios de suas características elétricas e técnicas de atenuação dos efeitos acumulativos aplicadas em níveis de arquitetura de sistemas, de processo de fabricação e de dispositivo. Contudo, este trabalho realiza uma abordagem mais detalhada de técnicas de tolerância em nível de layout. A tolerância em nível de layout do transistor é o resultado da combinação entre tecnologia escolhida agregada ao uso de anéis de guarda (guard rings) e aplicação de técnicas em nível de dispositivo como, por exemplo, a de geometria fechada (enclosed-gate). Este trabalho explora diferentes topologias de geometria fechada analisando diferentes modelagens e estimativas de razão de aspecto (W⁄L). Além disso, todas as análises e propostas apresentadas ao longo deste trabalho levam em conta o ambiente de projeto comercial, de forma que os dispositivos e técnicas propostas possam ser aplicadas e fabricadas utilizando ferramentas de projeto comerciais, respeitando restrições quando a dimensões e espaçamentos entre estruturas de acordo com requisitos comerciais de litografia. Os resultados obtidos corroboram o fato de que ao custo de área é possível que se obtenha um dispositivo mais tolerante à radiação e, neste caso, técnicas de mais alto nível ainda podem ser aplicadas de forma a atingir uma maior eficiência de proteção. / Studies related to ionizing radiation effects into MOS transistors are usually classified into two main groups, Single Event Effects (SEE) and Total Ionization Dose (TID). The former is related to transient effects and the later to the permanent effects which occurs during the whole lifetime of integrated circuits and devices. Architecture level for SEE mitigation techniques usually involves redundancy and majority voters, on the other hand, TID mitigation techniques act avoiding or reducing the weak and critical regions in the layout perspective. In this context this work proposes the analysis of primary physical mechanisms of radiation effects in semiconductor components and MOS transistors by exploring the electrical properties and related degradations. The mitigation (or hardening) techniques are explored not only at the architectural level but also by processes improvements. Nonetheless, this work is primarily focused to achieve a radiation hardened circuit by applying specific changes in the layout perspective making the design named as Radiation Hardened by Design (RHBD). Trading the area and circuit density it is possible to harden the most basic building block of electrical circuits (MOS transistors) and, in this case, by applying higher levels of mitigation techniques it is even possible to harden the entire circuit. Hardening by device is a combination of technology node, use of guard rings and techniques such as Enclosed Layout Transistor (ELT). Thus, this work realizes a comparative study of different proposed models to estimate the effective W/L aspect ratio in ELTs. Moreover, the analysis and approaches presented throughout this work take into account the commercial context, i.e., respecting the commercial Process Design Kits rules.

Syftet med denna studie är att undersöka hur användarupplevelse förändras över tid, kopplat till receptplaneringstjänsten Plan Eat Smile. För att undersöka detta har användarintervjuer genomförts samt en enkät skapats och skickats ut till två grupper av användare, en grupp somär aktiva och en grupp som är inaktiva. Genom att jämföra dessa två grupper har målet varit att se vilka aspekter av användande som skiljer dem åt. Resultaten visar inte på någon signifikant skillnad mellan grupperna men av användarintervjuerna kunde vissa tendenser identifieras som visade på att när användares syfte med att använda en tjänst uppfylls behövs ytterligare incitament för att stanna kvar.