L’intégration photonique permet de réduire la taille et la consommation d’énergie des systèmes de communication par fibre optique par rapport aux systèmes assemblés à partir de composants unitaires. Cette technologie a récemment suscité un grand intérêt avec les progrès de l’intégration sur InP et le développement de la photonique sur silicium. Cette dernière challenge la plate-forme d’intégration sur InP car des composants à hautes performances et faibles coûts peuvent être fabriqués dans des fonderies originellement développées pour la microélectronique. Les lasers sont l'une des pièces maitresses des émetteurs-récepteurs pour les communications optiques. Leur intégration sur la plateforme silicium permet de développer des émetteurs-récepteurs comprenant les fonctions critiques d’émission de lumière, de modulation et de détection sur une même puce. L’intégration de matériaux III-V par collage moléculaire sur plaque silicium permet de produire de grands volumes : plusieurs dizaines voire centaines de composants sont réalisés par wafer. Dans cette thèse, j’ai étudié théoriquement et expérimentalement les propriétés des lasers accordables basés sur des résonateurs en anneau en silicium, des lasers à rétroaction distribuée modulés directement et des lasers à haut facteur de qualité qui présentent un faible bruit de phase et d’intensité. / Photonic integration reduces the size and energy consumption of fiber optic communication systems compared to systems assembled from discrete components. This technology has recently attracted a great interest with the progress of integration on InP and the development of silicon photonics. The latter challenges the integration platform on InP as high-performance and low-cost components can be manufactured in foundries originally developed for microelectronics. Lasers are one of the main parts of transceivers for optical communications. With their integration on the silicon platform, transceivers that include the critical functions of light emission, modulation and detection on the same chip can be made. In the heterogeneous integration platform, components are manufactured in high volumes: several tens or even hundreds of components are produced per wafer. In this thesis, I studied theoretically and experimentally the properties of tunable lasers based on silicon ring resonators, directly modulated distributed feedback lasers and low noise high-quality factor lasers

L’écriture de soi relève d’un genre littéraire difficilement définissable, mais qui est pourtant issu d’une longue tradition mettant en scène les différentes modalités d’approche du soi et de l’œuvre. La publication de carnets personnels remplis par des auteurs et des autrices d’envergure témoigne du rôle capital que joue cette pratique de l’intime au niveau de l’élaboration d’une pensée. Néanmoins, les études littéraires tendent à négliger l’importance de cette forme d’écriture dans une perspective de transformation de la psychè par l’écrit. Simone Weil, philosophe et mystique française du XXe siècle, a marqué de son empreinte le genre du carnet. Les nombreux cahiers personnels qu’elle a légués à la postérité illustrent une construction au présent d’un esprit riche et vivant qui associe la réflexion intellectuelle à l’autodiscipline. Le présent mémoire propose notamment de mettre en lumière le rôle fondamental du carnet dans le processus créatif de la philosophe. Cet angle d’analyse viendra ainsi éclairer de façon nouvelle les études portant sur l’œuvre weilienne. Ce mémoire s’ouvrira par une Introduction qui revient sur la tradition de la pratique du carnet en Occident dont s’imprègne Weil. Depuis l’Antiquité grecque, l’écriture personnelle s’articule autour des exercices de soi, dans un souci de perfectionnement spirituel. Cette approche est particulièrement visible avec la forme des hypomnêmata – des notes prises – introduite par les écoles philosophiques gréco-romaines, puis prolongées dans les pratiques monacales du christianisme primitif qui privilégient le sacrifice de soi. Une fois ce contexte bien établi, le corps du mémoire abordera plus spécifiquement le corpus des carnets weiliens. Dans un premier chapitre, une présentation de la vie et de l’œuvre de l’intellectuelle sera donnée, à la suite duquel plusieurs thématiques propres aux carnets feront l’objet d’une analyse. Il s’agira tout d’abord de s’intéresser au dressage de soi au moyen de l’écriture personnelle. Cette conscience de soi maintenue par le carnet me mènera à interroger la part du subjectif dans l’appréhension du monde chez la philosophe. Le regard sur l’extérieur me conduira ensuite à traiter de la riche intertextualité des carnets weiliens. Après m’être ainsi intéressée aux récits littéraires, je porterai enfin mon attention sur l’influence de l’expérience intérieure dans le concept de décréation développé par Weil. Le rôle particulier de l’écrit dans le processus d’inspiration sera souligné à ce stade. Cette étude propose en somme d’appréhender la pensée de la philosophe au prisme de l’écriture de soi. Elle permet également d’ouvrir la réflexion sur un enjeu plus large : le rôle de l’écriture personnelle dans la construction du sujet et de sa psychè, ainsi que les différentes approches faisant du carnet un véritable compagnon de vie de l’écrivaine. / Self-writing has come to constitute a literary genre which is difficult to define yet is part of a long tradition offering writers various means and methods of approaching their own psyche and body of work. The publication of personal notebooks written by major authors indeed demonstrates the crucial role played by this intimate practice in the elaboration of intellectual systems. Literary studies have nevertheless tended to neglect the transformational impact of this specific form of writing. Simone Weil, a French mystic and philosopher of the 20th century, has particularly enriched the genre of self-writing. The numerous notebooks she wrote show the construction of a deep and vivid mind that associates intellectual creation with strong self-discipline. The present master’s thesis will aim at highlighting the fundamental role of the notebook within the creative process of this philosopher. Such a perspective should shed new light on certain aspects of the academic literature dedicated to Weil’s works. The Introduction of this thesis offers an overview of the Western tradition of personal notebooks, which exerted a vast influence on Weil’s writings. Since Greek antiquity, writing in the first person has been an important part of self-improvement exercises, aimed at spiritual perfection. This approach is particularly visible in the hypomnêmata – taking of notes – introduced by Greek and Roman philosophical schools and developed in early Christian monastic practices focused on self-sacrifice. Once this context has been established, the main body of the thesis will focus more specifically on Weil’s notebooks. A first chapter will present her life and works, which will then allow for a focus on certain themes present in her personal writing. I will begin by focusing on self- mastery through means of writing in the first person. Next, I will analyse the importance of subjectivity in this philosopher’s worldview, before dealing with the rich intertextuality of Weil’s notebooks. Finally, I will deal with the influence of Weil’s personal experience on her own concept of décréation. The importance of writing in the inspiration process will be of particular interest in this final chapter. The main objective of this thesis is to analyse Weil’s writings through the lens of self-writing. It additionally aims at broadening analytical perspectives on the importance of personal writing in the construction of self and insisting on the role of the notebook as a life companion for the writer.

Die vorliegende Arbeit beschreibt die Berechnung und Optimierung von Silicon-On-Insulator-Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistors, einschließlich noch nicht in Massenproduktion hergestellter neuartiger Transistorarchitekturen für die nächsten Technologiegenerationen der hochleistungsfähigen Logik-MOSFETs mit Hilfe der Prozess- und Bauelementesimulation. Die neuartigen Transistorarchitekturen umfassen dabei vollständig verarmte SOI-MOSFETs, Doppel-Gate-Transistoren und FinFETs. Die statische und dynamische Leistungsfähigkeit der neuartigen Transistoren wird durch Simulation bestimmt und miteinander verglichen. Der mit weiterer Skalierung steigende Einfluss von statistischen Variationen wird anhand der Oberflächenrauheit sowie der Polykantenrauheit untersucht. Zu diesem Zweck wurden Modelle für die Generierung der Rauheit erarbeitet und in das Programmsystem SIMBA implementiert. Die mikroskopische Rauheit wird mit der makroskopischen Bauelementesimulation kombiniert und deren Auswirkungen auf die Standardtransistoren und skalierte Bauelemente aufgezeigt. Zudem erfolgt eine ausführliche Diskussion der Modellierung mechanischer Verspannung und deren Anwendung zur Steigerung der Leistungsfähigkeit von MOSFETs. Die in SIMBA implementierten Modelle zur verspannungs-abhängigen Änderung der Ladungsträgerbeweglichkeit und Lage der Bandkanten werden ausführlich dargestellt und deren Einfluss auf die elektrischen Parameter von MOSFETs untersucht. Weiterhin wird die Verspannungsverteilung für verschiedene Herstellungsvarianten mittels der Prozess-simulation berechnet und die Wirkung auf die elektrischen Parameter dargestellt. Exponential- und Gaußverteilungsfunktionen bilden die Grundlage, um die mechanische Verspannung in der Bauelementesimulation nachzubilden, ohne die Verspannungsprofile aus der Prozesssimulation zu übernehmen. Darüber hinaus werden die Grenzfrequenzen der Logiktransistoren in Bezug auf die parasitären Kapazitäten und Widerstände und zur erweiterten MOSFET-Charakterisierung dargestellt.

In dieser Arbeit wird eine neue Methode und ein neuartiges FET -Sensorelement zum Nachweis von Flüssigkeitsbewegungen vorgestellt, das zudem bei Bedarf auch als Chemo- oder Biosensor fungieren kann. Das Einsatzspektrum von FET-basierten Sensoren in Lab on a Chip-Systemen wird dadurch entscheidend erweitert. Bei dem entwickelten FET-Sensor Bauelement handelt es sich um einen normally-on n-leitenden Dünnschichtfeldeffekttransistor mit Ti-Au-Kontakten, basierend auf Silicon-on-Insulator- Substraten, wobei das natürliche Oxid des Siliziumfilms als Schnittstelle zum Elektrolyten bzw. zur Flüssigkeit verwendet wird. Der mit 10exp16 Bor Atomen pro cm³ p-dotierte Siliziumdünnfilm hat eine Dicke von nur 55 nm und ist durch eine 95 nm dicke Siliziumdioxidschicht vom darunterliegenden Siliziumsubstrat von 600 µm Dicke elektrisch isoliert. Aufgrund der geringen Schichtdicke durchdringt die feldempfindliche Raumladungs- bzw. Verarmungszone die gesamte Dünnschicht, so dass durch Anlegen einer Backgatespannung am Substrat der spezifische Widerstand und die Empfindlichkeit des Bauelements eingestellt werden können. Grundlegende ISFET-Funktionalitäten wie die Empfindlichkeit auf Änderungen der Ionenstärke und des pH-Wertes werden nachgewiesen und ein ENFET-Glukosesensor realisiert. Zudem wird im Hinblick auf die Separation von Emulsionen der Nachweis erbracht, dass die Benetzung mit Hexan und Toluol eine Änderung der spezifischen Leitfähigkeit bewirkt, und die Empfindlichkeit des Bauelements nach Beschichtung mit einem hydrophoben Methacrylatcopolymerfilm erhalten bleibt. Hinsichtlich der Verwendung des FET-Sensor Bauelements zum Nachweis von Flüssigkeitsbewegungen wird zunächst ein theoretisches Modell entwickelt, dessen Kernaussage ist, dass sich in einem rechteckigen Kanal der relative Bedeckungsgrad mit Flüssigkeit direkt proportional zum Drainstrom des FET-Sensors verhält. Basierend auf diesem theoretischen Modell, welches experimentell belegt wird, können mittels eines einzelnen FET-Sensors Füllstand und Füllgeschwindigkeit bzw. bei bekannter Füllgeschwindigkeit Kapillarvolumen und Kapillargeometrie bestimmt werden. Abweichungen von der direkten Proportionalität erlauben zudem, Rückschlüsse auf die Benetzungseigenschaften der Kapillaren und die Dynamik an der Halbleitergrenzfläche zu ziehen. Ist ein Sensorelement vollständig mit Flüssigkeit bedeckt, wird mittels Lösungsmitteltropfen als Markerobjekten die Strömungsgeschwindigkeit bestimmt. Ändert sich die Ionenkonzentration im Elektrolyten als Funktion der Strömungsgeschwindigkeit, so kann die Strömungsgeschwindigkeit durch Messung der Ionenkonzentration mittels FET-Sensor ebenfalls ermittelt werden. Als wichtigster Demonstrator für die Verwendung des FET-Sensors wird ein komplexes Lab on a Chip-System zur Separation von Emulsionen auf chemisch strukturierten Oberflächen entwickelt, bei dem der Separationsvorgang mittels FET-Sensorarray verfolgt werden kann. Zur einfachen Herstellung chemisch modifizierter Oberflächen für die Separationsexperimente werden die Abscheidung von nanoskaligen hydrophoben Methacrylatcopolymerfilmen und die selektive Fluorsilanisierung von Oberflächen sowie deren Lösungsmittelbeständigkeit in Wasser, Toluol und Aceton untersucht. Dabei zeigt sich, dass die Hydrophobie nach Lösungsmittelbehandlung weitestgehend erhalten bleibt, Wasserrückstände im Methacrylatfilm aber zu einer reversiblen Schichtdegradation führen können. Als Modellsystem werden Hexan-Wasser- bzw. Toluol-Wasser-Emulsionen verwendet, die auf Oberflächen getrennt werden, deren eine Seite hydrophil, und deren andere Seite hydrophob ist (Stufengradient). Der Separationsprozess beruht auf der großen Affinität des Wassers hin zu polaren Oberflächen, wobei das wenig selektive Lösungsmittel zur unpolaren Seite gedrängt wird. Zur Erlangung eines tieferen Verständnisses des Prozesses werden die Tropfenkoaleszenz und der Einfluss geometrischer Beschränkungen untersucht. Die Versuche werden sowohl auf offenen Oberflächen als auch im Spalt, unter Verwendung von hydrophilen und hydrophoben Oberflächen, durchgeführt. Es zeigt sich, dass sich die Dynamik der Tropfenkoaleszenz im Spalt umgekehrt zur Dynamik auf offenen Oberflächen verhält. Dies wird mittels eines hierzu entwickelten theoretischen Modells erklärt, welches die Minimierung der Oberflächenenergie und Hystereseeffekte einbezieht. Das Lab on a Chip-System schließlich besteht aus einem mit Siliziumnitrid beschichteten FET-Sensorchip, auf den eine Separationszelle aufgeklebt ist. Neben dem Einlass für die Emulsion ist ein weiterer Einlass vorhanden, durch den Salzsäure für eine pH-Reaktion zugegeben werden kann. Der gesamte Separationsprozess sowie die anschließende pH-Reaktion, lassen sich bequem am PC anhand der Änderung der Stromstärke der einzelnen Sensoren verfolgen und analysieren. Wichtige Ergebnisse hier sind: 1) Mittels eines quasi 1-dimensionalen Sensorarrays kann der Verlauf einer Flüssigkeitsfront in einem 2-dimensionalen Areal überwacht bzw. dargestellt werden. 2) Anhand der Signatur des Signalverlaufs bei pH-Änderung und Flüssigkeitsbewegung, können beide Prozesse unterschieden werden. Der Sensor kann also zum Nachweis von Flüssigkeitsbewegungen und zugleich als Chemosensor eingesetzt werden. Es wurde also nicht nur ein neuartiges, äußerst robustes, chemikalienbeständiges und biokompatibles Multifunktionssensorelement mit Abmessungen im Mikrometer- bis Millimeterbereich entwickelt, sondern auch eine neue Methode entwickelt, mit der es möglich ist, sowohl (bio-)chemische Reaktionen als auch die Bewegung von Flüssigkeiten in Lab on a Chip-Systemen nachzuweisen.

Thermische Ausheilprozesse werden bei der Transistorformation im Wesentlichen eingesetzt, um die durch die Ionenimplantation entstandenen Kristallschäden auszuheilen und die eingebrachten Dotanden zu aktivieren. Besonders kritisch sind dabei die finalen Aktivierungsprozesse, bei denen die Source/Drain-Gebiete der Transistoren gebildet werden. Im Zuge der kontinuierlichen Skalierung der CMOSFET-Technologie ist es außerdem erforderlich, möglichst flache, abrupte Dotierungsprofile mit maximaler elektrischer Aktivierung zu erhalten, um die bei diesen Bauelementeabmessungen immer stärker auftretenden Kurzkanaleffekte zu unterdrücken und gleichzeitig eine höhere Leistungsfähigkeit der Transistoren zu gewährleisten. Zur maximalen Aktivierung bei minimaler Diffusion der eingebrachten Dotanden müssen dazu während der finalen Ausheilung extrem kurze Ausheilzeiten bei sehr hohen Temperaturen bewerkstelligt werden. Mit dem derzeitig angewandten Ausheilverfahren, der schnellen thermischen Ausheilung (RTA), bei der die minimale Ausheilzeit im Bereich von 1 s liegt, sind diese Vorgaben nicht mehr realisierbar. Nur durch den Einsatz von neuartigen thermischen Ausheilprozessen mit Ausheilzeiten im Millisekundenbereich können diese Forderungen erreicht werden. Das Thema der vorliegenden Arbeit ist die wissenschaftliche Untersuchung der neuartigen Ausheilprozesse und die experimentelle Realisierung von Integrationsmöglichkeiten in die planare Hochleistungs-SOI-CMOSFET-Technologie. Dazu wird zunächst die Notwendigkeit der Einführung der neuartigen Ausheilprozesse erläutert. Anschließend wird basierend auf experimentellen Untersuchungen der Einfluss der Kurzzeitausheilung auf die Diffusion und Aktivierung der Dotierstoffe für eine p- und n-Dotierung analysiert. Des Weiteren werden zwei unterschiedliche Technologien der Kurzzeitausheilung, die Blitzlampen- und Laser-Ausheilung, und deren Einfluss auf das Transistorverhalten sowohl auf Wafer- als auch auf Mikroprozessorebene untersucht. Der Schwerpunkt der vorliegenden Arbeit liegt auf der experimentellen Untersuchung zur Integration der Kurzzeitausheilung in den Herstellungsprozess von Hochleistungs-SOI-CMOSFETs. Zwei verschiedene Ansätze werden dabei näher betrachtet. Zum Einen wird der Einfluss der Kurzzeitausheilung als zusätzlicher Ausheilschritt im Anschluss an die herkömmliche RTA und zum Anderen als alleiniger Ausheilschritt ohne RTA untersucht. Die Ergebnisse der durchgeführten Experimente zeigen, dass durch die zusätzliche Kurzzeitausheilung nach Ansatz 1 ohne eine Veränderung des Herstellungsprozesses ein verbessertes Transistorverhalten erreicht werden kann. Demgegenüber ist die Integration der Kurzzeitausheilung nach Ansatz 2 nur durch eine Anpassung der Transistorarchitektur und eine Optimierung der Implantationsparameter für die Halo-, Source/Drain-Erweiterungs- und Source/Drain-Gebiete möglich. Ein Hauptaugenmerk bei der Herstellung diffusionsarmer p-MOSFETs nach Ansatz 2 liegt in der Implementierung von Si1-xGex-Source/Drain-Gebieten, um die Erhöhung der Leistungsfähigkeit durch diese Verspannungsquelle auch bei diesen Transistortypen zu gewährleisten. Die dazu durchgeführten experimentellen Untersuchungen zeigen, dass bei diffusionsarmen p-MOSFETs mit Si1-xGex in den Source/Drain-Gebieten des Transistors, die Wahl der richtigen Implantationsspezies von entscheidender Bedeutung ist. Abschließend erfolgt eine Gegenüberstellung der Ergebnisse von optimierten, diffusionsarmen n- und p-MOSFETs mit Transistoren der 45 nm-Technologie. Letztere basieren auf einem Prozess mit einer kombinierten Ausheilung von RTA und Kurzzeitausheilung. Dabei wird gezeigt, dass im Gegensatz zur herkömmlichen RTA-Ausheilung eine weitere Miniaturisierung der planaren Transistorstruktur mit Hilfe der Kurzzeitausheilung möglich ist.

Les canaux ioniques sont des protéines membranaires permettant le transport ionique au travers des membranes biologiques. Du fait de leur omniprésence dans l'organisme, ils représentent une classe de cibles thérapeutiques encore actuellement peu exploitée du fait de limitations expérimentales dans leur étude. La mesure électrique de l'activité des canaux ioniques au sein de bicouches biomimétiques reconstituées in vitro permettrait de répondre à ces limitations. Cependant, il n'existe actuellement pas de système satisfaisant au cahier des charges complet pour de telles analyses : stabilité et pureté de la bicouche, faible niveau de bruit, insertion rapide des canaux ioniques, intégration dans un dispositif fluidique, possibilité de mener une caractérisation optique simultanée. L'objectif de ces travaux de thèse était d'évaluer dans quelle mesure l'utilisation d'un substrat SOI (Silicon On Insulator) comprenant des nanopores pourrait permettre de répondre à tous ces critères. Des nanopores de diamètre compris entre 10 nm et 160 nm ont été réalisés à partir d'un substrat SOI. Une cellule fluidique transparente est utilisée pour l'adressage fluidique. Cette cellule permet d'autre part la double caractérisation électrique et optique. Les propriétés électriques en milieu liquide du dispositif ont été étudiées et permettent de dégager des perspectives d'amélioration. La double caractérisation électrique et optique est démontrée au moyen d'expériences de capture de nanoparticules fluorescentes sur les nanopores. Enfin, des premiers résultats prometteurs d'obtention d'une bicouche lipidique suspendue sont présentés. / Ion channels are membrane proteins responsible for ion transport across biological membranes. Due to their ubiquity, they are promising drug targets but are not yet fully exploited as such due to experimental restrictions in their study. Electrical measurement of ion channels activity within in vitro artificial lipid bilayers would enable to overcome these restrictions. However, there is not yet a system satisfying all the requirements for ion channels studies: stability and purity of the lipid bilayer, low noise level, fast insertion of ion channels, fluidic integration, ability to perform simultaneous optical characterization. The aim of this phD was to assess in which extent the use of an SOI (Silicon On Insulator) substrate bearing nanopores could satisfy all these requirements. 10 nm to 160 nm diameter nanopores were fabricated in an SOI substrate and characterized. A transparent fluidic cell was used for fluidic addressing. This transparent cell allows combined electrical and optical characterization. Electrical properties of the device in aqueous environment were studied, allowing to bring out improvement prospects. The combined electrical and optical characterization was demonstrated with fluorescent nanoparticle trapping experiments on the nanopores. Finally, promising results about the formation of a free-standing lipid bilayer are presented.

Cette recherche vise à cerner la complexité du concept du soi (heauton) dans la philosophie stoïcienne de l’empereur Marc Aurèle. Dans un premier temps, il s’agira de poser les bases de la physique stoïcienne qui nous permettent de saisir le paradoxe de l’existence d’individualités singulières au sein du grand Tout universel. Nous étudierons, pour ce faire, la théorie corporéiste stoïcienne ainsi que les concepts d’idia poiotês et d’oikeiôsis forgés par l’ancien stoïcisme, mais aussi la prohairesis épictéenne. Cela nous conduira à traiter du concept d’hêgemonikon central dans la conception du soi chez Marc Aurèle. Dans un deuxième temps, nous aborderons les caractéristiques de la partie dirigeante de l’âme par l’entremise de l’étude des disciplines du soi et de son altérité intérieure. Ainsi nous verrons comment le soi ne se présente pas comme un donné fixe, mais comme un espace relationnel en développement constant. Finalement, nous nous pencherons sur la question de la construction du soi, ce qui nous mènera à considérer l’importance du travail sur soi pour l’empereur Marc Aurèle. La problématique qui guidera notre recherche est celle qui vise à saisir ce qui constitue essentiellement le soi alors que celui-ci se présente comme un espace en aménagement constant, ouvert à l’altérité et qui n’est pas donné une fois pour toutes, mais construit. / This research aims to identify the complexity of the concept of the self in the Stoic philosophy of Emperor Marcus Aurelius. First, we will lay the bases of Stoic physics which allow us to grasp the paradox of the existence of singular individualities within the great universal Whole. To do this, we will study the Stoic corporeist theory as well as the concepts of idia poiotês and oikeiôsis forged by ancient Stoicism, but also the Epictean prohairesis. This will lead us to address the concept of hêgemonikon which is central in the conception of the self for Marcus Aurelius. Secondly, we will approach the characteristics of the ruling part of the soul through the study of the disciplines of the self and its interior otherness. Thus, we will see how the self is not a fixed datum, but a relational space in constant evolution. Finally, we will address the question of self-construction, which will lead us to consider the importance of the work on oneself for Emperor Marcus Aurelius. The question that will guide our research is to grasp what essentially constitutes the self when it is presented as a space in constant development, open to otherness and which is not given once and for all but constructed.

Est-il possible de se reconnaître et de se sentir interpellé par la Parole de Dieu encore aujourd'hui? Voilà la question qui sous-tend la présente recherche et qui a conduit à rendre compte d'un parcours de découverte de soi en vérité par l'intermédiaire d'une attention portée à soi-même au cœur de la vie quotidienne et d'un approfondissement d'un texte biblique. Deux outils méthodologiques ont servi à encadrer la démarche. La découverte d'une structure vivante de l'être qui invite à avancer toujours plus dans sa vérité a été rendue possible grâce à l'inscription du processus dans le cadre de la recherche heuristique. Par la suite, la pratique réglée de lecture appelée sémiotique a permis de construire, à partir de la péricope de Luc 5, 1–11, des significations éclairantes quant aux possibilités, pour la Bible, d'être signifiante parce que révélatrice de ('expérience humaine et de la présence de Dieu au cœur même de cette dernière.

L’interrogation concernant le lien entre l’art et la réalité ne date pas d’hier; de Platon à aujourd’hui, les écrivains remettent bien souvent dans l’arène de leurs œuvres cette préoccupation : l’art parvient-il à « dévoiler » le réel, ou n’ajoute-t-il qu’un « voile » supplémentaire à une réalité déjà complexe ? Cette problématique se retrouve au cœur du premier recueil de Tania Langlais, Douze bêtes aux chemises de l’homme, paru en 2000. La dynamique amoureuse entre un homme et une femme, sur fond de corrida, illustrée par des tissus de toutes sortes masquant la véritable nature de chacun, devient prétexte et code pour traiter de ce sujet plus vaste qui est celui de la capacité de l’art de dévoiler la réalité. Le recueil se présente ainsi comme une « poétique du dévoilement » puisqu’à travers la quête de transparence entreprise par les amants, c’est la voie pour y parvenir qui est, surtout, explorée de diverses façons. L’analyse prend racine dans les réflexions actuelles sur le sujet lyrique et l’énonciation (Rabaté, Maulpoix, Watteyne) tout en profitant de l’apport de la théorie des genres. Ultimement, ces codes et réflexions mis en place contribuent à proposer une réflexion plus large sur les liens qui unissent la vie et la littérature.

Extreme environments pose major obstacles for electronics in the form of extremely wide temperature ranges and hazardous radiation. The most common mitigation procedures involve extensive shielding and temperature control or complete displacement from the environment with high costs in weight, power, volume, and performance. There has been a shift away from these solutions and towards distributed, in-environment electronic systems. However, for this methodology to be viable, the requirements of heavy radiation shielding and temperature control have to be lessened or eliminated. This work gained new understanding of the best practices in analog circuit design for extreme environments. Major accomplishments included the over-temperature -180 C to +120 C and radiation validation of the SiGe Remote Electronics Unit, a first of its kind, 16 channel, sensor interface for unshielded operation in the Lunar environment, the design of two wide-temperature (-180 C to +120 C), total-ionizing-dose hardened, wireline transceivers for the Lunar environment, the low-frequency-noise characterization of a second-generation BiCMOS process from 300 K down to 90 K, the explanation of the physical mechanisms behind the single-event transient response of cascode structures in a 45 nm, SOI, radio-frequency, CMOS technology, the analysis of the single-event transient response of differential structures in a 32 nm, SOI, RF, CMOS technology, and the prediction of scaling trends of single-event effects in SOI CMOS technologies.