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Effet d’une orthèse d’avancement mandibulaire neutre combinée à un masque facial et nasal dans le traitement de l’apnée obstructive du sommeil par CPAP

Montpetit, Andrée 06 1900 (has links)
Le traitement de première ligne de l’apnée obstructive du sommeil est l’appareil à pression positive, soit le CPAP, qui est le plus souvent utilisé avec un masque nasal. Certains patients, incapables de tolérer le masque nasal, doivent se tourner vers le masque facial, qui peut parfois requérir une pression supérieure à celle utilisée avec le masque nasal pour éliminer tous les événements respiratoires. Nous supposons que l’ajustement serré du masque facial, dans le but de réduire les fuites, entraîne une pression de recul sur la mandibule; ceci diminuerait le calibre des voies aériennes supérieures, nécessitant donc une pression effective thérapeutique supérieure pour rétablir un passage de l’air. Nos objectifs étaient : 1) de démontrer s’il y avait une différence de pression effective entre le masque nasal et le masque facial, 2) de quantifier la fuite entre les deux masques, 3) d’évaluer l’effet d’une orthèse de rétention mandibulaire neutre (OMN), qui empêche le recul mandibulaire, sur la pression effective des deux masques et 4) d’évaluer s’il existait un lien entre la céphalométrie et les réponses variables des individus. Méthodologie : Lors de cette étude expérimentale croisée, huit sujets (2 femmes, 6 hommes) avec une moyenne d’âge de 56,3ans [33ans-65ans] ont reçu un examen orthodontique complet incluant une radiographie céphalométrique latérale. Ils ont ensuite passé deux nuits de polysomnographie au laboratoire du sommeil en protocole « split-night » où les deux masques ont été portés, seuls, la première nuit, et avec l’OMN, la deuxième nuit. Résultats : Nous avons trouvé que la pression effective thérapeutique était supérieure avec le masque facial comparativement au masque nasal de manière statistiquement significative. Nous avons observé une fuite supérieure avec le masque nasal, ce qui permet de dire que la fuite n’explique probablement pas cette différence de pression entre les deux masques. L’OMN n’a pas donné d’effet statistiquement significatif lorsque combinée au masque nasal, mais il aurait probablement été possible de trouver un effet positif avec le masque facial si le Bi-PAP avait été inclus dans le protocole de recherche. Conclusion : Nos résultats ne permettent pas de confirmer le rôle du recul mandibulaire, causé par la force exercée avec le masque facial, dans l’obtention de pressions supérieures avec ce masque, mais nous ne pouvons toutefois pas éliminer l’hypothèse. Les résultats suggèrent également que ce phénomène est peut-être plus fréquent qu’on ne le croit et qu’il pourrait y avoir un lien avec certains facteurs anatomiques individuels. / The first line of treatment for obstructive sleep apnea is continuous positive airway pressure or CPAP used via a nasal mask. Some patients, unable to tolerate the nasal mask, have to turn to the facial mask, which sometimes requires a superior level of pressure to eliminate all the respiratory events. We believe that the force applied on the chin from a tight adjustment of the facial mask may retrude the mandible and diminish the upper airway caliber. Our objectives for this study were to: 1) demonstrate that a difference of effective therapeutic pressure between the nasal and facial masks does exist, 2) quantify the leaks associated with each mask, 3) evaluate the effect of a neutral mandibular appliance (NMA), that prevents the retrusion of the mandible, on the effective pressure of both masks and 4) evaluate if a link between the cephalometric values and varied individual responses to both masks exists. Methods: Eight subjects (2 females, 6 males) mean age 56.3 years (33-65y) participated in the cross-over design pilot study. All subjects underwent a complete orthodontic examination including lateral cephalometric radiograph before spending two nights in a sleep laboratory for a polysomnography in split-night protocol, where both mask were worn alone on the first night and with the NMA on the second night. Results: We found that the therapeutic effective pressure was higher with the facial mask compared to the nasal mask, and this difference was statistically significant. The leak was more elevated with the nasal mask, thus eliminating this factor as a probable cause of the higher pressure with the facial mask. The NMA did not have any statistically significant effect on both masks; however a possible positive effect might be seen if the Bi-level PAP was included in the protocol. Conclusion: Our results cannot confirm the role of the retrusion of the mandible, caused by the force applied by the facial mask, in the necessity of a superior level of pressure with that mask, but we cannot eliminate that possibility either. Our results suggest that this phenomenon is more frequent that we may think and that a link with some anatomical factors may exist.
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Traitements plasmas Post Gravure pour l'intégration des matériaux SiOCH poreux dans les interconnexions en microélectronique

Bouyssou, Régis 18 December 2009 (has links) (PDF)
La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la prépondérance du temps de transit dans les interconnexions devant le temps de commutation des transistors. Ainsi, un matériau diélectrique de plus faible permittivité de type SiOCH poreux est intégré malgré une sensibilité plus élevée au plasma de gravure. Ce travail de recherche s'intéresse au développement de procédés plasmas in situ réalisés après la gravure de l'empreinte de la ligne métallique dans le diélectrique poreux. Ces traitements, utilisant des chimies réductrices, oxydantes et à base d'hydrocarbures, ont pour but de 1) limiter la croissance de résidus qui provoquent parfois des pertes de rendement dans le cas de l'utilisation d'un masque dur métallique et 2) limiter la diffusion de la barrière métallique en TaN/Ta. Cependant, ces traitements (NH3, O2, CH4, H2) ont été optimisés afin de ne pas augmenter la modification induite par l'étape de gravure seule. La caractérisation de la modification induite dans le diélectrique situé sur le fond et les flancs des lignes par les plasmas a été effectuée notamment en développant des techniques de caractérisation spécifiques. Ainsi, l'ensemble des traitements plasma induisent tous une couche modifiée dans le matériau avec des caractéristiques différentes sur le fond et les flancs (composition de surface, épaisseur, perméation...). Le traitement à base de méthane limite la croissance de résidus sans modifier le diélectrique plus que l'étape de gravure. Ce procédé a été implémenté en production par l'entreprise STMicroélectronics.
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Effet d’une orthèse d’avancement mandibulaire neutre combinée à un masque facial et nasal dans le traitement de l’apnée obstructive du sommeil par CPAP

Montpetit, Andrée 06 1900 (has links)
Le traitement de première ligne de l’apnée obstructive du sommeil est l’appareil à pression positive, soit le CPAP, qui est le plus souvent utilisé avec un masque nasal. Certains patients, incapables de tolérer le masque nasal, doivent se tourner vers le masque facial, qui peut parfois requérir une pression supérieure à celle utilisée avec le masque nasal pour éliminer tous les événements respiratoires. Nous supposons que l’ajustement serré du masque facial, dans le but de réduire les fuites, entraîne une pression de recul sur la mandibule; ceci diminuerait le calibre des voies aériennes supérieures, nécessitant donc une pression effective thérapeutique supérieure pour rétablir un passage de l’air. Nos objectifs étaient : 1) de démontrer s’il y avait une différence de pression effective entre le masque nasal et le masque facial, 2) de quantifier la fuite entre les deux masques, 3) d’évaluer l’effet d’une orthèse de rétention mandibulaire neutre (OMN), qui empêche le recul mandibulaire, sur la pression effective des deux masques et 4) d’évaluer s’il existait un lien entre la céphalométrie et les réponses variables des individus. Méthodologie : Lors de cette étude expérimentale croisée, huit sujets (2 femmes, 6 hommes) avec une moyenne d’âge de 56,3ans [33ans-65ans] ont reçu un examen orthodontique complet incluant une radiographie céphalométrique latérale. Ils ont ensuite passé deux nuits de polysomnographie au laboratoire du sommeil en protocole « split-night » où les deux masques ont été portés, seuls, la première nuit, et avec l’OMN, la deuxième nuit. Résultats : Nous avons trouvé que la pression effective thérapeutique était supérieure avec le masque facial comparativement au masque nasal de manière statistiquement significative. Nous avons observé une fuite supérieure avec le masque nasal, ce qui permet de dire que la fuite n’explique probablement pas cette différence de pression entre les deux masques. L’OMN n’a pas donné d’effet statistiquement significatif lorsque combinée au masque nasal, mais il aurait probablement été possible de trouver un effet positif avec le masque facial si le Bi-PAP avait été inclus dans le protocole de recherche. Conclusion : Nos résultats ne permettent pas de confirmer le rôle du recul mandibulaire, causé par la force exercée avec le masque facial, dans l’obtention de pressions supérieures avec ce masque, mais nous ne pouvons toutefois pas éliminer l’hypothèse. Les résultats suggèrent également que ce phénomène est peut-être plus fréquent qu’on ne le croit et qu’il pourrait y avoir un lien avec certains facteurs anatomiques individuels. / The first line of treatment for obstructive sleep apnea is continuous positive airway pressure or CPAP used via a nasal mask. Some patients, unable to tolerate the nasal mask, have to turn to the facial mask, which sometimes requires a superior level of pressure to eliminate all the respiratory events. We believe that the force applied on the chin from a tight adjustment of the facial mask may retrude the mandible and diminish the upper airway caliber. Our objectives for this study were to: 1) demonstrate that a difference of effective therapeutic pressure between the nasal and facial masks does exist, 2) quantify the leaks associated with each mask, 3) evaluate the effect of a neutral mandibular appliance (NMA), that prevents the retrusion of the mandible, on the effective pressure of both masks and 4) evaluate if a link between the cephalometric values and varied individual responses to both masks exists. Methods: Eight subjects (2 females, 6 males) mean age 56.3 years (33-65y) participated in the cross-over design pilot study. All subjects underwent a complete orthodontic examination including lateral cephalometric radiograph before spending two nights in a sleep laboratory for a polysomnography in split-night protocol, where both mask were worn alone on the first night and with the NMA on the second night. Results: We found that the therapeutic effective pressure was higher with the facial mask compared to the nasal mask, and this difference was statistically significant. The leak was more elevated with the nasal mask, thus eliminating this factor as a probable cause of the higher pressure with the facial mask. The NMA did not have any statistically significant effect on both masks; however a possible positive effect might be seen if the Bi-level PAP was included in the protocol. Conclusion: Our results cannot confirm the role of the retrusion of the mandible, caused by the force applied by the facial mask, in the necessity of a superior level of pressure with that mask, but we cannot eliminate that possibility either. Our results suggest that this phenomenon is more frequent that we may think and that a link with some anatomical factors may exist.
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Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie

Saied, Mazen 30 September 2011 (has links) (PDF)
À l'heure actuelle, les modèles photochimiques utilisés dans la correction des effets de proximitéoptique (OPC) en photolithographie sont devenus complexes et moins physiques afin de permettre decapturer rapidement le maximum d'effets optiques et chimiques. La question de la stabilité de tels modèlespurement empiriques est devenue d'actualité. Dans ce mémoire, nous avons étudié la stabilité desmodèles photochimiques actuels en examinant les différentes causes d'instabilité vis-à-vis des paramètresdu procédé. Dans la suite, nous avons développé une méthode perturbative permettant d'évaluer le critèrede la stabilité. L'obtention de modèles simples et stables nous conduit à séparer les effets optiques desautres effets chimiques. De plus, les approximations utilisées dans la modélisation des systèmes optiquesopérant à grande ouverture numérique entraînent des erreurs résiduelles pouvant dégrader la précisionet la stabilité des modèles OPC. Ainsi, nous nous sommes intéressés à étudier les limites de validitéde l'approximation de Kirchhoff, méthode qui, jusqu'à présent, est la plus utilisée dans la modélisationdu champ proche d'un masque. D'autres méthodes semi-rigoureuses, permettant de modéliser les effetstopographiques, ont été également évaluées. Ces méthodes approchées permettent de gagner en précisionmais dégradent le temps de calcul. Nous avons ainsi proposé différentes façons de corriger les effetstopographiques du masque, tout en gardant l'approximation de Kirchhoff dans la modélisation de la partieoptique. Parmi les méthodes proposées, nous exploitons celle permettant de réduire les erreurs liéesaux effets topographiques du masque par l'intermédiaire d'un second modèle empirique. Nous montronsque pour garantir une précision adéquate, il est nécessaire d'augmenter la complexité du modèle en rajoutantdes termes additionnels. Enfin, pour garantir la stabilité numérique du modèle empirique, nousintroduirons une nouvelle méthode approchée hybride rapide et précise, la méthode des multi-niveaux,permettant d'inclure les effets topographiques par décomposition multi-niveaux du masque fin et discuteronsses avantages et ses limites.
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Le désir de neutre dans la poésie de Louise Glück / The desire for the neutral in the poetry of Louise Glück

Olivier, Marie 16 November 2013 (has links)
Ces quarante dernières années, Louise Glück a su s’imposer dans le paysage de la poésiecontemporaine américaine sans que l’on ait jamais pu l’assigner à quelque genre que ce soit. Sa poésie déroute car traversée par le féminin, elle s’obstine pourtant à lui résister. Le moi glückien se dissimule derrière des masques plus ou moins opaques : des personae de la mythologie telle Perséphone auxmasques sournoisement transparents du recueil Ararat, sa voix poétique se fait plurielle mais singulière, celle d’un moi qui parle, toujours en proie au désir. Glück édifie dans chacun de ses recueils un réseau de paradigmes où la mémoire coexiste avec l’oubli, où la domesticité s’oppose à l’ailleurs hostile, où le mythe et l’ordinaire se confrontent et se confondent.Louise Glück esquive ces structures paradigmatiques à travers une poétique épurée et une ponctuation qui obscurcissent et diffèrent le sens jusqu’à l’éluder. L’entre-deux que son oeuvre explore forme à la fois un interstice et une béance : ce peut être la fissure d’Averno, la crevasse du deux-points ou le silence de Dieu dans The Wild Iris ; le milieu qui nous sépare de l’autre et de nous-mêmes et qui, simultanément, nous lie inextricablement à eux. Nous appelons ce milieu pluriel le neutre, concept que nous devons à Roland Barthes qui lui a consacré un cours au Collège de France en 1977-1978. Nous nous sommes inspirés de son approche pour lire la poésie de Glück, dont les personae sont habitées par un désir qui est, chez le poète, un désir d’écriture pour surseoir à la mort : un désir de neutre. / For forty years now, Louise Glück has been a major figure in contemporary American poetry, particularly because her poems shun the obvious and the lyric genres as we know them. If her poetry give the feminine to read, her work resists and endures it as a genre. The various masks the poet puts on may often seem transparent, but the poetic voice remains that of a persona, be it Persephone or even the ones in Ararat, her most life-inspired collection. Many and different are the faces to people her work, but behind the mask, Glück’s remains unique: her voice can be described as Dickinsonian in its bareness and subversive imagery: disguised as a desiring I, the impersonal threatens. Throughout her work, Glück has drawn a web of paradigmatic oppositions, only to be ‘baffled’: memory coexists with oblivion, the safe and cozy home is opposed to the dangerous outside world, the mythic and the mundane are intertwined in Meadowlands.Louise Glück evades and outplays the paradigm thanks to a bare language and a choice of punctuation, which darken and delay meaning to the extent of eluding it. Her poems explore an inbetweenness, which assumes the shape of a Freudian rift in Persephone’s soul, or of God’s silence to His creatures’s prayers in The Wild Iris. We are naming such in-betweenness the Neutral, a theory the French literary theorist and semiotician Roland Barthes exposed in a lecture course at the Collège de France in 1977-1978. The Neutral is the desire and its intensity, it is what parts us from the other and from ourselves, what intimately binds us together. Our reading of Louise Glück’s poetry was firstly inspired by Barthes’s theory. We see in her work a desire for the Neutral which translates as a desire for the poet to write, and relentlessly defer the instant of death.
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Limites de l'intégration des masques de gravure et d'un matériau diélectrique hybride pour la fabrication des interconnexions en microélectronique

Ducoté, Julien 29 June 2010 (has links) (PDF)
À partir des noeuds technologiques 45nm, les lignes métalliques des interconnexions des composants microélectroniques sont isolées entre elles par des matériaux diélectriques à faible permittivité (SiOCH poreux). Ces matériaux poreux sont sensibles aux procédés de fabrication et leur dégradation doit être minimisée afin de conserver de bonnes performances électriques et mécaniques. De plus, la réduction des dimensions des lignes métalliques se traduit par une augmentation de la résistivité du cuivre. Pour limiter cette dernière, des travaux sont menés sur la métallurgie et le contrôle de la rugosité des lignes de cuivre. Ce travail se focalise sur deux limites rencontrées lors de la fabrication de structures d'interconnexions : d'une part lors du transfert par gravure plasma de motifs à partir d'un masque métallique ou organique dans les matériaux SiOCH poreux, et d'autre part lors de l'intégration d'un matériau SiOCH hybride, rendu poreux soit après l'étape de gravure ou de métallisation des tranchées. En particulier, il est mis en évidence que les masques de gravure peuvent entraîner une déformation des profils au cours des procédés de gravure plasma des structures sous l'effet de la relaxation de contraintes mécaniques pour les masques métalliques ou de la modification de leur composition pour les masques organiques. Une étude préliminaire, sur le transfert de la rugosité de bord de ligne (LWR) pendant l'étape de gravure, menée à l'aide d'un CD-AFM, est présentée. L'intérêt de l'intégration du matériau SiOCH sous sa forme hybride pour répondre à la problématique de la dégradation des SiOCH poreux par les procédés impliqués lors de la fabrication des niveaux d'interconnexions est démontré.
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Limites de l'intégration des masques de gravure et d'un matériau diélectrique hybride pour la fabrication des interconnexions en microélectronique

Ducote, Julien 29 June 2010 (has links) (PDF)
À partir des noeuds technologiques 45nm, les lignes métalliques des interconnexions des composants microélectroniques sont isolées entre elles par des matériaux diélectriques à faible permittivité (SiOCH poreux). Ces matériaux poreux sont sensibles aux procédés de fabrication et leur dégradation doit être minimisée afin de conserver de bonnes performances électriques et mécaniques. De plus, la réduction des dimensions des lignes métalliques se traduit par une augmentation de la résistivité du cuivre. Pour limiter cette dernière, des travaux sont menés sur la métallurgie et le contrôle de la rugosité des lignes de cuivre. Ce travail se focalise sur deux limites rencontrées lors de la fabrication de structures d'interconnexions : d'une part lors du transfert par gravure plasma de motifs à partir d'un masque métallique ou organique dans les matériaux SiOCH poreux, et d'autre part lors de l'intégration d'un matériau SiOCH hybride, rendu poreux soit après l'étape de gravure ou de métallisation des tranchées. En particulier, il est mis en évidence que les masques de gravure peuvent entraîner une déformation des profils au cours des procédés de gravure plasma des structures sous l'effet de la relaxation de contraintes mécaniques pour les masques métalliques ou de la modification de leur composition pour les masques organiques. Une étude préliminaire, sur le transfert de la rugosité de bord de ligne (LWR) pendant l'étape de gravure, menée à l'aide d'un CD-AFM, est présentée. L'intérêt de l'intégration du matériau SiOCH sous sa forme hybride pour répondre à la problématique de la dégradation des SiOCH poreux par les procédés impliqués lors de la fabrication des niveaux d'interconnexions est démontré.
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Nature Et Fonction Du Portrait Chez Molière : Le Misanthrope Et Le Tartuffe

Calin, Anemarie 30 April 2010 (has links)
Nous nous proposons de suivre l’histoire du portrait littéraire et la place de Molière en tant que portraitiste dans deux de ses piè ces les plus célèbres, Le Tartuffe et Le Misanthrope. Molière déplace l’intérêt de l’action dans ses comédies vers les portraits des personnages. S’appuyant sur les principes des Anciens : « castigat ridendo mores », Molière rév èle à travers les portraits, les vices, surtout l’hypocrisie, et l’importance du masque dans la société du XVIIe siècle. La grande varié ;té des portraits sera illustrée de nombreux exemples. Nous nous intéressons aux diverses fonctions des portraits. Ils dévoilent l’intérêt pour le réalisme psychologique et témoignent d’une mode de divertissement mondain. En mettant l’accent sur les défauts et le ridicule des personnages, avec les portraits, les pièces se chargent d’une dimension satirique.
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Influence des défauts enterrés dans les masques pour la lithographie Extreme Ultra Violet

Farys, Vincent 08 December 2006 (has links) (PDF)
Dans l'industrie de la microélectronique, l'étape clé permettant la réduction de la taille des circuits intégrés a toujours été celle de lithographie. C'est elle qui va déterminer la taille du plus petit motif réalisable. A l'heure actuelle, les techniques de lithographie optique commencent à arriver à leur limite et l'on voit émerger de nouvelles techniques qui permettraient de réduire encore ces dimensions. La lithographie Extrême Ultra Violet (EUV) allie des résolutions très agressives tout en conservant un débit élevé de plaquette. Dans la gamme de rayonnement EUV la plupart des matériaux sont absorbants. Ceci impose un fonctionnement dans un environnement sous vide avec des optiques et un masque en réflexion constitués de multicouche de molybdène – silicium. La présence de défauts lors de la réalisation du multicouche peut dégrader les performances du masque et faire que ces défauts s'impriment lors de l'étape de lithographie. <br />L'objet de cette thèse porte sur l'influence des défauts dans les masques. Pour cela nous proposons d'aborder le problème aussi bien par le biais de simulations électromagnétique que par une étude expérimentale, pour laquelle nous avons réalisé un masque à défauts programmés. Ce masque a été insolé sur un outil d'exposition EUV au synchrotron ALS. La croissance au sein des multicouches a également été abordée et a permis de mettre en évidence les phénomènes de lissage des défauts. Nous avons mis au point une technique de microscopie en champ sombre afin de sonder les masques et d'en détecter la présence de défauts de quelques dizaines de nanomètres.
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Palhaçar : máscaras em uma patética-poética por rir / Clowner: les masques d´une poétique-pathétique pour rire

Olendzki, Luciane de Campos January 2009 (has links)
Le présent mémoire est composé de scènes d´écriture traversées par des séries hétérogènes de masques qui composent une typologie et une topologie de l´art du clown. Ces masques dramatisent la connaissance et l´historiographie de l´art du clown. Elles opèrent comme des puissances intempestives, traçant un plan de composition et de pensée qui procède par fabulation, entre le théâtre et la philosophie, avec des auteurs comme Nietszche, Deleuze et Artaud. Masqueclown en jeu, par instinct de jeu et variation poétique, avec le pouvoir d´affecter et d´être affecté, élevé à la énième puissance du faux. Masque-clown dans une poétique (ob)scène, jouée et joueuse dans l´exécution de l´oeuvre et de la rencontre théâtrale pour l´événement : clowner. Clown de l´événement. Dilacération créative et de multiplicité dans l´expérience de création d´un masqueclown affirmatif et affirmé, qui opère par gaieté tragique dans une potentialisation artistique et de vie. Poétique scénique du masque comico-pathétique pour l´événement dans la rencontre théâtrale. Par jeu, par vouloir-artiste et par rire. / Esta dissertação é composta por cenas de escritura, onde atravessam séries heterogêneas de máscaras que compõem uma tipologia e uma topologia da arte do palhaço. Tais máscaras dramatizam o conhecimento e a própria historiografia da arte do palhaço e atuam como potências intempestivas, traçando um plano de composição e de pensamento que procede por fabulação, entre o teatro e a filosofia, com autores como Nietzsche, Deleuze e Artaud. Máscara-palhaço em jogo, por instinto de jogo e variação poética, no poder de afetar e ser afetada, elevada à enésima potência do falso. Máscara-palhaço em poética (obs)cênica, jogada e jogadora na efetuação da obra e do encontro teatral para o acontecimento: palhaçar. Palhaço do acontecimento. Dilaceração criativa e de multiplicidade na experiência de criação de uma máscara-palhaço afirmadora e afirmativa, que opera por alegria trágica em potencialização artística e de vida. Poética cênica da máscara cômico-patética para o acontecimento no encontro teatral. Por jogo, por querer-artista e por rir.

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