Cette thèse propose une lecture de l'œuvre monumentale de Chateaubriand, les Mémoires d'outre-tombe à propos du thème de la satire comme genre littéraire et comme tonalité d'écriture. La démarche est très ambitieuse étant donné la complexité des niveaux de lecture, de l'autobiographie à la fresque historique en passant par la critique sociale et politique. De même l'écriture épique, poétique, satirique et comique fait découvrir un autre Chateaubriand. Face à ce monument souvent considéré comme inclassable, cette thèse présente un plan clair avec une première partie qui dresse d'abord un tableau des grands évènements au centre des Mémoires. L'introduction et la première partie dégagent la double face de cette thèse entre civilisation et sociocritique, entre un tableau de la France et une étude de genre : Qu'est-ce que la satire ? et l'évolution du genre de Juvénal à Chateaubriand.Dans la deuxième partie et la troisième partie, sont exposés les objets de la satire, à savoir la politique et son image, puis la question sociale. Les informations sont nombreuses, car elles dressent un portrait nuancé de cet aristocrate fier et blessé : il condamne les tyrannies, les révolutions et leurs violences, mais il exalte la liberté des peuples et surtout reste lucide, malgré sa foi en eux, sur les erreurs des derniers Bourbons.La quatrième partie répond à la problématique de la recherche : la satire et sa rhétorique. Les différentes nuances de l'écriture satirique sont analysées : de l'ironie au cynisme en passant par le comique. Le comique n'est jamais gratuit, il sert souvent à cacher l'amertume des sentiments et la dérision des situations. De même, le cynisme ne vient pas d'une froideur d'esprit, mais d'une blessure intérieure ou de désillusions blessantes pour l'amour-propre. Pour cette raison, le sarcasme est une étape entre le comique et le cynisme, le premier masquant le deuxième dans les Mémoires

Les mémoires à changement de phase (PCRAM) sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine génération de mémoires non-volatiles du fait de leurs excellentes vitesses de fonctionnement et endurance. Cependant, deux inconvénients majeurs nécessitent une amélioration afin de permettre leur percée sur le marché des mémoires, à savoir un temps de rétention court à hautes températures et une consommation électrique trop importante. Cette thèse s'intéresse au développement de nouveaux matériaux à changement de phase afin de remplacer le matériau standard Ge2Sb2Te5, inadapté aux applications mémoires embarquées fonctionnant à hautes températures. Le comportement des matériaux binaires GeTe et GeSb a ainsi été évalué et comparé au matériau référence lors de la cristallisation de l'amorphe 'tel que déposé' mais aussi de l'amorphe 'fondu trempé'. En effet, il est important d'étudier le matériau dans son état amorphe 'fondu trempé' pour être au plus près de l'état du matériau cyclé dans les dispositifs. Ainsi, le mécanisme de cristallisation du GeTe déterminé par l'étude de la cristallisation de l'amorphe 'fondu trempé' par recuit laser est en accord avec l'observation MET in situ (recuit thermique) de la cristallisation. L'incorporation d'éléments 'dopants' dans ces matériaux binaires a également été évaluée afin d'augmenter à nouveau la stabilité thermique des matériaux non dopés. Certains éléments 'dopants' permettent une diminution du courant de reset, ou un retard à la formation de 'voids' au cours des cycles.

Les deux principales limitations des mémoires non-volatiles de type Flash à stockage de charges dans des nanocristaux en silicium sont la faible fenêtre mémoire et la dispersion des caractéristiques électriques due à la dispersion en taille des nanocristaux. Dans cette thèse, plusieurs solutions sont étudiées afin de remédier à ces deux défauts. Afin d'augmenter la fenêtre de programmation, une première approche consiste à augmenter la densité de stockage de charges grâce à l'utilisation d'une double couche de nanocristaux en silicium. Le fonctionnement et les performances électriques de ces dispositifs mémoires sont étudiés puis interprétés grâce à un modèle analytique. Une seconde approche, plus amont, consiste à utiliser des nanocristaux métalliques pour augmenter la quantité de charges piégées dans les nanocristaux. Le dépôt, la passivation et l'intégration de nanocristaux à caractère métallique (Pt, TiN, W) en tant que grille flottante dans un dispositif mémoire sont ainsi réalisés. Enfin, l'organisation " bottom-up " des nanocristaux est proposée comme une solution à la dispersion des caractéristiques électriques des dispositifs mémoires. Un procédé original de transfert et de gravure d'un masque auto-organisé à base de copolymères diblocs est développé.

De nos jours, les mémoires sont présentes dans de nombreux circuits intégrés conçus pour des applications électroniques embarquées et occupent une majeure partie de la surface des systèmes sur puce (SoC). Ces mémoires deviennent donc les acteurs principaux du rendement de production. Or, une forte densité d'intégration associée à une complexité élevée des procédés de fabrications rendent ces mémoires toujours plus sensibles aux défauts de fabrications. Afin de mettre en évidence les défaillances survenant dans les mémoires, plusieurs méthodes de test existent. Ces solutions de test couramment utilisées pour les mémoires SRAM sont basées sur la détection de fautes statiques telles que les fautes de collage ou de couplage. Des algorithmes spécifiques, appelés algorithmes March, sont utilisés afin de mettre en évidence ce type de fautes. Cependant, ces solutions de test ne sont pas adaptées à la détection d'un nouveau type de faute apparaissant dans les technologies submicroniques. Ces fautes, appelées fautes dynamiques, sont principalement dues à des défauts de type " ouverts-résistif " et ne se manifestent que dans des configurations très spécifiques. En effet, une séquence d'opérations est nécessaire à la mise en évidence de ces fautes. Le premier objectif de cette thèse a été de proposer des solutions de test permettant la détection de fautes dynamiques dues à des défauts " ouverts-résistifs " dans le driver d'écriture et l'amplificateur de lecture. Une extension sur l'étude des comportements dynamiques face à des variations de procédés de fabrication dans le point mémoire a été proposée. Enfin, la seconde partie de cette thèse fournit de nouvelles solutions de diagnostic, capables de prendre en compte les fautes dynamiques d'une part, et proposant une détection précise des sites fautifs. Ces travaux ont été réalisés en collaboration avec la société Infineon basée à Sophia Antipolis spécialisée dans la conception de mémoires SRAM.

La miniaturisation croissante des transistors MOS a rendu les mémoires RAM de plus en plus sensibles aux particules alpha émises par les éléments radioactifs naturellement présents dans les matériaux utilisés dans la fabrication de ces mémoires. En effet, au niveau du sol, le taux d'erreurs logiques déclenchées par ces particules est comparable à celui déclenché par les neutrons issus du rayonnement cosmique. L'objectif principal de ce travail de thèse est la mise au point de méthodes d'évaluation de ce taux et permettre par la suite de proposer des solutions technologiques. Ainsi, dans le cadre d'une approche théorique, nous avons développé des modèles permettant d'évaluer le taux des erreurs logiques déclenchées par les chaines de l'uranium et du thorium dans un état d'équilibre séculaire mais aussi de déséquilibre. Ceci passe par une identification des radioéléments critiques, c'est-à-dire ceux qui sont capables d'augmenter l'émissivité (et ainsi le taux d'erreurs d'aléas logiques) à des niveaux inacceptables pendant la durée de vie du composant. La prise en compte de l'état de déséquilibre des chaines de désintégration radioactive dans ce volet théorique permet une approche réaliste de la contamination. Nous avons également proposé une méthode expérimentale pour analyser l'évolution de l'état radioactif dans les matériaux utilisés dans la fabrication des mémoires. Dans cette approche expérimentale, nous avons combiné trois techniques de mesure complémentaires: la spectroscopie alpha, la spectroscopie gamma et l'ICPMS. / The increasing miniaturisation of MOS transistors has made RAM memories more and more sensitive to alpha particles emitted by radioactive elements naturally present in the materials used for memory fabrication. Indeed, at ground level, the soft error rate triggered by these particles is comparable to that triggered by neutrons from cosmic rays. The main purpose of this work aims to develop methods to evaluate this rate allowing thereafter suggesting technologies mitigations. Thus, in the context of a theoretical approach, we have developed models to estimate soft errors rate triggered by uranium and thorium chains in secular equilibrium but also disequilibrium state. This requires identification of critical radionuclides those are able to increase the emissivity (and thus the soft error rate) to unacceptable levels during device lifetime. Taking into account disequilibrium state of decay chains in theoretical study provides a realistic approach to the contamination. We have also proposed an experimental method to analyze the radioactive state evolution in materials used for memory fabrication. In this experimental approach, we have combined three complementary measurement techniques: alpha spectroscopy, gamma spectroscopy and ICPMS.

Actuellement, l'étude et le développement d'oxydes à commutation de résistance pour des dispositifs mémoires (Resistive RAM, ou ReRAM) constituent un domaine d'activité intense sur le plan international. Les ReRAMs sont des structures MIM (Métal-Isolant-Métal) dont la résistance peut être modulée par l’application d’une tension. A ce jour, les mécanismes qui régissent la transition de résistance dans les dispositfs ReRAM sont toujours l’objet de débats. Le travail développé dans cette thèse représente une contribution au développement des mémoires ReRAM à base de HfO2. Nous nous intéressons plus particulièrement aux ReRAMs « à pont conducteur » (Conducting Bridge RAM, ou CBRAM) pour lesquelles la transition de résistance est provoquée par la diffusion du métal d’anode. Nous cherchons à améliorer la compréhension des phénomènes qui contrôlent le passage d’un état isolant à un état conducteur. Dans ce cadre, notre travail se focalise sur l’influence des métaux d'électrodes. Le rôle de l’anode et de la cathode sont précisés. Un modèle qualitatif est présenté permettant d’expliquer la commutation de résistance. Nous discutons également des mécanismes de conduction dans l’état de faible résistance. Enfin, l’impact de la structure de l’oxyde est étudié. / The Resistive Random Access Memory (ReRAM) technology is attracting growing interest as a potential candidate for the next generation of nonvolatile memories. ReRAMs are MIM (Metal-Insulator-Metal) devices whose resistance can be tuned by voltage bias. Today the physical mechanisms at the origin of resistance switching are not yet fully understood and are still under debate. In the present work, we are interested in HfO2-based ReRAMs, with a focus on Conducting Bridge RAM (CBRAM) devices in which resistance transition is ascribed to anode metal diffusion. Our goal is to better identify phenomena which govern the high to low resistance transition. In this context, we study the impact of different metal electrodes. The role played by the anode and the cathode is elucidated. A qualitative model describing resistance transition is proposed. Conduction mechanisms in the low resistive state are also discussed. Finally, the impact of oxide structure is studied.

Cette thèse porte sur la compréhension des mécanismes de forming dans les mémoires à pont conducteur (CBRAM) à base d’oxydes métalliques. Pour cela nous avons admis que l’empilement mémoire est une cellule électrochimique à l’échelle du nanomètre et considéré que les principaux mécanismes de forming sont basés sur des effets électrochimiques. Nous avons débuté nos études à partir d’un couple de référence CuxTey/Oxyde, analysé par HAXPES et ToF-SIMS avant et après l’electro-forming, dans le but d’observer les diffusions et les modifications de l’environnement chimique durant le forming. Ensuite, la couche fournissant les ions, basée sur un alliage CuxTey, ainsi que le diélectrique (Ta2O5, GdOx, or Al2O3) ont été modifiés étape par étape. Les résultats de leurs analyses ont été comparés avec ceux de l’empilement de référence dans le but de comprendre le rôle de chaque couche et des éléments présents dans l’empilement.Nous avons vu que les propriétés du diélectrique, telles que la force des liaisons métal-oxygène, l’hygroscopicité, ou l’éventuelle présence de défauts comme les lacunes d’oxygène, peuvent favoriser un comportement mémoire plutôt OXRAM, CBRAM ou hybride OXRAM/CBRAM. De plus, quand le cuivre diffuse durant le forming, une contre diffusion d’oxygène apparaît également dans le diélectrique. Ensuite, la présence de tellure dans la couche fournissant les ions est nécessaire pour permettre l’effacement de la mémoire, car il permet la re-dissolution du filament de cuivre dans la couche fournissant les ions. Nous avons également vu que le germanium amorphise l’alliage de CuxTeyGez et donc permet son intégration tout en le protégeant de l’oxydation. De plus, il est possible de remplacer le germanium par du zirconium, réduisant ainsi le diélectrique, ce qui facilite le forming. / This thesis focuses on the understanding of forming mechanisms in oxide-based conductive bridge memories (CBRAM), based on metallic oxides. For this purpose, we compared the memory stack to an electrochemical cell at nanometer scale and consider that the main mechanisms occurring in the memory rely on electrochemical effects. We started our studies from a reference couple CuxTey/Oxide, analyzed by HAXPES and ToF-SIMS before and after electro-forming, in order to observe the diffusions and the modifications of the chemical environment occurring during forming. Then, the ion source layer based on CuxTey alloy and the dielectric (Ta2O5, GdOx or Al2O3) were sequentially modified and results of their analyses were compared to the reference stack, in order to understand the role of each layer and chemical elements present in the memory stack.We evidenced that the properties of the dielectric, such as the strength of its oxygen-metal bonds, its hygroscopicity or the eventual presence of defects such as oxygen vacancies, can promote a given memory behavior from OXRAM to CBRAM or hybrid OXRAM/CBRAM behavior. Moreover, when copper diffuses during the forming, an oxygen counter diffusion also takes place in the dielectric. Also, the presence of tellurium in the ion source layer is required to reset the memory as it enables the dissolution of the copper filament in the ion source layer. We also show that germanium amorphizes the CuxTeyGez alloy, thus enables its integration, and protects it from oxidation. Moreover, it is possible to substitute germanium by zirconium resulting in the dielectric reduction, which eases the forming.

En rédigeant des récits rétrospectifs sur leurs vies, les mémorialistes du XVIIe siècle prétendent davantage rendre compte de leur vie publique et des événements historiques que de témoigner sur leur vie privée, sur leur intériorité et sur les aspects de leur personnalité. Peut-on dès lors dire dans les Mémoires ce qui fait mal ? Quelles sont les modalités scripturales de l’expression de l’émotion ? Quels effets narratifs un tel récit a-t-il sur la composition générale de l’oeuvre ?Cette thèse s’interroge sur l’écriture de l’affectivité dans un contexte de la tradition mémorielle du XVIIe siècle dont le discours sur l’émotion fait l’objet d’un double contrôle. D’une part, les interventions éditoriales posthumes des Mémoires, informées par une vision historiographique du genre, modifient les textes originaux pour qu’ils paraissent moins personnels et moins partiaux en vue de contribuer à l’Histoire. D’autre part, l’écriture des Mémoires se réalise dans un contexte social et culturel qui veut que le discours émotionnel, aussi bien écrit que parlé, soit soumis à un régime de la modération des émotions et à une autocensure quand il s’agit de parler de soi. L’écriture de l’émotion dans les Mémoires doit dès lors être comprise dans ses conditions culturelles de production en tant que dépendante d’une situation sociale spécifique du mémorialiste.L’expression du désarroi est le produit d’une incessante négociation entre le silence et la parole, entre le dicible et l’indicible, entre ce qu’il convient de dire et ce qu’il convient de taire. C’est ce point de tension qui apparaît dans les récits de l’expérience personnelle des auteurs entre l’expression de l’émotion ressentie par les narrateurs à la première personne, d’une part, et l’effort pour atténuer leur sensibilité dans le geste de l’écriture, d’autre part, qui fait le noyau principal de cette recherche. / One of the most significant characteristics of the seventeenth century French Memoirs is their proximity to the historiographical practice. Rather than being accounts of the author’s inwardness, or stories about the evolution of their personality and private life, Memoirs are narratives whose main focus is witnessing historical events. These texts showcase author’s public life, career and participation in political events. However, it is not rare for these authors to personally witness bloodshed, the horrors of war, rejection, exile, injustice or grief, and remembering those experiences does not seem to leave them indifferent. Is it possible for these historical narratives to express emotional distress, pain and trauma, given that the personal discourse in Memoirs is often subjected to layers of censorship?This dissertation examines the expression of affectivity in the specific context of seventeenth-century memorial tradition in which the emotional discourse is subdued by two main types of control and regulation. On the one hand, editors profoundly modify original texts so that they seem less personal and, hence, less partial, subsequently increasing their status as credible historical sources. On the other hand, the practice of Memoir writing is taking place in a social and cultural context which is hostile to the uninhibited emotional discourse and self-expression.The expression of emotional distress is a result of a continuous dialogue between silence and the written word, between what can and cannot be expressed, between what is appropriate to say and what is appropriate to stay silent about.We studied discourses and narrative practices which allow authors to witness about their emotional distress and to express, voluntarily or involuntarily, what they feel. We insisted on the discourses which elude both social control and editorial interventions; in other words, parts of the Memoirs where affectivity is expressed despite all odds.

Dans la représentation collective, les monuments aux morts sont construits au lendemain de la Grande Guerre pour supporter les mémoires des victimes du conflit. Pour beaucoup ils constituent aussi une partie du patrimoine communal. Pourtant, cette définition est réductrice et n'englobe pas la réalité de cet objet mémoriel. Sa genèse est à discuter et la multiplicité de ses formes sont à prendre en compte pour comprendre ses fonctions anciennes et actuelles. Ce travail insiste sur l'évolution de ces constructions en un siècle. Il ne se conçoit pas uniquement le cadre de la commune puisque les paroisses et des groupements privés sont également à l'origine d'édifices. De nombreux conflits sont à l'origine de nouveaux édifices ou de modifications sur d'anciennes constructions. Les deux guerres mondiales ne sont pas les seules à générer une mémoire matérialisée par ces monuments et les guerres liées aux décolonisations ou encore les OPEX sont désormais à prendre en considération.Depuis la Grande Guerre, un monument aux morts est l'expression d'un hommage envers ceux qui ont combattu pour la France et qui en sont morts, quelque soit la période et le lieu concernés. Il convenait donc d'en savoir davantage sur les conditions de décès au cours des guerres, ainsi que la manière dont les défunts et les endeuillés sont gérés. Les questions matérielles et organisationnelles de la construction sont aussi à analyser pour mieux comprendre la diversité des résultats obtenus. Enfin l'étude des inaugurations puis des commémorations permettent d'appréhender les utilisations successives de ces monuments. Il convenait d'analyser ces points en fonction des conflits concernés pour dresser le bilan sur un siècle d'évolution et d'adaptation d'un objet de célébration et de commémoration de la mort collective au combat. / In the collective representation, war memorials have been built after the Great War to support the memories of the victims of both world wars. For many they are also a part of the city heritage. However, this definition is simplistic and does not include the reality of this object. Its genesis is to discuss and the multiplicity of its forms is to be considered to understand its past and current functions. This work emphasizes the evolution of these structures over a century. It does not only perceive the framework of the city since parishes and private groups are also behind buildings. Old memorials have been altered and new ones have been built so as to include several new conflicts. The two World Wars are not the only ones to generate a memory embodied by these objects and wars related to decolonization or External Operations are now to be taken into consideration.Since the Great War, a war memorial has been an expression of tribute to those who fought for France and who died of it, whatever the period. It was therefore appropriate to inquire about the conditions of death in war, and how the deceased and its close relations in mourning are taken care of. The material and organisational issues of the construction are also analyzed to better understand the diversity of results. Finally the study of inaugurations and commemorations allows to understand the successive uses of these monuments. These points based on the involved conflicts had to be analysed in order to evaluate an object of celebration and commemoration of collective death in battle over one century of evolution and adaptation.

Les deux principales limitations des mémoires non-volatiles de type Flash à stockage de charges dans des nanocristaux en silicium sont la faible fenêtre mémoire et la dispersion des caractéristiques électriques due à la dispersion en taille des nanocristaux. Dans cette thèse, plusieurs solutions sont étudiées afin de remédier à ces deux défauts. Afin d'augmenter la fenêtre de programmation, une première approche consiste à augmenter la densité de stockage de charges grâce à l'utilisation d'une double couche de nanocristaux en silicium. Le fonctionnement et les performances électriques de ces dispositifs mémoires sont étudiés puis interprétés grâce à un modèle analytique. Une seconde approche, plus amont, consiste à utiliser des nanocristaux métalliques pour augmenter la quantité de charges piégées dans les nanocristaux. Le dépôt, la passivation et l'intégration de nanocristaux à caractère métallique (Pt, TiN, W) en tant que grille flottante dans un dispositif mémoire sont ainsi réalisés. Enfin, l'organisation « bottom-up » des nanocristaux est proposée comme une solution à la dispersion des caractéristiques électriques des dispositifs mémoires. Un procédé original de transfert et de gravure d'un masque auto-organisé à base de copolymères diblocs est développé. / The two main limitations of Flash nonvolatile memories charge storage in silicon nanocrystals are the small memory window and the dispersion of electrical characteristics due to the size dispersion of nanocrystals. In this thesis, several solutions are studied in order to remedy these defects. In order to increase the programming window, a first approach is to increase the density of charges stored in the device through the use of a double layer of silicon nanocrystals. The operation and electrical performance of these memory devices are studied and interpreted through an analytical model. A second approach, more upstream, is the use of metallic nanocrystals to increase the amount of trapped charges in the nanocrystals. Deposition, passivation and integration of metal nanocrystals (Pt, TiN, W) as a floating gate in a memory device have been realized. Finally, the "bottom-up" organisation of nanocrystals is proposed as a solution to the dispersion of electrical characteristics of memory devices. An original process for transferring a self-organized diblock copolymer mask into a hard mask is developed and used to etch nanocrystals with small size dispersion.