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Sectarian Conflict And Inability To Construct A National Identity In Northern Ireland In Christina ReidYazan, Bedrettin 01 August 2008 (has links) (PDF)
Based on Christina Reid&rsquo / s five Plays &ldquo / Tea in a China Cup,&rdquo / &ldquo / Did You Hear the One About the Irishman &hellip / ?,&rdquo / &ldquo / Joyriders,&rdquo / &ldquo / The Belle of the Belfast City,&rdquo / and &ldquo / My Name, Shall I Tell You My Name?&rdquo / the aim of this study is to put under discussion the idea that the sectarian conflict between the two ethno-religious communities in Northern Ireland is maintained deliberately and a national identity unique to the people in this country cannot be constructed at least in the near future. The Protestants in Northern Ireland cannot choose Irishness as a national identity because the Irishness has been monopolized by the Catholics, and cannot adopt the
Britishness as a national identity because of the varieties in the social factors they have. Likewise, the Catholics in Northern Ireland do not call themselves British because their Catholicism involves an Irish identity with the rejection of the British rule, and they cannot truly entitle themselves Irish due to the differences in social conditions. However, both factions try to adhere themselves to a national identity through their communal ideology. The Protestants claim that they are part of Britain, while the Catholics claim that they are members of Irish Nation. This situation has led to reluctance in both communities to stop the conflictual circumstances which encourage both groups to tether to their traditions more intensely, to contribute to the otherization process reinforcing their social identity and lead them to impose their working ideology on their new members whose divergence from traditions will definitely pose a threat to their identity. Also, in this country the forgetting / remembering process, which is actually exploited to forge a national identity, is orchestrated by the two communities to enlarge the intercommunal chasm through the narration of the old stories and memories, creation of stories, commemoration activities and museumizing certain objects.
Throughout the study the key points which will be highlighted are as follows: nation, national identity and nation building process, the sectarian conflict between the two communities in Northern Ireland, maintenance of conflictual situation and the employment of the forgetting / remembering process in Northern Ireland.
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Modellierung von Transistoren mit lokaler Ladungsspeicherung für den Entwurf von Flash-Speichern / Modeling of Transistors with Local Charge Storage for the Design of Flash MemoriesSrowik, Rico 02 April 2008 (has links) (PDF)
In dieser Arbeit werden Speichertransistoren mit Oxid-Nitrid-Oxid-Speicherschicht und lokaler Ladungsspeicherung untersucht, die zur nichtflüchtigen Speicherung von Informationen genutzt werden. Charakteristisch für diese Transistoren ist, dass an beiden Enden des Transistorkanals innerhalb der Isolationsschicht Informationen in Form von Ladungspaketen unabhängig und getrennt voneinander gespeichert werden. Für das Auslesen, Programmieren und Löschen der Speichertransistoren werden die physikalischen Hintergründe diskutiert und grundlegende Algorithmen zur Implementierung dieser Operationen auf einer typischen Speicherfeldarchitektur aufgezeigt. Für Standard-MOS-Transistoren wird ein Kurzkanal-Schwellspannungsmodell abgeleitet und analytisch gelöst. Anhand dieser Modellgleichung werden die bekannten Kurzkanaleffekte betrachtet. Weiterhin wird ein Modell zur Berechnung des Drainstroms von Kurzkanaltransistoren im Subthreshold-Arbeitsbereich abgeleitet und gezeigt, dass sich die Drain-Source-Leckströme bei Kurzkanaltransistoren vergrößern. Die Erweiterung des Schwellspannungsmodells für Standard-MOS-Transistoren auf den Fall der lokalen Ladungsspeicherung innerhalb der Isolationsschicht erlaubt die Ableitung eines Schwellspannungsmodells für Oxid-Nitrid-Oxid-Transistoren mit lokaler Ladungsspeicherung. Dieses Modell gestattet die qualitative und quantitative Diskussion der Erhöhung der Schwellspannung durch die lokale Injektion von Ladungsträgern beim Programmiervorgang. Weiterhin ist es mit diesem Modell möglich, die Trennung der an beiden Kanalenden des Transistors gespeicherten Informationen beim Auslesevorgang qualitativ zu erklären und diese Bittrennung in Abhängigkeit von der Drainspannung zu berechnen. Für Langkanalspeichertransistoren wird eine analytische Näherungslösung des Schwellspannungsmodells angegeben, während das Kurzkanalverhalten durch die numerische Lösung der Modellgleichung bestimmt werden kann. Für Langkanalspeichertransistoren wird ein Subthreshold-Modell zur Berechnung des Drainstroms abgeleitet. Dieses Modell zeigt, dass sich die Leckströme von programmierten Speichertransistoren im Vergleich zu Standard-MOS-Transistoren gleicher Schwellspannung vergrößern. Die Ursache dieses Effekts, die Verringerung der Subthreshold-Steigung von Transistoren im programmierten Zustand, wird analysiert. Für einige praktische Beispiele wird die Anwendung der hergeleiteten Modellgleichungen beim Entwurf von Flash-Speichern demonstriert. / In this work, memory transistors with an oxide-nitride-oxide trapping-layer and local charge storage, which are used for non-volatile information storage, are examined. Characteristic for these transistors is an independent and separated storage of information by charge packages, located at both sides of the transistor channel, in the insulation layer. The physical backgrounds for reading, programming and erasing the memory transistors are discussed, and basic algorithms are shown for implementing these operations on a typical memory array architecture. For standard MOS-transistors a short channel threshold model is derived and solved analytically. By using these model equations, the known short channel effects are considered. Further, a model for calculating the drain current of short channel transistors in the subthreshold operation region is derived. This model is used to show the increase of drain-source leakage currents in short channel transistors. By extending the standard MOS-transistor threshold voltage model for local charge storage in the insulation layers, the derivation of a threshold voltage model for oxide-nitride-oxide transistors with local charge storage is enabled. This model permits the quantitative and qualitative discussion of the increase in threshold voltage caused by local injection of charges during programming. Furthermore, with this model, the separation of the information, which are stored at both sides of the transistor channel, in the read-out operation is explained qualitatively, and the bit separation is calculated dependent on the drain voltage. For long channel memory transistors an analytical approximation of the threshold voltage model is given, whereas the short channel behaviour can be determined by solving the model equation numerically. For long channel memory transistors, a subthreshold model for calculating the drain current is derived. This model shows the increase in leakage current of programmed memory transistors in comparision to standard MOS-transistors. The root cause of this effect, the reduced subthreshold swing of transistors in the programmed state, is analysed. The application of the derived model equations for the development of flash memories is demonstrated with some practical examples.
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Autobiografische Erinnerungen an Ereignisse aus der Kindheit und Jugend: Ergebnisse einer Lebensspannenstudie mit älteren MenschenHillebrandt, Dirk 14 January 2003 (has links) (PDF)
Das autobiografische Gedächtnis findet als Thema der psychologischen Grundlagenforschung immer größere Aufmerksamkeit. Vorliegende Arbeiten haben zur differenzierten Charakterisierung des autobiografischen Wissensbestands in seiner Gesamtheit und der autobiografischen Erinnerungen als dessen Elemente beigetragen. Neben Fragen der Repräsentation liegt es nahe, Besonderheiten des autobiografischen Gedächtnisses über die Lebensspanne hinweg zu betrachten. Schwerpunkt der Analysen ist die Verteilung individueller Erinnerungen an Ereignisse über den gesamten Lebenslauf. Das zentrale Merkmal der Verteilung ist der relative Anstieg der Zahl von Erinnerungen im Zeitraum zwischen dem 10.und dem 30. Lebensjahr, vergleicht man diese mit der Zahl von Erinnerungen in den Lebensabschnitten direkt vor diesem und direkt im Anschluss an diesen Zeitabschnitt. Die Analyse dieser robusten und reliablen Besonderheit der Verteilung autobiografischer Erinnerungen - des bump - ist Gegenstand der vorliegenden empirischen Arbeit. Im Gegensatz zu bisherigen Studien galt unser Interesse aber nicht nur frei wählbaren Erinnerungen. Es stand vielmehr die Klasse der lebendigen autobiografischen Erinnerungen im Mittelpunkt, die innerhalb des autobiografischen Wissensbestands unterschiedlichen, aber in der individuellen Entwicklung über die Lebensspanne relevanten, von uns vorgegebenen Themen zuzuordnen sind (Arbeitsleben Beziehung zu Geschwistern, Beziehung zu Freunden und Bekannten, zusätzlich: Allgemeine lebendige Erinnerungen ohne thematische Bindung). Die berichteten Erinnerungen verteilten sich insgesamt in typischer Weise über die Lebensspanne. Unabhängig von themenspezifischen Aspekten zeigte sich auch in der vorliegenden Studie der bump in der Gesamtverteilung autobiografischer Erinnerungen über die Lebensspanne. Bei den themenspezifischen Verteilungen waren jedoch Abweichungen von der erwarteten Verteilungsform festzustellen. Der bump ließ sich bei den Themen Arbeitsleben und Freunde, Bekannte nur in abgeschwächter Form identifizieren, beim Thema Zwillinge war er dagegen auf einen früheren Zeitpunkt als erwartet datiert und sehr ausgeprägt. Die Verteilung im Themenblock Allgemein deckte sich weitgehend mit dem erwarteten Verteilungsmuster. Durch Einbindung in ein größeres Forschungsprojekt konnten die Verteilungen in den Themen Zwillinge und Arbeitsleben im Kontext relevanter biografischer Informationen weiter analysiert und z.T. auf lebensalters- und kontextgebundene Entwicklungen zurückgeführt werden. Die Ergebnisse der Studie werden im Hinblick auf ihre theoretischen Implikationen und ihre Bedeutung für nachfolgende Arbeiten aus einer entwicklungspsychologischen Perspektive diskutiert.
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African diaspora in reverse : the Tabom people in Ghana, 1820s-2009Essien, Kwame 02 March 2015 (has links)
The early 1800s witnessed the exodus of former slaves from Brazil to Africa. A number of slaves migrated after gaining manumission. Others were deported after they were accused of committing various “crimes” and after slave rebellions. These returnees established various communities and identities along the coastline of West Africa, but Historians often limit the scope to communities that developed in Benin, Togo and Nigeria. My dissertation fills in this gap by highlighting the obscured history of the Tabom people—the descendants of Afro-Brazilian returnees in Ghana. The study examines the history of the Tabom people to show the various ways they are constructing their identities and how their leaders are forging ties with the Brazilian government, the Ghanaian government, and institutions such as UNESCO. The main goal of the Tabom people is to preserve their history, to underscore the significance of sites of memories, and to restore various historical monuments within their communities for tourism. The economic consciousness contributed to the restoration of the “Brazil House” in Accra which was opened for tourism on November 15, 2007, after a year of repairs through the support of the Brazilian Embassy and various institutions in Ghana. This watershed moment not only marked an important historical event and the birth of tourism within the Tabom community, but epitomized decades of attempts to showcase the history of the Afro-Brazilian community which has been obscured in Ghanaian school curriculum and African diaspora history. My central thesis is that the initiatives by the Tabom people are not only influenced by economic interests, but also by the need to express the “dual” identities that underlie what it means to the “Ghanaian-Brazilian.” The efforts by the Tabom leaders to project their dual heritage, led to the visit by Brazilian President Luiz Inácios Lula da Silva “Lula” in April 2005, who also graciously supported the restoration of the “Brazil House.” Through these interactions Lula extended an invitation to the Tabom chief and members of the community to visit Brazil for the first time. This dissertation posits that Lula’s invitation highlight notions that the African Diaspora is an unending journey. / text
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Design of SRAM for CMOS 32nmHamouche, Lahcen 15 December 2011 (has links) (PDF)
The PhD thesis focuses on the always-on low power SRAM memories (essentially low dynamic power) in thin CMOS technology node CMOS 32nm and beyond. It reviews the state of the art of the eSRAM and describes different techniques to reduce the static and dynamic power consumption with respect the variability issue. Main techniques of power reduction are reviewed with their contributions and their limitations. It presents also a discussion about a statistical variability modeling and the variability effects on the yield. An original low power architecture based on 5T-Portless bit-cell is presented, with current mode read/write operations, as an ideal candidate for the always-on SRAM memories. A test chip implementation in CMOS 32nm of the 5T-Porless is designed and a comparison with an existing 6T SRAM memory is presented based on simulation. Some test chip functionality results and power consumption are performed. Finally the conclusion highlights the major contributions of the study and discusses the various simplification assumptions to see possible limitations. It is concluded affirmatively about industrial interest of the 5T-Portless SRAM for always-on embedded applications. Perspectives concern the analytical modeling for statistical behavior of SRAM as the Monte-Carlo approach is no more practicable. The migration of the 5T-Portless SRAM may be already considered in advanced nodes.
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Dialectical Constructivism: The Integration of Emotion, Autobiographical Memory, and Narrative Identity in Anorexia NervosaEmmerling, Michelle E Unknown Date
No description available.
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Une approche d'ingénierie ontologique pour l'acquisition et l'exploitation des connaissances à partir de documents textuels : vers des objets de connaissances et d'apprentissageZouaq, Amal January 2007 (has links)
Thèse numérisée par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal
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L'École de Mécanique de la Marine (ESMA) : témoin des luttes de mémoires en ArgentineDugal, Marie-Christine January 2008 (has links)
Mémoire numérisé par la Division de la gestion de documents et des archives de l'Université de Montréal
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Διαχείριση κοινών πόρων σε πολυπύρηνους επεξεργαστέςΑλεξανδρής, Φωκίων 27 June 2012 (has links)
Οι σύγχρονες τάσεις της Επιστήμης Σχεδιασμού των Υπολογιστικών Συστημάτων έχουν υιοθετήσει την χρήση των Κρυφών Μνημών ή Μνημών Cache, αποβλέποντας στην απόκρυψη της Καθυστέρησης της Κύριας Μνήμης των Συστημάτων (Memory Latency) και την γεφύρωση του χάσματος της απόδοσης του Επεξεργαστή και της Κύριας Μνήμης (Processor – Memory Performance Gap). Οι Μνήμες Cache έτσι έχουν αποκτήσει αδιαμφισβήτητα πρωτεύοντα ρόλο στην Ιεραρχία Μνήμης των Ηλεκτρονικών Υπολογιστών.
Οι νέες τάσεις Σχεδιασμού ανέδειξαν την Έννοια του Παραλληλισμού σε πρωτεύοντα ρόλο. Αρχικά διερευνήθηκε ο Παραλληλισμός Επιπέδου Εντολών, ωστόσο η αύξηση της Απόδοσης των Υπολογιστών σύντομα έφτασε ένα μέγιστο. Την τελευταία δεκαετία το κέντρο του ενδιαφέροντος των σχεδιαστών έχει και πάλι μετατοπιστεί, καθώς ένας νέος τύπος Επεξεργαστών έχει εισέλθει στο προσκήνιο, οι Πολυπύρηνοι Επεξεργαστές, ή όπως είναι αλλιώς γνωστοί on-chip Multiprocessors (CMP). Αυτές οι εξελίξεις, σε συνδυασμό με την ολοένα αυξανόμενη πολυπλοκότητα της “συμπεριφοράς” των εκτελούμενων Εφαρμογών, ώθησαν το σχεδιαστικό ενδιαφέρον προς την εκμετάλλευση ενός νεοσύστατου τύπου Παραλληλισμού. Ο Παραλληλισμός Επιπέδου Μνήμης ή Memory Level Parallelism (MLP) αποτελεί τα τελευταία χρόνια, το πλέον ισχυρό μέσο αύξησης της απόδοσης των Υπολογιστικών Συστημάτων και μαζί με τους Πολυπύρηνους Επεξεργαστές θα κυριαρχήσει στο προσκήνιο των εξελίξεων τα επόμενα χρόνια.
Σκοπός της παρούσας Διπλωματικής Εργασίας είναι η ανάπτυξη ενός Στατιστικού – Πιθανοτικού Μοντέλου για μελέτη και πρόβλεψη των φαινομένων που αναπτύσσονται σε Μνήμες Cache, στις οποίες αποθηκεύονται δεδομένα από εκτελούμενες Εφαρμογές, με έντονο Παραλληλισμό Επιπέδου Μνήμης. Θα οριστεί ένας Εκτιμητής του Φόρτου που επιβάλλεται στο Σύστημα, από φαινόμενα Παραλληλισμού Επιπέδου Μνήμης (MLP). Στην συνέχεια, με βάση το Μοντέλο που αναπτύσσουμε, θα διερευνηθεί ένα ικανοποιητικό σύνολο Εφαρμογών, και θα εξαχθεί μια Εκτίμηση – Πρόβλεψη για τον Φόρτο (MLP) του Συστήματος. Εφόσον οι Προβλέψεις μας κριθούν επιτυχής, το Μοντέλο Πρόβλεψης Φόρτου MLP που αναπτύξαμε, μπορεί να αποτελέσει χρήσιμο Εργαλείο στα χέρια των Σχεδιαστών που ασχολούνται με την αύξηση της Απόδοσης των Σύγχρονων Υπολογιστικών Συστημάτων. / -
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Narrativas de professores(as): criações, tessituras de memórias / Techers Narratives: creations, memories interwovenRossana Maria Papini 15 April 2014 (has links)
Esta tese busca tecer uma narrativa com as histórias de vida de alguns docentes, procurando perceber suas trajetórias, com o objetivo de pensar a forma como foram (re)criando sua profissão e suas vivências no magistério e como isto os fez interrogar os processos curriculares e os modos como, neles, tecemos conhecimentos e significações, nas redes educativas que formamos e nas quais somos formados. A pesquisa, na perspectiva das pesquisas com os cotidianos, se articula ao GRPESQ Currículo, redes educativas e imagens, do Laboratório Educação e Imagem (ProPEd/ UERJ) e procurou apoio em conversas/narrativas com professores(as) que passaram por experiências marcantes em Portugal e no Brasil, mais especificamente no município de Angra dos Reis. É, em parte, uma pesquisa sobre memórias de quem ensinou/ensina nesse município do Estado do Rio de Janeiro que foi palco de intensas lutas por redemocratização nos anos 80 e 90. Teria existido um tempo de lutas e conflitos, de muita participação política e engajamento durante os três mandatos do governo do Partido dos Trabalhadores (1989-2000). Parcela significativa de uma geração foi envolvida nos sonhos de democratizar a cidade. Angra, que fora na ditadura militar uma área de segurança nacional, integrou, na época, um conjunto de administrações municipais que, em vários estados do Brasil, foram intituladas de democráticas e populares e que se distinguiram pela criação de experiências participativas e inovadoras que buscaram ampliar o contato e a inclusão da população na tarefa de co-gestão Estado/sociedade. Nesta tese, além de buscar as narrativas de docentes que, hoje, são professores(as) em universidades, trago ainda narrativas de profissionais que continuam a exercer o magistério na educação básica em Angra dos Reis, sempre forjando novas táticas de ir recriando a si e a sua profissão. Como podem contribuir as memórias de professores(as) para se pensar os processos de formação ao longo de uma vida? Esta pesquisa, por meio de conversas com praticantespensantes que trabalham na educação pública, procura responder a essa indagação e pensar as múltiplas redes de conhecimento e significações nas quais foram se fazendo as experiências destes profissionais, sua forma de estar no mundo, pensar e existir. Dessa maneira, também foram importantes as narrativas de professoras portuguesas, suas memórias de vivências expressivas no magistério daquele país nas últimas décadas, obtidas em estágio de doutoramento-sanduíche, com o financiamento da Capes. No trabalho, narrativas e imagens são percebidas como personagens conceituais, tal como nos indicou Deleuze e vem sendo incorporado nas pesquisas com os cotidianos; criamos um outro que é necessário para o fluir do pensamento, para buscar um sobrevoo no vivido, numa tessitura de memórias que, entrelaçando vários fios, procura valorizar o protagonismo destes profissiona is. Como fundamentação teórica, esta pesquisa tem apoio em autores como Nilda Alves, Michel de Certeau, Gilles Deleuze, Félix Guattari, Michel Foucault, entre outros
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