Le projet est une étude descriptive qui s'inscrit dans le cadre des activités de Québec en forme au sein du projet de formation professionnelle intitulé : Amélioration de la qualité de l'animation (AQUA). Il a ciblé plus de 183 enfants âgés de 8 à 12 ans, issus prioritairement de milieux économiquement défavorisés et inscrits aux activités de Québec en forme aux quatre coins du Québec. L'intérêt de ce projet est, d'une part, de décrire les caractéristiques et les composantes de la perception du sentiment de compétence des enfants et, d'autre part, de déterminer les besoins qui en découlent en vue d'ajuster les contenus et les approches pédagogiques de l'organisme afin d'aider les animateurs à mieux cibler leurs interventions. La perception du sentiment de compétence est un concept déterminant dans la vie des enfants et dans leur processus de développement. Le Questionnaire validé de perception de soi pour jeunes (QPSJ) a été utilisé pour évaluer la perception du sentiment de compétence des enfants âgés de 8 à 12 ans. Cet instrument présente l'avantage de faire une évaluation différenciée de l'estime de soi; il permet aussi d'évaluer le niveau de perception de compétence globale des jeunes et de faire état de la perception de compétence dans cinq domaines spécifiques de la vie. Les résultats de ce projet ont été analysés de façon descriptive en utilisant des outils statistiques. Le principal constat qui se dégage de l'analyse de ces résultats est le niveau moyen de la perception du sentiment de compétence chez les jeunes enfants inscrits aux activités de Québec en forme en considérant le score de 2,5 tel qu'il a été déterminé par Harter (1985). De plus, les enfants qui font des activités physiques et sportives au sein de ce programme semblent avoir une image positive d'eux-mêmes et disposent de plusieurs ressources personnelles et sociales de qualité. Enfin, la description des caractéristiques de perception de compétence permet aux animateurs d'ajuster et de concevoir des approches pédagogiques appropriées pour mieux soutenir le développement des enfants issus de milieux économiquement défavorisés.

Intitulé"Le regard chez Jean-Paul Sartr e: pur duel de violence entre consciences libres, ou solidarité généreuse?" ce mémoire a pour but d'analyser la conversion de la conscience chez le second Sartre des «Cahiers pour une morale». Dans ce livre, le philosophe redéfinit la notion de la liberté après avoir constaté l'impasse et l'échec vers lesquels menait l'ontologie. Nous voulons décortiquer minutieusement la violence dans le concept du"Regard" afin de savoir si la conversion de la conscience provient de la responsabilité et si elle entraîne manifestement une complicité des libertés? Ainsi nous démontrerons que l'ontologie sartrienne de"L'être et le néant" (1943) était vouée à un cul-de-sac, d'où la métamorphose obligée de l'auteur en 1947 qui a abordé la liberté sous un nouvel angle : la responsabilité. Le premier chapitre portera sur la réduction des consciences, le rapport à"Autrui" et les relations adoptées à son égard. Le second chapitre portera sur"Les carnets de la drôle de guerre", oeuvre par laquelle nous montrerons que Sartre était déjà visionnaire de la conversion de la conscience lorsqu'il ébauchait son existentialisme athée lors de la mobilisation en septembre 1939. Quant à eux, les"Cahiers pour une morale" s'intéresseront à la notion de responsabilité et aborderont la nature et le fondement, les motifs et les enjeux de la conversion de la conscience. Cette oeuvre propose une nouvelle définition de la liberté, basée sur la solidarité intersubjective. La liberté du second Sartre, qui vise à inclure"Autrui" et non plus à l'exclure catégoriquement est plus authentique puisqu'elle permet une solidarité des"Pour- Soi", tout en marquant le début d'une éthique existentielle.

Cette étude porte sur les relations entretenues entre les modalités de mise en scène de soi au cours des interactions et le processus de construction identitaire individuel. Elle vise à comprendre pourquoi certains acteurs sont plus enclins que d’autres à conformer leurs attitudes aux individus et situations qu’ils sont amenés à rencontrer. Pour ce faire, nous avons eu recours à des méthodes qualitatives comme quantitatives. L’analyse de discours sur soi, fondée sur la lecture d’autobiographies et récits de vie, a permis de souligner la part active des individus dans le processus d’autoconstruction mis en œuvre. La diffusion d’un questionnaire permettant de mesurer leurs capacités à modeler leur face en fonction des injonctions externes (le monitorage de soi) ainsi que leurs particularités identitaires objectives (critères sociodémographiques) comme subjectives (conscience de soi et estime de soi) a révélé, grâce aux scores ainsi relevés et aux traitements de variables qui en ont découlé, toute l’importance des facteurs sociaux dans la définition des comportements individuels. Ainsi, pour comprendre les spécificités individuelles en termes de présentation de soi comme d’identité il importe tout autant d’éclairer les ancrages sociaux des acteurs que la façon dont ils les traitent, ceci afin d’approcher au plus près du phénomène de « subjectivation de l’objectif » qu’ils mettent en œuvre pour se singulariser. Fort de ce résultat, une troisième analyse porte plus particulièrement sur la période d’émergence de l’âge adulte (de 18 à 27 ans) qui est marquée par une rupture avec les injonctions normatives relatives à l’enfance et l’adolescence sans être parfaitement associée aux exigences de l’âge adulte. Cet âge de la vie, qui accorde plus de libertés aux individus en matière d’expérimentations (notamment dans les domaines des études, du travail et des relations), est associé aux scores les plus élevés en monitorage de soi. Ce résultat conduit à établir un parallèle entre les conditions de vie des individus et les modalités d’adaptation de leurs faces. Autrement dit, et pour ce qui concerne la portée générale de cette recherche doctorale, l’expérience de vie au quotidien constitue le facteur principal de la plus ou moins grande tendance des acteurs à adopter et présenter les attitudes qu’ils considèrent comme attendues d’eux. / This study focuses on relations between self-presentation modalities during interactions and individual identity construction process. It aims to understand why certain people are more disposed than other to conform their attitudes to individuals and situations they are led to meet. To do this, we resorted in both qualitative and quantitative methods. The analysis of self-speech based on reading autobiographies and narratives of life led to underline the active part of individuals in the autoconstruction process implemented. The broadcasting of a questionnaire to measure their abilities to shape their face in regard to external injunctions (self-monitoring) and their objective identity peculiarities (sociodemographic criteria) as subjective (self-consciousness and self-esteem) revealed, thanks to the scores thus raised and the treatment of variables that resulted, all the importance of social factors on the definition of individual behaviors. Then, to understand individual specificities in terms of self-presentation as identity, it is equally important to light social anchors of actors as much as how they treat them, in order to approach in closer of “subjectivation of objective” phenomenon they implement to singularize themselves. Considering this result, a third analysis focuses more particularly on the emerging adulthood period (from 18 to 27 years old), which is marked by a rupture with normative injunctions related to childhood and adolescence without being perfectly associated to adulthood requirements. This period of life, which allows more freedom to individuals in terms of experimentations (in particular in the fields of studies, work and relationships), is associated with the highest scores in self-monitoring. This result leads us to establish a parallel between living conditions of individuals and the modalities of adaptation of their faces. In other words, and about the general scope of this doctoral research, daily life experience constitutes the main factor of more or less big tendency of actors in adopting and present the attitudes they consider as expected from themselves.

Le travail s'effectue sur six roman gabonais : "Parole de vivant" de Moussirou-Mouyama, "Histoire d'Awu" de Justine Mintsa, "Les Matitis" de Freddy Ndong Mbeng, "Au bout du silence" de Laurent Owondo, "La courbe du soleil" de Maurice Okoumba-Nkoghé, et "Fureurs et cris de femmes" d'Angèle Rawiri. La subjectivité se comprend dans un double sens : elle signifie que l'individu est sujet de l'action au sens grammatical du terme, et qu'il est en outre l'objet de cette action. Organisée en deux parties, la thèse étudie le déploiement de la subjectivité en tant que modèle romanesque et modèle anthropologique. En ce sens, la première partie s'applique à relever le fonctionnement autotélique du roman. La subjectivité romanesque s'exprime à travers la littérarité de chaque texte en se distinguant d'une tradition normative que semble exemplifier le roman. Les singularités langagières, la redistribution des valeurs à travers la persistance de thématiques qui ouvrent de nouveaux horizons de sens. Mais malgré leurs singularités, les romans gabonais se signalent d'abord par une "poétique du cliché" qui, non seulement reprend les thématiques traditionnelles, mais adopte aussi une écriture ayant un fort ancrage anthropologique. Sous cette double critique, la critique universitaire gabonaise s'est appesantie à démontrer d'abord l'absence de préoccupation stylistique puis un certain "minimalisme de la pensée". A la faveur d'une querelle portant sur "l'existence de la littérature gabonaise", cette dernière semble affirmer son hégémonie sur tous les autres genres. Deux régimes poétiques semblent s'opposer clairement : un régime de proximité anthropologique et un régime de distanciation maximal. Les romanciers semblent conduits par un impératif social où l'oeuvre signifie au premier degré. A l'opposé, la critique attend de l'oeuvre littéraire qu'elle déjoue les logiques narratives et sociales traditionnelles pour se hisser à un niveau critique conséquent. La controverse a toutefois permis au genre romanesque d'affirmer son hégémonie dans l'espace littéraire gabonais. La seconde partie aborde la question de la subjectivité au double plan éthique et politique. Les sociétés africaines, et la société gabonaise en particulier, ont vu s'étaler l'organisation sociale sous le primat de la collectivité. L'holisme communautaire vient signifier que les individus trouve leur sens à l'intérieur d'une totalité qui les transcende par ses normes. Celles-ci ont cours à travers les traditions, les mentalités, les rites et coutumes qui ont façonné des manières d'être et du vivre ensemble. Les changements structurels qui opèrent depuis l'envolée du capitalisme font apparaître chez les individus un "souci de soi" dont la priorité n'est plus la stabilité absolue de la collectivité. En effet, l'individu se signale comme sujet et laisse s'épanouir ses désirs et ses voeux. Toutefois, au risque de sevoir marginaliser, l'anticonformisme du sujet s'accomode encore avec une réappropriation de la raison objective qui permet de concilier les écarts du sujet et l'impératif communautaire. A travers l'étude des personnages, il apparaît que les tentatives du sujet n'ont pas touché à "l'ivresse de soi". L'expression de la subjectivité y est donc bien observable, allant jusqu'à des écarts sexuels. Même sur le plan politique, le sujet revendique de plus en plus d'espaces de liberté. Aussi renverse-t-il les pouvoirs qui méprisent le bien commun et la dignité d'Autrui. La subjectivité imprime ainsi sa volonté dans les relations intimes, dans l'espace social. Elle laisse entrevoir de la sorte une nouvelle "ère de l'individu" / The work is based on six Gabonese novels : "Parole de vivant" by Moussirou-Mouyama, "Histoire d'Awu" by Justine Mintsa, "Les Matitis" by Freddy Ndong Mbeng, "Au bout du silence" by Laurent Owondo, "La courbe du soleil" by Maurice Okoumba-Nkoghé, et "Fureurs et cris de femmes" by Angèle Rawiri. Subjectivity in this work means that not only the individual is subject, thus performs an action as shown in grammar but also that he is the object of the performed action too. The thesis deals with the analyses of the deployment of subjectivity as a fictional and anthropological pattern. It is split into two parts. The first part strives to point out the autotelic functioning of the novel. The fictional subjectivity is read through the literary feature of each text by distinguishing itself from a normative tradition that the novel seems to represent. The linguistic peculiarities, the redistribution of values through the persistence of themes which open up new horizons of sense. But in spite of their peculiarities, Gabonese novels distinguish themselves by a "poetic of cliché" which adopt not only the traditional themes but also a writing which is deeply rooted anthropologically. Through this double criticism, the Gabonese university criticism dwelt to demonstrate at first the absence of stylistic preoccupation then a certain "minimalism of the throught". On the debate on "the existence of the Gabonese literature", one retains that the Gabonese literature seems to assert her hegemony over all other genres. Two poetic regimes seem to oppose clearly : a regime of anthropological closeness and a regime of maximal distanciation. The novelists seem to be driven by a social obligation in which the novel must be read in its surface meaning. In contrast, the criticism expects from the literary work that it thwarts the traditional narrative and social logic to raise itself on a consequent critical level. The controversy however allowed the novel to assert its hegemony in the Gabonese literary space. The second part approaches the issue of subjectivity through the double ethical and political plan.Among African communities, and the Gabonese ones in particular, the social organization spreads out under the primacy of the community. The community holism means that the individuals find their essence inside a totality which transcends them by its standards. These standards are present in traditions, mentalities, rites and customs which shaped ways of being and living together. The structural changes which take place since the rise of capitalism create a "self concern" among the individuals whose priority is no longer the stability of the community by any means. Indeed, the individual distinguishes himself as subject and lets bloom his desires and his whishes. However, at the risk of being marginalized, the non-conformism of the subject still adapts with a re-appropriation of the objective reason which allows to reconcile the distances from the subject and the community obligations. Through the study of the characters, it seems that the attempts of the subject did not reach "the fullness of oneself". The expression of subjectivity is therein very welle noticeable, goingso far as to sexual infringement. Even on the political plan the subject claims for more and more spaces of freedom. Thus, he knocks down the powers which disdain the common property and the dignity of the others. Subjectivity therefore prints its will in the private relations and in the social space. So, it helps glimpse a new "era of the individual".

Neste trabalho foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX FD SOI MOSFET (Ultra-Thin-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo N, em sua aplicação como uma célula de memória 1T-DRAM, dando ênfase no estudo das polarizações e propostas de melhorias de desempenho para viabilizar sua aplicação como uma célula de memória. Dessa forma, foram analisados os efeitos das diferentes polarizações (de porta, de dreno e de substrato), bem como a influência da concentração de uma região de extensão de fonte e dreno menos dopada (LDD Lightly Doped Drain), nos principais parâmetros da referida memória. Assim, foram analisados alguns parâmetros da memória tais como tensão de disparo no dreno, margem de sensibilidade, janela de leitura e tempo de retenção, além dos mecanismos atuantes em cada estado da memória (escrita, leitura e repouso). Por fim, foram propostas algumas melhorias de desempenho para o tempo de retenção. Foi observado que o aumento da temperatura facilita a escrita na memória diminuindo a mínima tensão no dreno (até 72% para temperatura de 25 a 300°C, ficando limitada a 0,8V) e o tempo necessários para a escrita (até 95%), porém reduz a margem de sensibilidade (até 90%) e o tempo de retenção (até 2 ordens de grandeza). Verificou-se também que, apesar da menor espessura do filme de silício e do óxido enterrado aumentar a tensão no dreno necessária para ativar o efeito BJT (efeito bipolar parasitário), um potencial positivo no substrato pode reduzir este requisito (61% para tensão de substrato variando de 0 V até 1,5 V). Além disso, foi visto que pode haver uma geração ou uma recombinação de portadores, dependendo da tensão na porta durante o repouso, degradando o bit \'0\' ou \'1\'. Já a otimização da polarização de substrato demonstrou ser limitada pelo compromisso de ser alta o suficiente para ativar o efeito de corpo flutuante durante a escrita, sem prejudicar a leitura do \'0\'. Os resultados também demonstraram que a margem de sensibilidade é menos dependente da tensão do substrato que o tempo de retenção, levando a este último parâmetro ser considerado mais crítico. Com relação à leitura, maiores tensões no dreno resultaram na presença do efeito BJT também neste estado, aumentando a margem de sensibilidade (60%) e diminuindo o tempo de retenção (66%) e o número de leituras possíveis sem atualização do dado (de mais de 30 para 22 leituras). No tópico da concentração das extensões de fonte e dreno, os dispositivos sem extensão de fonte e dreno apresentaram uma taxa de geração de lacunas menor (aproximadamente 12 ordens de grandeza), levando a um tempo de retenção muito maior (aproximadamente 3 ordens de grandeza) quando comparado ao dispositivo referência. Em seu estudo no escalamento, verificou-se uma diminuição no tempo de retenção para canais mais curtos (quase 2 ordens de grandeza), demonstrando ser um fator limitante para as futuras gerações das memórias 1T-DRAM. Apesar disso, quando comparados com os dispositivos convencionais com extensão de fonte e dreno (com extensão), seu tempo de retenção aumentou (quase 1 ordem de grandeza), permitindo a utilização de menores comprimentos de canal (30nm contra 50nm do dispositivo com extensão) e polarizações de substrato menores. Outra proposta de melhoria no tempo de retenção apresentada foi a utilização da polarização de substrato pulsada apenas durante a escrita do nível \'1\', o que resultou no aumento do tempo de retenção em 17%. Finalmente, estudou-se também a variação da banda proibida motivado pela utilização de novos materiais para o filme semicondutor. Observou-se que o aumento da banda proibida aumentou o tempo de retenção em até 5 ordens de grandeza, possibilitando retenções mais próximas das DRAMs convencionais atuais. / In this work, it was analyzed the behavior of a planar UTBOX FD SOI NMOSFET (Ultra-Thin-Buried-Oxide Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor), as a 1T-DRAM (Single Transistor Dynamic Random Access Memory) cell, focusing on the best biases and other proposals for enabling the 1T-DRAM applications. Therefore, it was analyzed the effects of different biases (gate, drain and substrate), as well as the influence of the concentration of a less doped source/drain extension region on the main parameters of this kind of memory. Thus, it was analyzed some of the main memory parameters such as the trigger drain voltage, the sense margin, the read window and the retention time, as well as the mechanisms operating in each state of the memory (writing, reading and holding). Finally, it were proposed some performance enhancements for the retention time of this kind of memory. It was observed that the increase in temperature facilitates the memory write decreasing the minimum drain bias and time required for writing, but reduces the sense margin. It was also verified that, despite the thinner silicon film and buried oxide increase the drain voltage required to activate the BJT effect (parasitic bipolar effect), a positive potential on the substrate may reduce this requirement (61% for back gate bias varying from 0 to 1,5V), being an alternative for solving the problem and allowing the use of smaller devices as a memory cell. Furthermore, it was seen that there can be a carriers generation or recombination, depending on the gate voltage during the holding state, degrading the bit \'0\' or \'1\'. Moreover, the optimization of substrate bias proved to be limited by enabling the writing state, without degrading the reading of \'0\'. The results also demonstrated the sense margin is less dependent on the substrate voltage than the retention time, therefore, the retention time was considered as a more critical parameter. With respect to the reading state, there was the presence of BJT effect also in this state, increasing the margin of sensitivity (60%) and reducing the retention time (66%) and the number of possible readings without updating the data (over 30 for 22 readings) in cases of higher drain bias. On the topic of the concentration of the source and drain extensions, the devices with source and drain extensions presented a generation rate lower (about 12 orders of magnitude), resulting in a retention time far longer than the reference one (about 3 orders of magnitude). About its downscaling, the retention time decreased for shorter channel lengths (almost 2 orders of magnitude), which is a limiting factor for 1T-DRAM future generations. Nevertheless, when it was compared to the conventional devices with source and drain extensions, theirs retention time increased (almost 1 order of magnitude), allowing the use of shorter channel lengths (30nm against 50nm of reference device) and lower back gate biases. Another proposal presented to improve the retention time was the pulsed back gate only during the writing \'1\' state, which resulted in an increase on the retention time by 17%. Finally, we also studied the band gap influence motivated by the use of new materials for the semiconductor film. It was observed that higher band gaps increase the retention time by up to 5 orders of magnitude, allowing a retention time closer to the current conventional DRAMs.

Este trabalho apresenta um estudo da influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em dispositivos tensionados mecanicamente (strain) em transistores SOI MuGFET de porta tripla. Com a evolução da tecnologia de integração de transistores, alguns efeitos parasitários são eliminados ou diminuídos, porém outros novos surgem. A tecnologia SOI MuGFETs disponibiliza dispositivos de múltiplas portas, tridimensionais. Nesses dispositivos, há um aumento da resistência de contato dos terminais devido ao estreitamento da região de canal, tornando esta resistência significativa em relação à resistência total. A utilização do Crescimento Epitaxial Seletivo (SEG) é uma das opções para diminuir a resistência total, elevando a região de fonte e dreno, causando o aumento da área de contato, diminuindo essa resistência parasitária. Em contrapartida, a utilização dos canais tensionados Uniaxiais, por filme de Si3N4, pela técnica de CESL, que é uma opção de melhora da transcondutância, mas em conjunto com o SEG afasta essa a camada de nitreto, tornando em determinada altura prejudicial ao invés de benéfico. Este trabalho foi realizado baseado em resultados experimentais e em simulações numéricas, mecânicas e elétricas de dispositivos, variando as tecnologias de tensionamento mecânico nos dispositivos com e sem SEG. Variou-se a altura do SEG em simulações, possibilitando extrapolar e obter resultados que de forma experimental não foram possíveis, permitindo um entendimento físico do fenômeno estudado. O resultados obtidos das diferentes tecnologias com e sem o uso de SEG mostraram que, em transistores SOI MuGFETs de porta tripla, o crescimento seletivo epitaxial nos dispositivos com tensão uniaxial piora a transcondutância máxima para dispositivos abaixo de 200nm de comprimento de canal, mas em contra partida torna mais prolongado o efeito pelos dispositivos acima dessa dimensão, como pode ser comprovado nos resultados obtidos. / This paper presents the study of the influence of selective epitaxial growth (SEG) devices mechanically strained (strain) in SOI transistors MuGFET triple gate. With the evolution of integration technology of transistors, some parasitic effects are eliminated or reduced, but new ones arise. MuGFETs SOI technology, devices are multiple ports, three-dimensional, these devices there is an increase in contact resistance of terminals due to the narrowing of the channel region, making considered in relation to total resistance. Use of Selective Epitaxial Growth (SEG) is one of the options to reduce the total resistance, raising the source and drain region, causing increased contact area by reducing the parasitic resistance. In contrast, the use of uniaxial strained channel by a film of Si3N4 by CESL technique is an option for improvement in transconductance, but in conjunction with the SEG away this layer of nitride, making it at some point or detrimental rather than beneficial. This study was based on experimental results and numerical simulations, mechanical and electrical devices of varying technologies in mechanical tensioning devices with and without FES, the height was varied in simulations of the FES, allowing extrapolate and obtain results that way trial was not possible, allowing a physical understanding of the phenomenon. The results of the different technologies with and without the use of FES showed that in SOI transistors MuGFETs triple gate, the selective epitaxial growth in uniaxial strained devices tends to worsen the maximum transconductance for devices below 200nm channel length, but against departure becomes more unrelenting effect on the devices above this size. As can be evidenced in the results obtained.

Este trabalho apresenta um estudo do efeito do substrato em transistores SOI de camada de silício e óxido enterrado ultrafinos (Ultra Thin Body and Buried Oxide - UTBB). A análise do trabalho foi realizada baseando-se em modelos teóricos, simulações numéricas e medidas experimentais. Experimentalmente pode-se notar que a presença do plano de terra (Ground Plane, GP) abaixo do óxido enterrado elimina e/ou minimiza alguns efeitos indesejados do substrato, tais como a variação do potencial na terceira interface (óxido enterrado/substrato). A densidade de armadilhas de interfaces (Nit) foi um parâmetro importante no ajuste da simulação para se obter curvas de corrente de dreno (IDS) em função da tensão de porta (VGF) e em função da tensão de substrato (VGB) similares às experimentais. As densidades de armadilhas de interface da primeira e da segunda interface foram ajustadas para o valor de 2x1011eV-1cm-2 depois de analisadas as curvas experimentais. Assim, a partir dessas simulações pode-se notar que o modelo usado no simulador era compatível com os resultados experimentais, com erro menor que 10%. Observou-se que o modelo analítico de efeito do substrato proposto por Martino et al. para transistores SOI totalmente depletados com camadas de silício mais espessas (acima de 40 nm) pode ser utilizado para dispositivos UTBB SOI de canal longo (10 m) até a segunda interface (camada de silício/óxido enterrado) entrar em inversão, quando o modelo perde a validade. Utilizando o modelo analítico também foi possível determinar os valores de tensão de substrato máximo (VGBmax) e mínimo (VGBmin), que determinam a tensão que, aplicada no substrato, mudam o estado da terceira interface de inversão para depleção (VGBmin) e de depleção para acumulação (VGBmax). Os valores de VGBmax variaram de 0,57 V à 0,75 V e os de VGBmin de -0,08 V à -3,39 V. O modelo analítico utilizado tem uma concordância ainda maior (menor que 10%) para transistores de canal curto (L=70 nm) em relação ao de canal longo (L=10m), provavelmente devido ao acoplamento eletroestático de fonte/dreno e 6 canal que posterga a formação da camada de inversão da terceira interface, ampliando a faixa de validade do mesmo. Por meio das simulações numéricas também foi possível analisar a concentração de elétrons ao longo do canal do transistor. Observou-se que a condição de polarização da terceira interface (óxido enterrado/substrato) tem grande influência no comportamento da segunda interface (camada de Silício/óxido enterrado) e da primeira (óxido de porta/camada de Silício) nos transistores UTBB SOI. Quando a terceira interface (óxido enterrado/substrato) está em acumulação, a primeira interface possui uma concentração de elétrons menor que a segunda interface, caracterizando assim, uma condução maior pela segunda interface. O simulador também foi utilizado para analisar o potencial interno do transistor ao longo da profundidade. Foram feitas simulações com e sem GP e variando-se a temperatura de operação dos transistores. Foi observado que quanto maior a temperatura de operação, os efeitos do substrato são minimizados devido à diminuição do nível de Fermi. Com a presença do GP a queda de potencial no substrato é praticamente zero enquanto nos dispositivos sem GP variam entre 0,2V e 0,6V. Como nos dispositivos com GP a queda do potencial no substrato é praticamente zero, a queda nos óxidos aumentou em relação aos dispositivos sem GP, podendo causar problemas de confiabilidade. / This work presents a study of the substrate effect on Ultra Thin Body and Buried Oxide (UTBB) SOI transistors. The work analysis was performed based on theoretical models, numerical simulations and experimental measurements. Experimentally, it is possible to notice that the presence of the ground plane implantation (GP) below the buried oxide eliminates and/or minimizes some undesirable effects of the substrate, as the variation of potential drop on third interface (buried oxide/substrate). The interface trap density (Nit) was an important parameter on simulation adjustment to obtain drain current curves as function of front gate bias and back gate bias close to the experimental. The interface trap density of the front and back interface were adjusted to the value of 2x10¹¹ e V-1 cm-2 after the experimental curves were analyzed. So from these simulations, it can be verified that the model used in the simulator was compatible with the experimental results, with error < 10%. It is noted that the analytic model proposed by Martino et al. to analyze the substrate effect for fully depleted SOI transistor with thicker silicon thickness (above 40 nm) is useful for UTBB SOI devices with long channel (L=10 m) until the back interface reach the inversion, when the model is no longer valid. Using the analytic model, it was also possible to determine the values of VGBmax and VGBmin, which represents the back voltage required to change de third interface from inversion to depletion mode (VGBmin), and the depletion to accumulation mode (VGBmax). The value of VGBmax ranged from 0,57 V to 0,75 V and for VGBmin ranged from -0,08 V to -3,39 V. The analytic model has more agreement for short channel (L = 70nm) transistor than the longer one (L = 10m), probably due to the electrostatic coupling between de drain/source and the channel that delays the formation of inversion channel on third interface extending the validity range of the model. By the numerical simulation, it was possible to analyze the electron concentration along the transistor. It was observed that the mode of the third 8 interface influences directly the condition of the back and front interfaces on UTBB SOI transistor. When the third interface is in accumulation mode, the front interface has an electron concentration lower than the back interface, so the current flows mainly on the back interface. This makes the value of the front threshold voltage is less than the analytic model, once the model is valid only if while the back interface is on depletion mode. The numerical simulation was also used to analyze the potential drop on SOI transistor. Simulation was performed with and without GP and varying the temperature. It was observed that for higher temperature, the substrate effect was minimized dur to the decrease of the Fermi level towards the mid-band. With GP, the substrate potential drop is almost zero, while on devices without GP it changes from 0,2 V to 0,6 V For devices with GP the potential, as the drop on substrate is almost zero, the potential drop on front and buried oxide increases, which can causes reliability problems.

Neste trabalho foi analisado o comportamento de um transistor UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) FD SOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) planar do tipo n, operando como uma célula de memória 1T-FBRAM (single transistor floating body random access memory). A memória em questão trata-se de uma evolução das memórias 1T1C-DRAM convencionais formada, porém, de apenas um transistor, sendo o próprio transistor o responsável pelo armazenamento da informação por meio do efeito de corpo flutuante. Assim, foram realizadas simulações numéricas bidimensionais, obtendo-se curvas dinâmicas e, a partir destas, foi possível extrair e analisar alguns dos principais parâmetros da memória tais como tensão de disparo no dreno, margem de sensibilidade, janela de leitura e tempo de retenção, além dos mecanismos atuantes em cada estado da memória (escrita, leitura e repouso). Foram estudadas as polarizações da célula de memória. Dentre as possíveis maneiras de programação do dado 1 desta tecnologia foram abordadas neste trabalho a programação pelos métodos GIDL (Gate Induced Drain Leakage) e BJT (Bipolar Junction Transistor). Pelo método de escrita por GIDL foi possível operar a célula de memória em alta velocidade sem dissipar potência expressiva. Mostrou-se que esse método é bastante promissor para a tecnologia low-power high-speed. E ainda, obteve-se maior estabilidade na operação de leitura quando esta é polarizada no ponto ZTC (Zero Temperature-Coefficient) devido ao nível de corrente do dado 0 ficar estável mesmo com a variação da temperatura. Pelo método de escrita por BJT, estudou-se a influência das espessuras do filme de silício e também do óxido enterrado, notou-se uma forte dependência da tensão mínima de dreno para a programação do dado 1 em função destas espessuras e também em função da temperatura. Conforme a espessura do filme de silício torna-se mais fina, a tensão de disparo aplicada ao dreno aumenta devido ao maior acoplamento. Porém, observou-se que o nível da tensão de disparo do dreno pode ser modulada através da tensão aplicada ao substrato, tornando possível operar a célula em uma tensão de disparo menor aumentando a vida útil do dispositivo. Quanto à temperatura, com o seu aumento observou-se que a tensão mínima de dreno necessária para disparar a escrita do dado 1 diminuiu favorecendo a programação da célula. Porém o tempo de retenção é prejudicado (torna-se menor) por causa do aumento da corrente de fuga na junção PN. Na análise sobre o impacto que a primeira e a segunda porta causam na margem de sensibilidade de corrente e no tempo de retenção, verificou-se que dependendo da tensão aplicada à porta durante a condição de armazenamento do dado, o tempo de retenção pode ser limitado ou pela geração ou pela recombinação dos portadores (lacunas). Notou-se que há um compromisso entre a obtenção da melhor margem de sensibilidade de corrente e o melhor tempo de retenção. Como o tempo retenção é um parâmetro mais crítico, mais atenção foi dada para a otimização deste. Concluiu-se nesta análise que a melhor polarização para reter o dado por mais tempo é a primeira interface estar em modo acumulação e a segunda em modo depleção. No estudo da polarização de dreno durante a operação de leitura, observou-se que quando aplicado alta tensão de dreno é obtido alta margem de sensibilidade, porém ao mesmo tempo esta polarização prejudica o dado 0 devido ao alto nível de geração de lacunas induzidas pela ionização por impacto, o qual diminui o tempo de retenção e destrói o dado 0 quando operações de múltiplas leituras são realizadas. Já para baixo nível de tensão de dreno durante a leitura notou-se que é possível realizar múltiplas operações de leitura sem perder o dado armazenado e também maior tempo de retenção foi obtido. / In this study was analyzed the behavior of one transistor called UTBOX (Ultra Thin Buried Oxide) FD SOI MOSFET (Fully Depleted Silicon-on-Insulator Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) working as a 1T-FBRAM (Single Transistor Floating Body Random Access Memory). This memory device is an evolution from conventional memories 1T1C-DRAM, however formed by only one transistor, the device itself is responsible for the storage of the information through the floating body effect. Thus two dimensional simulations were performed, where were obtained dynamic curves, and from these curves it was possible to extract and analyze some of the main parameters, such as, trigger drain voltage, sense margin current, read window, and the retention time, beyond the mechanisms in each state of memory (write, read and hold). Among the possible ways to program the data 1 in this technology were used the methods GIDL (Gate Induced Drain Leakage) and BJT (Bipolar Junction Transistor). By the GIDL method it was possible to operate the memory cell at high speed without spending significant power, showing that this method is very promising for low-power high-speed. Furthermore, greater stability was obtained in read operation when it is biased at point ZTC (zero-Temperature Coefficient) due to the current level of datum \'0\' remain stable even with temperature variation. By the BJT method, it was studied the influence of the silicon film thickness and the buried oxide thickness, and it was noted a strong dependence on minimum drain voltage for programming the data \'1\' as a function of both thicknesses. As the thickness of the silicon film becomes thinner, the trigger drain voltage increases due to stronger coupling. However, it was observed that the level of the trigger drain voltage can be modulated by the substrate bias in this way it is possible to operate the cell with lower voltage avoiding the damage and increasing the lifetime of the device. About the temperature, with its increase it was observed that the minimum drain voltage required to trigger the writing datum \'1\' decreased favoring the programming the cell. However the retention time is harmed (becomes smaller) due to the increment of leakage current in the PN junction. Analyzing the impact of the first and second gate on sense margin current and retention time, it was verified that depending on the voltage applied to the gate during the hold condition, the retention time may be limited by the generation or recombination of the carriers (holes). It was noted that there is a compromise between obtaining the best sense margin current and the best retention time. Since the retention is the most critical parameter, more attention should be given in order to obtain the optimization of this latter. It is concluded in this analysis that the best bias to retain the datum for longer time is the first interface being in accumulation mode and the second in depletion mode. In the study of biasing the drain during the read operation, it has been observed that the use of high drain voltage provides high sense margin, but at the same time, this polarization affect the data \'0\' due to high level of holes generation induced by impact ionization, which shortens the retention time and destroys the data \'0\' in multiple read operations. However, for low drain voltage during read operations it was possible to perform multiple read operations without losing the stored data and also higher retention time was obtained.

Neste trabalho é desenvolvido de forma inédita no Brasil um processo simples de fabricação de transistores FD SOI nMOSFET (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) com porta de silício policristalino, para servir como base para futuros desenvolvimentos e, também, com finalidade de educação em microeletrônica. É proposta uma sequência de etapas de fabricação necessárias para a obtenção do dispositivo FD SOI nMOSFET, usando apenas 3 etapas de fotogravação e usando o óxido enterrado, intrínseco à tecnologia SOI, como região de campo, objetivando a obtenção do processo mais simples possível e eficiente. São apresentados os procedimentos detalhados de todas as etapas de fabricação executadas. Para obtenção da tensão de limiar de 1V foram fabricadas amostras com 2 doses diferentes de implantação iônica, 1,0x1013cm-2 e 1,2x1013cm-2. Estas doses resultaram em tensões de limiar (VTH) de 0,72V e 1,08V; respectivamente. Como esperado, a mobilidade independente de campo (0) é maior na amostra com dose menor, sendo de 620cm²/Vs e, para a dose maior, 460cm²/Vs. A inclinação de sublimiar é calculada através da obtenção experimental do fator de acoplamento capacitivo () 0,22; para as duas doses, e resulta em 73mV/déc. O ganho intrínseco de tensão (AV) mostrou-se maior na amostra com maior dose em função da menor condutância de saída, sendo 28dB contra 26dB para a dose menor, no transistor com L=40m e W=12m. Desta forma foi possível implementar uma sequência simples de fabricação de transistores SOI, com resultados elétricos relevantes e com apenas 3 etapas de fotogravação, fato importante para viabilizar seu uso em formação de recursos humanos para microeletrônica. / In this work is developed in an unprecedented way in Brazil a simple process of manufacturing transistors FD SOI nMOSFET (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) with gate polysilicon, to serve as the basis for future developments and also with the purpose of education in microelectronics. A sequence of manufacturing steps necessary for obtaining FD SOI nMOSFET device is proposed, using only three photolithographic steps and using the buried oxide, intrinsic to SOI technology such as field region, aiming to get the simplest possible and efficient process. All the detailed manufacturing steps performed procedures are presented. To obtain the threshold voltage of 1V samples with 2 different doses of ion implantation (1.0x1013cm-2 and 1.2 x1013cm-2) were fabricated. These doses resulted in threshold voltages (VTH) of 0.72 V and 1.08 V, respectively. As expected, mobility independent of field (0) is higher in the sample with the lowest dose, 620cm²/Vs, and for the higher dose, 460cm²/Vs. The subthreshold slope is calculated by obtaining experimental capacitive coupling factor () 0.22, for both doses and results in 73mV/déc. The intrinsic voltage gain (AV) was higher in the sample with a higher dose due to lower output conductance, 28dB against 26dB to the lowest dose, to the transistor with L = W = 40m and 12m. This made it possible to implement a simple sequence of manufacturing SOI transistors with relevant electrical results and with only 3 steps photolithographic important fact to enable their use in training human resources for microelectronics.

L’objectif de ce travail est de documenter certains effets cognitifs et sociaux de l’embarras, émotion réflexive mettant au centre la présentation du Soi aux yeux d’autrui, et jusqu’alors essentiellement documentée dans ses aspects relationnels. La première partie de ce travail visait à montrer les fonctions de communication sociale de l’expression de l’embarras à l’aide de la méthode des vignettes (Études 1 et 2). Nous avons cherché à savoir quels étaient les effets de l’expression de l’embarras sur autrui, et si cette expression pouvait être utilisée comme tactique de gestion des impressions. La deuxième partie s’attachait à étudier les effets de l’expérience d’embarras sur les processus cognitifs impliqués dans une tâche de décision lexicale. Cette tâche était précédée d’une induction d’embarras, de joie, de tristesse ou d’un état neutre, par une tâche d’association verbale (procédure d’amorçage du stéréotype, Étude 3) ou par rappel autobiographique (Étude 4). En plus de l’analyse des temps de réaction et des proportions de réponses correctes, l’utilisation du Modèle de Diffusion (Ratcliff, 1978) a permis, par la mise en correspondance des paramètres avec des signifiants psychologiques, une investigation plus fine de ces effets. La troisième partie visait à étudier l’effet de l’expérience d’embarras sur le niveau d’attention portée à soi. Pour cela, l’effet de priorité au Soi était mesuré par une tâche d’appariement (chronométrie mentale) proposée par Sui, He et Humphreys (2012). Embarras, joie et tristesse, ainsi qu’un état neutre, étaient induits par rappel autobiographique (Études 5, 6 et 7). Les résultats sont discutés et mis en parallèle de façon à brosser un portrait récapitulant les effets de l’embarras éprouvé et exprimé, à la fois sur les plans cognitif et social. Enfin, une ouverture développementale a été faite puisqu’un dispositif expérimental mesurant l’attention portée à soi chez les enfants a été proposé (Étude 8). Les premiers résultats issus de passations réalisées avec ce nouveau dispositif ont permis d’éclairer l’émergence et le développement du phénomène de priorité au Soi. / The aim of this work is to study cognitive and social effects of embarrassment, a self-conscious emotion involving a particular concern for self-presentation at others’ eyes, and which has essentially been studied regarding its relational aspects. The first part of this work aimed at highlighting social communication functions of the expressions of embarrassment, using the vignette method (Studies 1 and 2). The second part dealt with the effects of embarrassment experience on cognitive processes involved in a lexical decision task. This task was preceded by an induction of embarrassment, happiness, sadness or a neutral state, with either a verbal association task (stereotype priming procedure, Study 3) or an autobiographical recall task (Study 4). In addition to reaction times and accuracy analysis, the use of the Diffusion Model (Ratcliff, 1978) allowed us to finely investigate these effects by mapping parameters with meaningful psychological components. The third part aimed at studying the effect of embarrassment experience on self-focused attention. Self-prioritization effect has been measured in a matching mental chronometric task (Sui, He, & Humphreys, 2012). Embarrassment, happiness, sadness and a neutral state have been induced with an autobiographical recall task (Studies 5, 6 and 7). Taken together, these results have been discussed in order to depict effects of experienced and expressed embarrassment, at both cognitive and social levels. Finally, a developmental opening has been made, since an experimental design assessing self-focused attention among children has been proposed (Study 8). The first results from this new design highlighted emergence and development of Self-prioritization phenomenon.