Warped wafers and all the issues arise with them. are known issue in semiconductor industry. To solve those issues, the shape of the wafer needs to be known precisely. Current way of working when it comes to warped wafers is far from ideal within the company. A batch of wafers is acquired at customer’s site and it is assumed, that all the wafers in the batch are warped identically. A single specimen, representing the whole batch, is then taken to external company to be measured. As the method of measuring currently used contaminates and scratches the wafer, wafer must be scrapped afterwards. All the logistics and scrapped wafers add unnecessary costs to the company.  To optimize the warpage measuring procedure, a graduation internship project was initiated with a goal to develop a prototype of the tool, enabling inhouse warpage measuring.  The report contains all the methodology used to reach the final concept and results and includes methods such as: WBS, GANTT chart, Functional breakdown, Design requirement specification, Morphological matrix and PUGH’s matrix.  Final concept of warpage measuring tool consisted of implementing wafer sorting apparatus for wafer handling and enclosing the measuring tool to a custom housing, resembling a FOUP (Front Opening Unified Pod), allowing wafer sorting apparatus to load and unload test specimen for measuring. The measuring concept consists of rotary stage, where the wafer is loaded and rotated in addition to linear stage, that holds a confocal sensor above the wafer and moves it across the surface of the wafer, measuring the profile of the wafer, rotated every defined number of degrees between the measurements. Gravity induced deflection is eliminated by flipping the wafer using same wafer sorting apparatus and measuring the wafer inverted, thus allowing to estimate the true shape of the wafer.  The concept was developed in more detail, drawings for manufacturing the parts were created and the parts for building a functional prototype were ordered. Because of the COVID-19 pandemic, there were inevitable communication difficulties and delays in lead times, resulting in parts arriving on the last days of the internship, leaving no time for assembling and testing the actual prototype, therefore proof of concept is yet left to be tested by the employees of the company. / Vrängda kiselplattor och de problem som uppstår på grund av det är ett känt fenomen inom halvledarindustrin. För att kringgå dessa problem behövs god mätnoggranhet och det nuvarande sättet att hantera vrängda kiselplattor på inom företaget är långt från idealt. En batch kiselplattor hämtas hos kunden med antagandet att alla kiselplattor är identiskt vrängda. Ett enda exemplar som representerar hela batchen väljs sedan ut och skickas till ett externt mätföretag. Metoden som används för att mäta kiselplattan innehåller föroreningar och metoden repar även kiselplattan, som därmed inte kan användas efteråt. Utöver mätmetodens brister tillkommer även en utökad logistik och större materialspill som tillför kostnader för företaget.  Examensarbetets syfte är att förbättra mätmetoden som används för att utvärdera kiselplattornas vrängning och målet med projektet är att utveckla en prototyp som tillåter att mätmetoden görs internt inom företaget.  Rapporten innehåller metodiken som användes för att uppnå det slutgiltiga konceptet samt resultatet, och innehåller planeringsmoment samt projektets delmoment som: WBS, GANNT, funktionsnedbrytning, kravspecifikationer samt urvalsmatriser.  Det valda konceptet består av en sorteringsmaskin kombinerat med mätutrustningen och liknar en FOUP (Front Opening Unified Pod), vilket tillåter sorteringsmaskinen att tillföra och byta ut kiselplattorna som ska mätas. Mätutrustningen består av en roterande rörelse hos kiselplattan och en linjär rörelse hos en konfokal sensor placerad ovanför kiselplattan. Kombinationen av de båda rörelserna tillåter att hela kiselplattans yta mäts med ett givet vinkel- och radiellt steg. Genom att vända kiselplattan uppochner med sorteringsmaskinen och utföra samma mätning igen kan kiselplattans korrekta form estimeras genom att eliminera gravitationseffekten.  Konceptet utvecklades i detalj och tillverkningsunderlag och ritningar togs fram samt komponenter avsedda för tillverkning av en prototyp beställdes. På grund av COVID-19 pandemin uppstod dock kommunikationssvårigheter och förseningar i ledtider. Detta påverkade leveranserna och en del komponenter kom inte fram förrän i slutet av examensarbetet och det fanns därmed ingen tid över för montering eller tester som kan styrka konceptet, vilket får lämnas över till företagets anställda.

<p>Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a well-established method to grow low-dimensional structures for research applications. MBE has given many contributions to the rapid expanding research-area of nano-technology and will probably continuing doing so. The MBE equipment, dedicated for Silicon/Germanium (Si/Ge) systems, at Karlstads University (Kau) has been studied and started for the first time. In the work of starting the system, all the built in interlocks has been surveyed and connected, and the different subsystems has been tested and evaluated. Service supplies in the form of compressed air, cooling water and electrical power has been connected. The parts of the system, their function and some of the theory behind them are described.</p><p>The theoretical part of this master’s thesis is focused on low-dimensional structures, so-called quantum wells, wires and dots, that all are typical MBE-built structures. Physical effects, and to some extent the technical applications, of these structures are studied and described.</p><p>The experimental part contains the MBE growth of a Si/Ge quantum well (QW) structure and characterisation by Auger Electron Spectroscopy (AES). The structure, consisting of three QW of Si0,8Ge0,2 separated by thicker Si layers, was built at Linköpings University (LiU) and characterised at Chalmers University of Technology (CTH). The result of the characterisation was not the expected since almost no Ge content could be discovered but an extended characterisation may give another result.</p><p>Keywords: Silicon, Germanium, Molecular Beam Epitaxy, MBE, Quantum wells</p> / <p>Molecular Beam Epitaxy (MBE) är en väl etablerad metod när det gäller tillverkning av låg-dimensionella strukturer för forskningsändamål och lämpar sig väl för användning inom det expanderande forskningsområdet nanoteknologi. MBE utrustningen vid Karlstads universitet (Kau), som är avsedd för kisel/germanium (Si/Ge) strukturer, har studerats och startats för första gången. Under studien av systemet har alla inbyggda förreglingar utretts och anslutits och de olika delsystemen har testats och utvärderats. Tryckluft, kylvatten och el har utretts och anslutits. Systemets delar, deras funktion och i viss mån den bakomliggande teorin har studerats.</p><p>Den teoretiska delen av detta arbete är inriktad mot låg-dimensionella strukturer d.v.s. kvant brunnar, kvanttrådar och kvantprickar, som alla är strukturer lämpliga för framställning i MBE processer. De fysikaliska effekterna och i viss mån de tekniska tillämpningarna för dessa strukturer har studerats.</p><p>Den experimentella delen består av MBE tillväxt av en Si/Ge kvantbrunn-struktur och karakterisering m.h.a. Auger Electron Spectroscopy (AES). Tillväxten av strukturen, som består av tre kvantbrunnar av Si0,8Ge0,2 separerade av tjockare Si-lager, utfördes på Linköpings Universitet (LiU) och karakteriseringen utfördes på Chalmers Tekniska Högskola (CTH). Resultatet av karakteriseringen var inte det förväntade då knappast något Ge innehåll kunde detekteras men en utökad undersökning skulle kanske ge ett annat resultat.</p><p>Sökord: Kisel, germanium, Molecular Beam Epitaxy, MBE, kvantbrunn</p>

Molecular Beam Epitaxy (MBE) is a well-established method to grow low-dimensional structures for research applications. MBE has given many contributions to the rapid expanding research-area of nano-technology and will probably continuing doing so. The MBE equipment, dedicated for Silicon/Germanium (Si/Ge) systems, at Karlstads University (Kau) has been studied and started for the first time. In the work of starting the system, all the built in interlocks has been surveyed and connected, and the different subsystems has been tested and evaluated. Service supplies in the form of compressed air, cooling water and electrical power has been connected. The parts of the system, their function and some of the theory behind them are described. The theoretical part of this master’s thesis is focused on low-dimensional structures, so-called quantum wells, wires and dots, that all are typical MBE-built structures. Physical effects, and to some extent the technical applications, of these structures are studied and described. The experimental part contains the MBE growth of a Si/Ge quantum well (QW) structure and characterisation by Auger Electron Spectroscopy (AES). The structure, consisting of three QW of Si0,8Ge0,2 separated by thicker Si layers, was built at Linköpings University (LiU) and characterised at Chalmers University of Technology (CTH). The result of the characterisation was not the expected since almost no Ge content could be discovered but an extended characterisation may give another result. Keywords: Silicon, Germanium, Molecular Beam Epitaxy, MBE, Quantum wells / Molecular Beam Epitaxy (MBE) är en väl etablerad metod när det gäller tillverkning av låg-dimensionella strukturer för forskningsändamål och lämpar sig väl för användning inom det expanderande forskningsområdet nanoteknologi. MBE utrustningen vid Karlstads universitet (Kau), som är avsedd för kisel/germanium (Si/Ge) strukturer, har studerats och startats för första gången. Under studien av systemet har alla inbyggda förreglingar utretts och anslutits och de olika delsystemen har testats och utvärderats. Tryckluft, kylvatten och el har utretts och anslutits. Systemets delar, deras funktion och i viss mån den bakomliggande teorin har studerats. Den teoretiska delen av detta arbete är inriktad mot låg-dimensionella strukturer d.v.s. kvant brunnar, kvanttrådar och kvantprickar, som alla är strukturer lämpliga för framställning i MBE processer. De fysikaliska effekterna och i viss mån de tekniska tillämpningarna för dessa strukturer har studerats. Den experimentella delen består av MBE tillväxt av en Si/Ge kvantbrunn-struktur och karakterisering m.h.a. Auger Electron Spectroscopy (AES). Tillväxten av strukturen, som består av tre kvantbrunnar av Si0,8Ge0,2 separerade av tjockare Si-lager, utfördes på Linköpings Universitet (LiU) och karakteriseringen utfördes på Chalmers Tekniska Högskola (CTH). Resultatet av karakteriseringen var inte det förväntade då knappast något Ge innehåll kunde detekteras men en utökad undersökning skulle kanske ge ett annat resultat. Sökord: Kisel, germanium, Molecular Beam Epitaxy, MBE, kvantbrunn

The development of modern glacial climates occurred during the Eocene-Oligocene transition (34 to 35.5 Ma) when a decrease of atmospheric CO2 led to a global temperature fall. The ocean was deeply affected, both in the surface and the deep-sea, suffering a strong reorganization including currents and phytoplankton distribution. Spanning that time, 35 samples from the North Atlantic Ocean Drilling Program Site 612 have been analyzed by counting coccoliths abundance in different size groups (&lt; 4 µm, 4 to 8 µm and &gt; 8 µm) and silica fragments abundance. Absolute coccoliths abundance were estimated with two different methods, the “drop” technique and microbeads calibration. In addition, a fragmentation index was calculated to assess the preservational state of the samples. The results obtained fit in the global picture of a decrease in phytoplankton abundance across theEocene-Oligocene boundary, although coccolith and silica fragments abundances show slight different patterns. Absolute abundances estimates showed a large difference between the “drop” and the microbeads methods. The temperature at which samples are dried seems to affect microbeads distribution, leading to an underestimation at temperatures higher than 60º C. In future work the current dataset will be updated with additional calibration and replicate counts to confirm that the “drop” estimates are the more valid results. As the fragmentation index was fairly constant in all samples, no major differences in nannofossil preservation were inferred. Coccoliths abundance drops are thought to be triggered by global temperature fall, general decrease of atmospheric CO2, changes in oceanic circulation, pulses of nutrients or a combination of those. / Under tidsspannet som täcker övergången mellan eocen och oligocen, för ungefär 35.5 till 34 miljoner år sedan, genomgick jordens klimat en stor förändring. Under eocen hade vår planet ett varmare klimat och var i ett så kallat ”greenhouse state”. Mot slutet av denna period och i början av oligocen skiftade emellertid klimatet till en kallare regim, ett så kallat ”icehouse state”. Under detta tillstånd minskade andelen koldioxid i atmosfären vilket medförde att den globala temperaturen minskade. Vidare påverkades också havet och speciellt de fytoplankton som levde där, då de påverkas av temperatur och inflödet av näringsämnen. Fytoplankton står för en betydande del av jordens pågående fotosyntes samt är basen av den organiska matkedjan. Syftet med denna undersökning är att studera förekomsten av coccoliter, små kalcitplattor som produceras av en typ av nannoplankton som kallas coccolitoforider. Coccoliter från en djuphavskärna härstammande från norra Atlanten har därför samlats in och för-ändringen av mängden fytoplankton över nämnda tidsspann mätts. Vidare har också bitar av kisel från andra växtplankton räknats. Resultatet av denna studie var att båda grupperna var rikligare under den sista delen av eocen men mängden sjönk snabbt i början av oligocen. Det finns inte tillräckligt med information för att reda ut orsakerna av detta, men det är troligt att minskningen i temperatur och CO2-tillgängligheten för fotosyntesen är viktiga faktorer.

Computed tomography (CT) is a medical imaging technique used to create cross-section images of human bodies based on x-rays. The emerging photon-counting CT detector shows several advantages compared with the traditional energy integrating detector. This thesis is based on the new generation deep silicon photon-counting CT detector developed by KTH Medical Imaging group, with a 12×500μm^2 pixel size. A method is proposed to achieve high spatial resolution with low computation resource consumption.A Monte Carlo simulation has been done to simulate the photon interaction along with the charge transport process in the detector. The charge cloud distribution and induced current are used to make a precise estimation of the interaction position in the direction along the collecting electrodes. The feasibility of such a method under estimated electronic noise and other detector geometries has been checked. By having a high spatial resolution of around 1μm in one direction, it could be beneficial in phase contrast imaging.Besides the small pixel geometry, simulations on current photon-counting detector geometry, similar to what is used in clinics, have also been carried out, with a study of the charge carrier transport behavior and charge sharing possibility. The result shows that although the charge sharing event could be used to help estimate interaction position, its low proportion among total events leads to little resolution improvement. Another study on the induced current as a function of time has been presented. By reducing the electrode width while keeping the same pixel width, the induced current signal peak appears to be sharper. / Datortomografi (CT) är en medicinsk bildteknik som används för att skapa tvärsnittsbilder av människokroppen med hjälp av röntgenstrålar. Den nya CT-detektorn med fotonräkning har flera fördelar jämfört med den traditionella energiintegrerande detektorn. Den här avhandlingen bygger på den nya generationen av den djupa kiseldetektorn för CT-detektorn med fotonträkning i kisel som utvecklats av KTH:s grupp för medicinsk avbildning, med en pixelstorlek på 12×500μm^2. En metod föreslås för att uppnå hög spatial upplösning med begränsad kapacitet för beräkningar.En Monte Carlo-simulering har gjorts för att simulera fotoninteraktionen tillsammans med laddningstransportprocessen i detektorn. Laddningsmolnets fördelning och den inducerade strömmen används för att göra en exakt uppskattning av interaktionspositionen i riktningen längs de uppsamlande elektroderna. Genomförbarheten av en sådan metod med beräknat elektroniskt brus och andra detektorgeometrier har kontrollerats. Genom att ha en hög rumslig upplösning på cirka 1 μm i en riktning kan detta vara fördelaktigt vid faskontrastbildtagning.Förutom den lilla pixelgeometrin har simuleringar av den nuvarande geometrin för detektorer som räknar fotoner, liknande den som används på kliniker, också utförts, med en studie av transportbeteendet för laddningsbärare och möjligheten till laddningsdelning. Resultatet visar att även om laddningsdelningshändelsen kan användas för att hjälpa till att uppskatta interaktionspositionen, leder dess låga andel av de totala händelserna till en liten förbättring av upplösningen. En annan studie av den inducerade strömmen som en funktion av tiden har presenterats. Genom att minska elektrodbredden samtidigt som man behåller samma pixelbredd verkar den inducerade signaltoppen bli skarpare.

Bakgrunden till detta examensarbete var att Qumex Materialteknik vid ett flertal tillfällen konstaterat att material av typen SS 0725 har uppvisat bristfälliga härdresultat. Materialet, som är relativt nytt på marknaden, är ett gjutjärn av typen segjärn och utmärker sig gentemot andra segjärn på grund av sitt höga innehåll av kisel. Då segjärn enligt den nu gällande EN-standarden klassificeras efter sina mekaniska egenskaper uppstår ett problem gällande SS 0725. Materialet uppfyller de krav som är ställda för EN-GJS-500-7 och hamnar därmed under samma materialbeteckning som ett segjärn med betydligt lägre kiselhalt. Att två material med olika kemisk sammansättning hamnar under samma beteckning kan innebära problem. Syftet med denna rapport är att fastslå vilken påverkan den höga kiselhalten har på materialet vid värmebehandling av typen släckhärdning med efterföljande anlöpning. I försöken ingick fyra material. Det som skiljde materialen åt var halterna av koppar och kisel. De härdades vid tre olika temperaturer och under tre olika tider för att sedan släckas i olja. Målet med släckhärdningen var att materialen skulle få en helt martensitisk struktur vilket då klassades som ett bra härdresultat. Resultatet utvärderades sedan genom optisk mikroskopi och hårdhetsmätningar. En undersökning av materialens fasomvandlingstemperaturer genomfördes med hjälp av Differential Scanning Calorimetry. Resultatet visar att kiselhalten har stor påverkan på den temperatur som krävs för att erhålla ett bra härdresultat. För material med låg kiselhalt uppnåddes fullständig martensitbildning efter släckhärdning från 840°C. För material med hög kiselhalt uppnåddes liknande strukturella och hårdhetsmässiga resultat först vid en så hög temperatur som 900°C och behandlingstider längre än 1 h. Den relativa skillnad som uppmättes i fasomvandlingstemperatur med hjälp av Differential Scanning Calorimetry mellan högkiselmaterial och lågkiselmaterial var 45°C. Detta resultat kombinerat med analyserna av härdprocesserna visar att det krävs kraftigt ökad temperatur vid värmebehandling av högkiselmaterialet SS 0725. / The background to this thesis was that Qumex Materialteknik at several occasions had received material of type SS 0725 that had shown deficient heat treatment results. The material, which is relatively new, is a cast iron of type ductile iron and differ against other ductile irons because of its high silicon content. According to EN standard ductile irons are classified by their mechanical properties. A problem then occurs with the new material SS 0725 because of this. The material fulfils the requirements for EN-GJS-500-7 and is therefore in the same classification as a ductile iron with much lower silicon content. Two materials having major differences in chemical composition ending up in the same classification can be problematic. The purpose of this report is to determine impact of high silicon content in ductile iron when heat treated and quench hardened. The experiment included four materials, and the major difference between the materials were their content of copper and silicon. The heat treatment process was performed at three different temperatures and three different treatment times. Afterwards the samples were quenched in oil. The ambition of the quench hardening was to obtain a material structure of 100% martensite. By optical microscopy and hardness measurements the results then were evaluated. An investigation of the phase transformation temperature in the materials was made by using Differential Scanning Calorimetry. The results show that the amount of silicon content has great influence on the temperature for receiving good hardening results. To achieve 100% martensite after quench hardening in materials with low silicon content the temperature needs to be over 840°C. For material with high level of silicon content the temperature for achieving 100% martensite needs to be 900°C and the treatment time should be over 1 h. The relative difference in phase transformation temperature was measured using Differential Scanning Calorimetry. The results of the measurements between the materials with high silicon content and materials with low silicon content was 45°C. This result combined with the analysis of the heat treatment process shows that a major increase of the temperature is needed to heat treat SS 0725.

<p>During the past years has the Nostrum Network on Chip <i>(NoC)</i> been developed to become a competitive platform for network based on-chip communication. The Nostrum NoC provides a versatile communication platform to connect a large number of intellectual properties <i>(IP) </i>on a single chip. The communication is based on a packet switched network which aims for a small physical footprint while still providing a low communication overhead. To reduce the communication network size, a queue-less network has been the research focus. This network uses de ective hot-potato routing which is implemented to perform routing decisions in a single clock cycle.</p><p>Using a platform like this results in increased design reusability, validated signal integrity, and well developed test strategies, in contrast to a fully customised designs which can have a more optimal communication structure but has a significantly longer development cycle to verify the new design accordingly.</p><p>Several factors are considered when designing a communication platform. The goal is to create a platform which provides low communication latency, high throughput, low power consumption, small footprint, and low design, verification, and test overhead. Proximity Congestion Awareness is one technique that serves to reduce</p><p>the network load. This leads to that the latency is reduced which also increases the network throughput. Another technique is to implement low latency paths called<i> Data Motorways</i> achieved through a clocking method called Globally Pseudochronous Locally Synchronous clocking. Furthermore, virtual circuits can be used to provide guarantees on latency and throughput. Such guarantees are dificult in</p><p>hot-potato networks since network access has to be ensured. A technique that implements virtual circuits use looped containers that are circulating on a predefined circuit. Several overlapping virtual circuits are possible by allocating the virtual circuits in different Temporally Disjoint Networks.</p><p>This thesis summarise the impact the presented techniques and methods have on the characteristics on the Nostrum model. It is possible to reduce the network load by a factor of 20 which reduces the communication latency. This is done by distributing load information between the Switches in the network. Data Motorways</p><p>can reduce the communication latency with up to 50% in heavily loaded networks. Such latency reduction results in freed buffer space in the Switch registers which allows the traffic rate to be increased with about 30%.</p>

During the past years has the Nostrum Network on Chip (NoC) been developed to become a competitive platform for network based on-chip communication. The Nostrum NoC provides a versatile communication platform to connect a large number of intellectual properties (IP) on a single chip. The communication is based on a packet switched network which aims for a small physical footprint while still providing a low communication overhead. To reduce the communication network size, a queue-less network has been the research focus. This network uses de ective hot-potato routing which is implemented to perform routing decisions in a single clock cycle. Using a platform like this results in increased design reusability, validated signal integrity, and well developed test strategies, in contrast to a fully customised designs which can have a more optimal communication structure but has a significantly longer development cycle to verify the new design accordingly. Several factors are considered when designing a communication platform. The goal is to create a platform which provides low communication latency, high throughput, low power consumption, small footprint, and low design, verification, and test overhead. Proximity Congestion Awareness is one technique that serves to reduce the network load. This leads to that the latency is reduced which also increases the network throughput. Another technique is to implement low latency paths called Data Motorways achieved through a clocking method called Globally Pseudochronous Locally Synchronous clocking. Furthermore, virtual circuits can be used to provide guarantees on latency and throughput. Such guarantees are dificult in hot-potato networks since network access has to be ensured. A technique that implements virtual circuits use looped containers that are circulating on a predefined circuit. Several overlapping virtual circuits are possible by allocating the virtual circuits in different Temporally Disjoint Networks. This thesis summarise the impact the presented techniques and methods have on the characteristics on the Nostrum model. It is possible to reduce the network load by a factor of 20 which reduces the communication latency. This is done by distributing load information between the Switches in the network. Data Motorways can reduce the communication latency with up to 50% in heavily loaded networks. Such latency reduction results in freed buffer space in the Switch registers which allows the traffic rate to be increased with about 30%. / QC 20101122

GaN-HEMTs (Gallium Nitride-based High Electron Mobility Transistors) have, thanks to the large band gap of GaN, electrical properties that are suitable for applications of high electrical voltages, high currents, and fast switching. The large band gap also gives GaN-HEMTs a high resistance to radiation. In this degree project, the effects of 2 MeV proton irradiation of GaN-HEMTs constructed on both silicon carbide and silicon substrates are investigated. 20 transistors per substrate were irradiated in the particle accelerator 5 MV NEC Pelletron in the Ångström laboratory at Uppsala University. These transistors were exposed to radiation doses in the range of 10^11 to 10^15 protons/cm^2. The analysis shows that both transistors on silicon, as well as silicon carbide, are unaffected by proton irradiation up to a dose of 10^14 protons/cm^2. GaN-on-Si transistors show less influence of radiation than GaN-on-SiC transistors. The capacitances between gate and drain as well as drain and source for both GaN-on-SiC and GaN-on-Si HEMTs show hysteresis as a function of forward and backward gate voltage sweeps for the radiation dose of 10^15 protons/cm^2. / GaN-HEMTs (Galliumnitridbaserade High Electron Mobility Transistors) har tack vare det stora bandgapet i GaN goda elektriska egenskaper som lämpar sig för höga elektriska spänningar, höga strömmar och snabb växling mellan av- och på-tillstånd. Det stora bandgapet ger även GaN-HEMTs ett stort motstånd mot strålning.I detta examensarbete undersöks effekterna av 2 MeV protonbestrålning av GaN-HEMTs. Dessa HEMTs är konstruerade på både kiselkarbid- och kiselsubstrat.20 transistorer per transistorsubstrat bestrålades i partikelacceleratorn 5 MV NEC Pelletron i Ångströmslaboratoriet vid Uppsala Universitet. Dessa transistorer utsattes för strålningsdoser inom intervallet 10^11 till 10^15 protoner/cm^2. Resultaten visar att både tranisistorer på kisel såsom kiselkarbid är opåverkade av strålning upp till en dos av 10^14 protoner/cm^2. GaN-på-Si-transistorer visar en mindre påverkan av protonstrålning än GaN-på-SiC-transistorer. Ytterligare uppstod hysteresis för kapacitanser mellan gate och drain och mellan gate och source som en funktion av fram- och bakriktad gate-spänning efter en strålningsdos av 10^15 protoner/cm^2.

The dissolved silicon (DSi) has a crucial role for growth of a large group of primary producers – diatoms and, hence, impact on functioning of the aquatic food web. This thesis contributes to an increased understanding of the modifications of the DSi cycling in the Baltic Sea. The results provide new information about spatial and temporal changes in DSi concentrations and nutrient ratios for the period 1970-2001 as well as during the 20th century. For the period 1970-2001, the declining DSi trends were found at the majority of monitoring stations all over the Baltic Sea. This decrease is assumed to be mainly due to the ongoing eutrophication. It is supported by the increasing trends of inorganic nitrogen and phosphorus. The trends have implications for the nutrient ratios, DSi:DIN and DSi:DIP, which are important indicators of the state of an ecosystem. The long-term retrospective DSi budget has shown that the DSi concentrations before major hydrological alterations and eutrophication were about twice the present ones. This decrease is related to both eutrophication and anthropogenic perturbations in the catchment. The occurrence of DSi concentrations close to the potentially limiting levels has been also analysed. While DSi concentrations are still high in the northern regions of the Baltic, other areas may be at risk of developing Si limitation if the decrease in DSi concentrations persists. The results depict the Baltic Sea journey from being water body with DSi levels sufficient to support diatom production to one that may experience Si limitation and its adverse ecological consequences. / Löst kisel (DSi) har en viktig roll för tillväxten av en stor grupp av primärproducenter – kiselalger, och därmed även påverkar hela den akvatiska näringskedjan. Denna avhandling bidrar till en ökad förståelse av förändringarna i DSi kretsloppet i Östersjön. Resultaten tillhandahåller ny information om rumsliga och tidsmässiga förändringar i DSi koncentrationer såväl för perioden 1970-2001 som för hela 1900-talet. För perioden 1970-2001 återfanns minskade DSi koncentrationer på mätstationer över hela Östersjön. Minskningen antas främst bero på den pågående övergödningen. Detta antagande stöds av stigande halter av oorganiskt kväve och fosfor. Sammantaget har dessa trender en inverkan på ekosystemets tillstånd och näringsämnenas kvoter, DSi: DIN och DSi: DIP. Ur ett längre tidsperspektiv kan man se att innan övergödningen och de stora hydrologiska ombildningar i Östersjöområdet var DSi koncentrationerna ungefär dubbelt så höga som idag. Dagens förekomst av DSi koncentrationer som ligger nära de potentiellt begränsande nivåerna har också analyserats. DSi koncentrationerna är fortfarande höga i norra delar av Östersjön, men är i andra områden i riskzonen för att utveckla Si begränsning om minskningen av DSi koncentrationer fortsätter. Resultaten skildrar Östersjöns resa från att vara ett havsområde med DSi halter som är tillräckliga för att understödja kiselalgernas produktion till ett sådant som kan uppleva Si begränsning och dess negativa ekologiska konsekvenser.