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Le collagène XXII dans la formation et la fonctionnalité de la jonction myotendineuse chez le poisson zèbre, de l’embryon à l’âge adulte / Collagen XXII in zebrafish myotendinous junction formation and function, from embryogenesis to adulthood

Malbouyres, Marilyne 12 November 2018 (has links)
Le collagène XXII (COLXXII) a été décrit, en 2004, comme un marqueur des jonctions tissulaires chez la souris. En particulier, la jonction myotendineuse (JMT) est une matrice extracellulaire spécialisée qui assure une liaison structurale entre le muscle squelettique et le tendon et permet la transmission des forces de contraction au squelette. Mon projet de thèse a visé à caractériser le rôle de COLXXII in vivo; le modèle du poisson zèbre a été choisi. Chez le poisson zèbre, col22a1 code pour COLXXII dont l'expression débute dans tout le somite, puis, se restreint progressivement aux extrémités des fibres musculaires au niveau de la JMT, où est déposée la protéine. Utilisant la technique de morpholino-knockdown, nous avons montré que les morphants développent un phénotype dystrophique et que le COLXXII fait très probablement partie du complexe d'ancrage intégrine α7β1. Cependant, compte tenu de la durée d'efficacité réduite des morpholinos, notre étude était limitée. Utilisant la technologie CRISPR-Cas9, nous avons donc généré deux lignées invalidées pour col22a1. L'analyse ultra-structurale des poissons col22a1-/-, de la jeune larve à l'adulte, montre que les interdigitations du sarcolemme, caractéristiques de la JMT, sont pratiquement absentes chez les mutants (comme chez les morphants), pouvant impacter la transmission des forces et/ou l'attachement du muscle aux myoseptes (tendons). De façon intéressante, pour les deux lignées, la même proportion de larves présente un phénotype très sévère entrainant la mort vers 2 semaines post-fécondation (spf). Les autres larves, elles, survivent et ne montrent pas de phénotype global particulier. En revanche, une forte réduction des interdigitations de la JMT est constatée et dans de rares cas, après challenge des poissons, une rupture musculaire est observée. Une première approche de q- PCR par gène candidat a été réalisée et il semble possible que les différences phénotypiques soient liées à des évènements conjoints d'expressivité variable et de compensation génique. Enfin, utilisant un système original de test de nage à contre-courant par palier, j'ai montré que les poissons col22a1-/- âgés de 6 mois ont une capacité de nage très diminuée et consomment d'avantage d'O2 pendant l'effort comparés aux animaux sauvages. L'efficacité du système musculo-squelettique semble donc moindre en l'absence de collagène XXII. Nos résultats devraient permettre de considérer COL22A1 comme un gène candidat pour les cas de dystrophies musculaires dont la cause génétique est non élucidée / The myotendinous junction (MTJ) is a specialized extracellular matrix which allows the transmission of skeletal muscle forces to bones. My thesis project aimed at characterizing the in vivo role of COLXXII using the zebrafish as a model. The zebrafish col22a1 gene encodes COLXXII whose expression begins in the entire somite, and is then restricted gradually at the MTJ, where the protein is deposited. Morphants (Knockdown) develop a dystrophic phenotype and we have demonstrated that COLXXII is likely a member of the integrin a7ß1 anchoring complex. However, because morpholinos are efficient only few days after injection, our study was limited to early stages of zebrafish development. We thus generated two mutant lines (CRISPR-Cas9) invalidated for col22a1. The typical sarcolemmal interdigitations of the MTJ are almost absent in mutants, from larvae to adult (as in morphants), which could impact the force transmission and/or the muscle attachment to myosepta (tendons). In the two mutant lines, the same proportion of larvae displays a severe phenotype leading to fish death 14 days post-fertilization. On the contrary, other larvae survive without any obvious general phenotype. A first candidate genes approach was realized by qPCR and tends to show that the phenotypic differences may be due to both, variable expressivity and genetic compensation. Finally, I have shown that 6 months col22a1-/- fish show a highly decreased swimming capacity and consume more O2 during effort compared to wild type animals. Thus, we conclude that the musculoskeletal system efficiency seems altered in absence of COLXXII. Our results should allow considering COL22A1 as a candidate gene for muscular dystrophies with unclarified genetic cause.
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La variation stylistique en maltais : étude des usages concrets de la langue appuyée sur une approche contrastive des phénomènes variationnels en maltais et en français / Stylistic Variation in Maltese : a study of actual language use supported by a contrastive approach to variation patterns in Maltese and French

Bezzina, Anne-Maria 19 December 2013 (has links)
La variation intralocuteur se manifeste selon les usages à partir des conditions situationnelles de production du discours : le chenal oral / écrit, le cadre et la formalité de la situation, le sujet, le ton, les objectifs et enjeux identitaires des participants, et le contexte co-construit et reconstruit tout au long de l’interaction. Une distinction est établie entre formel institutionnel ou protocolaire, pratiqué par des professionnels de la parole publique dans des situations à enjeu sérieux ou médiatiques, et le formel des locuteurs individuels, pratiqué par tous, normalement dans des cadres transactionnels. Le bilinguisme caractérisant la situation linguistique à Malte est décrit comme caractérisé par une diglossie relative, socialement plutôt qu’institutionnellement établie, à partir de la répartition fonctionnelle de l’anglais et du maltais et du prestige associé avec l’anglais considéré par la communauté et le secteur privé comme variété H, contrebalancés par le fait que le maltais est privilégié comme variété H dans les situations protocolaires influencées par l’Etat.Un questionnaire concerne les usages et les attitudes linguistiques au niveau sociétal : il en ressort des attitudes ambivalentes vis-à-vis des dialectes, la vénération dont jouit le maltais sémitique, et les confrontations d’attitudes concernant l’emploi de l’anglais. Ces résultats permettent de mieux comprendre la valeur sociolinguistique des données qui émergent d’un corpus ‘maltais’. Le corpus oral est obtenu à partir de huit locuteurs-clés (dont trois professionnels de la parole publique) enregistrés dans divers types de situations. Le corpus écrit se divise en écrit informel (emails et chat) et écrit formel (articles, prose littéraire, écrits administratifs).Le corpus montre qu’à Malte la variation se réalise par les différences de registre et par l’alternance codique et comprend ainsi les schémas de variation associées avec les situations monolingues comme avec les situations bilingues. Une étude de la distribution des adverbes et conjonctions maltais confirme leur sensibilité à la formalité, au chenal et au genre. La jonction propositionnelle et la dislocation varient également en fonction du style. L’alternance codique paraît motivée par la volonté d’apprendre l’anglais aux enfants, et, pour les adultes, par le prestige et les connotations d’éducation liés à cette langue. La situation linguistique française est connue pour l’écart important entre formes standard et non standard. Les causes en sont énumérées. En contexte maltais, la variation inhérente au maltais et la possibilité de recourir à l’alternance codique fournissent aussi une marge importante de possibilités variationnelles. Les processus de standardisation dans les deux situations diffèrent sur divers plans ; les attitudes linguistiques se ressemblent par une idée de purisme. Une analyse est faite des domaines linguistiques touchés par la variation dans les deux langues, avec des propositions concernant quels types de variation sont davantage tolérés. La variation stylistique domine le contexte non diglossique français ; l’hypothèse est avancée que la variation sociale prédomine en contexte maltais. / Intraspeaker variation takes place according to relevant situational conditions of language use, such as the spoken/written order, the framework and degree of formality of the situation, topic, tone, participants’ aims and identity issues, and context, which is co-constructed and reconstructed throughout the interaction. A distinction is made between institutional or protocol formality, practised by public speech professionals in serious, public, sometimes mediatic situations, and individual speakers’ formality, practised by all, normally within transactional frameworks. The type of bilingualism which characterises the Maltese language situation is described as relatively diglossic, from a social rather than an institutional point of view. This characterisation is based on the functional distribution of Maltese and English, and on the prestige associated with English, considered by the community and the private sector as the H variety, whilst Maltese is the H variety chosen by government institutions for protocol situations.A questionnaire delves into language use and attitudes on a societal level. Ambivalent attitudes emerge regarding regional dialects, as well as veneration of Semitic Maltese, and conflicting attitudes regarding the use of English. These results allow a better understanding of the sociolinguistic value of data obtained from a Maltese corpus. The spoken corpus is obtained thanks to eight key speakers (among which three public speech professionals), recorded in a variety of situations ranging from the formal to the informal. The written corpus is divided into informal (emails, chat) and formal (articles, literary prose, administration texts) sections.The corpus shows that variation takes place in Malta through register shifts and code-switching, thus covering variation patterns associated with both monolingual and bilingual situations. A study of adverb and conjunction distribution in Maltese confirms their susceptibility to formality, channel and genre. Clause junction and dislocation also vary according to style. Code-switching appears motivated by a will to teach children English and, for adults, by the prestige and the connotations of education associated with this language. The language situation in France is known for the significant difference between standard and non-standard forms; its causes are mentioned. In the Maltese context, variation inherent to Maltese and the possibility to resort to code-switching also provide a wide margin of variation possibilities. The standardisation process in the two situations diverges on several levels; language attitudes converge through an idea of language purity. Language areas susceptible to variation are analyzed, and it is proposed that variation is mostly tolerated in Maltese at the syntactic level. Stylistic variation dominates the non-diglossic French context; a hypothesis is proposed that social variation dominates the Maltese context.
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Impact of symmetry of oxygen vacancies on electronic transport in MgO-based magnetic tunnel junctions / Effet de la symétrie des lacunes d'oxigène dans MgO sur le transport électronique polarisé en spin

Taudul, Beata 12 December 2017 (has links)
En spintronique, l’étude des hétérostructures multicouches composées d'une électrode ferromagnétique et d'une couche isolante mince, c'est-à-dire des jonctions tunnel magnétiques (JTM), est particulièrement importante. Le système canonique est le Fe/MgO/Fe où les hautes valeurs du rapport de la magnétoresistance tunnel (TMR) ont été mesurées. Le facteur crucial définissant la performance de la jonction est l’imperfection structurelle dans un dispositif réel. Dans notre travail, nous nous sommes concentrés sur des lacunes d'oxygène dans MgO. Au moyen de la théorie de la fonctionnelle de densité, nous avons étudié les propriétés électroniques de l'état fondamental des lacunes d'oxygène simples et doubles dans MgO massif, appelées respectivement centres F et M. Nous avons ensuite étudié l'impact de ces lacunes sur le transport balistique dans les jonctions magnétiques. Nous avons démontré le rôle supérieur joué par les centres M et nous avons prouvé qu'un transport cohérent, préservant le spin et la symétrie des électrons, est possible en présence de centres M. / In sprintronics, the study of multilayer heterostructures composed of a ferromagnetic electrodes and a thin insulating layer, i.e. magnetic tunnel junctions (MTJs), is of special importance. The canonical systems are MTJs made of Fe/MgO/Fe where hight tunneling mangetoresistance ratio (TMR) values were measured. The crucial factor defining the junction performance is the structural imperfection appearing in a real devices. In our work we focused in particular on oxygen vacancies in MgO. By means of density functional theory we studied ground state electronic properties of single and double oxygen vacancies, referred as F and M centers, respectively, in bulk MgO. We then switched to full junctions where we investigated the impact of vacancies on the ballistic transport. We demonstrated that M centers played a superior role and proved that coherent transport, preserving electrons spin and symmetry, is possible in presence of paired vacancies.
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Rôle et impact des protéines associées à la lame basale spécialisée dans l’attache gingivale et la maladie parodontale

Fouillen, Aurélien 04 1900 (has links)
No description available.
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Commutation précessionelle de mémoire magnétique avec polariseur à anisotropie perpendiculaire / Magnetic random access memory (MRAM) cells with perpendicular anisotropy polariser

Marins de Castro Souza, Maria 27 September 2011 (has links)
Cette thèse est consacrée à l’intégration d’un polariseur à anisotropie perpendiculaire dans une jonction tunnel magnétique aux aimantations planaires. Par effet du transfert de spin venant du polariseur perpendiculaire, il est possible d’induire des oscillations de l’aimantation de la couche libre. Ces oscillations ultra-rapides de l’ordre de la picoseconde, peuvent être utilisées comme mode d’écriture dans une cellule magnétique MRAM. Ce type d’écriture est appelée écriture précessionnelle. Nous avons optimisé des structures fonctionnelles tout en gardant des bonnes qualités électriques et magnétiques. Les tests d’écriture sur des nanopiliers ont permis de valider le concept d’écriture précessionnelle ouvrant ainsi une porte à la compréhension des différents phénomènes liés au transport tunnel et à la dynamique de l’aimantation. / This thesis is dedicated to the integration of a polarizer with out-of-plane anisotropy in a classical planar magnetic tunnel junction. The spin transfer torque from the perpendicular polarizer induces a large angle precessional motion of the free layer magnetization. These ultrafast oscillations below the nanosecond-scale can be used as writing technique, also called precessional switching in MRAM cells. We optimized a functional memory device with both good electric and magnetic properties. The concept of processional writing was validated by electric tests on patterned nanopillars structures opening the way to investigate different phenomenon’s regarding both tunneling transport and magnetization dynamics.
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First-principles study of spintronic phenomena in magnetic tunnel junctions and graphene / Etude ab-initio des phénomènes spintronique dans les jonctions tunnel magnétiques et le graphène

Yang, Hongxin 13 March 2012 (has links)
Phénomènes de spintronique dans les jonctions tunnel magnétiques et des films minces sont très prometteurs des deux points fondamentaux et l'application de vue. Elles sont basées sur l'exploration de spin d'électron en plus de sa charge et comprennent intercalaire couplage d'échange (CEI), l'anisotropie magnétique perpendiculaire (PMA), géante (GMR) et magnétorésistance tunnel (TMR), Couple de transfert de spin (STT), Spin effet Hall (SHE) et même induire du magnétisme dans les éléments non compris d graphène. Cette thèse comprendra premiers principes des études de phénomènes spintronique qui ont été d'un grand intérêt récemment. La première partie est consacrée à intercalaire couplage d'échange à travers les matériaux isolants dont le MgO, SrTiO3, GaAs et ZnSe. La deuxième partie comprendra des études ab initio d'anisotropie magnétique perpendiculaire au Fe | interfaces MgO et MTJ y compris le mécanisme et sa corrélation avec le spin Bloch symétrie Etat fondé de filtrage. Dans les enquêtes troisième partie de l'anisotropie magnétique et la fonction de travail dans les Co | interfaces graphène seront présentés. Ensuite, il sera montré possibilité d'induire et d'optimiser le magnétisme intrinsèque dans nanomeshes graphène. Dernière partie sera consacrée à l'induction de polarisation de spin et le réglage de Dirac point et ordre magnétique dans le graphène à l'aide d'effets de proximité magnétiques substrat. / Spintronic phenomena in magnetic tunnel junctions and thin films are very promising from both fundamental and application points of view. They are based on exploring spin of electron in addition to its charge and include interlayer exchange coupling (IEC), perpendicular magnetic anisotropy (PMA), giant (GMR) and tunnel magnetoresistance (TMR), Spin Transfer Torque (STT), Spin Hall Effect (SHE) and even inducing magnetism in non d elements including graphene. This thesis will include first-principles studies of spintronic phenomena which have been of high interest recently. First part is devoted to interlayer exchange coupling across insulating materials including MgO, SrTiO3, GaAs and ZnSe. The second part will include ab initio studies of perpendicular magnetic anisotropy at Fe|MgO interfaces and MTJs including the mechanism and its correlation to the Bloch state symmetry based spin filtering. In third part investigations of magnetic anisotropy and work function in Co|graphene interfaces will be presented. Next, it will be shown possibility of inducing and optimizing intrinsic magnetism in graphene nanomeshes. Final part will be devoted to inducing spin polarization and tuning Dirac point and magnetic order in graphene by means of magnetic substrate proximity effects.
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Conception innovante et développement d'outils de conception d'ASIC pour Technologie Hybride CMOS / Magnétique / ASIC Innovative design and Process Design Kit development for Hybride CMOS / Magnetic Technology

Di Pendina, Grégory 19 October 2012 (has links)
Depuis plusieurs années de nombreuses technologies non volatiles sont apparues et ont pris place principalement dans le monde de la mémoire, tendant à remplacer tout type de mémoire. Leurs atouts laissent à penser que certaines d'entre elles, et en particulier les technologies MRAM, pourraient améliorer les performances des circuits intégrés en utilisant leurs composants magnétiques, si connus notamment sous le nom de jonctions tunnel magnétiques, dans la logique. Pour évaluer ces éventuels gains, il faut être capable de concevoir de tels circuits. C'est pourquoi nous proposons dans ces travaux d'une part un kit de conception complet pour les flots de conception full custom et numérique, permettant de couvrir l'ensemble des étapes de conception pour chacun d'entre eux. Une partie de ce kit a servi à plusieurs partenaires de projets de recherche ANR, pour concevoir des démonstrateurs. Nous proposons également dans ce kit de conception un latch magnétique non volatil innovant ultra compact, pour lequel deux brevets d'invention ont été déposés, intégré à une flip-flop. Enfin, nous présentons l'intégration de composants magnétiques à deux applications, sécurité et faible consommation, ainsi qu'une étude qui montre que les gains en consommation statique peuvent être considérables. / For several years many non-volatile technologies have been appearing and taking place mainly in the memory world, aiming at replacing all kind of memory. Their assets let thinking that some of them, specially the MRAM technologies, could improve the integrated circuit performances, using their so called magnetic components in the logic, in particular the magnetic tunnel junctions. To evaluate the potential benefits, it is necessary to be able to design such a circuit. That is the reason why we are proposing a full design kit for both full custom and digital designs, allowing all the design steps. Part of this kit has been used by partners in research project to design demonstrators. We also propose in this kit an innovative ultra-compact magnetic latch, for which 2 patents have been deposited, integrated in a flip-flop. Finally, we present the integration of magnetic components for two applications, security and low power, as well as a case study which shows that the static consumption reduction can be huge.
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Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique / Electrical characterization of junctionless transistors with numerical simulation

Jeon, Dae-Young 23 October 2013 (has links)
L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS), la longueur physique de la grille, a diminué à un rythme régulier. Cette évolution, motivée par des raisons économiques, a été anticipée par G. Moore, et est de ce fait connue sous le nom de "loi de Moore". La dimension de grille a d'ores et déjà été réduite de plus de 2 ordres de grandeur et, dans son édition2012, l'association ITRS prédit qu'elle décroîtra encore, de 22nm en 2011 à environ 6nm en 2026 [1].Toutefois, cette réduction des dimensions fait apparaître un certain nombre d'effets secondaires qui altèrent le fonctionnement idéal des transistors MOS [2]. / In this dissertation, the performance of junction less transistors (JLTs) as possible candidates for the continuation of Moore’s law was investigated experimentally based on an in-depth study of their electrical characteristics. Current-voltage I-V and capacitance-voltage C-V were analyzed in a wide rangeof temperatures (from 80 K to 350 K) in correlation with device operation mechanism. Lowfrequencynoise was also studied and compared to that of inversion-mode transistors. This study requirednew parameter extraction methods to be defined for JLTs. Their validity was confirmed by 2-dimensional (2D) simulation results. They will be detailed in this dissertation.
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Propriétés de transport et d'anisotropie de jonctions tunnel magnétiques perpendiculaires avec simple ou double barrière / Magnetic and transport properties of single and double perpendicular magnetic tunnel junctions

Cuchet, Léa 10 November 2015 (has links)
Du fait de leurs propriétés avantageuses en termes de rétention des données, densité de stockage et faible courant critique pour l'écriture par courant polarisé en spin (STT), les jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire sont devenues prédominantes dans les études sur les applications aux mémoires magnétiques MRAM. Les travaux de cette thèse s'inscrivent dans ce contexte avec pour but l'amélioration des propriétés de transport et d'anisotropie de telles structures ainsi que la réalisation d'empilements encore plus complexes tels que des doubles jonctions perpendiculaires. Grâce à l'étude des propriétés magnétiques et des mesures de MagnétoRésistance Tunnel (TMR), il apparaît que pour optimiser les performances des jonctions tunnel, l'ensemble des épaisseurs des couches composant l'empilement doit être adapté. Des compromis sont souvent nécessaires pour obtenir à la fois une forte anisotropie perpendiculaire et des signaux de TMR élevés. Des études en fonction des épaisseurs magnétiques ont permis de déterminer les aimantations à saturation, épaisseurs critiques et couches mortes dans les couches de référence et de stockage de jonctions standard avec électrode libre supérieure et couverture Ta. Ce type de jonction a pu être nano-fabriqué sous forme de piliers circulaires afin de tester l'écriture par STT. Sachant que l'anisotropie perpendiculaire provient essentiellement de l'interface métal/oxyde, la couverture Ta a été ensuite remplacée par une deuxième couche de MgO, permettant d'améliorer significativement l'anisotropie de la couche libre. En introduisant une seconde référence au-dessus de cette jonction, des doubles jonctions perpendiculaires fonctionnelles ont pu être fabriquées. Des couches de stockage antiferromagnétiques synthétiques de la forme CoFeB/insert/CoFeB ont pu être développées et apparaissent suffisamment stables pour pouvoir remplacer les traditionnelles références à base de multicouches Co/Pt. / Due to their advantageous properties in terms of data retention, storage density and critical current density for Spin Transfer Torque (STT) switching, the magnetic tunnel junctions with perpendicular anisotropy have become predominant in the developments for MRAM applications. The aim of this thesis is to improve the anisotropy and transport properties of such structures and to realize even more complex stacks such as perpendicular double junctions. Studies on the magnetic properties and Tunnel MagnetoResistance (TMR) measurements showed that to optimize the performances of the junctions, all the thicknesses of the different layers constituting the stack have to be adapted. To guaranty both a large TMR as well a strong perpendicular anisotropy, compromises are most of the time needed. Studies as a function of magnetic thickness enabled to extract the saturation magnetization, the critical thickness and the magnetic dead layer thickness both in the bottom reference and the top storage layer in structures capped with Ta. This type of junction could be tested electrically after patterning the sample into nanopillars. Knowing that perpendicular anisotropy mostly arises at the metal/oxide interface, the Ta capping layer was replaced by a MgO one, leading to a huge increase in the anisotropy of the free layer. A second top reference was then added on such a stack to create functional perpendicular double junctions. CoFeB/insertion/CoFeB synthetic antiferromagnetic storage layers could be developed and were proved to be stable enough to replace the standard Co/Pt-based reference layers.
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A single molecule perspective on DNA double-strand break repair mechanisms / Réparation des cassures double-brin de l'Adn : une perspective en molécule unique

Zhang, Hongshan 24 July 2017 (has links)
Les cassures double brin de l'ADN altèrent l'intégrité physique du chromosome et constituent l'un des types les plus sévères de dommages à l'ADN. Pour préserver l'intégrité du génome contre les effets potentiellement néfastes des cassures double brin de l'ADN, les cellules humaines ont développé plusieurs mécanismes de réparation, dont la réparation par recombinaison de l'ADN et la jonction d'extrémités non-homologues (NHEJ), catalysés par des enzymes spécifiques. Pendant ma thèse, nous avons caractérisé la dynamique de certaines des interactions protéines/ADN impliquées dans ces mécanismes au niveau de la molécule unique. Dans ce but, nous avons combiné des pinces optiques et de la micro-fluidique avec de la microscopie de fluorescence à champ large afin de manipuler une ou deux molécules d'ADN individuelles et d'observer directement les protéines de la réparation marquées par fluorescence agissant sur l'ADN. Nous avons concentré notre analyse sur trois protéines/complexes essentiels impliqués dans la réparation de l'ADN: (i) la protéine humaine d’appariement de brin RAD52, (ii) les protéines humaines XRCC4, XLF et le complexe XRCC4/Ligase IV de la NHEJ et (iii) le complexe humain MRE11/RAD50/NBS1. / DNA double-strand breaks disrupt the physical continuity of the chromosome and are one of the most severe types of DNA damage. To preserve genome integrity against the potentially deleterious effects of DNA double-strand breaks, human cells have evolved several repair mechanisms including DNA recombinational repair and Non-Homologous End Joining (NHEJ), each catalyzed by specific enzymes. In this thesis we aimed at unraveling the dynamics of protein/DNA transactions involved in DNA double-strand break repair mechanisms at single molecule level. To do this, we combined optical tweezers and microfluidics with wide-field fluorescence microscopy, which allowed us to manipulate individual DNA molecules while directly visualize fluorescently-labeled DNA repair proteins acting on them. We focused the study on three crucial proteins/complexes involved in DNA repair: (i) the human DNA annealing protein RAD52, (ii) the non-homologous end joining human proteins XRCC4 and XLF and the complex XRCC4/Ligase IV, and (iii) the human MRE11/RAD50/NBS1 complex.

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