Les mémoires à changement de phase sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine génération de mémoires non-volatiles. Un intense effort de recherche est requis pour optimiser les matériaux à changement de phase (PC) utilisés dans ces mémoires. En particulier, il a été démontré que le dopage améliore les propriétés de rétention des dispositifs. Par ailleurs, l'étude des effets de réduction de taille et des effets des matériaux d'interface sur les propriétés des matériaux à changement de phase est encore un sujet de recherche ouvert. Dans ce contexte, la première partie de la thèse est dédiée à l'investigation de la structure locale de GeTe amorphe dopé avec C ou N. L'effet du dopage sur la structure a été observé expérimentalement via l'apparition d'un nouveau pic dans la fonction de distribution de paires de GeTe dopé, ce qui montre la formation d'une nouvelle liaison interatomique absente dans le matériau non dopé. La présence de nouvelles configurations incluant le carbone et l'azote a été confirmée par des simulations ab initio. L'objet de la deuxième partie de la thèse est l'influence de la réduction de taille sur la cristallisation de Ge2Sb2Te5 (GST). Des agrégats nanométriques de GST ont été fabriqués par pulvérisation puis déposés et étudiés par diffraction des rayons X en utilisant le rayonnement synchrotron. Dans l'état cristallisé une très forte déformation positive des agrégats est observée et attribuée à la matrice d'Al2O3 qui entoure les agrégats. La température de cristallisation des agrégats est de 25°C plus élevée que celle d'un film de GST de 10 nm déposé dans les mêmes conditions. Ce résultat est encourageant pour les futurs développements des mémoires à changement de phase car il montre que l'effet de réduction de taille sur la température de cristallisation peut-être faible. La troisième et dernière partie de la thèse est dédiée à l'investigation des effets des matériaux d'interface sur la température de cristallisation de films minces de GeTe et GST par des mesures de réflectivité et de diffraction des rayons X. Pour les deux matériaux, la température de cristallisation de films de 100 nm est plus grande pour une interface avec du Ta que pour une interface avec du TiN ou du SiO2. Une différence aussi marquée n'était jamais montré auparavant. Les résultats suggèrent que l'interface SiO2/GeTe est énergétiquement favorable pour la nucléation et la croissance de grains avec une orientation préférentielle et que les mécanismes de nucléation et croissance sont différents pour différents matériaux d'interface. / Phase Change Memories (PCM) are one of the best candidates for the next generation of non volatile memories. A great research effort is still needed in order to optimize the properties of phase change (PC) materials which are used in PCM devices. In particular, doping has been demonstrated to improve retention in devices. Moreover, a study of the effect of scaling and interface material on PC materials properties is still an open research field. In this context, the first part of the thesis is dedicated to investigate the local structure of C or N doped amorphous GeTe. The impact of doping is observed experimentally with the appearance of a new peak in the pair distribution function of doped GeTe, indicating the formation of a bond at a new distance that is absent in the undoped amorphous material. The presence of new environments involving carbon and nitrogen is confirmed through ab initio simulations. The subject of the second part of this thesis is the impact of confinement on Ge2Sb2Te5 (GST) crystallization mechanism. Nano-sized clusters of GST have been made by sputtering, deposited and then studied through X-ray diffraction using synchrotron radiation. The crystalline clusters experience a tensile strain that can be ascribed to the effect of the embedding Al2O3 matrix. Their crystallization temperature has been found to be only 25°C higher than the one observed for a thin film of GST of 10 nm deposited under the same conditions. This result is positive for the future development PCM because it indicates that the scaling effect on the crystallization temperature in phase change material can be small. The third and last part of the thesis is dedicated to the investigation of the interface material effect on the crystallization temperature of GeTe and GST thin films through reflectivity and X-ray diffraction measurements. In both GeTe and GST film 100 nm thick interfaced with Ta the crystallization temperature is higher than in the case of TiN or SiO2 interface. Such an interface effect on relatively thick films was never reported before. The results suggest that the SiO2/GeTe interface is energetically favourable for the nucleation and growth of grains with a preferred orientation and that nucleation and growth mechanisms are different for different interface materials.

Cette thèse se propose d'étudier les phénomènes de commutations d'états de résistance dans des structures Métal-Isolant-Métal (MIM) utilisant l'oxyde d'hafnium comme isolant. L'oxyde d'hafnium est un matériau mature de l'industrie de la microélectronique (procédés de dépôts et de mise en forme contrôlés). Les objectifs sont d'élucider les mécanismes à l'origine de ces phénomènes et d'identifier les différents paramètres des empilements MIM influant sur ces phénomènes. Dans l'introduction générale, il est présenté, en détail, le principe de fonctionnement de la commutation d'états résistifs, ainsi qu'une présentation des principales applications potentielles. Cette partie se termine par une brève revue des mécanismes de fonctionnement proposés dans la littérature et par une présentation détaillée des objectifs de la thèse. Les travaux de cette thèse s'articulent autour de deux parties distinctes, chacune composée de trois chapitres. La première partie de ce manuscrit traite principalement de l'étude de la commutation d'états résistifs par des mesures courant-tension (I-V) afin d'identifier l'effet des matériaux constitutifs de l'empilement MIM. Les deux premiers chapitres traitent de l'influence des électrodes supérieures sur les propriétés mémoires. L'influence de la morphologie et du dopage du métal d'électrode, dans le cas d'électrode en or, est présentée dans ce premier chapitre. Dans le deuxième chapitre, l'étude est étendue à différents métaux utilisés comme électrodes supérieures. Le troisième chapitre s'intéresse à suivre l'effet de traitements plasmas post dépôts appliqués à l'oxyde d'hafnium avant métallisation de l'électrode supérieure. La deuxième partie de cette thèse étudie la commutation d'états résistifs par des mesures de courant en fonction du temps (mesures I-t), dans le cas de l'application de tensions constantes. On s'attache plus particulièrement à la cinétique de transitions de résistance. Le premier chapitre de cette partie traite plus spécifiquement d'études I-t réalisées pour de faibles champs électriques afin de caractériser les propriétés des structures MIM avant changement d'état de résistance. Le deuxième chapitre propose une étude visant à modéliser la dégradation de l'oxyde par un modèle cinétique et analytique. Le dernier chapitre propose une caractérisation complémentaire de la transition résistive par des mesures de tension en fonction du temps (mesures V-t), dans le cas de l'application de courants constants. Pour conclure nous rappelons nos principaux résultats et concluons sur les nouveaux éléments de compréhension de la commutation d'états de résistance apportés dans ce manuscrit. / This work deals with resistance switching in HfO2 based Metal-Insulator-Metal (MIM) devices. Hafnium oxide is a widely used material in microelectronics. The goals are to understand physical mechanisms underlying resistance switching phenomena and to identify MIM key parameters which control these phenomena. As a general introduction, the resistance switching principles and potential applications are presented. The different mechanisms proposed in the literature are briefly reviewed and the detailed objectives of this work are described. This work is divided in two parts; each one is composed of three chapters. The first part mainly deals with the study of resistance switching through I-V measurements in order to identify materials effects. The first two chapters study the impact of top electrode material on memory properties. In the first chapter, the influence of metal electrode doping and morphology are presented for the case of gold electrodes. In the second chapter, the study is enlarged to other metals. The third chapter studies the impact of post deposition plasma treatments applied to HfO2 before metallization of the top electrode. In the second part, the resistance switching properties of MIM stacks are studied using I-t measurements under constant voltage stress (CVS). This part focuses on resistance transition kinetics. In the first chapter, low electric field effect is studied to characterize insulating properties before resistance changes. The second chapter provides an analytical kinetic model for resistance degradation. The results presented in the last chapter confirm the model through V-t measurements under constant current stress (CCS). To conclude, key results are summarized and a better understanding of resistance switching is provided.

Les mémoires résistives à base d’oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM). A l’origine les OxRAM étaient très étudiées pour concurrencer les mémoires Flash, dont le fonctionnement est basé sur le stockage de charges dans une grille flottante. Cependant, avec l’avènement des technologies 3D-NAND, il semble très difficile pour les OxRAM d’atteindre les mêmes capacités de stockage que les flashs. Cependant, leur impressionnante vitesse de fonctionnement, bien supérieure à celle des NAND, et leur coût bien inférieur à celui des DRAM, leur permet de se situer à la frontière entre ces deux technologies, dans une catégorie qualifiée de « Storage Class Memory ». De plus, il s’agit d’une technologie dont l’intégration en Back-End-Of-Line, juste au-dessus des circuits CMOS, est très facile, ce qui la rend très attrayante. En revanche, les OxRAM sont connues pour présenter une forte variabilité, et cela représente le principal obstacle à leur démocratisation.Au cours de cette thèse, nous avons cherché à étudier en profondeur la dynamique de commutation résistive de mémoires OxRAM à base d’oxyde d’hafnium, avec une volonté de se concentrer sur des temps très courts, puisqu’ils représentent l’un des atouts majeurs de cette technologie. Pour cela, ces travaux de thèse se concentrent tout d’abord sur un aspect expérimental, de caractérisation électrique. Nous avons ainsi pu observer, avec un suivi dynamique, la commutation résistive des mémoires, sur des temps de l’ordre de la dizaine de nanoseconde, pour les opérations d’écriture et d’effacement, via la mise au point d’un banc de test entièrement dédié à cette tâche. Ensuite, nous avons analysé les impacts que la réduction du temps de pulse, ainsi que l’abaissement des courants et tensions mis en jeu, peuvent avoir sur la fiabilité des OxRAM, avec des mesures de variabilité. La seconde partie de ce travail de thèse est un travail de modélisation, avec la mise au point d’un modèle physique semi-analytique, dans le but de comprendre les mécanismes de commutation résistives. Après avoir comparé les résultats obtenus par notre modèle aux résultats expérimentaux précédents, nous avons cherché à appliquer notre modèle à des mesures de statistiques. Nous avons ainsi réalisé des tests électriques sur des matrices OxRAM, que nous avons tenté de reproduire avec le modèle. Enfin, nous avons étudié plus en profondeur le bruit à basse fréquence dans les OxRAM, qui constitue l’un des facteurs majeurs de dégradation de la fiabilité des OxRAM, tout en cherchant des pistes pour le diminuer. / Oxyde-based resistive memories OxRAM are a technology of emergent non-volatile memory, as phase-change memories (PCRAM) or magnetoresistive memories (MRAM). In the beginning OxRAM were very studied in order to compete with Flash memories, whose mechanism relies on the storage of electrical charges in a flotting gate. However, with the arising of 3D-NAND technology, it seems very difficult for OxRAM to reach the same storage capacities as Flash memories. But their impressive operating speed, far higher than NAND’s, and their cost far lower than DRAM’s, allow them to operate at the border of these two technologies, in a category called « Storage Class Memory ». Furthermore, the integration of OxRAM in the Back-End-Of-Line, just above CMOS circuits, makes this technology very attractive. On the other hand, OxRAM are known to have a very strong variability, which represents the main obstacle to their expansion.In this thesis, the dynamics of the resistive switching of hafnium oxyde based OxRAM has been investigated, with a desire to focus on very short times, as they are one of the main assets of this technology. To do so, our work first focuses on an experimental aspect, with electrical characterization. We were able to watch, with a dynamical monitoring, the resistive switching of the memories, at the scale of the dozen of nanoseconds, for writing and erasing operations, thanks to an entirely dedicated set-up. Then, the impacts that the time reduction, and the lowering of the voltage and current, can have on the reliability of OxRAM, were analysed, with variability measurements. The second part of this work concerns modelisation, with the elaboration of a physics-based, semi-analytical model, in order to understand the switching mechanisms. After the comparison of the results obtained by our model with the experimental ones, our model has been applied to statistical measurements. Electrical tests on OxRAM arrays have been performed, and fitted by the model. Finally, the low frequency noise (RTN) in OxRAM has been studied, as it stands as one of the main factors of degradation of OxRAM reliability. Ideas to improve the robustness of OxRAM against RTN are suggested.

Made available in DSpace on 2014-07-29T16:17:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dissertacao adria b figueira cerqueira 2010.pdf: 932012 bytes, checksum: 91877a65103614f225a529beb0eba7fc (MD5) Previous issue date: 2010-09-20 / Dans ce mémoire de master, on propose analyser l importance de la mémoire comme instrument de lutte dans le processus de reconnaissance de l identité indienne des Tapuios do Carretão, l un des trois peuples indiens de l État de Goiás. Ce peuple indien éthniquement mélangé c est le résultat de la résistance des peuples indiens au processus de pacification du XVIIIè siècle. Ils déclarent avoir un rapport identitaire avec les quatre matrices indiennes Xavante, Kayapó, Xerente, Karajá qui ont été enfermées dans un hameau appelé Aldeamento do Carretão. Le hameau est une référence pour l origine du peuple indien le plus récent (officiellement reconnu) de l État de Goiás. Depuis 1940, les Tapuios se sont engagés dans des conflits fonciers parce qu ils étaient contre le processus de négation de l identité indienne et de dépouillement de leurs terres. Ainsi, à la fin de 1970, ce peuple ressurgit dans le décor régional et national en revendiquant de l institution indigène FUNAI la reconnaissance de l identité indienne et des droits y compris. Devant les conflits produits dans le rapport inter-éthnique, les Tapuios ont créés des stratégies d affrontement avec la société qui les entoure et FUNAI. Dans cette recherche, les récits oraux des Tapuios, enregistrés dans ce contexte, sont devenus des sources fondamentales pour comprendre comment ces personnes articulent des langages, des discours et des actions qui mettent en relief leurs stratégies et leurs pratiques sociales et culturelles, et qui les emmènent à la formation des projets de société dans le monde contemporain. Cette recherche couvre la période des trois dernières décenies : de 1979 date de la première visite des Tapuios à FUNAI jusqu à 2009. Dans cette proposition, l Histoire Orale a pris une grande importance, dans la mesure où elle donne la possibilité d observer les réactions et représentations de ces individus dans la construction de leurs histoires de vie. L ulisation de la mémoire comme source historique a été significative au moment où on a choisi d analyser la composition des récits oraux receuillis dans le processus qui objetivait la reconnaissance de l identité et des drois. Cette analyse se base dans l historicité de ce peuple indien de l État de Goiás et dans le rapport de ces individus avec le temps et l espace du territoire. / A presente dissertação tem como proposta analisar o papel da memória como instrumento de luta no processo de reconhecimento da identidade indígena dos Tapuios do Carretão, um dos três povos indígenas do Estado de Goiás. Esse povo indígena etnicamente misturado é resultado da resistência dos povos indígenas ao processo de pacificação do século XVIII. Eles admitem ter uma ligação identitária com as quatro matrizes indígenas: Xavante, Kayapó, Xerente, Karajá - Javaé que foram confinadas no Aldeamento do Carretão. O aldeamento é uma referência para a origem do mais recente povo indígena (oficialmente reconhecido) do Estado de Goiás. Contrários ao processo de negação da identidade indígena e espoliação de suas terras, a partir da década de 1940 os Tapuios se vêem envolvidos em conflitos fundiários. Em fins da década de 1970 esse povo ressurge no cenário regional e nacional reivindicando do órgão indigenista, a FUNAI, o reconhecimento da identidade indígena e dos direitos a ela atrelados. Em meio aos conflitos gerados na relação interétnica os Tapuios criaram estratégias de enfrentamento com a sociedade envolvente e a FUNAI. As narrativas orais tapuias registradas nesse contexto se tornaram fontes fundamentais para entender como essas pessoas articularam linguagens, discursos e ações que evidenciaram suas estratégias e práticas sócio-culturais e os levaram a formulação de projetos de sociedade no mundo contemporâneo. Tal pesquisa compreende um espaço temporal que abrange as três últimas décadas, desde 1979 - data da primeira visita dos Tapuio a FUNAI - até 2009. Nessa proposta a História Oral assumiu grande relevância, na medida em que possibilita observar as ações e representações desses sujeitos na construção de suas histórias de vida. Ao optar pela análise da composição das narrativas orais colhidas no processo que visava o reconhecimento da identidade e dos direitos, afirmamos que a utilização da memória como fonte histórica foi significativa. Essa análise se ampara na historicidade desse povo indígena do estado de Goiás e na relação desses sujeitos com o tempo e o espaço territorial.

Made available in DSpace on 2014-07-29T16:19:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ILSE LEONE BORGES CHAVES DE OLIVEIRA.pdf: 2651474 bytes, checksum: 2edb61b9cba4b6fbb2b2ed40d12a23d3 (MD5) Previous issue date: 2012-06-27 / Cette recherche porte sur la formation du lecteur par la construction de mémoires d un groupe d élèves et de la problématisation de la trame dicoursive qui engendre la trajectoire scolaire qu ils ont parcourue. Ce sont des élèves de la 1ère année de l enseignement moyen d une institution publique, considérée comme référence dans la région où elle se trouve pour être une école d application et aussi centre d enseignement et recherche appliquée à l éducation, d une Université Fédérale. Dans la construction des mémoires, ainsi que dans la trame discoursive comprenant le discours familial, pédagogique, institutionnel et les documents officiels et institutionnels, l énoncé effectivement produit sera considéré dans l étroitesse et singularité de la situation, de façon qu on puisse rechercher les conditions de l existence de cet énoncé. L investigation se centre sur les élèves : la trajectoire scolaire qu ils ont parcourue et, bien sûr, l histoire de vie qu ils ont tracée en tant que lecteurs. Il peut ne pas être nouveau de rechercher la relation école/formation du lecteur à partir de cette perspective, mais il est, certainement, un autre chemin, puisque le discours qui sera plutôt problématisé n est pas ce de l autorité, c est celui de ceux qui s y soumettent. Pourtant, je ne peux pas négliger la trame discoursive dans laquelle s enchêvetre le lecteur en formation. Par le processus de construction de mémoires, on conclut que ce n est pas le passé qu interfère et modifie le présent. C est le présent qui permet la production du passé. Dans d autres termes, les mémoires sont construites à partir des références discoursives qui constituent le sujet au présent. La problématisation des mémoires de ces élèves sujets lecteurs en constitution permet la compréhension que l école, institution officiellement reconnue comme autorisée et responsable pour la promotion de la lecture, joue un rôle efectif dans la formation des lecteurs, à les faire expérimenter les effets produits par l impasse entre l exercice de la lecture faite par obligation et celle faite par plaisir. Dans cette recherche, la construction des procédés méthodologiques autant que la constitution de l archive et sa problématisation se fondent dans la préssupposition de l Analyse du Discours de perspective foucaultienne. / Esta pesquisa investiga a formação do leitor por meio da construção de memórias de um grupo de alunos e da problematização da trama discursiva que engendra a trajetória escolar percorrida por eles. São alunos de 1ª série do Ensino Médio de uma instituição pública, considerada referência na região em que se localiza, por ser escola de aplicação e centro de ensino e pesquisa aplicada à educação, de uma Universidade Federal. Na construção das memórias, assim como na trama discursiva composta pelo discurso da família, das professoras, pelo discurso pedagógico, institucional e por documentos oficiais e institucionais, o enunciado efetivamente produzido será compreendido na estreiteza e singularidade de sua situação, de forma que se possam investigar as condições de existência desse enunciado. O foco da investigação são os alunos: a trajetória escolar que eles já percorreram e, evidentemente, a história de vida que eles têm traçado como leitores. Investigar a relação escola/formação do leitor dessa perspectiva pode não ser inovador, mas é, certamente, um outro caminho, pois o discurso que será preferencialmente problematizado não é o de autoridade, é o daqueles que a ele se submetem. Contudo, não posso desconsiderar a trama discursiva em que se enreda o leitor em formação. Por meio do processo de construção de memórias, concluise que não é o passado que interfere e modifica o presente. É o presente que possibilita a produção do passado. Ou seja, as memórias são construídas a partir das referências discursivas que constituem o sujeito no presente. A problematização das memórias desses alunos sujeitos leitores em constituição possibilita a compreensão de que a escola, instituição oficialmente reconhecida como autorizada e responsável pela promoção da leitura, exerce papel efetivo na formação dos leitores, ao fazê-los vivenciar os efeitos produzidos pelo impasse entre o exercício da leitura feita por obrigação e da leitura feita por prazer. Nesta investigação, tanto a construção dos procedimentos metodológicos, quanto a constituição do arquivo e sua problematização, fundamentamse nos pressupostos da Análise do Discurso na perspectiva foucaultiana.

Le XIXe siècle est l’âge d’or du thermalisme en France. Tout le monde prend alors les eaux. Les hommes et les femmes de lettres, Chateaubriand, Lamartine, Michelet, Balzac, Hugo, Sand, les frères Goncourt, Mirbeau, Maupassant n’échappent pas au phénomène thermal et fréquentent les villes thermales. Sand en profite pour faire des excursions, Dumas fuit le choléra qui sévit à Paris, Balzac y courtise la marquise de Castries, Zola accompagne sa femme curiste, Mallarmé retrouve sa maîtresse... Mais la plupart des écrivains se rend en cure pour des raisons de santé. Ainsi, Bashkirtseff tente d’enrayer sa phtisie, Daudet, Maupassant et Lorrain y soignent leur syphilis, Chateaubriand ses rhumatismes, Verlaine ses ulcères à la jambe, et Proust pour son asthme. Tous ces écrivains curistes ont témoigné de leur expérience, que ce soit dans leur correspondance ou dans leurs romans, poèmes, récits de voyage. Leurs personnages séjournent également dans ces villes d’eaux : Raphaël de Valentin, héros de La Peau de chagrin, tente de rétablir sa santé à Aix-les-Bains ; Christiane Andermatt assiste à l’exploitation de la source du Mont-Oriol, la cure lui permet surtout de rencontrer son amant et d’avoir un bébé, sans que les eaux aient joué un rôle particulier ; Verdinet, Galinois et autres personnages de la comédie de Labiche, J’ai compromis ma femme, sont à Bagnères-de-Bigorre, et le neurasthénique de Mirbeau à Luchon. Voici une promenade dans le monde des eaux, vu par les écrivains, entre 1800 et 1914. / The nineteenth century is the golden age of hydrotherapy in France. Everybody comes to take the waters. Men and women of letters, Chateaubriand, Lamartine, Michelet, Balzac, Hugo, Sand, the Goncourt brothers, Mirabeau, Maupassant take part in this thermal cure phenomenon and attend water cities. Sand takes the opportunity to make excursions, Dumas runs away from rampant cholera over Paris, Balzac is involved in a courtship with the Marchioness of Castries, Zola accompanies his wife who is a patient, Mallarmé joins his mistress… But most of writers go to thermal cures for health purposes. In this way Bashkirtseff seeks to eradicate tuberculosis, Daudet, Maupassant and Lorrain treat their syphilis, Chateaubriand his rheumatism, Verlaine his leg ulcers, Proust his asthma. All these writers patients shared about their experience, in their correspondence or in their novels, poems, travel stories. Their characters live in these water cities as well ; Christiane Andermatt gets to the springs of Mont Oriol’s exploitation, the cure mostly is the opportunity for her to meet her lover and to have a baby, without waters playing a specific role ; Verdinet, Galinois and other protagonists of Labiche’s comedy, I compromised my wife, are in Bagnères-de-Bigorre, and Mirabeau’s neurasthenic, in Luchon. This is a walk in the world of waters, as seen by writers, between 1800 and 1914.

Résumé : La demande croissante du marché de la traduction n'est pas aisée à combler, ce qui pousse un certain nombre de traducteurs et de fournisseurs de services de traduction à chercher des outils d'aide à la traduction pouvant complémenter ou remplacer ceux liés aux mémoires de traduction (MT) (Lewis 1997 : 256; O'Brien 2002 : 99, 105-106; Saint-André 2015 : 1-8). Certains se sont tournés vers la traduction automatique (TA), qui paraît permettre certains gains de productivité lorsqu'elle est utilisée en combinaison avec un outil de MT (Guerberof 2009; Lewis 1997 : 256; O'Brien 2002 : 99, 105-106). Toutefois, la question de l’utilisation de la TA par des traducteurs en contexte organisationnel réel semble avoir été peu étudiée. La présente étude, menée en collaboration avec l’équipe de traduction des Instituts de recherche en santé du Canada (IRSC), a visé à évaluer si la combinaison d’outils de MT avec des outils de TA peut véritablement rehausser la productivité des traducteurs dans ce type de contexte. Pour ce faire, une analyse des perceptions des traducteurs en rapport aux outils de MT et de TA et une expérience dans le cadre de laquelle des textes ont été traduits à l’aide d’une MT seule ou à l’aide d’une MT et d’un système de TA ont été effectuées. Les données des deux volets de la recherche ont ensuite été analysées pour évaluer les perceptions des participants en rapport aux outils de MT et de TA, déterminer si l’utilisation d’outils de MT et de TA permettait d’atteindre des seuils de productivité plus élevés que l’utilisation d’outils de MT seuls, et vérifier si les perceptions des participants en rapport aux outils utilisés avaient influencé les seuils de productivité atteints. L’étude contribue ainsi à approfondir les connaissances en rapport à l’utilité de la TA en contexte organisationnel réel et en rapport aux perceptions des traducteurs quant aux outils d’aide à la traduction que constituent les MT et la TA.

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Dans l’univers intellectuel de Siegfried, les hommes ne connaissent plus de certitudes. Les mots de sa première leçon inaugurale au Collège de France, permettent de saisir l’essence de son œuvre et d’établir une hiérarchie de ses thèses. Siegfried a fait de la métamorphose de l’Occident, de son extension coloniale le point de départ et d’arrivée d’une réflexion toute empreinte d’une dualité dont les termes généraux sont : la civilisation et son destin.Pour Siegfried, la singularité de l’Occident est irréductible, et il n’a de cesse de mettre en garde contre le caractère mesurable et irréversible de son affaiblissement. Le propos consiste dès lors, en suivant un mouvement à sens unique, à déceler ce que pourraient être les solutions de continuité propres à conserver à l’Occident sa primauté. Son intelligence du monde conjugué à un talent d’écrivain, a consisté à défendre la possibilité d’une connaissance objective du monde, tout en revendiquant une lecture morale de ce dernier. / In Siegfried's intellectual universe, mankind no longer has certainties. The words of his first inaugural lecture at the Collège de France allow us to grasp the essence of his work and to establish a hierarchy of his essays. Siegfried has made the metamorphosis of the Occident, of its colonial expansion, the starting point and the point of arrivai of a reflection imbued with a duality whose general terms are: civilisation and its destiny. For Siegfried, the singularity of the Occident is irreducible, and he has ceaselessly warned against the measurability and irreversibility characteristics of its weakening. The discourse then intents, following a one-way movement, to discover what could be the appropriate solutions of continuity for the Occident to withhold its primacy. lis understanding of the world combined with his literary talent, consisted in defending the possibility of an objective knowledge of the world, while claiming a moral reading of the latter.

Les maladies inflammatoires chroniques sont associées à un maintien de la réponse immunitaire et notamment la présence de cellules T CD4+ mémoires. Les maladies inflammatoires chroniques de l’intestin ont pour conséquence une perte osseuse due à une augmentation du nombre et de l'activité des ostéoclastes, les cellules responsables de la résorption osseuse. Les cellules CD4+ ont été décrites comme participant à la différenciation des ostéoclastes mais la nature exacte de ces cellules reste encore indéterminée. Des études in vivo et in vitro chez la souris et chez l’Homme nous ont permis de décrire une population inflammatoire Th17 TNFα CD4+ présente dans la moelle osseuse participant à la différenciation des ostéoclastes. Ces cellules Th17 participent au recrutement et à la différenciation des monocytes en ostéoclastes en agissant sur les cellules stromales mésenchymateuses. De plus, les maladies inflammatoires chroniques de l’intestin sont associées à une augmentation de la prolifération et de la différenciation des cellules souches hématopoïétiques en cellules myéloïdes. Suite à un stress chimique ou mécanique, les ostéoclastes participent à la mobilisation des cellules souches hématopoïétiques depuis la moelle osseuse. Nous avons montré qu’au cours des maladies inflammatoires de l’intestin, l’augmentation de l’activité des ostéoclastes participe à la prolifération et la différenciation des cellules souches en cellules myéloïdes. Ainsi, les ostéoclastes sont devenus une nouvelle cible thérapeutique intéressante dans la lutte des maladies inflammatoires chroniques de l’intestin / Chronic inflammatory diseases are associated to maintain of memory response and the presence of memory CD4+ T cells. Inflammatory bowel diseases are associated with bone loss due to an increase of the number and activity of osteoclasts, the bone-resorbing cells. CD4+ T cells participated to osteoclasts differentiation, but their nature is still undetermined. In vivo and in vivo studies in mice and human allow us to describe an inflammatory Th17 TNFα CD4+ T cells in the bone marrow that participated to osteoclast differentiation and link inflammation and bone loss. Th17 T cells induce the recruitment and the differentiation of monocytes into osteoclasts acting on mesenchymal stromal cells. Moreover, inflammatory bowel diseases are associated in an increase of hematopoietic stem cell (HSC) mobilization. In stress condition, osteoclasts act on HSC niches and induce their mobilization. We have shown that in inflammatory bowel disease, increase osteoclast activity is involved in the proliferation and differentiation of stem cells into myeloid cells. These myeloid cells are responsible for the intestinal inflammation. Thus, osteoclasts have become an exciting new therapeutic target in the fight of inflammatory bowel diseases