Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo das sínteses de SiC e GaAsN obtidos, respectivamente, por implantação iônica de C em Si pré-implantado com He, e de N em substratos de GaAs. Uma camada de 110 nm de SiO2 foi depositada nos substratos antes do processo de implantação. Essa foi removida após a síntese, expondo as camadas à superfície. Para a síntese de SiC, substratos de Si préimplantados com He foram preparados a fim de gerar um estágio intermediário de substrato do ponto de vista de tensão exercida por esse na camada de SiC em síntese. Apresentamos diferenças entre a síntese do presente trabalho com as sínteses dos trabalhos anteriores, nos quais foram feitas a partir de Si bulk (tensão máxima) e a partir de SIMOX (sem tensão). Análises composicionais e estruturais foram feitas por Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS), Canalizacão (RBS/C) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM). Substratos pré-implantados com He nos levaram a uma redução na fluência mínima de C necessária para a síntese de uma camada de SiC estequiométrica, em comparação com o mesmo processo de síntese de SiC em SiO2/Si utilizando substratos de Si bulk. A fluência é comparável àquela necessária na síntese a partir de estruturas SIMOX, porém, a presente síntese apresentou uma importante melhora na qualidade estrutural. Na síntese de GaAsN por implantação de N em SiO2/GaAs, diferentes temperaturas de implantação foram utilizadas, partindo de temperatura ambiente até 500oC. Tratamentos térmicos em 850oC por 5 min foram feitos e diferenças estruturais foram extensamente estudadas por RBS, Fotoluminescência e TEM. Análise estrutural feita por TEM indica que a temperatura de implantação de 400oC é a mais adequada para a síntese de GaN cristalino. Temperaturas mais baixas que essa aumentam a tendência de formação de ligas GaAsN, no quais, para implantação em temperatura ambiente são amorfas. Condutividade tipo-p foi medida em ligas GaAsN:Mg obtidas por epitaxia de feixe molecular (MBE) e em amostras dopadas com Mg por implantação iônica em GaAsN amorfo obtido por MBE. Também exploramos a possibilidade de obtenção dessas ligas por co-implantação de N e Mg em substratos GaAs em temperatura ambiente. / Semiconductors with a large band gap have a wide application in the construction of devices that need to operate at high power, at high frequency and in hostile environments. In this work we present studies about the synthesis of SiC and GaAsN obtained by ion implantation of C into Si pre-implanted with He, and N into GaAs substrates, respectively. About 110 nm of SiO2 layer was deposited on all substrates previously to the implantation procedures. This layer was removed after synthesis revealing the synthesized layers to the surface. For the SiC synthesis, Si substrates pre-implanted with He were prepared in order to generate an intermediate stress stage as applied by the substrate on the epitaxial SiC in synthesis. We present differences between the current synthesis and those performed in in previous works, where synthesis started from Si bulk (maximum stress) and from SIMOX structures (no stress). Compositional and structural analyses were undergone by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS), Channeling (RBS/C) and Transmission Electron Microscopy (TEM). Si substrates pre-implanted with He led us to a reduction in the minimum C fluence required for synthesis of a stoichiometric SiC layer, compared to the same SiC synthesis process in SiO2/Si using Si bulk substrates. Such fluence is comparable to the one required for the synthesis started from SIMOX structures, but the present synthesis now demonstrates an important structural quality improvement. For the GaAsN synthesis by N ion implantation into SiO2/GaAs, the samples were kept at different implantation temperatures, starting from room temperature (RT) up to 500oC. Thermal treatments at 850oC during 5 min were performed and structural differences were extensively studied by RBS, Photoluminescence and TEM measurements. Structural analysis performed by TEM indicates that the implantation temperature of 400oC is more adequate for the synthesis of a crystalline GaN layer. Lower temperatures enhance the tendency to form GaAsN alloys, which is particularly amorphous for the RT implantation case. In addition, p-doping of GaAsN using Mg was also addressed. P-type conductivity was measured in GaAsN:Mg alloys obtained by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and in samples doped by Mg implantation into amorphous GaAsN grown by MBE. We also probed the possibility to obtain such allows by N and Mg co-implantation into GaAs substrates at room temperature.

Neste trabalho, realizamos medidas sistemáticas dos efeitos Hall e Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação das amostras a fim de investigar as propriedades de transporte elétrico de um gás bidimensional de elétrons (2DEG) confinado num poço-quântico de GaAs/InGaAs próximo a pontos-quânticos de InAs introduzidos na barreira superior do poço-quântico (GaAs). Nós não observamos qualquer degradação expressiva da mobilidade eletrônica devido a inserção deles na heteroestrutura. Contudo, observamos diferentes variações das mobilidades quânticas de amostra para amostra, as quais atribuimos ao acúmulo da tensão mecânica na camada de InAs. O comportamento das mobilidades quânticas e de transporte são discutidas no contexto da modulação local dos perfís das bandas de condução e de valência pela camada de InAs. / In this work, systematic Shubnikov-de Haas and Hall measurements as a function of the sample illumination time were used to investigate the transport properties of a two-dimensional electron gas (2DEG) confined in GaAs/InGaAs quantum wells and close to InAs quantum-dots placed in the GaAs top barrier. We did not observe any expressive degradation of the electronic mobility due to the insertion of them in the heterostructure. However, we observed a different change of the quantum mobility of the occupied subbands from sample to sample, which was attributed to the accumulation of mechanical strain in the InAs layer. The behavior of the quantum and transport mobilities are discussed in the context of the local modulation of the band edges by the InAs layer.

O objetivo deste trabalho é a produção e caracterização de filmes finos de Zircônia (ZrO2) dopada com íons terras raras Er3+, Pr3+ estabilizante de fase y3+. Os filmes foram produzidos por evaporação térmica através de canhão de elétrons (EB-PVD) em um sistema não comercial de evaporação desenvolvido em nosso laboratório, onde conseguimos produzir de maneira eficiente e com boa qualidade filmes de até 7,0 pm de espessura. Além da Zircônia na forma de filmes finos, investigamos também pastilhas policristalinas e fibras monocristalinas de ZrO2 fazendo um estudo em paralelo do material nos três grupos de amostras, observando os efeitos estruturais e de luminescência em relação a configuração (monocristalina ou policristalina) de cada amostra. As pastilhas de Zircônia dopada foram produzidas por prensagem e sinterização dos pós dos componentes óxidos metálicos com a finalidade de serem evaporadas por canhão de elétrons para a produção dos filmes, e verificamos intensa luminescência nestas amostras quando excitadas por Laser. As fibras monocristalinas foram produzidas pela técnica de LHPG (Laser Heated Pedestal Growth) onde obtém-se um monocristal de Zircônia pela fusão a Laser de CO2, da cerâmica na forma de bastões. Como pouca informação sobre filmes finos de Zircônia dopada com Terras Raras foi reportada até agora, nossa atenção fica voltada sobre a caracterização do material através de microscopia eletrônica e difração de Raio-X como também medidas de luminescência. / The aim of this work is the production and characterization of Rare Earth Stabilized Zirconia (RESZ) and Rare Earth Yttria Stabilized Zirconia (RE-YSZ) thin films. Thin films were produced by Electron Beam Gun (EB-PVD) in a non commercial evaporation system developed in our laboratory, where we have efficiently produced good Zirconia thin films up to 7.0 pm in thickness. Doped Zirconia pellets and single crystal fibers were investigated in a parallel study with the thin films and the luminescent and structural behavior of these materials have been analyzed. The pellets were produced by pressing and sintering the mixed oxides powders and it was used as evaporation source for thin film production in the electron beam gun, and intense luminescence was observed in these samples when excited by Laser. The single crystal fibers were obtained by Laser Heated Pedestal Growth (LKPG) method, using ceramic extruded rods that were fused by C02 Laser. As few information on Rare Earth Doped Zirconia thin films were reported, we have focused our attention on the structural characterization through electron microscopy and X-Ray diffraction as also luminescence.

As propriedades ópticas de nanocristais de silício (Si-ncs) têm sido extensivamente estudadas após a primeira demonstração em 1990 de fotoluminescência altamente eficiente em silício poroso. Apesar dos progressos no entendimento da natureza da alta eficiência da luminescência dos Si-ncs e da enorme versatilidade para aplicações optoeletrônicas, este campo ainda é um tema de controvérsia devido à complexidade destes materiais. Além disso, as condições de preparação ainda afetam as propriedades de emissão destes materiais que são de fundamental importância para as aplicações tecnológicas. O presente trabalho teve como objetivo o estudo das propriedades óticas dos Si-ncs e entender os processos fotofisicos envolvidos na recombinação radiativa de éxcitons altamente confinados nesse sistema. Si-ncs embebidos em matriz amorfa de SiO2 foram preparados a partir de filmes de oxido de silício SiyO1-y subestequiométricos (y≥1/3) depositados em substratos de quartzo utilizando um sistema deposição CVD na fase estimulada por plasma (electron cyclotron resonance-plasma enhanced chemical vapor deposition ou ECR-PECVD). Esta técnica oferece boa passivação e estabilidade interfacial Si/SiO2. O tratamento térmico a altas temperaturas (900°C≤Ta≤1100°C) promove a precipitação do silício dentro da matriz, favorecendo um processo de nucleação e crescimento dos Si-ncs. Foram realizados tratamentos térmicos nos filmes sob atmosferas de Argônio (Ar) ou (Ar+5%H2) por duas horas. As distintas atmosferas promoveram a passivação de defeitos superficiais, principalmente de ligações pendentes pelo Hidrogênio. As propriedades associadas diretamente à fabricação, tais como estrutura cristalina, morfologia, tamanho e química da superfície dos Si-ncs foram correlacionadas com os processos de emissão envolvendo éxcitons. A caracterização estrutural foi realizada por Raio-x (XRD), Microscopia de Transmissão de Alta Resolução (HRTEM), Retroespalhamento de Rutherford e Espectroscopia Raman. As medidas óticas foram basicamente Absorção, Excitação Seletiva, Fotoluminescência CW (PL) e Fotoluminescência Resolvida no Tempo. Os resultados da caracterização indicaram que efeitos de confinamento quântico e de estados de superfície dominam o processo de recombinação no Si-nc/SiO2. Em conclusão, os resultados obtidos neste trabalho mostram uma interessante e uma nova correlação entre as condições de fabricação da amostra e os processos de recombinação de éxcitons em Si-nc/SiO2. Todos estes resultados desafiam modelos anteriores propostos para explicar as propriedades ópticas do sistema de Si-nc/SiO2 e prevê ajudar na futura aplicação tecnológica dos mesmos. / The optical properties of silicon nanocrystals (Si-nc) have been extensively studied after the first demonstration in 1990 of highly efficient photoluminescence in porous silicon. Despite progress in understanding the nature of high luminescence efficiency of Si-ncs and versatility for optoelectronic applications, this field is still a subject of controversy due to its complexity. Furthermore, the preparation conditions still affect the emission properties of these materials that are of fundamental importance for technological applications. This work aimed to study the optical properties of Si-ncs and to understand the photophysical processes involved in the radiative recombination of excitons strongly confined in this system. Si-ncs embedded in amorphous SiO2 were prepared from silicon oxide films of substoichiometric SiyO1-y (y≥1/3) deposited on quartz substrates using a CVD deposition system in phase stimulated by plasma (electron cyclotron resonance-plasma enhanced chemical vapor deposition ou ECR-PECVD). This technique provides good passivation and Si/SiO2 interfacial stability. The thermal treatment at high temperatures (900°C≤Ta≤1100°C) promotes the precipitation of silicon within the matrix, favoring a process of nucleation and growth of Si-ncs. The thermal treatments were performed in the films under Argon atmosphere (Ar) or (Ar+5%H2) for two hours. The use of different atmospheres allowed the understand of the passivation process of surface defects, particularly of dangling bonds by Hydrogen. The properties directly related to fabrication such as crystalline structure, morphology, size and surface chemistry of Si-ncs were correlated with emission processes involving excitons. The structural characterization was performed by X-Ray Diffraction (XRD), High resolution transmission electron microscopy (HRTEM), Rutherford Backscattering and Raman spectroscopy. The optical measurements were basically Absorption, Selective excitation, CW photoluminescence (PL) and Time Resolved Photoluminescence. The characterization results indicate that both quantum confinement and surface states effects dominate the recombination process in Si-ncs/SiO2. In conclusion, the results obtained in this work show an interesting and a novel correlation between the sample fabrication conditions and the exciton recombination process in Si-ncs/SiO2. All these results challenges previous models proposed to explain the optical properties of Si-nc systems and are expected to help further technological applications of this system.

Processos fotofísicos em polímeros conjugados estão intimamente relacionados com a conformação dos segmentos moleculares. Filmes finos de polímeros conjugados apresentam uma anisotropia intrínseca resultante da conformação dos segmentos moleculares tornando esses materiais atrativos em estudos fotofísicos pela emissão polarizada apresentada quando excitado via radiação eletromagnética ou sob aplicação de uma diferença de potencial elétrico. Neste trabalho procuramos correlacionar o espectro de emissão fotoluminescente de filmes finos de um derivado do polifluoreno, nominalmente poli(9,9-dioctilfluorenil-2-7-diil) terminado com dimetilfenil, com sua anisotropia molecular. Filmes finos mecanicamente estirados sofrem um processo de reordenamento molecular induzindo a emissão de luz polarizada predominantemente na direção de estiramento. O estiramento ocasiona ainda um aumento no comprimento de conjugação efetivo dos segmentos moleculares influenciando no acoplamento elétron-fônon. Através da técnica de elipsometria, foi possível determinar os estados de polarização da luz (através dos parâmetros de Stokes) e medidas de fotoluminescência estacionária dependente da temperatura nos possibilitou aferirmos sobre o acoplamento elétron-fônon a partir do Princípio de Franck-Condon. Medidas de fotoluminescência de excitação (PLE) determinou que o espectro da PL consiste da sobreposição espectral de duas espécies emissoras: a espécie isolada e a espécie agregada. Para baixas temperaturas a PL apresenta picos de emissão bem definidos como resultado da dinâmica molecular do PFO correspondendo ao favorecimento de emissão da espécie isolada. Para temperaturas acima da temperatura de transição \'beta\' (~270 K), a emissão da espécie agregada é favorecida, ocorrendo uma possível transferência de energia da espécie isolada para a agregada. O estiramento induz um aumento do comprimento de conjugação, refletido na diminuição do fator de Huang-Rhys, \'S IND. ISO\'POT. LO\'|140 K = 0,40 para amostra não estirada e \'S IND. ISO\'POT.2LO\'| 140 K = 0,19 para a amostra com a maior taxa de estiramento, tornando o espectro mais resolvido. Amostras não estiradas sob excitação paralela ao estiramento apresentaram polarização total de emissão P = 3,4% linearmente paralela ao estiramento e anisotropia de fluorescência de r = 0,025 e amostras com estiramento L = 2Lo apresentaram P = 46,1% de emissão polarizada ao longo da direção de estiramento e uma anisotropia de fluorescência de r = 0,27. A emissão polarizada mostrou ser independente da temperatura. A anisotropia de fluorescência mostrou ser fortemente dependente do estiramento e da anisotropia para temperaturas acima de 340 K, temperatura característica de um inicio de transição de fase do PFO. / Photophysics processes in conjugated polymer are closely related with the molecular segments conformation. Conjugated polymers thin films has shown an intrinsic anisotropy due to the molecular segments conformation making this materials attractive in photophysics studies by its polarized emission when stimulated by light or biased. In this work, we correlated the photoluminescence spectra of a derivative PFO polymer thin films, namely poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl) end capped with dimethylphenyl, with the molecular anisotropy. Mechanically stretched thin films undergo a molecular rearrangement process of inducing emission of light predominantly polarized in the direction of stretch. The stretching also causes an increase in the effective conjugation length of the molecular segments influencing the electron-phonon coupling. By ellipsometry technique, it was possible to determine the polarization states of light (by the Stokes parameters) and temperature dependent stationary photoluminescence measurements enabled us to get the electron-phonon coupling from the Franck-Condon principle. Measurements of photoluminescence excitation (PLE) have determined that the PL spectrum consists of spectral overlap of the two emitting species: the isolated and aggregated species. At low temperatures the PL emission peaks has presented well-defined as a result of PFO molecular dynamics favoring the emission of the isolated species. For temperatures above the transition beta temperature (270 K), the emission of aggregated species is favored, causing a possible energy transfer isolated to aggregate species. The stretching induces an increase in the conjugation length, reflected in the decreasing Huang-Rhys factor \'S IND. ISO\' POT. LO\'|140 K = 0,40 to non-stretched samples and \'S IND. ISO\' POT. 2Lo\'| 140 K = 0,19 for the sample with the highest draw ratio, making the spectrum more resolved. Unstretched samples under polarized excitation parallel to the stretching showed total polarized emission P = 3,4% linearly parallel to the stretching and fluorescence anisotropy of r = 0,025 and the L = 2Lo samples showed P = 46,1% of polarized emission along the direction of stretching and fluorescence anisotropy r = 0,27. The polarized emission was found to be independent of temperature. The fluorescence anisotropy was found to be strongly dependent of stretching rates and for temperatures above 340 K, a characteristic onset temperature of phase transition of the PFO.

Semicondutores de gap de banda grande possuem um vasto campo de aplicação na construção de dispositivos que necessitam operar em alta potência, em alta frequência e em ambientes hostis. Nesse trabalho apresentamos um estudo das sínteses de SiC e GaAsN obtidos, respectivamente, por implantação iônica de C em Si pré-implantado com He, e de N em substratos de GaAs. Uma camada de 110 nm de SiO2 foi depositada nos substratos antes do processo de implantação. Essa foi removida após a síntese, expondo as camadas à superfície. Para a síntese de SiC, substratos de Si préimplantados com He foram preparados a fim de gerar um estágio intermediário de substrato do ponto de vista de tensão exercida por esse na camada de SiC em síntese. Apresentamos diferenças entre a síntese do presente trabalho com as sínteses dos trabalhos anteriores, nos quais foram feitas a partir de Si bulk (tensão máxima) e a partir de SIMOX (sem tensão). Análises composicionais e estruturais foram feitas por Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS), Canalizacão (RBS/C) e Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM). Substratos pré-implantados com He nos levaram a uma redução na fluência mínima de C necessária para a síntese de uma camada de SiC estequiométrica, em comparação com o mesmo processo de síntese de SiC em SiO2/Si utilizando substratos de Si bulk. A fluência é comparável àquela necessária na síntese a partir de estruturas SIMOX, porém, a presente síntese apresentou uma importante melhora na qualidade estrutural. Na síntese de GaAsN por implantação de N em SiO2/GaAs, diferentes temperaturas de implantação foram utilizadas, partindo de temperatura ambiente até 500oC. Tratamentos térmicos em 850oC por 5 min foram feitos e diferenças estruturais foram extensamente estudadas por RBS, Fotoluminescência e TEM. Análise estrutural feita por TEM indica que a temperatura de implantação de 400oC é a mais adequada para a síntese de GaN cristalino. Temperaturas mais baixas que essa aumentam a tendência de formação de ligas GaAsN, no quais, para implantação em temperatura ambiente são amorfas. Condutividade tipo-p foi medida em ligas GaAsN:Mg obtidas por epitaxia de feixe molecular (MBE) e em amostras dopadas com Mg por implantação iônica em GaAsN amorfo obtido por MBE. Também exploramos a possibilidade de obtenção dessas ligas por co-implantação de N e Mg em substratos GaAs em temperatura ambiente. / Semiconductors with a large band gap have a wide application in the construction of devices that need to operate at high power, at high frequency and in hostile environments. In this work we present studies about the synthesis of SiC and GaAsN obtained by ion implantation of C into Si pre-implanted with He, and N into GaAs substrates, respectively. About 110 nm of SiO2 layer was deposited on all substrates previously to the implantation procedures. This layer was removed after synthesis revealing the synthesized layers to the surface. For the SiC synthesis, Si substrates pre-implanted with He were prepared in order to generate an intermediate stress stage as applied by the substrate on the epitaxial SiC in synthesis. We present differences between the current synthesis and those performed in in previous works, where synthesis started from Si bulk (maximum stress) and from SIMOX structures (no stress). Compositional and structural analyses were undergone by Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS), Channeling (RBS/C) and Transmission Electron Microscopy (TEM). Si substrates pre-implanted with He led us to a reduction in the minimum C fluence required for synthesis of a stoichiometric SiC layer, compared to the same SiC synthesis process in SiO2/Si using Si bulk substrates. Such fluence is comparable to the one required for the synthesis started from SIMOX structures, but the present synthesis now demonstrates an important structural quality improvement. For the GaAsN synthesis by N ion implantation into SiO2/GaAs, the samples were kept at different implantation temperatures, starting from room temperature (RT) up to 500oC. Thermal treatments at 850oC during 5 min were performed and structural differences were extensively studied by RBS, Photoluminescence and TEM measurements. Structural analysis performed by TEM indicates that the implantation temperature of 400oC is more adequate for the synthesis of a crystalline GaN layer. Lower temperatures enhance the tendency to form GaAsN alloys, which is particularly amorphous for the RT implantation case. In addition, p-doping of GaAsN using Mg was also addressed. P-type conductivity was measured in GaAsN:Mg alloys obtained by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and in samples doped by Mg implantation into amorphous GaAsN grown by MBE. We also probed the possibility to obtain such allows by N and Mg co-implantation into GaAs substrates at room temperature.

Submitted by Rafael Santana (rafael.silvasantana@ufpe.br) on 2017-11-20T18:13:13Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 811 bytes, checksum: e39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34 (MD5) Dissertação Rodrigo_FINAL.pdf: 4486847 bytes, checksum: 16164eaa3748ca4b3daa8f16f390f82c (MD5) / Made available in DSpace on 2017-11-20T18:13:13Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 811 bytes, checksum: e39d27027a6cc9cb039ad269a5db8e34 (MD5) Dissertação Rodrigo_FINAL.pdf: 4486847 bytes, checksum: 16164eaa3748ca4b3daa8f16f390f82c (MD5) Previous issue date: 2015-03-06 / CNPQ, FACEPE, CAPES, INCT-INAMI / Este trabalho descreve a síntese de novos polímeros de coordenação utilizando o ácido 4,4’-sulfonildibenzóico (H2SDA) e os íons lantanídeos La3+ e Eu3+. Para a formação dos polímeros de coordenação, o H2SDA foi combinado com o sal Ln(NO3)3.6H2O (Ln = La ou Eu) em DMF, utilizando a metodologia de cristalização convencional. Os cristais obtidos utilizando o Lantânio e Európio, LaSDA e EuSDA respectivamente, apresentaram-se na forma de bastões alongados, com seis faces planas, incolores e transparentes. Uma diminuição na transparência é observada, na direção da cor esbranquiçada, à medida que o sólido é exposto ao ar. A espectroscopia de infravermelho evidencia a formação de um composto de coordenação, possuindo ligantes com modos de coordenação do tipo ponte. A difração de raios-X de monocristal para o LaSDA mostra a obtenção de um polímero de coordenação unidimensional, com formação de um sistema bimetálico, intercontectado por átomos de carbono, que se arranja na conformação de Paddle-Wheel. A difração de raios-X de pó não se mostrou satisfatória, entretanto pôde-se indicar que os padrões do LaSDA e do LaSDA simulado a partir dos dados de raios-X de monocristal possuem algumas similaridades. A comparação do LaSDA simulado e EuSDA sugere que eles não possuem a mesma estrutura cristalina. A espectroscopia de fotoluminescência revela informações sobre o comportamento do ligante no polímero de coordenação, por intermédio do espectro do composto LaSDA. Informações sobre o ambiente químico do íon Eu3+ foi determinado para o espectro do composto EuSDA. Este pôde ser classificado como possuindo um sítio de simetria sem centro de inversão, o que restringe o seu grupo pontual para C1, Cn, Cnv e Cs ou na direção de alguma simetria que se aproxime destas. Além disso, o EuSDA apresentou uma ótima eficiência quântica de emissão de 73% o que o caracteriza como um bom fósforo. A comparação dos espectros de emissão para os compostos EuSDA e o EuSDA* (material após remoção do solvente) mostra modificações no padrão de linhas que está relacionado com a mudança de simetria na vizinhança do íon Eu3+ após a remoção do DMF. / This work describes the synthesis of new coordination polymers using 4,4’-sulfonildibenzoic acid and the lanthanide íons La3+ and Eu3+. In order to form the coordination polymers, H2SDA was combined with the salt Ln(NO3)3.6H2O (Ln = La ou Eu) in DMF, under conventional, open crystallization conditions. Both LaSDA and EuSDA crystals were obtained as colorless, transparent and rectangular crystals. A decrease in transparency towards white is observed with exposure of either solid to air. Infrared spectroscopy demonstrates the formation of a coordination compound, with ligands coordinating through bridge-type modes. Single crystal X-ray diffraction for LaSDA shows that a one-dimensional coordination polymer was obtained, forming a bimetallic system connected through O-C-O moieties arranged in a paddle-wheel configuration. Powder X-ray diffraction was not satisfactory, but it indicated that the experimental pattern from LaSDA and the one simulated the single crystal data feature several similarities. Comparison between LaSDA and EuSDA suggests that they are not isostructural. Photoluminescence spectroscopy reveals informations on the behavior of the ligand in the coordination polymer by spectra of the LaSDA. Information on the chemical environment of Eu3+ was determined from the luminescence spectrum of EuSDA. It was inferred that it possesses a symmetry site without an inversion center, restricting its point group to C1, Cn, Cnv e Cs or some other symmetry similar to those. In addition, EuSDA presented good quantum efficiency of emission of 73%, characterizing it as a good phosphor. Comparison of the emission spectra for the compounds EuSDA and EuSDA* (material after undergoing solvent removal) showed changes in the line pattern, which is related to the change in symmetry around the ion Eu3+ after DMF removal.

Amostras nanoestruturadas do sistema SrTi1-xMnxO3 (STM) com x = 0%, 0.5%, 1%, 2.5%, 5% e 10% na forma de pó foram sintetizadas através do método dos precursores poliméricos. As propriedades térmicas, estruturais e ópticas das amostras STM calcinadas em diferentes temperaturas foram analisadas a temperatura ambiente através de técnicas de análise térmica, difração de raios-x, espectroscopia de absorção de raios-x e fotoluminescência. Os resultados obtidos através das técnicas de analise térmica mostraram que o íon manganês causa um efeito retardante, aumentando a temperatura onde ocorre o início da cristalização. Os resultados de DRX mostraram que no limite de solubilidade estudado, o íon manganês foi incorporado em solução sólida no sítio B na rede do SrTiO3 (ST), assumindo estados de oxidação entre +3,4 e +3,7, indicando que ocorre a criação de defeitos para compensação de cargas, mantendo a neutralidade elétrica do material. A análise dos espectros de fotoluminescência das amostras STM amorfas mostrou que o aumento da quantidade de manganês até 1% leva a um aumento da intensidade fotoluminescência em relação a amostra SrTiO3. Entretanto, a adição de manganês acima desta quantidade leva a uma diminuição pronunciada da intensidade fotoluminescente. Nas amostras amorfas não foi observada uma variação significativa da ordem local ao redor dos átomos de titânio bem como no estado de oxidação dos átomos de manganês à medida que a quantidade de manganês aumenta. Desta forma, a variação da intensidade fotoluminescente não pôde ser atribuída a estes fatores. O aumento da temperatura de calcinação leva a uma diminuição significativa da intensidade fotoluminescente. Uma análise dos espectros XANES medidos na borda K do titânio destas amostras mostrou que ocorre uma maior ordenação dos átomos de Ti nos octaedros de oxigênio [TiO6] a medida que a temperatura de calcinação aumenta, ou seja, à medida que aumenta o grau de cristalinidade das amostras. / Nanostructured SrTi1-xMnxO3 (STM) powder samples with x = 0%, 0.5%, 1%, 2.5%, 5% and 10% were synthesized by the polymeric precursors method. The thermal, structural and optical properties of STM samples heat-treated at different temperatures were analyzed by thermal analysis, X-ray diffraction, X-ray absorption spectroscopy and photoluminescence techniques. The thermal analysis results have shown that manganese ion causes a retarding effect, increasing the onset of the crystallization temperature. The XRD results showed that manganese ion is incorporated in a solid solution in the B site of the SrTiO3 (ST) network for the range of solubility studied, with oxidation states between +3.4 and +3.7, indicating the creation of charge compensation defects, keeping the materials electrical neutrality. The analysis of the photoluminescence (PL) spectra of the STM amorphous samples showed that the PL intensity increases when the amount of manganese is up to 1%. However, higher manganese concentrations leads to a pronounced decrease of the photoluminescence intensity. The amorphous samples showed no significant change of the local order around the titanium atoms, observed as well as in the oxidation state of the manganese atoms as the amount of manganese increases. Thus, the variation of the photoluminescence intensity cannot be explained by these factors. Increasing the calcination temperature leads to a significant decrease of the photoluminescence intensity. An analysis of the XANES spectra measured at the titanium K edge of these samples showed that as the calcination temperature increases, i. e., as it increases the degree of crystallinity, the ordering of the Ti atoms in the oxygen octahedra TiO6 of the samples increases.

Submitted by Cláudia Bueno (claudiamoura18@gmail.com) on 2015-10-16T19:39:29Z No. of bitstreams: 2 Dissertação - Lara Rossana Rastrelo - 2013.pdf: 2678778 bytes, checksum: 4329b26aff589960a1fe0857e0f08b6a (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Rejected by Luciana Ferreira (lucgeral@gmail.com), reason: Mesmo que não encontre o autor no currículo latters use apenas as iniciais do no nome do autor na citação. Nas instruções das teses e dissertações aparece: Nome em citações bibliográficas - esta instrução será para o item 25º PESSOA, J. M. on 2015-10-19T13:44:33Z (GMT) / Submitted by Cláudia Bueno (claudiamoura18@gmail.com) on 2015-10-19T17:01:38Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Dissertação - Lara Rossana Rastrelo - 2013.pdf: 2678778 bytes, checksum: 4329b26aff589960a1fe0857e0f08b6a (MD5) / Rejected by Luciana Ferreira (lucgeral@gmail.com), reason: Mesmo não tendo currículo latters use o nomes do autor abreviado na citação, ou seja, no lugar de RASTRELO, Lara Rossana. Síntese, caracterização e fotoluminescência de titanatos de cálcio dopados com íons Tm³+, Tb³+ e Sm³+. 2013. 64 f. Dissertação (Mestrado em Química) - Universidade Federal de Goiás, Catalão, 2013. USE: RASTRELO, L. R. Síntese, caracterização e fotoluminescência de titanatos de cálcio dopados com íons Tm³+, Tb³+ e Sm³+. 2013. 64 f. Dissertação (Mestrado em Química) - Universidade Federal de Goiás, Catalão, 2013. on 2015-10-20T10:53:09Z (GMT) / Submitted by Cláudia Bueno (claudiamoura18@gmail.com) on 2015-10-20T14:58:05Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Dissertação - Lara Rossana Rastrelo - 2013.pdf: 2678778 bytes, checksum: 4329b26aff589960a1fe0857e0f08b6a (MD5) / Approved for entry into archive by Cláudia Bueno (claudiamoura18@gmail.com) on 2015-10-20T15:18:37Z (GMT) No. of bitstreams: 2 license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Dissertação - Lara Rossana Rastrelo - 2013.pdf: 2678778 bytes, checksum: 4329b26aff589960a1fe0857e0f08b6a (MD5) / Made available in DSpace on 2015-10-20T15:18:37Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Dissertação - Lara Rossana Rastrelo - 2013.pdf: 2678778 bytes, checksum: 4329b26aff589960a1fe0857e0f08b6a (MD5) Previous issue date: 2013-12-06 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES / The photoluminescent properties (FL) has always aroused the interest of the scientific community, especially after the discovery of photoluminescence at room temperature, which favors applications in new optical-electronic devices. This work used the Polymeric Precursors Method to obtain CTO doped with rare earth ion: Tm3+, Tb3+ and Sm3+. The materials: CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% and CTO:Sm2%,Tb0,3%,Tm0,5% were calcined at temperatures of 450, 500, 550 and 600 ° C in order to correlate structural changes and photoluminescence emission. Other materials: CTO:Sm1,2%,Tm0,5%, CTO:Tm0,5%,Tb0,3%, CTO:Sm1,2%,Tb0,3%, CTO:Sm1,2%Tb0,3%, CTO:Tb0,3%, CTO:Tm0,5%, CTO:Sm1,2% and CTO:Sm2% were calcined at 600 ° C in order to comprehend the influence of rare earth ions in photoluminescence emission process. The structural organization of the materials over long distances CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% was correlated with the emission FL. The FL intensity can be linked directly to the structural system, and the material totally disorganized or completely organized does not present FL emission. The material CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% showed the highest intensity FL to materials heat treated at 500oC, while the material CTO:Sm2%,Tb0,3%,Tm0,5% showed the highest intensity FL to materials heat treated at 450 oC. The electronic transitions from rare earth ions was observed to the obtained materials. / A propriedade fotoluminescente (FL) sempre despertou o interesse da comunidade científica, principalmente a partir da descoberta da fotoluminescência a temperatura ambiente, o que favorece uma infinidade de aplicações em novos dispositivos óptico-eletrônicos. Neste trabalho sintetizaram-se pelo Método dos Precursores Poliméricos matrizes de CTO dopado com os íons Tm3+, Tb3+ e Sm3+. Os materiais: CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% e CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% foram calcinados nas temperaturas de 450, 500, 550 e 600ºC para a comparação de evolução estrutural e fotoluminescência. Outros materiais: CTO:Sm1,2%,Tm0,5%, CTO:Tm0,5%,Tb0,3%, CTO:Sm1,2%,Tb0,3%, CTO:Sm1,2%Tb0,3%, CTO:Tb0,3%, CTO:Tm0,5%, CTO:Sm1,2% e CTO:Sm2% foram calcinados a 600ºC para estudar a emissão apenas dos íons adicionados na matriz. A organização estrutural dos materiais a longa distância do CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% foi comparada com a emissão FL. A intensidade FL esta ligada diretamente ao ordenamento estrutural, se o material estiver totalmente desorganizado ou totalmente organizado não haverá emissão FL. O material CTO:Sm1,2%,Tb0,3%,Tm0,5% calcinado a 500ºC apresentou a maior intensidade FL. O material CTO:Sm2%,Tb0,3%,Tm0,5% quando calcinado a 450ºC apresentou a maior intensidade FL. Após a análise dos dados referentes à caracterização dos materiais foi possível atribuir às transições eletrônicas que ocorrem com os íons terras-raras e a influência da inserção de mais de um íon dopante na matriz titanato de cálcio na emissão FL.

Submitted by Luciana Ferreira (lucgeral@gmail.com) on 2015-11-19T13:11:08Z No. of bitstreams: 2 Dissertação - Marta Maria de Moura Bezerra - 2015.pdf: 3977918 bytes, checksum: ab4ba8605376cc354b49e3469830fa05 (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Approved for entry into archive by Luciana Ferreira (lucgeral@gmail.com) on 2015-11-19T13:13:15Z (GMT) No. of bitstreams: 2 Dissertação - Marta Maria de Moura Bezerra - 2015.pdf: 3977918 bytes, checksum: ab4ba8605376cc354b49e3469830fa05 (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-11-19T13:13:15Z (GMT). No. of bitstreams: 2 Dissertação - Marta Maria de Moura Bezerra - 2015.pdf: 3977918 bytes, checksum: ab4ba8605376cc354b49e3469830fa05 (MD5) license_rdf: 23148 bytes, checksum: 9da0b6dfac957114c6a7714714b86306 (MD5) Previous issue date: 2015-04-17 / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Goiás - FAPEG / In this work, the Praseodymium Stannate system was successfully synthesized by Polymeric Precursor Method. The crystallization temperature was evaluated by ATD and after calcination the material was characterized by XRD, spectroscopy in the infrared regions, spectroscopy in the region of UV-visible, scanning electron microscope(SEM) ,transmission electron microscope (TEM) equipped with an energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) and photoluminescent measures. In the interests of possible applicability of semiconductor in catalysis were made trials in the discoloration of the tartrazine. The precursor powders calcined at different temperatures (400 ° C versus time (4, 8 and 12 hours) and 600, 800 and 1000 ° C for 4 hours) are single phase according to a results of X-ray diffraction. The degree of crystallinity increased with the temperature according to the results of the Crystallite Size and FWHM. The energy of the "bandgap" were calculated from the reflectance curves in the UV and showed obtaining a Semiconductor (~ 2.0 eV). By TEM was observed nanoscale particles monophasic with no secondary phase. The structure and morphology assessed by SEM showed an agglomerate and porous material. The optical property showed a possible applicability of the studied material as photoluminescent. According to the value of the "forbidden band" and the porosity of the materials, photocatalytic tests were carried out on discoloration of the dye tartrazine. The results showed that the studied material is promising for catalysis. / Neste trabalho, o sistema de Estanato de Praseodímio foi sintetizado com sucesso pelo Método Precursor Polimérico. A temperatura de cristalização foi avaliada por DTA e depois de calcinação, o material foi caracterizado por DRX, espectroscopia nas regiões do infravermelho, espectroscopia na região de UV-visível, microscopia eletrônica de varredura(MEV), microscopia eletrônica de transmissão (MET) equipado com um raioX de energia dispersiva espectrômetro (EDS) e medidas fotoluminescentes. No interesse de uma eventual aplicabilidade do semicondutor em catálise foram feitos ensaios na descoloração da tartrazina. Os pós precursores calcinados a diferentes temperaturas (400 ° C em função do tempo (4, 8 e 12 horas) e 600, 800 e 1000 ° C durante 4 horas) são monofásicos de acordo com os resultados de difração de raios-X. O grau de cristalinidade aumentou com a temperatura de acordo com os resultados do tamanho de cristalito e FWHM. A energia da "banda proibida" foram calculadas a partir das curvas de reflectância no UV e mostrou obtenção de um semicondutor (~ 2.0 eV). Por MET foi observado partículas em nanoescala monofásicas sem fase secundária. A estrutura e morfologia avaliada por SEM revelou um aglomerado e material poroso. A propriedade óptica mostrou uma possível aplicabilidade do material estudado como fotoluminescente. De acordo com o valor de "banda proibida" e da porosidade dos materiais, testes fotocatalíticos foram realizados na descoloração do corante tartrazina. Os resultados mostraram que o material estudado é promissor para a catálise.