<p>Denna uppsats behandlar införandet och implementeringen av IFRS/IAS reglerna i två globala företag, Scania koncern som är ett industriföretag med mycket materiella anläggningstillgångar och lite immateriella tillgångar jämfört med WSP group, som är ett konsultföretag med lite anläggningstillgångar och mycket immateriella tillgångar. Vidare redogörs för hur Scania och WSP värderar och avskriver sina materiella anläggningstillgångar enligt den nya IAS 16. I uppsatsen undersökts även om företagens finansiella rapportering enligt IAS 16 motsvarar de kvalitativa egenskaperna det vill säga; begriplighet, relevans tillförlitlighet och jämförbarhet enligt IASB:s föreställningsram.</p><p>Metoden som används i undersökningen är en kvalitativ fallstudie. För att genomföra studien har författarna läst de senaste teorierna om IFRS/IAS, samt skriftliga källor om Scania och WSP. Dessutom har tre intervjuer och en mailinterjvu med nyckelpersoner inom IFRS/IAS utförts.</p><p>Uppsatsen utmynnar i ett resultat som säger att införandet av IFRS /IAS inte påverkade Scanias och WSP:s räkenskaper så mycket, eftersom Sverige och England tidigare hade anpassat sina rekommendationer till IAS. De största förändringarna som påverkade Scanias och WSP:s räkenskaper var finansiella instrument, pensioner och goodwill avskrivningar och för Scanias del även materiella anläggningstillgångar. Förändringarna krävde mer tidsåtgång, arbetsinsats och ökade kostnader. Tillämpningen av IFRS/IAS har gjort Scanias finansiella rapportering mer jämförbar med andra europeiska länder, medan den i WSP bara ledde till en viss grad mer jämförbarhet.</p><p>Båda företagen värderar sina materiella anläggningstillgångar enligt IAS 16 och väljer anskaffningsvärde. Verkligt värde har ingen nytta varken för Scania eller WSP eftersom det är teoretisk och förvirrar kapitalmarknaden.</p><p>Scania använder sig av olika avskrivningsmetoder; komponentavskrivning, linjär avskrivning, produktionsbaserad avskrivning och annuitetsavskrivning, medan WSP bara använder sig av linjära avskrivningar. Rapporteringen enligt IAS 16 uppfyller de kvalitativa egenskaperna för båda företag förutom i WSP som uppfyller jämförbarheten bara till en viss grad.</p>

<p>The optical properties of matter are determined by the coupling of the incident electromagnetic radiation to oscillators within the material. The oscillators can be electrons, ions or molecules. Close to a resonance the dielectric function exhibits strong dispersion and may be negative. A negative dielectric function gives rise to a complex wave vector which is associated with no allowed states for photons, i.e. high extinction and bulk reflectance, as well as the possibility to support surface waves. </p><p>It is possible to manufacture a dielectric material that generates a complex wave vector. Such materials are called photonic crystals and they may exhibit a frequency range without allowed states for photons, i.e. an energy gap. A photonic crystal has a periodically varying dielectric function and the lattice constant is of the same order of magnitude as the wavelengths of the gap. </p><p>In this thesis, two optical phenomena causing a complex wave vector are combined. Polar materials, which have lattice resonance in the thermal infrared causing strong dispersion, are studied in combination with a periodic structure. The periodicity introduced is achieved using another material, but also by structuring of the polar material. One, two and three dimensional structures are considered. The polar materials used are silicon dioxide and silicon carbide. It is shown, both by calculations and experiments that the two optical phenomena can co-exist and interact, both constructively and destructively. A possible application for the combination of the two phenomena is discussed: Selective emittance in the thermal infrared. It is also shown that a polar material can be periodically structured by a focused ion beam in such way that it excites surface waves.</p>

SiC MESFETs and GaN HEMTs have an enormous potential in high-power amplifiers at microwave frequencies due to their wide bandgap features of high electric breakdown field strength, high electron saturation velocity and high operating temperature. The high power density combined with the comparably high impedance attainable by these devices also offers new possibilities for wideband power microwave systems. In this thesis, Class C switching response of SiC MESFET in TCAD and two different generations of broadband power amplifiers have been designed, fabricated and characterized. Input and output matching networks and shunt feedback topology based on microstrip and lumped components have been designed, to increase the bandwidth and to improve the stability. The first amplifier is a single stage 26-watt using a SiC MESFET covering the frequency from 200-500 MHz is designed and fabricated. Typical results at 50 V drain bias for the whole band are, 22 dB power gain, 43 dBm output power, minimum power added efficiency at P 1dB is 47 % at 200 MHz and maximum 60 % at 500 MHz and the IMD3 level at 10 dB back-off from P 1dB is below ‑45 dBc. The results at 60 V drain bias at 500 MHz are, 24.9 dB power gain, 44.15 dBm output power (26 W) and 66 % PAE. In the second phase, two power amplifiers at 0.7-1.8 GHz without feed back for SiC MESFET and with feedback for GaN HEMT are designed and fabricated (both these transistors were of 10 W). The measured maximum output power for the SiC amplifier at Vd = 48 V was 41.3 dBm (~13.7 W), with a PAE of 32 % and a power gain above 10 dB. At a drain bias of Vd= 66 V at 700 MHz the Pmax was 42.2 dBm (~16.6 W) with a PAE of 34.4 %. The measured results for GaN amplifier are; maximum output power at Vd = 48 V is 40 dBm (~10 W), with a PAE of 34 % and a power gain above 10 dB. The SiC amplifier gives better results than for GaN amplifier for the same 10 W transistor. A comparison between the physical simulations and measured device characteristics has also been carried out. A novel and efficient way to extend the physical simulations to large signal high frequency domain was developed in our group, is further extended to study the class-C switching response of the devices. By the extended technique the switching losses, power density and PAE in the dynamics of the SiC MESFET transistor at four different frequencies of 500 MHz, 1, 2 and 3 GHz during large signal operation and the source of switching losses in the device structure was investigated. The results obtained at 500 MHz are, PAE of 78.3%, a power density of 2.5 W/mm with a switching loss of 0.69 W/mm. Typical results at 3 GHz are, PAE of 53.4 %, a power density of 1.7 W/mm with a switching loss of 1.52 W/mm. / Report code: LIU-TEK-LIC-2008:32

Denna uppsats behandlar införandet och implementeringen av IFRS/IAS reglerna i två globala företag, Scania koncern som är ett industriföretag med mycket materiella anläggningstillgångar och lite immateriella tillgångar jämfört med WSP group, som är ett konsultföretag med lite anläggningstillgångar och mycket immateriella tillgångar. Vidare redogörs för hur Scania och WSP värderar och avskriver sina materiella anläggningstillgångar enligt den nya IAS 16. I uppsatsen undersökts även om företagens finansiella rapportering enligt IAS 16 motsvarar de kvalitativa egenskaperna det vill säga; begriplighet, relevans tillförlitlighet och jämförbarhet enligt IASB:s föreställningsram. Metoden som används i undersökningen är en kvalitativ fallstudie. För att genomföra studien har författarna läst de senaste teorierna om IFRS/IAS, samt skriftliga källor om Scania och WSP. Dessutom har tre intervjuer och en mailinterjvu med nyckelpersoner inom IFRS/IAS utförts. Uppsatsen utmynnar i ett resultat som säger att införandet av IFRS /IAS inte påverkade Scanias och WSP:s räkenskaper så mycket, eftersom Sverige och England tidigare hade anpassat sina rekommendationer till IAS. De största förändringarna som påverkade Scanias och WSP:s räkenskaper var finansiella instrument, pensioner och goodwill avskrivningar och för Scanias del även materiella anläggningstillgångar. Förändringarna krävde mer tidsåtgång, arbetsinsats och ökade kostnader. Tillämpningen av IFRS/IAS har gjort Scanias finansiella rapportering mer jämförbar med andra europeiska länder, medan den i WSP bara ledde till en viss grad mer jämförbarhet. Båda företagen värderar sina materiella anläggningstillgångar enligt IAS 16 och väljer anskaffningsvärde. Verkligt värde har ingen nytta varken för Scania eller WSP eftersom det är teoretisk och förvirrar kapitalmarknaden. Scania använder sig av olika avskrivningsmetoder; komponentavskrivning, linjär avskrivning, produktionsbaserad avskrivning och annuitetsavskrivning, medan WSP bara använder sig av linjära avskrivningar. Rapporteringen enligt IAS 16 uppfyller de kvalitativa egenskaperna för båda företag förutom i WSP som uppfyller jämförbarheten bara till en viss grad.

Siliciumkarbid (SiC) und Siliciumnitrid (Si3N4) zeichnen sich durch hervorragende mechanische, thermische und chemische Materialeigenschaften und, insbesondere für das SiC, durch niedrige Kosten aus. Da beide Werkstoffe inkongruent schmelzen, können sie in reiner Form spritztechnisch nicht verarbeitet werden. Es werden metallurgische Lösungskonzepte erarbeitet, die darauf abzielen, die Hartstoffe zu benetzen und die Reaktivität herabzusetzen. Durch den Einsatz von Verbundpulvern besteht die Möglichkeit die Hartstoffpartikel gegen die rein thermisch induzierte Zersetzung beim spritztechnischen Verarbeiten weitgehend zu schützen. Zum Herstellen der Verbundpulver werden im Rahmen der experimentellen Untersuchungen unterschiedlichen Herstellungsverfahren eingesetzt. Unter Ausnutzen der prozessspezifischen Charakteristika der unterschiedlichen thermischen Spritzverfahren werden die so hergestellten Verbundpulver zu dichten, fest haftenden und hoch hartstoffhaltigen Spritzschichten verarbeitet. Neben der metallographischen Charakterisierung der Verbundschichten hinsichtlich Schichtmorphologie werden zudem die mechanisch-technologischen und chemisch-technologischen Eigenschaften untersucht.

This paper studies the possibility of building a modular multilevel converter (M2C) using silicon carbide (SiC) switches. The main focus is on a theoretical investigation of the conduction losses of such a converter and a comparison to a corresponding converter with silicon-insulated gate bipolar transistors. Both SiC BJTs and JFETs are considered and compared in order to choose the most suitable technology. One of the submodules of a down-scaled 3 kVA prototype M2C is replaced with a submodule with SiC JFETs without antiparallel diodes. It is shown that the diode-less operation is possible with the JFETs conducting in the negative direction, leaving the possibility to use the body diode during the switching transients. Experimental waveforms for the SiC submodule verify the feasibility during normal steady-state operation. The loss estimation shows that a 300 MW M2C for high-voltage direct current transmission would potentially have an efficiency of approximately 99.8% if equipped with future 3.3 kV 1.2 kA SiC JFETs. / © 2011 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.QC 20111220

No description available.

Está quedando claro que el tracto gastrointestinal no es un órgano pasivo sino que posee importantes funciones endocrinas, metabólicas, inmunológicas y de barrera junto a las de absorción de nutrientes. En situaciones normales la mucosa gastrointestinal íntegra ejerce una función de barrera para las bacterias y endotoxinas intraluminales, pero en determinadas circunstancias estas bacterias pueden alcanzar inicialmente los ganglios linfáticos mesentéricos e invadir los tejidos extraintestinales, constituyendo lo que se conoce como Translocación bacteriana (TLB) concepto ya expuesto por FINE en la década de los sesenta como reservorio de infecciones sistémicas en pacientes de alto riesgo y origen del Fracaso multiorgánico (FMO), no fué tenida en consideración. CONCEPTO DE SINDROME DE INTESTINO CORTOSe conoce con el nombre de Síndrome de Intestino Corto (SIC) al conjunto de transtornos que se presentan en el organismo tras la práctica de resecciones masivas del intestino delgado, en las que pueden incluirse total o parcialmente el colon. El término de resección masiva intestinal está en discrepancia según distintos autores, siendo la más aceptada aquella que sobrepasa los 2/3 de su longitud, y puede ser tolerada, pero si excede las 3/4 partes, aparece un cuadro clínico denominado síndrome de intestino corto (SIC). Para llevar una vida razonable debe quedar un remanente entre 90 y 120 cm, adquiriendo gran importancia conservar la vávula ileocecal por sus consecuencia metabólicas derivadas y afectarán: a) a la frecuencia y composición cualitativa de las deposiciones. b) A la secreción intestinal. c) a la secreción gástrica. d) a la secreción biliopancreática y e) A los procesos absortivos de estos órganos. Procesos que pueden ser causa de un SIC- Resección Masiva del Intestino Delgado: Oclusión vascular mesentérica, vólvulos, enfermedad de Crohn, neoplasias, traumatismos, hernias internas.- Operaciones de Cortocircuito Intestinal: Por obesidad morbosa y/o hipercolesterinemia, gastroileostomía inadvertida y fístulas internas.- Afecciones extensas del Intestino Delgado: Enfermedad de Crohn, carcinomatosis, atresias intestinales múltiples.Mientras que la resección de segmentos de pequeña longitud es bien tolerada y no se producen consecuencias detectables, en los casos de resecciones amplias se observan alteraciones específicas que pueden poner en peligro la vida del paciente de no proporcionársele algún método adicional para mantener un estado nutritivo adecuado. Así pues, el resultado de una resección intestinal dependerá: 1.- De la extensión de la resección,2.- De la extirpación del ileon terminal (funciones muy específicas de la absorción),3.- De la función del intestino residual con presencia o ausencia de la válvula ileocecal, y 4.- De la capacidad del intestino residual para adaptarse, desde el punto de vista morfológico y funcional.Ya que la longitud media real del intestino es considerable y muy variable, la longitud absoluta del segmento no resecado puede no revestir importancia. De hecho el factor más importante es la longitud del intestino residual en forma de % de la longitud total del intestino. Resección Proximal y Resección Distal Aproximadamente la mitad de la mucosa disponible, unos 100 m2 (SCHMIDT 1965), se encuentra en el 1/4 proximal del intestino delgado. La superficie va disminuyendo progresivamente desde la región proximal a la distal.El Yeyuno es esencialmente importante para la absorción de hierro, calcio, ácido fólico, vitaminas, etc.En el Ileon se encuentran mecanismos importantes de transporte para la absorción activa de sales biliares y de vitamina B12, por lo que dependiendo de la amplitud de la reseción puede ocasionarse malabsorción de dicha vitamina y eliminación de ácidos biliares hacia el colon (al quedar interrumpida la circulación enterohepática)lo tendrá varias consecuencias:1. Diarrea (diarrea de ácidos biliares).2. Esteatorrea.3. Litiasis biliar incrementada (DOWLING et al, 1972).4. Urolitiasis debida a Hiperoxaluria.Toda resección intestinal conduce a nivel del intestino residual a modificaciones estructurales, cinéticas y funcionales. Estos fenómenos están bajo la dependencia de factores aún no totalmente conocidos interfiriendo fenómenos de regulación intrínseca, factores intraluminales o factores humorales.Cuadro ClínicoEl síntoma principal es la diarrea, que inicialmente es muy importante y debida: a) Los hidratos de carbono por la acción bacteriana del colon pueden convertirse en ácidos grasos de cadena corta provocando así diarrea, como resultado de la elevada osmolaridad y el bajo pH del contenido intestinal. b) El paso de AB al colon en sus formas deshidroxiladas altera la absorción de éste y puede desencadenar diarrea. c) El crecimiento excesivo de bacterias como resultado de la pérdida de la válvula ileocecal, tambien puede provocar diarrea de ácidos biliares y esteatorrea (MEKHJIAN et al, 1971). d. La hipersecreción ácida puede agravar el cuadro. Nutrición postoperatoriaEl SIC se manifiesta por diarrea intensa y desnutrición consecutivas a la pérdida de la capacidad de absorción del intestino residual.Hay tres fases postoperatorias en él. La primera es un periodo de pérdida de líquidos y electrolitos por diarrea intensa. Puede no manifestarse hasta que se inicia la alimentación oral. La diarrea acuosa disminuye gradualmente de uno a tres meses pudiendo permanecer alto el volumen fecal.La segunda fase es el periodo en el que ocurre en gran medida la adaptación del intestino remanante. La diarrea suele estabilizarse pudiendo lograrse un balance positivo de líquidos y electrolitos mediante la ingesta. Sin embargo la grasa se absorbe mal y pueden aparecer deficiencias de calcio y magnesio.En la tercera fase, de adaptación total, puede alcanzarse un balance positivo de todos los nutrientes con la alimentación oral. No en todos los casos se llega a ésta última y si se consigue dicha adaptación suele requerirse nutrición parenteral de 3 á 12 meses e incluso más tiempo.Durante la primera fase el único medio de alimentación posible es la nutrición parenteral total (NPT).

This report is the result of a diploma work made at Linköping University from August 2006 till September 2007 by Erik Lundin, under the guidance of Doctor Mike Andersson and Professor Anita Lloyd Spetz. Its purpose was to find suitable materials for the construction of an oxygen sensor. The hope was not to construct such a sensor, but to investigate materials that may be suitable in creating one. In the preparatory time period of the diploma work, different papers and books were studied in order to get a proper understanding of the sensor mechanism. During this period of time, a design proposal was made and the theory behind it is presented in this thesis. The main objective in this thesis has been to investigate the response of field effect devices to oxygen and other gases that are compounds in exhaust or flue gases. Devices were created by employing the materials which were investigated. Special material combinations were proposed for field effect devices suitable for oxygen detection by Doctor Mike Andersson. One material combination showed promising results for selective detection of the oxygen concentration in exhaust gases. / This diploma work has been confidential

In this thesis, mechanical and electronic properties of a (4,4) SiC nanotube under different tensile strain were investigated by density functional theory (DFT) calculation. The HOMO-LUMO gap of nanotube will significantly decrease linearly with the increase of axial strain. Two different slopes are found before and after an 11% strain in the profile of HOMO-LUMO gap versus strain. The partial density of states, bond order and electronic deformation density were discussed for demonstrating the strain effect on the electronic properties of SiC nanotube under axial strain. The adsorption mechanism of CO on SiC nanotubes with different axial strains as well as the charge distributions after the adsorption were also discussed.