In this thesis, we present a new Poly - Si TFT process method to overcome Self - heating effect and Floating body effect. The main drawback of a conventional Poly - Si TFT is the existence of self - heating effect and floating body effect. The self - heating effect leads to drain current reduced and the floating body effect leads to premature device breakdown and kink effects. Here, we utilize all kinds of different isolation technologies to form non - continuing buried layer. Between the non - continuing buried layer there are pass ways, which contact the active region and the substrate directly. Because of conventional LOCOS isolation technology has longer bird¡¦s beak, the familiar method of SILO and PBL isolation technologies are used to reduce bird¡¦s beak. Also, we use STI isolation technology to build up non - continuing buried layer, which can control the width of pass way more easily. It is proved from the measurement that the pass way can slow down the self - heating effect and the floating body effect successfully.

Im Rahmen dieser Diplomarbeit wurden Si(001)-Oberflächen mit Selen modifiziert und anschließend charakterisiert. Die Herstellung der Selenpassivierungsschichten wurde in einer MBE-Anlage durchgeführt. Die Charakterisierung erfolgte durch RHEED-, LEED- und RBS-Untersuchungen.

Στην παρούσα διδακτορική διατριβή μελετάται η ανάπτυξη λεπτών υμενίων πορωδών ανοδικών οξειδίων του αλουμινίου (αναφέρονται και ως πορώδης ανοδική αλουμίνα) σε υπόστρωμα πυριτίου. Επιπλέον, εξετάζεται η ανάπτυξη εφαρμογών που αφορούν τη χρήση της πορώδους αλουμίνας ως μάσκα και ως μήτρα για την δημιουργία νανονημάτων ή κβαντικών τελειών (νανονησίδων) στο Si. Το πρώτο κεφάλαιο πραγματεύεται τη θεωρία και τους μηχανισμούς που διέπουν την ανάπτυξη πορωδών υμενίων, που προέρχονται από ανοδική οξείδωση (ανοδίωση) τόσο φύλλων αλουμινίου, όσο και υμενίων αλουμινίου σε υπόστρωμα πυριτίου. Επιπροσθέτως, παρατίθεται ο ρόλος που διαδραματίζουν οι ηλεκτροχημικές συνθήκες ανοδίωσης, όπως το pH, η θερμοκρασία και η εφαρμοζόμενη τάση, στα τελικά δομικά χαρακτηριστικά των πορωδών υμενίων. Στο δεύτερο κεφάλαιο παρουσιάζονται τα τεχνολογικά βήματα διεργασιών που αφορούν την προετοιμασία των δειγμάτων τα οποία πρόκειται να ανοδιωθούν, και δίνονται λεπτομέρειες για την πειραματική διάταξη η οποία χρησιμοποιείται κατά την ανοδίωση. Στο τρίτο κεφάλαιο μελετώνται εκτενώς, τρεις παράγοντες που έχουν σημαντική επίδραση στα τελικά δομικά χαρακτηριστικά των πορωδών υμενίων. Κατά τους δύο πρώτους, εξετάζεται η επίδραση του πάχους του προς ανοδίωση υμενίου αλουμινίου πάνω στο Si, καθώς και ο περιορισμός του σε επιφάνειες μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων πάνω στο Si, στο μέγεθος και την πυκνότητα των πόρων. Ο τρίτος παράγοντας αφορά το ρόλο της ανοδίωσης του υμενίου του αλουμινίου σε δύο και τρία στάδια σε συνδυασμό με τη χημική εγχάραξή του μετά από κάθε στάδιο ανοδίωσης, στην ανάπτυξη εξαγωνικής συμμετρίας στην κατανομή των πόρων. Το τέταρτο κεφάλαιο, πραγματεύεται την ανάπτυξη εφαρμογών που συνδέονται με τη χρήση της πορώδους αλουμίνας ως μάσκα και ως μήτρα για τη δημιουργία νανοδομών επάνω στο πυρίτιο. Ως εκ τούτου παρουσιάζεται η δημιουργία νανονησίδων Cr, Ti, νανοστηλών Si, και νανονημάτων Au, πάνω στο Si, εφαρμογές στις οποίες τα πορώδη ανοδικά υμένια χρησιμοποιήθηκαν ως ενδιάμεσο στάδιο. Στο πέμπτο κεφάλαιο παρατίθεται η ανάπτυξη διαμέσου της πορώδους αλουμίνας, εξαγωνικά διατεταγμένων νανονησίδων SiO2 στο Si. Επίσης, παρουσιάζεται ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός διατάξεων οι οποίες αποτελούνται από την εν λόγω δομή. Σε ένα επιπλέον βήμα, οι νανονησίδες SiO2 χρησιμοποιούνται για την ανάπτυξη νανοκρυσταλλιτών Si στο εσωτερικό τους μέσω της τεχνικής της ιοντικής σύνθεσης. Τα σημαντικότερα αποτελέσματα και συμπεράσματα που προέκυψαν από την εκπόνηση της παρούσας διδακτορικής διατριβής συνοψίζονται στα εξής: • Βελτίωση της εξαγωνικής συμμετρίας στην κατανομή των πόρων, μέσω ανοδίωσης σε δύο ή τρία στάδια σε συνδυασμό με χημική εγχάραξη του προς ανοδίωση αλουμινίου έπειτα από κάθε στάδιο ανοδίωσης. • Αύξηση της πυκνότητας των πόρων των ανοδικών υμενίων κατά μία τάξη μεγέθους, με περιορισμό του προς ανοδίωση αλουμινίου σε προεπιλεγμένες περιοχές στο Si, επιφάνειας μερικών τετραγωνικών μικρομέτρων. • Ανάπτυξη διατεταγμένων νανοδομών Ti και Cr σε υπόστρωμα Si χρησιμοποιώντας λεπτά υμένια πορώδους αλουμίνας πάνω σε Si. Ιδιαίτερα οι δομές Cr, μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μεταλλική νανοδομημένη μάσκα για την εγχάραξη με ενεργά ιόντα του υποστρώματος Si και τη δημιουργία νανοστηλών Si πάνω σε αυτό. Η δημιουργία νανοστηλών Si, βρίσκει πληθώρα εφαρμογών στη Νανοηλεκτρονική, σε αισθητήρες, Nανοφωτονική, μνήμες κ.τ.λ. • Οι πυκνότητες διεπιφανειακών καταστάσεων που προέκυψαν από τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό της διεπιφάνειας υμενίων πορώδους αλουμίνας με το πυρίτιο, και της διεπιφάνειας πορώδους αλουμίνας – νανονησίδων SiO2 με το πυρίτιο. Οι τιμές που υπολογίστηκαν είναι ενθαρρυντικές, αν ληφθεί υπόψη ο ηλεκτροχημικός τρόπος παρασκευής των εν λόγω σύνθετων υμενίων πάνω στο πυρίτιο. • Ανάπτυξη μεμονωμένων νανοκρυσταλλιτών Si ενσωματωμένων σε νανονησίδες SiO2. Για το σκοπό αυτό συνδυάστηκαν δύο διαφορετικές τεχνολογίες, εκείνη της ιοντικής σύνθεσης και εκείνη της ανάπτυξης νανονησίδων SiO2 διαμέσου λεπτών υμενίων πορώδους αλουμίνας απευθείας σε υπόστρωμα Si. Τέτοιες δομές νανοκρυσταλλιτών έχουν εφαρμογές σε διατάξεις μη πτητικών μνημών, όπου η κατανεμημένη αποθήκευση φορτίου στους νανοκρυσταλλίτες ευνοεί τη χρήση λεπτότερων οξειδίων πύλης και τη δυνατότητα σμίκρυνσης του πάχους των οξειδίων αυτών χωρίς να μειώνεται ο χρόνος αποθήκευσης φορτίου. / In the present thesis, the growth of porous anodic alumina films on Si substrate was studied extensively. Potential applications of porous anodic alumina films formed directly on Si, regarding the use of porous membranes as mask or template for various nanostructures growth directly on Si, are discussed. Chapter one deals with the theory and mechanisms governing porous anodic alumina film growth, either on porous anodic films formed by anodization of aluminum foils, or on porous anodic films developed on Si substrates. Additionally, the effect of different factors (pH, temperature, applied voltage) on the final structural characteristics is presented. In chapter two, the preliminary processing steps regarding sample preparation before the anodization procedure are quoted. Moreover, details about the experimental set-up and the electrochemical conditions used during the sample anodization in the current work are given. In chapter three, the influence of three different factors, in the final structural characteristics, is investigated. Primarily, the impact of the initial aluminum thickness deposited on Si substrate, and secondly the confinement of the aluminum film in areas of a few μm2, in the pore size and pore density are studied. Finally, the influence of the third factor is associated with a three-step instead of a two-step anodization, in combination with an in-between step of aluminum chemical etching, on the ordering and the uniformity of the pores. The deposition of Ti and Cr nanodots arrays on Si, using the porous alumina membrane as a masking layer, is investigated in chapter four. Furthermore, the Ti nanodots are used for the electrodeposition of Au nanodots and nanowires inside the porous alumina films. Additionally, the Cr dots are used as metallic nanostructured mask for the Si etching by reactive ion etching process, that leads to the formation of Si nanopillars on Si substrate. In chapter five the growth of hexagonally ordered SiO2 dots on Si through porous anodic alumina membranes, in various acidic electrolytes, is studied. Moreover, the electrical characterization of the interface of porous alumina film/Si and porous alumina film with SiO2 dots in pore bottoms/ Si is presented. Finally, in the present thesis the technology of fabrication of Si nanocrystals embedded in SiO2 dots arrays through porous alumina membranes on Si substrate is developed for the first time. This was achieved by the combination of ion beam synthesis with the already existing technology of porous anodic alumina growth on Si substrates. The nanocrystals are electrically isolated from the substrate. This technique is promising as an application in non-volatile memory devices. The main achievements accomplished through this study are summarized as follows: • The optimization of pores ordering by developing the porous alumina membrane in two or three processing steps in combination with the chemical etching of Al film, lying above the porous membrane, following each anodization cycle. • The increase of porous density by the confinement of porous alumina film in areas of a few μm2 on Si. • The development of Ti, Cr and nanodots arrays, directly on Si, through porous alumina membranes. The use of Cr nanodots as nanostructured masking layer for the formation of Si nanopillars, formed by etching of Si substrate with RIE, on Si. • The density of interface stages results from the electrical characterization of porous alumina with or without SiO2 dots at each pore bottom, with the Si substrate. The results are encouraging, keeping in mind that the pore membranes and SiO2 dots were electrochemically grown directly on Si substrate. • The development of distinct Si nanocrystalls, embedded in SiO2 dots, combining for the first time two different technologies, that is the fabrication of porous anodic alumina films directly on Si substrate, as well as the ion beam synthesis technique. The proposed technique is promising for the fabrication of non-volatile memory devices.

Στην παρούσα διπλωματική εργασία εστιάσαμε στην ανάλυση των φωτοβολταϊκών παραμέτρων άμορφου πυριτίου (a-Si) και συγκεκριμένα στην παρουσίαση και την ανάλυση του πλαισίου Scott Solar ASi-F 32/12. Οι μετρήσεις λάβανε μέρος στο Πανεπιστήμιο Πατρών το έτος 2011. Ειδικότερα, οι μετρήσεις που πήραμε ήταν η τάση του φωτοβολταικού πλαισίου άμορφου πυριτίου, το ρεύμα, η ηλιακή ακτινοβολία, η θερμοκρασία περιβάλλοντος και πλαισίου ανά τακτά χρονικά διαστήματα στη διάρκεια μιας μέρας και σε διαφορετικές καιρικές συνθήκες στη διάρκεια του χρόνου. Το πλαίσιο είχε τοποθετηθεί σε σταθερό στήριγμα σε γωνία 38ο, ίση δηλαδή με το γεωγραφικό πλάτος του τόπου. Από τις μετρήσεις που λάβαμε ήμασταν σε θέση να εξάγουμε συμπεράσματα και γραφικές παραστάσεις για τις φωτοβολταϊκές παραμέτρους του πλαισίου όπως ρεύματος τάσης (I-V), μέγιστης ισχύς και ακτινοβολίας, συντελεστή πλήρωσης ff και συντελεστή απόδοσης με θερμοκρασία. Για να γίνει πιο ολοκληρωμένη και κατανοητή η ανάλυση των φωτοβολταϊκών παραμέτρων αλλά και οι αιτίες για τις οποίες αναπτύχτηκαν οι φωτοβολταϊκές τεχνολογίες, απαιτήθηκε η παρουσίαση και άλλων κεφαλαίων ξεκινώντας από το γενικό και φτάνοντας στο ειδικό. Η διπλωματική αυτή εργασία ξεκινά με τον ορισμό της ενέργειας και παρουσιάζει όλες τις μορφές και τις πηγές της. Γίνεται μια πιο εκτενής αναφορά στις ανανεώσιμές πηγές ενέργειας, ποιες είναι και τι πλεονεκτήματα έχουν. Στη συνέχεια παρουσιάζονται υλικά και δομές αυτών τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε εφαρμογές ηλεκτρομαγνητικών διατάξεων. Επιπρόσθετα, παρουσιάζονται τύποι ημιαγωγών οι οποίοι αποτελούν το θεμέλιο λίθο της μικροηλεκτρονικής και της νανοηλεκτονικής και εφαρμογές αυτών των ημιαγωγών. Προχωρώντας στο επόμενο κεφάλαιο μπαίνουμε ακόμα πιο ειδικά στις εφαρμογές των υλικών - πάντα με γνώμονα την ενεργειακή τους ιδιότητα – και παρουσιάζουμε το φωτοβολταϊκό πλαίσιο, τη δομή του και τα είδη των φωτοβολταϊκών στοιχείων. Το κεφάλαιο αυτό ολοκληρώνεται με την παρουσίαση και τον ορισμό των ηλεκτρικών και φωτοβολταϊκών χαρακτηριστικών των στοιχείων. Τέλος, γίνεται η παρουσίαση των μετρήσεων στο πλαισίου αμόρφου πυριτίου, η ανάλυση των φωτοβολταϊκών χαρακτηριστικών του, η σύγκριση μέσω προσομοίωσης σε μέσες καιρικές συνθήκες 20αετίας και το πρακτικό αποτέλεσμα όλων των μετρήσεων που είναι η παραχθείσα ενέργεια από το πλαίσιο στο διάστημα της μελέτης μας. / In this thesis we focused on the analysis of photovoltaic parameters of amorphous silicon (a-Si) and specifically in the presentation and analysis of the context Scott Solar ASi-F 32/12. The measurements took part in the University of Patras in 2011. Specifically , the measurements we got were the voltage of amorphous silicon photovoltaic modules , current, solar radiation, temperature and frame at regular intervals during a day and in different weather conditions during the year . The frame was placed in the anchor at an angle of 38 ° , ie equal to the latitude of the place . From the measurements we were able to draw conclusions and graphs for the photovoltaic parameters of the frame as current -voltage (IV), maximum power and radiation , fill factor ff and temperature coefficient performance . To make it more complete and comprehensive analysis of the photovoltaic parameters and the causes for which thrived photovoltaic technologies required the presentation and other chapters starting and reaching the general to the specific. This thesis begins with the definition of energy and present all forms and sources . It is a more extensive report on renewable energy , what is and what advantages they have. The following are materials and structures thereof which can be used in applications of electromagnetic devices. In addition , semiconductor types are presented which are the foundation of microelectronics and nanoelektonics and applications of semiconductors . Moving on to the next chapter we get even more specific applications of materials - always with energy capacity - and present the photovoltaic panel , structure and types of photovoltaic modules . This chapter concludes with the presentation and definition of electrical and photovoltaic characteristics of the data . Finally , we present the measurement framework amorphous silicon analysis of photovoltaic characteristics of the comparison by simulation 20aetias average weather conditions and the practical result of all measurements is the energy from the context in time of our study .

Nous avons étudié les deux structures concessives en français moderne si p, q et même si p, q. Dans le premier chapitre, nous avons résumé certaines études antérieures sur divers sujets. La section sur la concession montre qu'il y a sous-entendue a une phrase telle que même si Jacques est la, je vais partir un rapport du genre si Jacques est Id, je ne vais pas partir; autrement dit, même si p, q implique si p,~ q (Moeschler & de Spengler, Martin, Ducrot). Par contre, une phrase telle que s'il est intelligent, il est brouillon se glose mieux par la paraphrase de Nguyen certes p, mais q: certes il est intelligent, mais il est brouillon. Dans la section sur la valeur de base des phrases en si p, q (concessives ou non concessives), on voit que si est le marqueur d'une supposition, et cette supposition sert comme cadre pour l'énonciation de q qui suit. La section sur même montre que ce mot est le marqueur d'une échelle argumentative (Ducrot), et qu'il est limite par le contexte et« ce à quoi on s'attendrait» (Lycan). Dans le deuxième chapitre, nous avons décrit notre corpus, et nous avons déterminé si les diverses structures proposées au chapitre précédent étaient présentes dans les exemples du corpus. La section sur si concessif montre que la paraphrase certes p, mais q peut toujours paraphraser les phrases concessives de la structure si p, q. Cependant, la structure si p,~ q est aussi présente, mais indirectement. Finalement, nous avons fait certaines observations sur le temps des verbes dans les deux propositions/? et q, et nous avons étudié les combinaisons présent/présent, imparfait/imparfait, passé composé/présent, et plus-que-parfait/imparfait. Les deux premières combinaisons montrent une opposition—par rapport aux si non concessifs— au niveau des temps verbaux, les deux dernières au niveau de l'aspect. La section sur les cas de même si révèle d'une part que toutes les phrases de cette structure possèdent la structure sous-entendue si p, ~ q, et d'autre part que certains exemples acceptent aussi la paraphrase de Nguyen. Ceci correspond à la distinction qu'Eriksson fait des phrases en même si portant sur des faits réels et non réels (virtuels).

Current methods of solar-grade silicon (SG-Si) production are energy intensive and costly. The possibility of using metallurgical techniques for refining metallurgical-grade Si (MG-Si) to SG-Si has been investigated. The main steps in the metallurgical refining route include alloying with copper to produce a 50-50wt% Cu-Si alloy, controlled solidification, crushing, and acid leaching. The controlled solidification process involved 5 variations to determine the best process to maximize Si dendrite agglomeration in the sample and produce the purest Si. This was determined by using various techniques, such as: optical imaging, dendrite analysis, EPMA and SEM analysis and ICP analysis. The crushing and acid leaching steps were carried out to remove the unwanted Cu3Si eutectic from the pure Si dendrite phase. Upon completion of the analysis techniques, the optimal cooling method was determined to be the top cooled, 0.5°C/min sample.

Current methods of solar-grade silicon (SG-Si) production are energy intensive and costly. The possibility of using metallurgical techniques for refining metallurgical-grade Si (MG-Si) to SG-Si has been investigated. The main steps in the metallurgical refining route include alloying with copper to produce a 50-50wt% Cu-Si alloy, controlled solidification, crushing, and acid leaching. The controlled solidification process involved 5 variations to determine the best process to maximize Si dendrite agglomeration in the sample and produce the purest Si. This was determined by using various techniques, such as: optical imaging, dendrite analysis, EPMA and SEM analysis and ICP analysis. The crushing and acid leaching steps were carried out to remove the unwanted Cu3Si eutectic from the pure Si dendrite phase. Upon completion of the analysis techniques, the optimal cooling method was determined to be the top cooled, 0.5°C/min sample.

No description available.

Magistro darbe „Besimokančios bendruomenės analizė ir vystymosi galimybės“ nagrinėjame kokią reikšmę nuolatinis mokymas(is) turi įstaigos darbuotojams dėl globalizacijos proceso. Šiuolaikinėmis sąlygomis gebėjimas mokytis- tai reikalinga ir svari sąlyga sėkmingai modernizacijai. Šiuo metu mažėjant ekonomikos vystymosi procesui ši problema dar labiau aktuali. Bendruomenė norėdama išlikti ir klestėti, turi suvokti tobulėjimo tikslus, jautriai reaguoti į pokyčius rinkoje ir greitai adaptuotis naujomis sąlygomis. Būtina, kad kiekvienas darbuotojas, tos organizacijos, kaip bendruomenės narys ir pati organizacija kaip sistema- mokytusi. Tyrimo objektas. UAB „Kristiana“, kaip besimokanti bendruomenė. Buvo iškeltas ir šio tyrimo tikslas- ištirti įmonės UAB „Kristiana“, bendruomenės požiūrį į mokimąsi, nustatyti poreikį bei išryškinti optimaliausius mokymosi metodus ir priemones. Darbo tikslas lėmė ir atitinkamą darbo struktūrą- pirmiausia analizuojama besimokančios bendruomenės koncepcija: samprata, bruožai ; besimokančios bendruomenės privalumai ir trūkumai; bendruomenės narių motyvacija mokytis. Atliktas darbuotojų nuomonės tyrimas, nustatyti pagrindiniai mokymosi poreikiai, išryškinti lūkesčiai, ir patraukliausi mokymosi metodai. Išanalizavus respondentų atsakymus formuluojamos šios išvados: UAB „Kristiana“ darbuotojai: nuolat siekia įgyti konkretesnių ir gilesnių profesinių žinių, noriai dalyvauja įvairiuose kursuose, seminaruose, mokosi aukštosiose mokyklose. Ištyrus... [toliau žr. visą tekstą] / In the master's work „Analysis of the learning society and development opportunities“ we are exploring the meaning of the changing conditions which evolve due to the process of globalization and become a necessity to learn to live and work in changed conditions. In contemporary conditions capacity to learn is a necessary and solid condition for successful modernization. At the present time, when the process of economic development is shrinking, this problem has become even more relevant. The community wishing to survive and flourish, must understand the goals of improvement, react sensitively to the changes in the market and swiftly adapt in new conditions. The object of research. Close stock company UAB „Kristiana“, as a learning community. The purpose of this research has been also set out - to investigate the approach of the enterprise UAB „Kristiana“ and its community to learning, to identify the need and to highlight the most optimal learning methods and measures. The purpose of the work has also determined a respective structure of work – first of all the concept of the learning community is analysed: concept, features; advantages and shortcomings of the community; motivation of the members of the community to learn. Survey on the opinion of the staff as a learning community, has been made. Having generalized peculiarities and preconditions of the employees' need for learning it turns clear that employees of UAB „Kristiana“: are permanently seeking to acquire more... [to full text]

No description available.