The observation of voltage-tunable plasmon resonances in the terahertz range in two dimensional electron gas (2-deg) of a high electron mobility transistor (HEMT) fabricated from the InGaAs/InP and AlGaN/GaN materials systems is reported. The devices were fabricated from a commercial HEMT wafer by depositing source and drain contacts using standard photolithography process and a semi-transparent gate contact that consisted of a 0.5 [micro]m period transmission grating formed by electron-beam lithography. Narrow-band resonant absorption of THz radiation was observed in transmission in the frequency range 10-100 cm-1. The resonance frequency depends on the gate voltage-tuned sheet-charge density of the 2deg. The fundamental and higher resonant harmonics were observed to shift towards lower frequencies with the implementation of negative gate bias. The theory of interaction of sub millimeter waves with 2deg through corrugated structure on top has been applied to calculate and understand the phenomena of resonant plasmon excitations. The observed separation of resonance fundamental from its harmonics and their shift with gate bias follows theory, although the absolute frequencies are lower by about a factor of 2-3 in InGaAs/InP system. However, calculated values match much better with AlGaN/GaN system.

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<p> InGaAs/InP heterostructure nanowires (NWs) grown by gas source molecular beam epitaxy (GS-MBE) have been analyzed by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS). The morphology and interfacial properties of these structures have been compared to pure InP NWs and lattice-matched InGaAs!InP superlattice (SL) structures, respectively. Based on high-resolution x-ray diffraction (HRXRD) and photoluminescence (PL) measurements of the SLs a detailed structural model is proposed, consisting of strained InAsP and InGaAsP mono layers due to group-V gas switching and atomic exchange at the SL interfaces. The interfaces of the heterostructure NW s were an order of magnitude larger than those of the SLs and showed a distinct bulging morphology. Both of these characteristics are explained based on the slow purging of group-III material from the Au catalyst. Growth of lnGaAs on the sidewalls of the InP base of these wires was also observed, and occurs due to the shorter diffusion length of Ga adatoms as compared to In. </p> / Thesis / Master of Science (MSc)

Electroabsorption and electrorefraction were studied in GaAs/AlGaAs and InP/InAsP multiple quantum well waveguides. Measurements of changes of the absorption coefficient and the refractive index with wavelength and bias voltage were made. Switching ratios of up to 18 dB were obtained for the GaAs/AlGaAs material. The Kramers-Kronig relation was used to calculate the theoretical phase shifts from the absorption coefficient data. / Thesis / Master of Engineering (ME)

Résumé : Les circuits photoniques intégrés qui combinent des dispositifs photoniques pour la génération, la détection, la modulation, l'amplification, la commutation et le transport de la lumière dans une puce, ont été rapportés comme étant une innovation technologique importante qui simplifie la conception du système optique et qui réduit l'espace et la consommation de l'énergie en améliorant ainsi la fiabilité. La capacité de modifier la bande interdite des zones sélectives des différents dispositifs photoniques à travers la puce est la clé majeure pour le développement de circuits photoniques intégrés. Comparé à d'autres méthodes d’épitaxie, l’interdiffusion de puits quantiques a attiré beaucoup d'intérêt en raison de sa simplicité et son efficacité en accordant la bande interdite durant le processus de post-épitaxie. Cependant, l’interdiffusion de puits quantiques a subi des problèmes reliés au manque de précision pour modifier convenablement la bande interdite ciblée et à l’incontrôlabilité de l’absorption des impuretés au cours du processus qui peut dégrader la qualité du matériel interdiffusé. Dans cette thèse, nous avons utilisé les lasers excimer pour créer des défauts à proximité de la surface (~ 10 nm) des microstructures à base de puits quantiques III-V (par exemple InP et GaAs) et pour induire l’interdiffusion après le recuit thermique. L'irradiation par les lasers excimer (ArF et KrF) des microstructures à puits quantiques a été réalisée dans différents environnements, y compris l'air, l'eau déionisée, les couches diélectriques (SiO2 et Si3N4) et les couches d’InOx. Pour proposer un bon contrôle de la technique d’interdiffusion de puits quantiques par laser excimer, nous avons étudié la génération et la diffusion de défauts de surface en utilisant différentes méthodes de caractérisation de surface/interface, comme l'AFM, SEM, XPS et SIMS qui ont été utilisées pour analyser la modification de la morphologie de surface/interface et la modification chimique de la microstructure de ces puits quantiques. La qualité des microstructures à puits quantiques étudiées a été représentée par des mesures de photoluminescence et de luminescence des diodes lasers ainsi fabriqués. Les résultats montrent que le laser excimer induit des quantités d'oxydes de surface dans les surfaces des microstructure à puits quantiques InP/InGaAs/InGaAsP dans l'air et des impuretés d'oxygène des couches d'oxydes diffusées dans la région active de la microstructure lors du recuit, ce qui améliore l’interdiffusion, mais réduit l'intensité de la photoluminescence. Par contre, l’irradiation dans un environnement d'eau déionisée n’a pas démontré de diffusion des impuretés évidentes d'un excès d'oxygène vers les régions actives, mais la stœchiométrie de surface a été restaurée après l’interdiffusion. L’InOx a été trouvé avec un grand coefficient de dilatation thermique dans la microstructure interdiffusée qui était supposée d’augmenter la contrainte de compression dans la région active et ainsi d’augmenter l'intensité de photoluminescence de 10 fois dans l’échantillon irradié dans l'eau déionisée. Concernant les microstructures avec une couche diélectrique, la modification de la bande interdite a été toujours réalisée sur des échantillons dont les couches diélectriques ont été irradiées et la surface de InP a été modifiée par le laser excimer. Pour l'échantillon avec une couche de 243 nm de SiO2, les variations de la photoluminescence ont été mesurées sans l’ablation de cette couche de SiO2 lors de l'irradiation par le laser KrF. Cependant, la morphologie de l'interface d’InP a été modifiée, les oxydes d'interface ont été générés et les impuretés d'oxygène se sont diffusées à l'intérieur des surfaces irradiées. Les améliorations de l’interdiffusion dans les deux surfaces non irradiées et irradiés de l'échantillon couvert de couche d’InOx ont démontré l'importance des oxydes dans l’interdiffusion des puits quantiques. Les diodes laser fabriquées à partir d’un matériau interdiffusé par un laser KrF ont montré un seuil de courant comparable à celui des matériaux non interdiffusés avec un décalage de photoluminescence de 100 nm. En combinant un masque d'aluminium, nous avons créé un déplacement uniforme de photoluminescence de 70 nm sur une matrice rectangulaire de 40 μm x 200 μm ce qui présente un potentiel d’application de l’interdiffusion des puits quantiques par les lasers excimer dans les circuits photoniques intégrés. En outre, les lasers excimer ont été utilisés pour créer des structures de nano-cônes auto-organisées sur des surfaces de microstructure de InP/InGaAs/InGaAsP en augmentant l'intensité de PL par ~ 1.4 fois. Les lasers excimer ont été aussi utilisés pour modifier la mouillabilité sélective des zones d’une surface de silicium par une modification chimique de surface induite par laser dans différents milieux liquides. Ainsi, la fluorescence des nanosphères a été réussie pour des fonctions de configuration spécifique avec une surface de silicium. // Abstract : Photonic integrated circuits (PICs) which combine photonic devices for generation, detection, modulation, amplification, switching and transport of light on a chip have been reported as a significant technology innovation that simplifies optical system design, reduces space and power consumption, improves reliability. The ability of selective area modifying the bandgap for different photonic devices across the chip is the important key for PICs development. Compared with other growth methods, quantum well intermixing (QWI) has attracted amounts of interest due to its simplicity and effectiveness in tuning the bandgap in post-growth process. However, QWI has suffered problems of lack of precision in achieving targeted bandgap modification and uncontrollable up-taking of impurities during process which possibly degrade the quality of intermixed material. In this thesis, we have employed excimer laser to create surface defects in the near surface region (~ 10 nm) of III-V e.g. InP and GaAs, based QW microstructure and then annealing to induce intermixing. The irradiation by ArF and KrF excimer lasers on the QW microstructure was carried out surrounded by different environments, including air, DI water, dielectric layers (SiO2 and Si3N4) and InOx coatings. To propose a more controllable UV laser QWI technique, we have studied surface defects generation and diffusion with various surface/interface characterization methods, like AFM, SEM, XPS and SIMS, which were used to analyse the QW surface/interface morphology and chemical modification during QWI. The quality of processed QW microstructure was represented by photoluminescence measurements and luminescence measurements of fabricated laser diodes. The results shows that excimer laser induced amounts of surface oxides on the InP/InGaAs/InGaAsP microstructure surface in air and the oxygen impurities from oxides layer diffused to the active region of the QW microstructure during annealing, which enhance intermixing but also reduce the PL intensity. When irradiated in DI water environment, no obvious excessive oxygen impurities were found to diffuse to the active regions and the surface stoichiometry has been restored after intermixing. InOx with large coefficient of thermal expansion was found inside the intermixed QW microstructure, which was supposed to increase the compressive strain in active region and enhance the PL intensity to maximum 10 times on sample irradiated in DI water. On microstructure coated with dielectric layers, bandgap modifications were always found on samples whose dielectric layers were ablated and InP surface was modified by excimer laser. On sample coated with 243 nm SiO2 layer, the PL shifts were found on sample without ablation of the SiO2 layer when irradiated by KrF laser. However, the InP interface morphology was modified, interface oxides were generated and oxygen impurities have diffused inside on the irradiated sites. The enhancements of interdiffusion on both non irradiated and irradiated sites of sample coated with InOx layer have verified the importance of oxides in QWI. The laser diodes fabricated from KrF laser intermixed material have shown comparable threshold current density with as grown material with PL shifted by 133 nm. Combined aluminum mask, we have created uniform 70 nm PL shifts on 40 μm x 200 μm rectangle arrays which presents UV laser QWI potential application in PICs. In addition, excimer lasers have been used to create self organized nano-cone structures on the surface of InP/InGaAs/InGaAsP microstructure and enhance the PL intensity by ~1.4x. Excimer lasers have selective area modified wettability of silicon surface based on laser induced surface chemical modification in different liquid environments. Then the fluorescence nanospheres succeeded to specific pattern functions with silicon surface.

Résumé : Les circuits photoniques intégrés qui combinent des dispositifs photoniques pour la génération, la détection, la modulation, l'amplification, la commutation et le transport de la lumière dans une puce, ont été rapportés comme étant une innovation technologique importante qui simplifie la conception du système optique et qui réduit l'espace et la consommation de l'énergie en améliorant ainsi la fiabilité. La capacité de modifier la bande interdite des zones sélectives des différents dispositifs photoniques à travers la puce est la clé majeure pour le développement de circuits photoniques intégrés. Comparé à d'autres méthodes d’épitaxie, l’interdiffusion de puits quantiques a attiré beaucoup d'intérêt en raison de sa simplicité et son efficacité en accordant la bande interdite durant le processus de post-épitaxie. Cependant, l’interdiffusion de puits quantiques a subi des problèmes reliés au manque de précision pour modifier convenablement la bande interdite ciblée et à l’incontrôlabilité de l’absorption des impuretés au cours du processus qui peut dégrader la qualité du matériel interdiffusé. Dans cette thèse, nous avons utilisé les lasers excimer pour créer des défauts à proximité de la surface (~ 10 nm) des microstructures à base de puits quantiques III-V (par exemple InP et GaAs) et pour induire l’interdiffusion après le recuit thermique. L'irradiation par les lasers excimer (ArF et KrF) des microstructures à puits quantiques a été réalisée dans différents environnements, y compris l'air, l'eau déionisée, les couches diélectriques (SiO2 et Si3N4) et les couches d’InOx. Pour proposer un bon contrôle de la technique d’interdiffusion de puits quantiques par laser excimer, nous avons étudié la génération et la diffusion de défauts de surface en utilisant différentes méthodes de caractérisation de surface/interface, comme l'AFM, SEM, XPS et SIMS qui ont été utilisées pour analyser la modification de la morphologie de surface/interface et la modification chimique de la microstructure de ces puits quantiques. La qualité des microstructures à puits quantiques étudiées a été représentée par des mesures de photoluminescence et de luminescence des diodes lasers ainsi fabriqués. Les résultats montrent que le laser excimer induit des quantités d'oxydes de surface dans les surfaces des microstructure à puits quantiques InP/InGaAs/InGaAsP dans l'air et des impuretés d'oxygène des couches d'oxydes diffusées dans la région active de la microstructure lors du recuit, ce qui améliore l’interdiffusion, mais réduit l'intensité de la photoluminescence. Par contre, l’irradiation dans un environnement d'eau déionisée n’a pas démontré de diffusion des impuretés évidentes d'un excès d'oxygène vers les régions actives, mais la stœchiométrie de surface a été restaurée après l’interdiffusion. L’InOx a été trouvé avec un grand coefficient de dilatation thermique dans la microstructure interdiffusée qui était supposée d’augmenter la contrainte de compression dans la région active et ainsi d’augmenter l'intensité de photoluminescence de 10 fois dans l’échantillon irradié dans l'eau déionisée. Concernant les microstructures avec une couche diélectrique, la modification de la bande interdite a été toujours réalisée sur des échantillons dont les couches diélectriques ont été irradiées et la surface de InP a été modifiée par le laser excimer. Pour l'échantillon avec une couche de 243 nm de SiO2, les variations de la photoluminescence ont été mesurées sans l’ablation de cette couche de SiO2 lors de l'irradiation par le laser KrF. Cependant, la morphologie de l'interface d’InP a été modifiée, les oxydes d'interface ont été générés et les impuretés d'oxygène se sont diffusées à l'intérieur des surfaces irradiées. Les améliorations de l’interdiffusion dans les deux surfaces non irradiées et irradiés de l'échantillon couvert de couche d’InOx ont démontré l'importance des oxydes dans l’interdiffusion des puits quantiques. Les diodes laser fabriquées à partir d’un matériau interdiffusé par un laser KrF ont montré un seuil de courant comparable à celui des matériaux non interdiffusés avec un décalage de photoluminescence de 100 nm. En combinant un masque d'aluminium, nous avons créé un déplacement uniforme de photoluminescence de 70 nm sur une matrice rectangulaire de 40 μm x 200 μm ce qui présente un potentiel d’application de l’interdiffusion des puits quantiques par les lasers excimer dans les circuits photoniques intégrés. En outre, les lasers excimer ont été utilisés pour créer des structures de nano-cônes auto-organisées sur des surfaces de microstructure de InP/InGaAs/InGaAsP en augmentant l'intensité de PL par ~ 1.4 fois. Les lasers excimer ont été aussi utilisés pour modifier la mouillabilité sélective des zones d’une surface de silicium par une modification chimique de surface induite par laser dans différents milieux liquides. Ainsi, la fluorescence des nanosphères a été réussie pour des fonctions de configuration spécifique avec une surface de silicium. // Abstract : Photonic integrated circuits (PICs) which combine photonic devices for generation, detection, modulation, amplification, switching and transport of light on a chip have been reported as a significant technology innovation that simplifies optical system design, reduces space and power consumption, improves reliability. The ability of selective area modifying the bandgap for different photonic devices across the chip is the important key for PICs development. Compared with other growth methods, quantum well intermixing (QWI) has attracted amounts of interest due to its simplicity and effectiveness in tuning the bandgap in post-growth process. However, QWI has suffered problems of lack of precision in achieving targeted bandgap modification and uncontrollable up-taking of impurities during process which possibly degrade the quality of intermixed material. In this thesis, we have employed excimer laser to create surface defects in the near surface region (~ 10 nm) of III-V e.g. InP and GaAs, based QW microstructure and then annealing to induce intermixing. The irradiation by ArF and KrF excimer lasers on the QW microstructure was carried out surrounded by different environments, including air, DI water, dielectric layers (SiO2 and Si3N4) and InOx coatings. To propose a more controllable UV laser QWI technique, we have studied surface defects generation and diffusion with various surface/interface characterization methods, like AFM, SEM, XPS and SIMS, which were used to analyse the QW surface/interface morphology and chemical modification during QWI. The quality of processed QW microstructure was represented by photoluminescence measurements and luminescence measurements of fabricated laser diodes. The results shows that excimer laser induced amounts of surface oxides on the InP/InGaAs/InGaAsP microstructure surface in air and the oxygen impurities from oxides layer diffused to the active region of the QW microstructure during annealing, which enhance intermixing but also reduce the PL intensity. When irradiated in DI water environment, no obvious excessive oxygen impurities were found to diffuse to the active regions and the surface stoichiometry has been restored after intermixing. InOx with large coefficient of thermal expansion was found inside the intermixed QW microstructure, which was supposed to increase the compressive strain in active region and enhance the PL intensity to maximum 10 times on sample irradiated in DI water. On microstructure coated with dielectric layers, bandgap modifications were always found on samples whose dielectric layers were ablated and InP surface was modified by excimer laser. On sample coated with 243 nm SiO2 layer, the PL shifts were found on sample without ablation of the SiO2 layer when irradiated by KrF laser. However, the InP interface morphology was modified, interface oxides were generated and oxygen impurities have diffused inside on the irradiated sites. The enhancements of interdiffusion on both non irradiated and irradiated sites of sample coated with InOx layer have verified the importance of oxides in QWI. The laser diodes fabricated from KrF laser intermixed material have shown comparable threshold current density with as grown material with PL shifted by 133 nm. Combined aluminum mask, we have created uniform 70 nm PL shifts on 40 μm x 200 μm rectangle arrays which presents UV laser QWI potential application in PICs. In addition, excimer lasers have been used to create self organized nano-cone structures on the surface of InP/InGaAs/InGaAsP microstructure and enhance the PL intensity by ~1.4x. Excimer lasers have selective area modified wettability of silicon surface based on laser induced surface chemical modification in different liquid environments. Then the fluorescence nanospheres succeeded to specific pattern functions with silicon surface.

Die Eisbildung in Wolken wirkt sich auf die Niederschlagsbildung, die optischen Eigenschaften, und die Persistenz der Wolken aus und beeinflusst somit das Wetter und das Klima. Sogenannte eisnukleierende Partikel (ice nucleating particle; INP), katalysieren den Gefrierprozess von Wolkentröpfchen und tragen so zur primären Eisbildung in Wolken bei. In dieser Arbeit wurden die Häufigkeit und die Eigenschaften von INP in der Arktis untersucht. Hierzu wurde ein Vielzahl an Proben analysiert: Proben zweier Eisbohrkerne (aus Spitzbergen und Grönland); Filterproben von Aerosolpartikeln, die an Bord eines Flugzeuges über dem arktischen Ozean nordöstlich von Grönland gesammelt wurden; Filterproben von Aerosolpartikeln, die an Bord eines Schiffes in der Nähe von Spitzbergen gesammelt wurden. Zusätzlich wurden auch Meeresoberflächenfilm-, Meerwasser- und Nebelwasserproben gesammelt. Es wurde festgestellt, dass die INP-Konzentrationen in der Arktis im Allgemeinen niedriger sind als in den mittleren Breiten. Und obwohl die INP-Konzentrationen bei einer Temperatur von Probe zu Probe eine hohe Variabilität aufweisen, bewegen sie sich seit der Kleinen Eiszeit im 16. Jahrhundert auf einem ähnlichen Niveau und zeigen keinen langfristigen Trend. Außergewöhnlich eisaktive Proben zeichnen sich durch hohe INP-Konzentrationen bei wärmeren Temperaturen (ca. über -15°C) aus. Die in diesen Fällen aktiven INP können auf einen biogenen Ursprung zurückgeführt werden. Ferner wurden eindeutige Hinweise auf das Vorhandensein lokaler mariner INP-Quellen gefunden in der Arktis gefunden. Dies ist ein interessantes Ergebnis, da auch gezeigt wurde, dass ohne signifikante Anreicherung während des Transfers vom Ozean in die Aerosolphase, die vorhandenen INP im Meerwasser die INP-Konzentration in der Luft nicht erklären können. Die INP-Konzentrationen Temperaturbereich unterhalb von -26°C, hingegen scheinen eher durch Ferntransport von Staub aus den mittleren Breiten und/oder terrestrischer Quellen in der Arktis bestimmt zu sein.:1 Introduction 2 Experimental 2.1 Campaign Overviews 2.1.1 Arctic Ice Cores 2.1.2 PAMARCMiP 2.1.3 PASCAL 2.2 Instrumentation 2.2.1 Droplet Freezing Assays 2.2.2 HERA 2.2.3 Low Volume Filter Sampler 2.2.4 SPIN 2.2.5 Sea and fog water sampling 2.2.6 Other Aerosol Instrumentation 2.3 Data analysis 2.3.1 INP concentration 2.3.2 Back trajectories 2.3.3 Sea ice fraction and thickness 2.3.4 Transmission Electron Microscopy 3 Results 3.1 INP measurements on Arctic ice core samples 3.1.1 Results & Discussion 3.1.2 Summary 3.2 Airborne INP measurements during PAMARCMiP 3.2.1 Results & Discussion 3.2.2 Summary 3.3 Ship-borne INP measurements during PASCAL 3.3.1 Results & Discussion 3.3.2 Summary 4 Summary and Conclusion / Ice formation in clouds impacts precipitation initiation, cloud optical properties, and cloud persistence, and hence influences weather and climate. At the base of the primary ice formation in clouds stands the ice nucleating particle (INP), which catalyzes the freezing process of cloud droplets. In this thesis, the abundance and properties of Arctic INP were investigated in samples from two ice cores (Svalbard and Greenland), in samples of aerosol particles collected on an aircraft over the Arctic ocean northeast of Greenland, and in ship-borne aerosol filter samples, as well as sea surface microlayer, bulk sea water and fog water samples collected in the vicinity of Svalbard. It was found that INP concentrations in Arctic are generally lower than in mid-latitudes. And while they show a high inter-sample variability, INP concentrations have been on similar levels since the Little Ice Age in the 16th century and show no long-term trend. Exceptionally ice-active samples are characterized by high INP concentrations at warmer temperatures (approximately above -15°C). The INP active in these cases were attributed to a biogenic origin. Furthermore, clear evidence for the presence of local marine INP sources was found in the Arctic. This is an interesting finding as it was also shown that without significant enrichment during the transfer from the ocean to the aerosol phase, the INP in the sea water can not explain the INP concentration in the air. INP concentrations temperature range below -26°C, on the other hand, appear to be determined more by long-range transport of dust from mid-latitudes and/or terrestrial sources in the Arctic.:1 Introduction 2 Experimental 2.1 Campaign Overviews 2.1.1 Arctic Ice Cores 2.1.2 PAMARCMiP 2.1.3 PASCAL 2.2 Instrumentation 2.2.1 Droplet Freezing Assays 2.2.2 HERA 2.2.3 Low Volume Filter Sampler 2.2.4 SPIN 2.2.5 Sea and fog water sampling 2.2.6 Other Aerosol Instrumentation 2.3 Data analysis 2.3.1 INP concentration 2.3.2 Back trajectories 2.3.3 Sea ice fraction and thickness 2.3.4 Transmission Electron Microscopy 3 Results 3.1 INP measurements on Arctic ice core samples 3.1.1 Results & Discussion 3.1.2 Summary 3.2 Airborne INP measurements during PAMARCMiP 3.2.1 Results & Discussion 3.2.2 Summary 3.3 Ship-borne INP measurements during PASCAL 3.3.1 Results & Discussion 3.3.2 Summary 4 Summary and Conclusion

In this work an epitaxial layer of Indium Phosphide (InP) has been grown on top of a silicon substrate using the Corrugated Epitaxial Lateral Overgrowth (CELOG) technique. The grown InP CELOG top layer typically has a poor surface roughness and planarity. Before this surface can be used for any processing it has to be smooth and planarized. For this purpose a two-step Chemical Mechanical Polishing (CMP) technique has been investigated and developed. In the first step commercially available Chemlox has been used to planarize the sample. In the second step Citric Acid (CA) and sodium hypochlorite (NaClO) has been mixed together to form abrasive-free polishing slurry. The second step has been developed to remove defects introduced by the first step. This surface is prepared to demonstrate that a photonic device such as a quantum well can be realized in a Photonic Integrated Circuit (PIC). A quantum well was grown on the polished CELOG InP/Si sample and measured with Atomic Force Microscopy (AFM), Scanning Electron Microscopy (SEM), X-ray Diffraction (XRD) and Photoluminescence (PL). The roughness was improved with CMP from 33.2 nm to 12.4 nm. However the quantum well did not give any response in the PL measurements. / I detta arbete har ett epitaxiellt lager indiumfosfid (InP) blivit växt på ett kiselsubstrat med hjälp av en korrugerad epitaxial lateral överväxt (CELOG) teknik. Det översta lagret av den CELOG växta ytan har ofta en väldigt ojämn yta. Innan denna yta kan användas till någon fortsatt utveckling måste den vara slät och plan. Det översta lagret har polerats med hjälp av en två-stegs kemisk mekanisk polerings (CMP) teknik. I det första steget har komersiellt tillgänglig Chemlox använts för att planarisera ytan. I det andra steget har citronsyra (CA) och natrium hypoklorit (NaClO) blandats samman för att bilda ett partikelfritt polermedel. Det andra steget har tagits fram för att ta bort defekter introducerade I det första steget. Ytan är preparerad för att demonstrera att en fotonisk enhet, t.ex. en kvantbrunn kan realiseras I en fotonisk integrerad krets (PIC). En kvantbrunn växtes fram på det polerade CELOG InP/Si provet och mattes med hjälp av atomkraftsmikroskop (AFM), scanning electron mikroskopi (SEM), röntgendiffraktion (XRD) och fotoluminisens (PL). Ytojämnheten förbättrades med hjälp av CMP från 33.2 nm till 12.4 nm. Dock så gav ej kvantbrunnen någon respons I PL-mätningarna.