Eine häufigere bloße Darbietung eines Objekts führt bis zu einem bestimmten Punkt zu einer Einstellungsverbesserung. Dieser Zusammenhang wird im Mere-Exposure-Effekt postuliert. Obwohl sich eine Verknüpfung von Häufigkeit und Dauer vermuten lässt, konnte ein ähnlicher Effekt für die Präsentationsdauer nicht gefunden werden. Bisherige Ergebnisse deuteten auf einen negativen Effekt bei steigender Dauer hin. Asymmetrische Wirkungen von Häufigkeit und Dauer zeigten sich ebenfalls bei gedächtnisbasierten Urteilen. Es stellte sich heraus, dass Aufmerksamkeit eine wichtige Rolle bei Dauereffekten spielt. Die vorliegende Studie untersucht darauf aufbauend den Einfluss der Dauer im Mere-Exposure-Effekt unter aufrechterhaltender Aufmerksamkeit. Mit einem Online-Experiment wurden Bewertungen zu Bildern erfasst, welche zuvor in variierenden Häufigkeiten und Zeiten präsentiert wurden. Es konnten N=97 Personen (Anteil weiblich=83,5%, Alter M=25 Jahre) in die finale Stichprobe, aufgeteilt in vier Untersuchungsgruppen, einbezogen werden. Die Gruppen unterschieden sich zum einen hinsichtlich des präsentierten Materials (bunt oder schwarz-weiß) und zum anderen hinsichtlich ihrer körperlichen Aktivität während der Darbietung. Die Ergebnisse zeigen, dass auch längere Präsentationszeiten in Interaktion mit hoher Aufmerksamkeit Einstellungsverbesserungen bewirken können. Somit kann geschlussfolgert werden, dass die Gesamtpräsentationsdauer eines Objektes ebenfalls relevant im Mere-Exposure-Effekt sein kann, sofern die Aufmerksamkeit aufrechterhalten wird.

Efter att Sundsvall Elnät har förlagt sitt nät under jord har det noterats en stegvis uppgång av den producerade reaktiva effekten från Sundsvall elnät till det överliggande regionnätet. Sundsvall Elnät har en avgiftsskyldighet till överliggande regionnätsinnehavaren i de fall där förbrukningen och inmatningen av reaktiv effekt på 132-kV nivån av transformatorerna vid mottagningsstationerna överskrider ett förutbestämt tröskelvärde. Priset för denna producerade reaktiva effekt överstiger kostnaden för förbrukning av reaktiv effekt till det överliggande nätet. Denna utveckling startade med mottagningsstation M4 för ett antal år sedan. Sundsvall Elnät har sex mottagningsstationer, och under de föregående åren har den producerade reaktiva effekten stigit alltmer, även för de övriga mottagningsstationerna. Det finns ett tilltagande bekymmer inom Sundsvall Elnät AB om hur denna utveckling kommer att fortskrida under det nästa årtiondet. Man önskar förstå vad de ekonomiska följderna kommer att vara och vilka potentiella åtgärder som finns för att motarbeta denna trend.Resultatet som erhållits från examensarbetet tyder på att 11-kV kablarna i Sundsvalls Elnät är den främsta orsaken till ökningen av den producerade reaktiva effekten till regionnätet. Detta fenomen är särskilt tydligt vid mottagningsstation M4, som är mest påverkad och har betydligt längre total kabellängd för 11-kV kablar jämfört med andra mottagningsstationer. Samtidigt har även kundernas bidrag en viss påverkan på den totala reaktiva effekten. Prognosen för framtida trender i det reaktiva effektflödet för mottagningsstation M3 och M4, som presenteras i examensarbetet, indikerar att denna trend kommer att fortsätta om inga åtgärder vidtas. En konsekvens av den ökande produceradereaktiva effekten till regionnätet är att Sundsvalls Elnät kommer att fortsätta att betala avgifter till regionnätsägaren, såvida man inte aktivt motverkar denna ökning. En annan konsekvens är att överproduktion av reaktiv effekt kan leda till tekniska problem, såsom spänningsfluktuationer och instabilitet i nätet. Detta kan i sin tur påverka spänningskvaliteten.Sundsvall Elnät kan förbättra balansen av reaktiv effekt genom att utforska möjligheten att kunder som kompenserar för reaktiv effektförbrukning slutar med denna kompensering under sommarperioden. Genom att vidta denna åtgärd minskar den producerade reaktiva effekten till regionnätet. Det rekommenderas också att undersöka möjligheten att endast ha en transformator i drift under sommaren, då energiförbrukningen är betydligt lägre. Detta skulle resultera i högre effektförluster i transformatorn, vilket i sin tur minskar den producerade reaktiva effekten till regionnätet. En ytterligare förbättringsåtgärd kan vara att installera reaktiveffektkompenseringsutrustning, såsom en shuntreaktor på 11-kV eller 132-kV sidan av transformatorerna i mottagningsstationerna. Denna utrustning skulle direkt kompensera för den reaktiva effekten innan den når regionnätet.

Den här kandidatuppsatsen behandlar miljöproblem som kan uppkomma i sambandmed användarfasen i ett klädesplaggs livscykel. Den del i användarfasen somfokuserats på är tvätt och hur tvättmedel kan bidra till mindre negativamiljöpåverkningar. Det är främst energiförbrukningen som gör användarfasenmiljöbelastande. Syftet med arbetet är att se om alternativa tvättmedel, som påståsvara mer miljövänliga alternativ till traditionella tvättmedel, fungerar med avseendepå tvättresultat och hur de kan leda till miljöförbättrande åtgärder.Efter direktiv från uppdragsgivarna Teknologisk Institut och Tænk utformas tester föratt undersöka tvätteffekt, mekanisk bearbetning och bakteriehämmande effekt på åttaalternativa tvättmedel (fem lågtemperaturtvättmedel och tre tvättbollar). Alla metodersom används i utförandet baseras på internationella standarder samt internaarbetsmetoder på Teknologisk Institut.Många faktorer har betydelse för resultatet av en rengöringsprocess och tvättmedlethar en central roll. Genom att vidta miljöförbättrande åtgärder i samband med tvättmåste tre faktorer förändras och effektiviseras: tvättmedel, energiåtgång samtvattenavfall.Resultaten av testerna visar att fyra av de fem testade lågtemperaturtvättmedlenklarade att tvätta rent i en temperatursänkning från 40 till 15°C. Inga av tvättbollarnatvättade rent med ett godkänt resultat. Testerna med den mekaniska bearbetningenvisar ingen ökad bearbetning med tvättbollars närvaro och resultaten från denbakteriehämmande effekten visar att bakterier är temperaturkänsliga och dör inte itvättemperaturer under 60°C.Bakteriers närvaro i tvätt, smutsens betydelse i testerna samt frågan om vad som ärrent eller smutsigt diskuteras i relation till erhållna resultat. Slutsatsen säger att entemperatursänkning från 40 till 15°C vid användning av lågtemperaturtvättmedelfungerar utmärkt och gynnar miljön på ett önskvärt sätt. Andra alternativa tvättmedel,såsom tvättbollar och tvättnötter, ger dåliga tvättresultat och för att skona miljön kanenbart vatten användas med likvärdigt tvättresultat. / Program: Textilingenjörsutbildningen

Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung selektiver Si1-xCx-Prozesse, die eine mechanische Zugspannung im Kanal von NMOS-Transistoren erzeugen, und so durch eine gezielte Änderung der Bandstruktur die Elektronenbeweglichkeit und damit auch die Leistungsfähigkeit der Bauteile erhöhen soll. In der vorliegenden Arbeit werden die wichtigsten Fragestellungen zum Wachstum der Si1-xCx-Schichten näher beleuchtet. Dabei werden zwei Methoden zum Wachstum der Schichten charakterisiert. Neben einem disilanbasierten UHV-CVD-Verfahren wird ein LP-CVD-Verfahren unter der Verwendung von Trisilan herangezogen. Für beide Prozessvarianten konnten mithilfe einer zyklischen Prozessführung selektive, undotierte und in-situ phosphordotierte Abscheidungen realisiert werden. Es wird gezeigt, dass die Disilanprozesse aufgrund ihrer geringen Wachstumsraten einen hohen Anteil interstitiellen Kohlenstoffs bedingen. Durch FT-IR-Analyse konnte belegt werden, dass sich während des Wachstums Siliziumkarbid-präzipitate bilden, die das epitaktische Wachstum nachhaltig schädigen können. Erweiterte man das Wachstum infolge der Zugabe von German zum ternären System Si1-x-yCxGey (y=0,05…0,07) wurde ein starker Anstieg der Wachstumsraten festgestellt. Die Aktivierungsenergie für das epitaktische Wachstum sinkt durch die Zugabe von German und der substitutionelle Kohlenstoffgehalt kann erhöht werden. Es wird gezeigt, dass German nicht nur für die Unterstützung des Ätzprozesses hilfreich ist, sondern im LP-CVD-Verfahren zur Unterstützung des HCl-basierten Ätzprozesses dienen kann. Ein weiterer Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Abscheidung und Charakterisierung in-situ phosphor-dotierter Schichten. Es wird nachgewiesen, dass Phosphor die Wachstumsrate erhöht und dass Phosphor und Kohlenstoff in Konkurrenz um substitutionelle Gitterplätze stehen. Phosphor ist außerdem auch die Spezies, für die die größte Anisotropie hinsichtlich des Einbaus auf Si(110) im Vergleich zu Si(001) beobachtet wurde: Je nach Prozessführung wird auf Si(110)-Ebenen nahezu doppelt so viel Phosphor eingebaut wie auf Si(001). Dieser Effekt ist insofern von großer Relevanz, als dass ein steigender Phosphoranteil auch die thermische Stabilität der Schichten herabsetzt. Die Relaxationsvorgänge basieren bei Si1-xCx-Schichten auf Platzwechselvorgängen substitutioneller Kohlenstoffatome zu interstitiellen Silizium-Kohlenstoff-Hanteldefekten unter der Bildung einer Leerstelle. Es wurde ein Modell vorgeschlagen, nach dem Phosphor durch die Entstehung von PV-Komplexen diese Reaktion begünstigt, wodurch die Relaxationsvorgänge beschleunigt werden. Infolge einer dreidimensionalen Atomsondenanalyse kann der Endzustand der Relaxation – die Bildung stöchiometrischen Siliziumkarbids – belegt werden. In-situ phosphordotierte Si1-xCx-Schichten mit ca. 4*1020 at/cm³ Phosphorgehalt und 1,8 at.% Kohlenstoff wurden erfolgreich in NMOS-Transistoren der 45 nm Generation integriert und mit ebenfalls im Rahmen der Dissertation entwickelten Si:P-Rezepten verglichen. Die höchste Leistungssteigerung von 10 % konnte durch die Kombination aus beiden Prozessen erzielt werden, bei dem auf die spannungserzeugende Si1-xCx-Schicht zur Senkung des Silizidwiderstandes eine Si:P-Kappe aufgebracht wird. Die Einprägung einer Zugspannung in den Transistorkanal wurde mittels Nano beam diffraction nachgewiesen und wurde auf Basis des piezoresistiven Modells mit SiGe-PMOS-Transistoren verglichen.

In the present work, the magnetotransport measurement technique was developed and various materials, exhibiting resistances from 1 mOhm up to several tens of kOhm, were investigated in pulsed magnetic fields of up to 60 T. Phase diagrams of irreversibility and upper critical fields for pure and Zn-doped YBa2Cu3O_7-x high-temperature superconductors were measured. A high-field study of the electronic properties of the two semimetals LaBiPt and CeBiPt were presented. Magnetoresistance of La0.7Sr0.3MnO3 and La0.7Ca0.3MnO3 thin films were investigated.

University, Diss--Köln, 2005.

It was the purpose of this thesis to evaluate two-dimensional (2D) magneto-thermoelectric (MTE) phenomena in thinner regime. Mostly this work was motivated by the recent discovery of MTE properties in transition metal dichalcogenides (TMD). In general, TMD thin films have attracted much attention due to their very good electrical, optical, and electrochemical properties. However the total amount of studies of the MTE in TMD is rather small compared to the other properties, such as electric, opto-electric, and catalyst. Hence, in this thesis, we aimed to evaluate the MTE properties in TMD materials. Before we started to measure TMDs, we established a measurement platform and studied MTE properties in ferromagnetic CoFeB, and Weyl semimetal Co2MnGa.:1. Introduction a. Physical background i. Seebeck Effect ii. Anomalous Hall Effect and Anomalous Nernst Effect iii. Mott relation 2. Sample Preparation and evaluation a. Physical vapor deposition b. Mechanical Exfoliation c. Patterning Process 3. Data Evaluation 4. State of the art in Transition Metal Dichalcogenids a. Introduction b. TMD in use c. Magneto-thermoelectric properties in TMD 5. Magneto-thermoelectrical properties in CoFeB thin film a. Introduction b. Results and Discussion c. Conclusion 6. Anomalous Nernst and Anomalous Hall effect in Co2MnGa thin film a. Introduction b. Results and Discussion c. Summary 7. Anomalous Hall effect in exfoliated VS2 flake a. Introduction b. Experiment c. Results and Discussion d. Summary 8. Summary Acknowledgement and References

Die elektrische Leitfähigkeit und der Hall-Effekt der halbleitenden Silicide Beta-FeSi2 und MnSi1,73 werden im Temperaturbereich zwischen 4,2 und 300 K untersucht. In ergänzenden Untersuchungen werden strukturelle und optische Eigenschaften dieser Materialien bestimmt. Die Ergebnisse der Messungen an MnSi1,73 - Schichten werden im Rahmen der Boltzmann-Gleichung in Relaxationszeitnäherung interpretiert. Die Temperatur- abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit und der Hall-Beweglichkeit der Mangansilicid-Schichten kann unter Einbeziehung der Ladungsträgerstreuung an Korngrenzen und akustischen Phononen erklärt werden. In einer kritischen Diskussion werden die Grenzen des verwendeten Transportmodells aufgezeigt. Den Schwerpunkt der Untersuchungen an Beta-FeSi2 bildet die Analyse des Hall-Koeffizienten in Abhängigkeit von der Temperatur und dem Magnetfeld. Mit einem neuen dynamischen Meßverfahren werden umfassende Ergebnisse für den Hall-Koeffizienten in dünnen Schichten und Einkristallen erhalten, die eine herkömmliche Interpretation des Hall-Effekts in Beta-FeSi2 in Frage stellen. Unter Einbeziehung eines wesentlichen Einflusses des anomalen Hall-Effekts in die Interpretation, können die Eigenschaften des Hall-Effekts in Beta-FeSi2 verstanden werden.

Nach einer kurzen Einführung in das strombegrenzende Schalten folgen Betrachtungen über den Aufbau von thermoplastischen Polymeren, den Prozess der Sphärolithbildung sowie die Struktur der Ruße. Auf Grund der Füllstoffteilchenverdrängung im Verlauf der Sphärolithbildung sowie der Neigung der Füllstoffteilchen zur Agglomeration werden Überlegungen zur elektrischen Leitfähigkeit der Compounds angestellt. Gestützt auf den stark nichtlinearen Ausdehnungs-koeffizienten der Thermoplaste und der Selbstagglomerationsneigung der Füllstoffteilchen erfolgt die Erklärung des Widerstandsverhaltens der Compoundmaterialien. Die Optimierung des Compoundmaterials für Strombegrenzung erfolgt durch Untersuchung einer Auswahl von Parametern, die das Matrixmaterial, den Ruß sowie das Herstellungsverfahren betreffen. Das Gesamtverhalten eines polymeren Strombegrenzers lässt sich nicht allein mit dem Widerstandsverhalten des Compounds erklären. Deshalb werden die Gegebenheiten im Bereich des Metall-Compound-Kontakts untersucht. Mit der so gewonnenen Modellvorstellung und dem Verständnis der Funktionsweise des Compounds ist es dann möglich das Gesamtverhalten zu beschreiben. Dabei ist zwischen oberflächennahem-PTC-Effekt und Volumen-PTC-Effekt sowie dem Oberflächeneffekt zu unterscheiden. Durch einen Alternativansatz können bisherige Diskrepanzen bezüglich der Erklärung der Phänomene beim Oberflächeneffekt ausgeräumt werden. Es erfolgt eine Gegenüberstellung von PTC- und Oberflächeneffekt hinsichtlich ihres Anteils am Gesamtverhalten. Abschließend werden Aspekte zur Dimensionierung eines polymeren Strombegrenzers behandelt.

Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung selektiver Si1-xCx-Prozesse, die eine mechanische Zugspannung im Kanal von NMOS-Transistoren erzeugen, und so durch eine gezielte Änderung der Bandstruktur die Elektronenbeweglichkeit und damit auch die Leistungsfähigkeit der Bauteile erhöhen soll. In der vorliegenden Arbeit werden die wichtigsten Fragestellungen zum Wachstum der Si1-xCx-Schichten näher beleuchtet. Dabei werden zwei Methoden zum Wachstum der Schichten charakterisiert. Neben einem disilanbasierten UHV-CVD-Verfahren wird ein LP-CVD-Verfahren unter der Verwendung von Trisilan herangezogen. Für beide Prozessvarianten konnten mithilfe einer zyklischen Prozessführung selektive, undotierte und in-situ phosphordotierte Abscheidungen realisiert werden. Es wird gezeigt, dass die Disilanprozesse aufgrund ihrer geringen Wachstumsraten einen hohen Anteil interstitiellen Kohlenstoffs bedingen. Durch FT-IR-Analyse konnte belegt werden, dass sich während des Wachstums Siliziumkarbid-präzipitate bilden, die das epitaktische Wachstum nachhaltig schädigen können. Erweiterte man das Wachstum infolge der Zugabe von German zum ternären System Si1-x-yCxGey (y=0,05…0,07) wurde ein starker Anstieg der Wachstumsraten festgestellt. Die Aktivierungsenergie für das epitaktische Wachstum sinkt durch die Zugabe von German und der substitutionelle Kohlenstoffgehalt kann erhöht werden. Es wird gezeigt, dass German nicht nur für die Unterstützung des Ätzprozesses hilfreich ist, sondern im LP-CVD-Verfahren zur Unterstützung des HCl-basierten Ätzprozesses dienen kann. Ein weiterer Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Abscheidung und Charakterisierung in-situ phosphor-dotierter Schichten. Es wird nachgewiesen, dass Phosphor die Wachstumsrate erhöht und dass Phosphor und Kohlenstoff in Konkurrenz um substitutionelle Gitterplätze stehen. Phosphor ist außerdem auch die Spezies, für die die größte Anisotropie hinsichtlich des Einbaus auf Si(110) im Vergleich zu Si(001) beobachtet wurde: Je nach Prozessführung wird auf Si(110)-Ebenen nahezu doppelt so viel Phosphor eingebaut wie auf Si(001). Dieser Effekt ist insofern von großer Relevanz, als dass ein steigender Phosphoranteil auch die thermische Stabilität der Schichten herabsetzt. Die Relaxationsvorgänge basieren bei Si1-xCx-Schichten auf Platzwechselvorgängen substitutioneller Kohlenstoffatome zu interstitiellen Silizium-Kohlenstoff-Hanteldefekten unter der Bildung einer Leerstelle. Es wurde ein Modell vorgeschlagen, nach dem Phosphor durch die Entstehung von PV-Komplexen diese Reaktion begünstigt, wodurch die Relaxationsvorgänge beschleunigt werden. Infolge einer dreidimensionalen Atomsondenanalyse kann der Endzustand der Relaxation – die Bildung stöchiometrischen Siliziumkarbids – belegt werden. In-situ phosphordotierte Si1-xCx-Schichten mit ca. 4*1020 at/cm³ Phosphorgehalt und 1,8 at.% Kohlenstoff wurden erfolgreich in NMOS-Transistoren der 45 nm Generation integriert und mit ebenfalls im Rahmen der Dissertation entwickelten Si:P-Rezepten verglichen. Die höchste Leistungssteigerung von 10 % konnte durch die Kombination aus beiden Prozessen erzielt werden, bei dem auf die spannungserzeugende Si1-xCx-Schicht zur Senkung des Silizidwiderstandes eine Si:P-Kappe aufgebracht wird. Die Einprägung einer Zugspannung in den Transistorkanal wurde mittels Nano beam diffraction nachgewiesen und wurde auf Basis des piezoresistiven Modells mit SiGe-PMOS-Transistoren verglichen.