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301

Evaluación Técnico-Económica del uso de Compensadores Estáticos de Reactivos en Transmisión

Alegría Meza, Alex January 2007 (has links)
No description available.
302

Integración de un Enlace HVDC al Control de Frecuencia del SIC

Milani Torres, Francesca Gemita January 2011 (has links)
No description available.
303

Fundamental Study on SiC Metal-Insulator-Semiconductor Devices for High-Voltage Power Integrated Circuits / 高耐圧パワー集積回路を目指したSiC金属-絶縁膜-半導体素子の基礎研究 / コウタイアツ パワー シュウセキ カイロ オ メザシタ SiC キンゾク - ゼツエンマク - ハンドウタイ ソシ ノ キソ ケンキュウ

Noborio, Masato 23 March 2009 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14628号 / 工博第3096号 / 新制||工||1460(附属図書館) / 26980 / UT51-2009-D340 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 鈴木 実, 教授 藤田 静雄 / 学位規則第4条第1項該当
304

Isopolytypic Growth of Nonpolar 4H-AlN on 4H-SiC and Its Device Applications / 4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用 / 4H-SiC ムキョクセイメン キバンジョウ エ ノ ドウイツ ポリタイプ オ ユウスル 4H-AlN セイチョウ ト デバイス オウヨウ

Horita, Masahiro 23 March 2009 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14632号 / 工博第3100号 / 新制||工||1461(附属図書館) / 26984 / UT51-2009-D344 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 野田 進, 教授 川上 養一 / 学位規則第4条第1項該当
305

Characterization of SiC Power Transistors for Power Conversion Circuits Based on C-V Measurement / SiCパワートランジスタのC-V測定に基づく電力変換回路のための特性評価

Phankong, Nathabhat 24 September 2010 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第15668号 / 工博第3326号 / 新制||工||1502(附属図書館) / 28205 / 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 / (主査)教授 引原 隆士, 教授 木本 恒暢, 教授 和田 修己 / 学位規則第4条第1項該当
306

High Frequency Switching of SiC Transistors and its Applications to In-home Power Distribution / SiCトランジスタの高周波スイッチングとその家庭内電力配電への応用

Takuno, Tsuguhiro 26 March 2012 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第16855号 / 工博第3576号 / 新制||工||1540(附属図書館) / 29530 / 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 / (主査)教授 引原 隆士, 教授 木本 恒暢, 教授 小野寺 秀俊 / 学位規則第4条第1項該当
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Interface Control of AlGaN/SiC Heterojunction and Development of High-Current-Gain SiC-Based Bipolar Transistors / AlGaN/SiCヘテロ接合界面制御および高電流増幅率SiC系バイポーラトランジスタの実現

Miyake, Hiroki 26 March 2012 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第16862号 / 工博第3583号 / 新制||工||1541(附属図書館) / 29537 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当
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Fundamental Study on Wide-Bandgap-Semiconductor MEMS and Photodetectors for Integrated Smart Sensors / 高機能集積センサ実現に向けたワイドギャップ半導体MEMSおよび光検出器の基礎研究

Watanabe, Naoki 25 March 2013 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17578号 / 工博第3737号 / 新制||工||1570(附属図書館) / 30344 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 後藤 康仁 / 学位規則第4条第1項該当
309

Etude de la relation microstructure-propriétés de revêtements ultra-réfractaires mis en forme par projection plasma : application à la protection de composites / Study of the relationship between microstructure and properties of ultra-refractory coatings performed by plasma spraying : application to composites protection

Barré, Charlotte 17 September 2015 (has links)
Afin de pallier les faiblesses des composites face à l’oxydation à très haute température (> 2000 °C) dans le domaine aérospatial, une solution est de les protéger par un revêtement. La solution proposée au cours de cette étude consiste à mettre en forme ce revêtement par projection plasma. Après une étude bibliographique, une composition adaptée à la protection anti-oxydation a été retenue. Celle-ci est constituée d’un matériau ultra-réfractaire le ZrB2, auquel du SiC est ajouté. Un additif a également été sélectionné, l’oxyde de terre-rare Y2O3. Ces revêtements ont été développés via le procédé de projection plasma sur des substrats en composites. Une attention particulière a été portée sur la réalisation de dépôts aux microstructures variées, afin de pouvoir évaluer l’influence de celle-ci sur les propriétés à très haute température. En effet, les revêtements ainsi réalisés ont pu être testés dans des conditions très sévères, à des températures supérieures à 2200 °C sous un flux gazeux comportant des espèces dissociées (O, OH…). Les résultats ont permis de discriminer les microstructures et les compositions les plus prometteuses au vu des applications visées. / In order to overcome composite weakness against oxidation at very high temperature (> 2000 °C), a solution would be to coat them, which can be done potentially by plasma spraying. After a bibliographic study, a specific composition has been chosen: ZrB2-SiC. A potential additive, Y2O3, also has been selected. These coatings were developed by plasma spraying directly on composite substrates. A particular attention was given to the microstructure of the coatings, different kinds were prepared in order to look for its influence on the high temperature properties. Indeed, these coatings were tested under temperature higher than 2200 °C and a very oxidative and corrosive atmosphere. Results allowed distinguishing the most promising compositions and microstructure considering applications in the aerospace field.
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In situ and ex situ characterization of the ion-irradiation effects in third generation SiC fibers / Caractérisation in situ et ex situ des effets d'irradiation aux ions dans les fibres SiC de troisième génération

Huguet-Garcia, Juan Francisco 02 October 2015 (has links)
L'utilisation des fibres SiC Tyranno SA3 (TSA3) et Hi Nicalon S (HNS) pour le renforcement de composites céramiques dédiées aux applications nucléaires impose l'étude de leur stabilité microstructurale et de leur comportement mécanique sous irradiation. La cinétique d'amorphisation des fibres a été étudiée et comparée à celle d'un matériau modèle, 6H-SiC monocristallin, sans que des différences significatives puissent être observées. La dose seuil d'amorphisation totale a été évaluée à ~0,4 dpa à température ambiante et aucune amorphisation complète n'a pas être obtenue pour des températures d'irradiation supérieures à 200 ºC. Les échantillons amorphes ont ensuite été recuits thermiquement ce qui a conduit, pour des températures élevées, à leur recristallisation mais également à une fissuration et une délamination de la zone irradiée. Ce processus d'endommagement était activé thermiquement avec une énergie d'activation de 1,05 eV. En ce qui concerne le comportement mécanique, le fluage d'irradiation des fibres TSA3 a été étudié en utilisant une machine de traction in situ implantée sur deux plateformes d'irradiation aux ions. On montre que sous irradiation ces fibres se déforment en fonction du temps avec des chargements thermique et mécanique où le fluage thermique est négligeable. Cette déformation est plus élevée pour les faibles températures d'irradiation en raison d'un couplage entre le gonflement et le fluage d'irradiation. Pour des températures voisines de 1000 ºC, le gonflement devient négligeable ce qui permet l'étude spécifique du fluage d'irradiation dont la vitesse de déformation présente une dépendance linéaire au flux d'ions. / The use of Tyranno SA3 (TSA3) and Hi Nicalon S (HNS) SiC fibers as reinforcement for ceramic composites for nuclear applications requires the characterization of its structural stability and mechanical behavior under irradiation. Ion-amorphization kinetics of these fibers have been studied and compared to the model material, i.e. 6H-SiC single crystals, with no significant differences. For all samples, full amorphization threshold dose yields ~0.4 dpa at room temperature and complete amorphization was not achieved for irradiation temperatures over 200 ºC. Successively, ion-amorphized samples have been thermally annealed. It is reported that thermal annealing at high temperatures not only induces the recrystallization of the ion-amorphized samples but also causes cracking and delamination. Cracking is reported to be a thermally driven phenomenon characterized by activation energy of 1.05 eV. Regarding the mechanical irradiation behavior, irradiation creep of TSA3 fibers has been investigated using a tensile device dedicated to in situ tests coupled to two different ion-irradiation lines. It is reported that ion-irradiation (12 MeV C4+ and 92 MeV Xe23+) induces a time-dependent strain under loads where thermal creep is negligible. In addition, irradiation strain is reported to be higher at low irradiation temperatures due to a coupling between irradiation swelling and irradiation creep. At temperatures near 1000 ºC, irradiation swelling is minimized hence allowing the characterization of the irradiation creep. Irradiation creep rate is characterized by a linear correlation between the ion flux and the strain rate and square root dependence with the applied load.

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