À près de trente ans d'écart, les romans de La Place de l'étoile (1968) de Patrick Modiano et de La Compagnie des spectres (1997) de Lydie Salvayre font référence à l'Occupation allemande en France. A travers le discours délirant et la logorrhée des personnages de Modiano et de Salvayre transparaît ce que Régine Robin appellerait une «mémoire saturée». Cette saturation de la mémoire émerge d'un double contexte historique. D'une part, l'histoire racontée se rapporte à la période de l'Occupation dont les souvenirs ne parviennent pas à s'effacer chez les protagonistes de ces romans; d'autre part, la narration rend compte d'une réalité sociale plus récente de la France qui, aujourd'hui encore, accepte mal son passé et qui, paradoxalement, multiplie les commémorations et les monuments à la mémoire des morts provoqués par cette guerre. Par là, on peut juger que les personnages de Schlemilovitch, de Louisiane et de Rose qui ne parviennent pas à trouver leurs identités personnelles et qui sont obsédés, voire hantés par le passé, renvoient à une collectivité plus vaste, la France, qui ne semble pas non plus parvenir à s'acquitter de son histoire. Le souvenir de l'Occupation, tant au niveau des personnages fictionnels que de la réalité française actuelle, semble en effet toujours tourmenter les consciences. Pour saisir ce tourment mémoriel, nous étudierons, dans notre premier chapitre, la place qu'occupent l'histoire et la mémoire dans la fiction afin d'observer les tensions qui se manifestent entre ces notions. Les textes de Modiano et de Salvayre nous amèneront à nous interroger sur la manière dont s'articule la mémoire à des faits historiques, et sur les modalités de la fiction. Nous verrons que la fiction permet d'ouvrir un espace nouveau à partir d'un monde réel et connu d'où peut surgir une représentation mémorielle d'une réalité factuelle. Dans le second chapitre, nous examinerons ensuite comment le souvenir de l'Occupation travaille les personnages de La Place de l'étoile et de La Compagnie des spectres pour modeler leur discours selon un verbalisme délirant. Ce chapitre sera consacré à l'étude des personnages de Schlemilovitch, de Rose et de Louisiane, et de l'univers fictionnel dans lequel ils évoluent, ce qui nous permettra de saisir en quoi consiste leur pathologie mémorielle où passé et présent ne sont plus mis à distance. Dans le troisième et dernier chapitre, nous replacerons ces deux romans dans leur paysage mémoriel respectif, notamment grâce à l'étude de l'historien Henry Rousso sur l'évolution de la mémoire de l'Occupation et ce qu'il a nommé le «syndrome de Vichy». Nous verrons comment ces deux récits rendent compte de l'éclatement de la mémoire en mémoires particulières par lequel se manifeste une difficulté à disposer d'une unité qui saurait rassembler la société française sous un même attachement. Nous terminerons avec la mise au jour du paradoxe des Français qui désirent garder du passé une mémoire vivante, mais qui, par trop vouloir se le rappeler, finissent, sans le vouloir, par l'oublier. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Mémoire, Occupation allemande, Fiction, Salvayre, Modiano.

D'origine française, Pierre de Sales Laterrière a fait du Québec sa terre d'adoption au lendemain de la Conquête anglaise. C'est dans ce contexte instable qu'il tente sa chance d'abord comme roturier, puis comme médecin. Les sources dont nous disposons montrent qu'il a suivi un parcours biographique aléatoire, parsemé d'embûches. Après avoir essuyé plusieurs échecs, il parvient tout de même à gravir quelques échelons: vers la fin de sa vie, il est élu membre d'une société savante à Londres, nommé juge de paix à Québec et il devient seigneur des Éboulements. Pourtant, la narration qu'il donne dans ses mémoires contraste avec la réalité des faits. Laterrière y construit effectivement une trajectoire ascendante dont le narrateur est héroïsé. Nous analyserons de quelle manière le mémorialiste réoriente son parcours biographique et nous mesurerons l'originalité relative de son écriture. Notre premier chapitre aborde les concepts théoriques relatifs à l'analyse du récit de vie et la méthodologie que nous comptons suivre dans cette étude. Il y sera question du pacte autobiographique, de l'illusion biographique, du biographème et de la cohérence interne du discours. L'approche narratologique des Mémoires de Laterrière convoquera également le concept d'effet-personnage, essentiel pour bien cerner la façon dont l'auteur oriente son récit et s'attache son lecteur. Par la suite, nous procèderons à l'étude des archives concernant les événements réellement vécus par Laterrière, ainsi que les études le concernant. Après un état de la réception des Mémoires, nous examinerons l'énigme entourant les origines de l'auteur dont nous retracerons le parcours attesté par les sources. Nous montrerons de la sorte que Laterrière a suivi un chemin sans direction particulière, marqué par les aléas de l'Histoire et par les hasards de l'existence. C'est dans le troisième chapitre que nous analyserons les Mémoires de Pierre de Sales Laterrière et de ses traverses (1873). Fondée sur le parallèle entre les événements attestés par les sources et ce que raconte l'auteur, l'analyse narratologique montrera comment ce récit de vie transforme la réalité (ou ce que nous pouvons en savoir). Nous verrons comment l'auto-légitimation oriente cette narration, mais aussi comment elle suit un modèle de récit de vie: celui de l'aventurier des Lumières. Enfin, nous mesurerons sommairement l'importance et l'originalité de l'auteur et de son discours dans le cadre social et littéraire de son époque. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Pierre de Sales Laterrière, mémoires, narration, récit de vie, réception, archives, héros, aventurier des Lumières, littéraire, dix-huitième, Québec, Canada.

La présente thèse porte sur le thème de la formation littéraire d'un groupe d'écrivains américains et canadiens qui s'installent à Paris dans les années 1920 dans le but de vivre des expériences littéraires formatrices. Le corpus est formé de mémoires de leurs séjours parisiens. Je cherche à montrer, dans une perspective postcoloniale, ce qui motive ces Nord-Américains à chercher en France une initiation à une vie littéraire qui leur est impossible dans leur pays d'origine. La réalisation de cette communauté parisienne est également examinée sous cet angle postcolonial mais les notions d'identité et d'altérité qui y résident sont aussi soumises à la pensée de Gilles Deleuze et de Félix Guatarri, à travers les concepts de la déterritorialisation, du devenir et de la ligne de fuite. Différence et identité sont aussi parmi les préoccupations des auteurs du corpus lorsqu'ils partagent leurs réflexions sur l'état de leur langue, leur littérature et leur écriture à l'époque de leurs expériences parisiennes. Une analyse de ces délibérations s'appuie sur une théorie postcoloniale avec l'apport de Deleuze et Guatarri mais démontre également l'intérêt du choix, de la part de nos auteurs, du genre des mémoires dans la transmission de leur histoire. Dans la première partie, « L'émergence d'une identité collective », je me suis employé à montrer la motivation qui pousse les auteurs du corpus, ainsi que des dizaines de milliers de personnes en provenance du continent américain, à quitter leur pays d'origine pour s'installer à Paris. Certes, la force des monnaies américaines et canadiennes face au franc français pendant la décennie qui suit la Première Guerre mondiale est un facteur non négligeable du phénomène, mais le rôle que joue la capitale française, ne serait-ce que dans l'imaginaire de ces expatriés, en tant que capitale internationale des arts et lettres, semble davantage déterminant dans leur choix de faire partie d'une communauté littéraire dans cette ville. Paris représente, à leurs yeux, l'antithèse de la culture dominante petite-bourgeoise. Il est aussi démontré que le passé colonial britannique des États-Unis et du Canada étouffe les jeunes générations et qu'il empêche les aspirants écrivains parmi eux à trouver leur voix/e. La deuxième partie, « Lieu et communauté à Paris », porte sur l'appropriation par nos auteurs des lieux géographiques et des espaces sociaux. Dans le premier chapitre, il est question d'une géographie de la ville que construisent les expatriés. Ils s'associent, en tant que communauté littéraire, principalement au quartier Montparnasse, lui-même assimilé dans leur imaginaire au Quartier Latin, lieu géographique traditionnel des artistes de la rive gauche parisienne. Mais la présence sur la rive droite de la Seine des institutions, banques, services postaux et autres, qui desservent particulièrement les membres de cette communauté expatriée, signifie inévitablement l'annexion de cette partie de la ville au territoire initial de la rive gauche. De la même manière, des localités extra-parisiennes sont rattachées, par les membres de la communauté littéraire, à leur étendue géographique, en tant qu'espaces de création qui complètent les lieux de stimulation qu'ils découvrent à Paris même. J'étudie ensuite, dans le deuxième chapitre de cette partie, l'appropriation, de la part de nos auteurs, d'espaces sociaux parisiens. Puisqu'ils cultivent peu les contacts avec leurs homologues français, la formation de leur communauté littéraire se vit surtout à travers leurs relations aux gens de lettres anglophones déjà établis dans la ville, tels James Joyce et Ezra Pound, ainsi qu'à leurs semblables fraîchement débarqués dans la capitale française. Leurs récits prennent souvent des allures, donc, de portraits de l'artiste, s'apparentant alors au roman d'apprentissage. Ces portraits se construisent à partir de l'élément narratif primordial des mémoires - l'anecdote - et de composantes rhétoriques - métonymies et synecdoques. J'examine les images de cette société qui sont construites à partir de ces figures par lesquelles chacun des auteurs cherche à se représenter à travers un ensemble. La troisième partie, « Identité et différence », s'intéresse à l'identification de nos auteurs à leur littérature nationale ainsi qu'à l'identité collective qu'ils se construisent et qui s'effectue à travers la rédaction de leurs mémoires. Je m'interroge, dans le premier chapitre de cette partie, sur la manière dont l'expérience parisienne modifie le regard que portent ces jeunes écrivains sur le caractère et la qualité des lettres que produit leur pays. Paris leur offre un laboratoire pour se développer et contribuer à leur littérature nationale. Les maisons d'édition et des revues littéraires de langue anglaise de cette ville font paraître des écrits expérimentaux et encouragent l'exploration d'une langue et d'une écriture nord-américaine autres que celles qui ont cours au Canada et aux États-Unis à cette époque. Mais ces organes littéraires soulèvent peu d'intérêt commercial et même s'ils permettent à certains de se faire connaître pour ensuite être sollicités par un éditeur américain, la fin de l'aventure parisienne est vue par nos auteurs, dans leurs récits, comme un revers de leur rêve littéraire. Enfin, dans le deuxième chapitre de cette partie, je cherche à démontrer le lien entre le genre des mémoires et la fabrication d'une identité collective. À partir de l'analyse d'un article de Marcus Billson, une des seules véritables études du genre, j'appliquerai les trois positions rhétoriques du mémorialiste – le témoin, le participant et l'historien – à chacun des récits du corpus. Ce genre se distingue notamment de celui de l'autobiographie puisque ce dernier s'intéresse principalement au développement du sujet individuel tandis que l'auteur des mémoires s'identifie à sa société en se préoccupant du rôle social qu'il a joué dans sa vie. Le choix de ce genre semble alors s'imposer à nos auteurs qui désirent représenter leur formation littéraire dans le contexte d'une société particulière - celle d'une communauté littéraire parisienne - qui se définit par son opposition à sa culture d'origine mais qui, paradoxalement, constitue un des chapitres les plus riches de son histoire littéraire. ______________________________________________________________________________

De nombreuses techniques ont été développées pour réduire la consommation processeur considéré jusqu'à présent comme l'élément le plus gourmand en consommation. Avec l'évolution technologique et l'apparition de nouvelles applications toujours plus volumineuses en nombre de données, la surface de silicium dédiée aux unités de mémorisation ne cesse de croître. Les techniques d'optimisation ciblant uniquement le processeur peuvent alors être remises en cause avec cette nouvelle tendance. Certaines études montrent que la technique du DVS (Dynamic Voltage Scaling), la plus performante dans la réduction de la consommation processeur, augmente la consommation de la mémoire principale. Cette augmentation est la conséquence d'une part d'une co-activation plus longue de la mémoire avec le processeur et d'autre part de l'augmentation du nombre de préemptions par l'allongement des temps d'exécution des tâches. La solution proposée pour diminuer cet impact négatif du DVS sur la consommation mémoire est de diminuer la surface mémoire co-active. Une architecture mémoire multi-bancs, offrant la possibilité d'activer un seul banc à la fois et de mettre les autres bancs dans un mode faible consommation, est adoptée. Rechercher la configuration mémoire (nombre de bancs, taille de chaque banc) ainsi que l'allocation des tâches aux bancs constitue la contribution majeure de ces travaux. La modélisation de l'énergie consommée par une mémoire multi-bancs a permis d'identifier un nombre important de variables ainsi que leurs fortes dépendances. Cette tendance a rendu le problème difficile à résoudre. Une exploration exhaustive est premièrement développée afin d'évaluer l'impact de chaque paramètre sur la consommation totale de la mémoire. Bien que l'approche exhaustive permette de rendre la solution optimale, l'espace d'exploration augmente exponentiellement avec le nombre de tâches. Ce type de résolution reste intéressant s'il s'agit de l'employer hors ligne sur des applications à faible nombre de tâches. Une heuristique capable d'explorer un sous-espace potentiellement intéressant et de résoudre le problème en un temps polynomial a été développée dans un second temps. La complexité réduite de cette heuristique permet de l'employer en ligne pour effectuer des migrations dans le cas de systèmes à nombre de tâches dynamiques. Des expérimentations sur des applications de traitement de signal temps réel et une application multimédia (GSM et MPEG2) montrent des gains intéressants sur la consommation mémoire. La configuration mémoire obtenue par exploration exhaustive ou par la résolution heuristique couplée à un processeur muni d'une technique de DVFS permet d'augmenter le gain énergétique du système total.

Cette thèse propose une lecture de l'œuvre monumentale de Chateaubriand, les Mémoires d'outre-tombe à propos du thème de la satire comme genre littéraire et comme tonalité d'écriture. La démarche est très ambitieuse étant donné la complexité des niveaux de lecture, de l'autobiographie à la fresque historique en passant par la critique sociale et politique. De même l'écriture épique, poétique, satirique et comique fait découvrir un autre Chateaubriand. Face à ce monument souvent considéré comme inclassable, cette thèse présente un plan clair avec une première partie qui dresse d'abord un tableau des grands évènements au centre des Mémoires. L'introduction et la première partie dégagent la double face de cette thèse entre civilisation et sociocritique, entre un tableau de la France et une étude de genre : Qu'est-ce que la satire ? et l'évolution du genre de Juvénal à Chateaubriand.Dans la deuxième partie et la troisième partie, sont exposés les objets de la satire, à savoir la politique et son image, puis la question sociale. Les informations sont nombreuses, car elles dressent un portrait nuancé de cet aristocrate fier et blessé : il condamne les tyrannies, les révolutions et leurs violences, mais il exalte la liberté des peuples et surtout reste lucide, malgré sa foi en eux, sur les erreurs des derniers Bourbons.La quatrième partie répond à la problématique de la recherche : la satire et sa rhétorique. Les différentes nuances de l'écriture satirique sont analysées : de l'ironie au cynisme en passant par le comique. Le comique n'est jamais gratuit, il sert souvent à cacher l'amertume des sentiments et la dérision des situations. De même, le cynisme ne vient pas d'une froideur d'esprit, mais d'une blessure intérieure ou de désillusions blessantes pour l'amour-propre. Pour cette raison, le sarcasme est une étape entre le comique et le cynisme, le premier masquant le deuxième dans les Mémoires

Les mémoires à changement de phase (PCRAM) sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine génération de mémoires non-volatiles du fait de leurs excellentes vitesses de fonctionnement et endurance. Cependant, deux inconvénients majeurs nécessitent une amélioration afin de permettre leur percée sur le marché des mémoires, à savoir un temps de rétention court à hautes températures et une consommation électrique trop importante. Cette thèse s'intéresse au développement de nouveaux matériaux à changement de phase afin de remplacer le matériau standard Ge2Sb2Te5, inadapté aux applications mémoires embarquées fonctionnant à hautes températures. Le comportement des matériaux binaires GeTe et GeSb a ainsi été évalué et comparé au matériau référence lors de la cristallisation de l'amorphe 'tel que déposé' mais aussi de l'amorphe 'fondu trempé'. En effet, il est important d'étudier le matériau dans son état amorphe 'fondu trempé' pour être au plus près de l'état du matériau cyclé dans les dispositifs. Ainsi, le mécanisme de cristallisation du GeTe déterminé par l'étude de la cristallisation de l'amorphe 'fondu trempé' par recuit laser est en accord avec l'observation MET in situ (recuit thermique) de la cristallisation. L'incorporation d'éléments 'dopants' dans ces matériaux binaires a également été évaluée afin d'augmenter à nouveau la stabilité thermique des matériaux non dopés. Certains éléments 'dopants' permettent une diminution du courant de reset, ou un retard à la formation de 'voids' au cours des cycles.

Les deux principales limitations des mémoires non-volatiles de type Flash à stockage de charges dans des nanocristaux en silicium sont la faible fenêtre mémoire et la dispersion des caractéristiques électriques due à la dispersion en taille des nanocristaux. Dans cette thèse, plusieurs solutions sont étudiées afin de remédier à ces deux défauts. Afin d'augmenter la fenêtre de programmation, une première approche consiste à augmenter la densité de stockage de charges grâce à l'utilisation d'une double couche de nanocristaux en silicium. Le fonctionnement et les performances électriques de ces dispositifs mémoires sont étudiés puis interprétés grâce à un modèle analytique. Une seconde approche, plus amont, consiste à utiliser des nanocristaux métalliques pour augmenter la quantité de charges piégées dans les nanocristaux. Le dépôt, la passivation et l'intégration de nanocristaux à caractère métallique (Pt, TiN, W) en tant que grille flottante dans un dispositif mémoire sont ainsi réalisés. Enfin, l'organisation " bottom-up " des nanocristaux est proposée comme une solution à la dispersion des caractéristiques électriques des dispositifs mémoires. Un procédé original de transfert et de gravure d'un masque auto-organisé à base de copolymères diblocs est développé.

De nos jours, les mémoires sont présentes dans de nombreux circuits intégrés conçus pour des applications électroniques embarquées et occupent une majeure partie de la surface des systèmes sur puce (SoC). Ces mémoires deviennent donc les acteurs principaux du rendement de production. Or, une forte densité d'intégration associée à une complexité élevée des procédés de fabrications rendent ces mémoires toujours plus sensibles aux défauts de fabrications. Afin de mettre en évidence les défaillances survenant dans les mémoires, plusieurs méthodes de test existent. Ces solutions de test couramment utilisées pour les mémoires SRAM sont basées sur la détection de fautes statiques telles que les fautes de collage ou de couplage. Des algorithmes spécifiques, appelés algorithmes March, sont utilisés afin de mettre en évidence ce type de fautes. Cependant, ces solutions de test ne sont pas adaptées à la détection d'un nouveau type de faute apparaissant dans les technologies submicroniques. Ces fautes, appelées fautes dynamiques, sont principalement dues à des défauts de type " ouverts-résistif " et ne se manifestent que dans des configurations très spécifiques. En effet, une séquence d'opérations est nécessaire à la mise en évidence de ces fautes. Le premier objectif de cette thèse a été de proposer des solutions de test permettant la détection de fautes dynamiques dues à des défauts " ouverts-résistifs " dans le driver d'écriture et l'amplificateur de lecture. Une extension sur l'étude des comportements dynamiques face à des variations de procédés de fabrication dans le point mémoire a été proposée. Enfin, la seconde partie de cette thèse fournit de nouvelles solutions de diagnostic, capables de prendre en compte les fautes dynamiques d'une part, et proposant une détection précise des sites fautifs. Ces travaux ont été réalisés en collaboration avec la société Infineon basée à Sophia Antipolis spécialisée dans la conception de mémoires SRAM.

La miniaturisation croissante des transistors MOS a rendu les mémoires RAM de plus en plus sensibles aux particules alpha émises par les éléments radioactifs naturellement présents dans les matériaux utilisés dans la fabrication de ces mémoires. En effet, au niveau du sol, le taux d'erreurs logiques déclenchées par ces particules est comparable à celui déclenché par les neutrons issus du rayonnement cosmique. L'objectif principal de ce travail de thèse est la mise au point de méthodes d'évaluation de ce taux et permettre par la suite de proposer des solutions technologiques. Ainsi, dans le cadre d'une approche théorique, nous avons développé des modèles permettant d'évaluer le taux des erreurs logiques déclenchées par les chaines de l'uranium et du thorium dans un état d'équilibre séculaire mais aussi de déséquilibre. Ceci passe par une identification des radioéléments critiques, c'est-à-dire ceux qui sont capables d'augmenter l'émissivité (et ainsi le taux d'erreurs d'aléas logiques) à des niveaux inacceptables pendant la durée de vie du composant. La prise en compte de l'état de déséquilibre des chaines de désintégration radioactive dans ce volet théorique permet une approche réaliste de la contamination. Nous avons également proposé une méthode expérimentale pour analyser l'évolution de l'état radioactif dans les matériaux utilisés dans la fabrication des mémoires. Dans cette approche expérimentale, nous avons combiné trois techniques de mesure complémentaires: la spectroscopie alpha, la spectroscopie gamma et l'ICPMS. / The increasing miniaturisation of MOS transistors has made RAM memories more and more sensitive to alpha particles emitted by radioactive elements naturally present in the materials used for memory fabrication. Indeed, at ground level, the soft error rate triggered by these particles is comparable to that triggered by neutrons from cosmic rays. The main purpose of this work aims to develop methods to evaluate this rate allowing thereafter suggesting technologies mitigations. Thus, in the context of a theoretical approach, we have developed models to estimate soft errors rate triggered by uranium and thorium chains in secular equilibrium but also disequilibrium state. This requires identification of critical radionuclides those are able to increase the emissivity (and thus the soft error rate) to unacceptable levels during device lifetime. Taking into account disequilibrium state of decay chains in theoretical study provides a realistic approach to the contamination. We have also proposed an experimental method to analyze the radioactive state evolution in materials used for memory fabrication. In this experimental approach, we have combined three complementary measurement techniques: alpha spectroscopy, gamma spectroscopy and ICPMS.

Actuellement, l'étude et le développement d'oxydes à commutation de résistance pour des dispositifs mémoires (Resistive RAM, ou ReRAM) constituent un domaine d'activité intense sur le plan international. Les ReRAMs sont des structures MIM (Métal-Isolant-Métal) dont la résistance peut être modulée par l’application d’une tension. A ce jour, les mécanismes qui régissent la transition de résistance dans les dispositfs ReRAM sont toujours l’objet de débats. Le travail développé dans cette thèse représente une contribution au développement des mémoires ReRAM à base de HfO2. Nous nous intéressons plus particulièrement aux ReRAMs « à pont conducteur » (Conducting Bridge RAM, ou CBRAM) pour lesquelles la transition de résistance est provoquée par la diffusion du métal d’anode. Nous cherchons à améliorer la compréhension des phénomènes qui contrôlent le passage d’un état isolant à un état conducteur. Dans ce cadre, notre travail se focalise sur l’influence des métaux d'électrodes. Le rôle de l’anode et de la cathode sont précisés. Un modèle qualitatif est présenté permettant d’expliquer la commutation de résistance. Nous discutons également des mécanismes de conduction dans l’état de faible résistance. Enfin, l’impact de la structure de l’oxyde est étudié. / The Resistive Random Access Memory (ReRAM) technology is attracting growing interest as a potential candidate for the next generation of nonvolatile memories. ReRAMs are MIM (Metal-Insulator-Metal) devices whose resistance can be tuned by voltage bias. Today the physical mechanisms at the origin of resistance switching are not yet fully understood and are still under debate. In the present work, we are interested in HfO2-based ReRAMs, with a focus on Conducting Bridge RAM (CBRAM) devices in which resistance transition is ascribed to anode metal diffusion. Our goal is to better identify phenomena which govern the high to low resistance transition. In this context, we study the impact of different metal electrodes. The role played by the anode and the cathode is elucidated. A qualitative model describing resistance transition is proposed. Conduction mechanisms in the low resistive state are also discussed. Finally, the impact of oxide structure is studied.