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L'élimination des cellules apoptotiques est un évènement critique pour le maintien de l'homéostasie tissulaire et pour le contrôle des réponses immunes orchestrées par les phagocytes. A l'heure actuelle, les acteurs et en particulier les signaux « eat-me » impliqués ne sont pas encore entièrement caractérisés. C1q, élément de reconnaissance du complément, participe à la reconnaissance des structures altérées du soi et est un acteur majeur de la tolérance immune. Le travail a porté sur l'identification des signaux exposés au cours de l'apoptose et responsables de la fixation de C1q. Dans un premier temps, l'utilisation de la résonance plasmonique de surface a permis de montrer que C1q se fixe de façon précoce après induction de l'apoptose et que cette reconnaissance implique un composant membranaire. Dans un deuxième temps, différentes approches (biologie cellulaire, biochimie et biologie structurale) ont permis d'identifier la phosphatidylsérine et le désoxyribose de l'ADN comme cibles de C1q à la surface des cellules apoptotiques. Enfin, le rôle respectif au cours de l'apoptose de partenaires connus de C1q (calréticuline et p33) a été précisé. Etant donné la versatilité des propriétés de reconnaissance de C1q, cette molécule aurait donc la capacité originale de détecter et de collecter différents signaux, qui pris ensemble fourniraient un signal fort permettant l'élimination efficace des cellules apoptotiques.

Les missions d'astronomie X de nouvelle génération (IXO par exemple) sont à l'étude. Ces missions seront équipées de miroirs X de grande surface effective, à bande passante étendue vers les hautes énergies et à haute résolution angulaire. Ceci implique l'utilisation au plan focal de détecteurs spectro-imageurs de performances en rapport, améliorés en terme de taux de comptage, de bande passante en énergie et de résolution spectrale par rapport aux CCDs qui constituent la base des instruments actuels. Le travail réalisé dans cette thèse consiste en l'extrapolation à la détection X de matrices de bolomètres IR déjà développées au LETI pour la mission spatiale HERSCHEL. Les études réalisées ont consisté à adapter l'impédance des senseurs silicium à la mesure des signaux impulsionnels engendrés par des interactions X avec le détecteur, à réaliser des matrices d'absorbeurs pixellisés sur poignée silicium à partir de microfeuilles de tantale (Ta) qui ont été traitées et fournies par des laboratoires en collaboration avec le LETI. Nous avons validé une technologie de report de ces matrices absorbeur sur matrices senseur par hybridation par bille d'indium. Nous avons optimisé l'hybridation en terme de capacité calorifique. Nous avons réussi à réaliser un prototype de matrice 8 x 8 pixels libérés et hybridés. Tous les procédés technologiques mis en point sont collectifs et extrapolables à des matrices de grandes dimensions (32 X 32 pixels).

L'holographie électronique "off-axis" est une technique de MET sensible à la densité locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel électrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisables pour le calibrage des outils de simulation des procédés. Les travaux de cette thèse (convention CIFRE entre le CEA-LETI et STMicroelectronics) ont pour objet, d'une part l'établissement de protocoles de préparation des échantillons, d'acquisition des données en holographie électronique, et d'autre part la comparaison entre les résultats de la mesure et ceux de la simulation à l'aide des outils TCAD. Pour mener cette étude, nous avons, dans un premier temps, étudié l'influence des paramètres du MET sur la résolution spatiale et le niveau de bruit de l'holographie. Puis, sur des échantillons élémentaires, nous avons prouvé la présence d'une couche inactive et mis en évidence les effets de charges induits par le faisceau de mesure. Ces artefacts ont été observés aussi bien dans les échantillons préparés par polissage mécano-chimique que lors de l'usinage des échantillons par FIB. Notre étude montre d'une part que la couche inactive cristalline induite par les défauts ponctuels générés par cette technique est contrôlée par l'énergie du faisceau FIB, et d'autre part, que les charges électriques de l'échantillon créent une sous-estimation du potentiel mesuré, inversement proportionnelle à la concentration de dopants. Enfin, la maitrise des artefacts de la technique nous ont permis de caractériser des transistors nMOS sur film mince de silicium, avec comme objectif le calibrage de l'implantation et la diffusion de l'arsenic. Les limitations d'une utilisation pratique de l'holographie électronique ont été étudiées par la comparaison de cartographies de potentiel électrostatique mesurées par cette technique et simulées par TCAD.

Le travail présenté ici concerne l'étude des différentes phases de porteurs de charge générées sous excitation optique à basse température dans les nanostructures de silicium cristallin. Après avoir rappelé et décrit brièvement les mécanismes physiques responsables de l'apparition et de l'équilibre entre le gaz d'excitons, le plasma et le liquide électron-trou dans les semiconducteurs massifs, il est montré, en s'appuyant sur les techniques de photoluminescence résolues en longueur d'onde et en temps, que le seuil de condensation des excitons en liquide électron trou est abaissé dans les puits de silicium sur isolant (SOI) du fait du confinement spatial unidimensionnel. Cet effet permet également de mettre en évidence la nucléation et la coalescence des gouttelettes de liquide. Une augmentation de la température de transition liquide-plasma est observée dans les milieux confinés dans les trois directions de l'espace, obtenus à partir de puits de SOI. L'influence du champ électrique sur le liquide est examinée grâce à la fabrication de jonctions métal-oxyde-semiconducteur pouvant servir à localiser les gouttelettes sous les électrodes. Enfin, l'effet du confinement quantique sur le liquide est observé dans les puits fins de SOI et conduit à la création d'un liquide bidimensionnel. Les données sont analysées en s'aidant d'un modèle prenant en compte l'abaissement de la dimensionalité du silicium ainsi que l'apparition de charges image dans le matériau barrière. Pour les puits les plus fins, l'apparition de raies de luminescence caractéristiques de celles émises par des nanocristaux de silicium atteste de l'observation de la transition puits/boîte.

L'objectif de cette thèse est de contribuer sur un plan conceptuel, méthodologique et managérial au nouveau champ de recherche qui se développe depuis plusieurs années autour du concept de personnalité de la marque. Cette recherche s'inspire des différentes théories de la personnalité humaine et du concept de soi pour appréhender la relation existante entre la marque et le consommateur. L'ensemble de ces réflexions permet de légitimer la métaphore conceptuelle de la personnalité de la marque. Par ailleurs, une démarche spécifique est proposée pour développer une échelle de mesure de la personnalité qui soit applicable et pertinente pour le domaine des marques. Aussi, une étude qualitative et cinq études empiriques permettent de définir, de stabiliser et de valider la structure du « baromètre de personnalité des marques ». Finalement, le modèle conceptuel testé a pour objectif de vérifier le pouvoir prédictif de la personnalité de la marque sur le comportement du consommateur (attachement à la marque et intention d'achat) dans le domaine spécifique des parfums. Des variables modératrices telles que l'âge, la sensibilité et la fidélité générale à la marque sont également intégrées au modèle global. Les résultats de cette sixième étude empirique menée auprès de 838 consommateurs confirment l'influence de la personnalité de la marque sur le comportement du consommateur et mettent en exergue l'existence d'une congruence entre la personnalité de la marque et celle du consommateur. Des analyses complémentaires proposent une nouvelle mesure factorielle de cette congruence et attestent aussi de son caractère prédictif sur l'attachement à la marque et l'intention d'achat. L'ensemble de ces résultats offre de multiples implications managériales notamment en termes de positionnement et de communication. En effet, le baromètre de personnalité des marques atteste d'un très fort pouvoir différenciateur et peut donc permettre aux responsables opérationnels de singulariser leurs marques à partir de leur profil de personnalité.

Au cours de la dernière décennie, des travaux de recherche importants ont été effectués dans le domaine de la microrobotique. Ces travaux concernent la conception, la fabrication et la commande de microrobots destinés à exécuter diverses tâches dans le micromonde (le monde des objets de taille micrométrique). Il s'agit notamment de tâches de manipulation d'objets artificiels ou biologiques à des fins de positionnement, de caractérisation ou de tri mais aussi pour le micro-assemblage industriel. Les recherches effectuées ont montré l'efficacité des matériaux actifs pour l'actionnement des microrobots. Toutefois, en dépit de leur haute résolution intrinsèque, ces matériaux présentent des inconvénients qui rendent la commande des microrobots difficile. Le comportement de ces matériaux et plus généralement des actionneurs qui les utilisent est souvent complexe, non linéaire et parfois non stationnaire. L'implantation de lois de commande nécessite donc l'emploi de capteurs et d'instruments coûteux et encombrants pour le traitement des signaux et l'exécution en temps réel. Dans le but de lever les difficultés citées précédemment et d'ouvrir des perspectives nouvelles pour la conception et la commande de microrobots, nous proposons une nouvelle approche pour la microrobotique appellée « microrobotique numérique » qui utilise un concept de modularité et une commande en boucle ouverte. Ces nouveaux microrobots sont construits à partir de « modules élémentaires » possédant deux états mécaniques stables et répétables. La position de l'extrémité du microrobot dépend de l'état des différents modules bistables qui le composent. Cette approche introduit un nouveau paradigme en microrobotique permettant la conception de cinématiques diverses adaptées au micromonde. Les principaux avantages de cette nouvelle microrobotique sont la modularité, l'absence de capteurs, la flexibilité, la possibilité de réaliser des robots microfabriqués et l'absence d'asservissement. Cette thèse propose la conception, la microfabrication et la caractérisation d'un module bistable.

Two SiGe-on-insulator (SGOI) structures for CMOS application are presented: surface-channel strained-Si on SGOI (SSOI) and dual-channel SGOI structures. Comparisons between two structures are made from both device performance and CMOS process point of view. We have demonstrated both structures on SGOI, and have fabricated n-MOSFET’s and p-MOSFET’s on those two structures respectively. Device characteristics are presented. The devices show enhancement on both electron and hole mobilities. / Singapore-MIT Alliance (SMA)

In this work, we have developed two different fabrication processes for relaxed Si₁₋xGex-on-insulator (SGOI) substrates: (1) SGOI fabrication by etch-back approach, and (2) by "smart-cut" approach utilizing hydrogen implantation. Etch-back approach produces SGOI substrate with less defects in SiGe film, but the SiGe film uniformity is inferior. "Smart-cut" approach has better control on the SiGe film thickness and uniformity, and is applicable to wider Ge content range of the SiGe film. We have also fabricated strained-Si n-MOSFET’s on SGOI substrates, in which epitaxial regrowth was used to produce the surface strained Si layer on relaxed SGOI substrate, followed by large-area n-MOSFET’s fabrication on this structure. The measured electron mobility shows significant enhancement (1.7 times) over both the universal mobility and that of co-processed bulk-Si MOSFET’s. This SGOI process has a low thermal budget and thus is compatible with a wide range of Ge contents in Si₁₋xGex layer. / Singapore-MIT Alliance (SMA)

The objective of the proposed research is to understand the design and reliability of RF front-end building blocks using SOI CMOS and SiGe BiCMOS technologies for high dynamic-range applications. This research leads to a comprehensive understanding of dynamic range in SOI CMOS devices and contributes to knowledge leading to improvement in overall dynamic range and reliability of RF building blocks. While the performance of CMOS transistors has been improving naturally with scaling, this work aims to explore the possibilities of improvement in RF performance and reliability using standard layouts (that don't need process modifications). The total-ionizing dose tolerance of SOI CMOS devices has been understood with extensive measurements. Furthermore, the role of body contacts in SOI technology is understood for dynamic range performance improvement. In this work, CMOS low-noise amplifier design for high linearity WLAN applications and its integration with RF switch on the same chip is presented. The LNA and switches designed provide state-of-the-art performance in silicon based technologies. Further, the work aims to explore applications of SiGe HBT in the context of highly linear and reliable RF building blocks. The RF reliability of SiGe HBT based RF switches is investigated and compared with CMOS counterparts. The inverse-mode operation of SiGe HBT based switches is understood to give considerably higher linearity.