Τις τελευταίες δεκαετίες, οι διεργασίες πλάσματος με τάση διέγερσης ραδιοσυχνότητας χρησιμοποιούνται ολοένα και περισσότερο και απαντώνται σε διάφορες εφαρμογές όπως στην εναπόθεση υλικών, στην επεξεργασία επιφανειών κα. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα οι εκκενώσεις αίγλης ραδιοσυχνότητας να προσελκύσουν έντονο επιστημονικό ενδιαφέρον. Μπορεί τα τελευταία χρόνια να έχει σημειωθεί σημαντική πρόοδος στον τομέα αυτό ωστόσο υπάρχει ακόμα και σήμερα ενδιαφέρον που αφορά το σχεδιασμό των συστημάτων αυτών καθώς και την ανάπτυξη μεθόδων που αφορούν την επαναληψιμότητα των διεργασιών καθώς και τον έλεγχο των ιδιοτήτων του πλάσματος. Ένας από αυτούς τους τομείς είναι ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός ηλεκτροδίων ραδιοσυχνότητας πηγών πλάσματος και η εύρεση της κατανεμημένης εμπέδησής τους και ακολούθως ο υπολογισμός της καταναλισκόμενης ισχύος σε εκκενώσεις αίγλης. Αυτές οι τεχνικές μπορούν να μας προσφέρουν σημαντικές πληροφορίες για τους μηχανισμούς και τα φαινόμενα που λαμβάνουν χώρα σε εκκενώσεις ραδιοσυχνότητας, οι οποίες αν στη συνεχεία αξιοποιηθούν να μας οδηγήσουν στον ακριβή προσδιορισμό και έλεγχο των συνθηκών. Στην εργασία αυτή αναλύονται μέθοδοι από τις οποίες προκύπτουν αποτελέσματα που αφορούν παραμέτρους του πλάσματος μέσω μετρήσεων τάσης, ρεύματος και διαφοράς φάσης σε κάποιο σημείο εξωτερικά του αντιδραστήρα. Παρουσιάζονται τα αποτελέσματα ηλεκτρικών μετρήσεων σε εκκενώσεις αργού που πραγματοποιήθηκαν σε μια χωρητικά συζευγμένη πηγή πλάσματος. Αρχικά παρουσιάζεται ο ηλεκτρικός χαρακτηρισμός της πηγής και αναλύονται τρεις μέθοδοι για τη μέτρηση και τον υπολογισμό της καταναλισκόμενης ισχύος της εκκένωσης. Στην πρώτη μέθοδο οι ηλεκτρικές μετρήσεις χρησιμοποιούνται για το προσδιορισμό ενός ισοδύναμου ηλεκτρικού κυκλώματος με κατανεμημένα στοιχεία (πυκνωτές, πηνία αντιστάσεις) το οποίο μπορεί να περιγράψει την εμπέδηση ανάμεσα στο σημείο μέτρησης εξωτερικά του αντιδραστήρα και την επιφάνεια του ηλεκτροδίου ραδιοσυχνότητας. Το ισοδύναμο αυτό κύκλωμα επιλύεται με βάση τους κανόνες του Kirchhoff και προκύπτουν οι τιμές της μιγαδικής τάσης και ρεύματος της εκκένωσης. Στη δεύτερη μέθοδο, η τάση καθώς και το ρεύμα της εκκένωσης υπολογίζονται μέσω ενός πίνακα ABCD, τα στοιχεία του οποίου έχουν υπολογιστεί από μετρήσεις σε ανοικτό και βραχυκυκλωμένο κύκλωμα. Η τρίτη μέθοδος, μοιάζει αρκετά με τη δεύτερη μόνο που έχει το πλεονέκτημα να είναι πιο απλή λόγω του ότι δεν απαιτεί τη μέτρηση της φάσης της εμπέδησης (της φάσης της τάσης σε σχέση με την τάση του ρεύματος). / Over the last decades, plasma processing has been widely used in various applications such as the deposition of thin films, surface modification, dry etching etc. As a result, radio-frequency discharges have attracted particular scientific interest. Despite the steps forward, there are still open issues especially concerning the design of plasma systems and the effective control of plasma parameters. A part of these issues is related to the electrical characterization of the stray impedance of the plasma electrode and the subsequent measurement and calculation of the real power consumption during the process. These techniques can lead to better understanding of the plasma processes and can also lead to more stable, reliable and almost ideal performing plasma systems. The aim of this study is to point out externally measured non-intrusive plasma parameters that could ease design, control and transferability of plasma conditions. In this work we demonstrate results of electrical characteristics of argon discharges carried out in a high vacuum capacitively coupled parallel plate reactor. Initially, the electrical characterization of the plasma reactor is presented and three methods for measuring and calculating the real power consumed in the discharge are analyzed.. At the first method, the electrical measurements are used to determine a simple equivalent circuit that can describe the parasitic impedances that interfere between the point of measurement and the RF electrode’s surface. The equivalent circuit model is then solved through Kirchhoff’s laws and values of the complex electrode’s voltage and current are obtained from the measured voltage and current at some point located outside the reactor. At the second method, the reactor is treated as a two-port network. The electrode’s voltage and current are calculated through the ABCD matrix of the reactor whose values a, b, c, d are extracted from open and short circuit measurements. The third method is a simplification of the second method as it does not require the phase of the impedance (the phase of the voltage relative to the current) for the calculations.

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Made available in DSpace on 2014-12-17T14:07:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ElialdoCS_TESE.pdf: 4625434 bytes, checksum: bec8d03e9004e11648c49c45f84ffe0f (MD5) Previous issue date: 2010-03-26 / Universidade Federal do Rio Grande do Norte / The dielectric porcelain is usually obtained by mixing various raw materials proportions and is used in the production of electronic equipment for various applications, from capacitors of high and low Power to insulators for low, medium, high and extra high voltage, which are used in distribution lines and transmission of electricity.This work was directed to the s tudy of technological properties of technic porcelain, made from raw materials extracted from pegmatites found in the regions of Serid? and the Alto Oeste of Rio Grande do Norte, which are made of kaolin, quartz and feldspar, abundant and high quality in these regions. The technic ceramics were obtained by mixing in appropriate levels, kaolin, feldspar, quartz and clay, the last item from a pottery in the city of Sao Gon?alo do Amarante, Rio Grande do Norte. During the development the following characterizations correlated to raw materials were made: laser particle sizing, x-ray diffraction, DTA and TG. The compositions studied were formed by uniaxial pressing at a pressure of 50 MPa and sintered at temperatures ranging from 1150 to 1350?C and levels (times) of sintering between 30, 60, 90 and 120 minutes. The characterization of the samples were taken from the analysis of weight loss, linear shrinkage, porosity, stoneware curve, bulk density, flexural strength of three points, SEM and X-ray diffraction, TMA, Dielectric and cross Resistivity. The studied materials can be employed in producing the objects used in electrical engineering such as: insulators for low, medium and high-voltage electrical systems, command devices, bushing insulation for transformers, power capacitors, spark plugs, receptacles for fluorescent and incandescent light bulbs and others / A porcelana diel?trica ? normalmente obtida atrav?s da mistura de diferentes mat?rias-primas, em propor??es adequadas, sendo utilizada na produ??o de equipamentos eletroeletr?nicos de diversas aplica??es, desde capacitores de alta e baixa pot?ncia, a isoladores para baixa, m?dia, alta e extra alta tens?o, que s?o utilizados em linhas de distribui??o e transmiss?o de energia el?trica. Neste trabalho, s?o estudadas as propriedades tecnol?gicas de uma porcelana diel?trica, formulada a partir de mat?rias-primas obtidas de pegmatitos encontrados nas regi?es do Serid? e do Alto Oeste do Rio Grande do Norte, sendo estas constitu?das de caulim, quartzo e feldspato, abundantes e de alta qualidade nestas regi?es, e de uma argila proveniente de uma cer?mica situada no munic?pio de S?o Gon?alo do Amarante, tamb?m no Estado do Rio Grande do Norte. As mat?rias-primas foram caracterizadas atrav?s de: granulometria a laser, difra??o de raios X, an?lise t?rmica diferencial e an?lise termogravim?trica. As amostras foram conformadas por prensagem uniaxial a uma press?o de 50 MPa, e sinterizadas ?s temperaturas de 1150, 1200, 1250, 1300 e 1350 ?C, com patamares de sinteriza??o de 30, 60, 90 e 120 minutos. Os ensaios tecnol?gicos realizados foram: an?lise da perda de massa, retra??o linear, porosidade, curva de gressifica??o, microscopia eletr?nica de varredura, difra??o de raios X, dilatometria, rigidez diel?trica, resistividade transversal e permissividade diel?trica. Os melhores valores de propriedades foram obtidos na temperatura de 1250 ?C, para as composi??es estudadas, n?o sofrendo varia??es significativas em seu comportamento com o tempo de sinteriza??o. Os materiais estudados podem ser empregados na obten??o de objetos usados em eletrot?cnica como por exemplo: isoladores de baixa, m?dia e alta-tens?o para redes el?tricas, dispositivos de comando, bucha de isolamento de transformador, capacitores de pot?ncia, vela de igni??o, recept?culos de l?mpadas incandescentes e fluorescentes e outros

La réduction des dimensions des transistors à effet de champ MOS a depuis quelques années ralenti à cause de l'émergence de facteurs parasites tels que la résistance d'accès. En effet, la miniaturisation du canal s'est accompagnée par une diminution de sa résistance tandis que celle des zones d'accès à la frontière avec le canal est restée constante ou a augmenté. L'objectif de cette thèse a été de mettre en place une méthodologie de caractérisation électrique prenant en compte cette composante parasite longtemps considérée négligeable dans le milieu industriel.Dans un premier chapitre, le fonctionnement de la technologie CMOS et la spécificité de son adaptation FD-SOI sont d'abord présentées. La deuxième moitié du chapitre est quant à elle consacrée à l'état de l'art de la caractérisation électrique et de leur position vis-à-vis de la résistance d'accès.Le second chapitre présente une nouvelle méthode d'extraction des composantes parasites résistives et capacitives à l'aide de transistors de longueurs proches. Les résultats obtenus sont ensuite comparés aux modèles existants. De ces derniers, un nouveau modèle plus physiquement pertinent est proposé en fin de chapitre.Le troisième chapitre expose une nouvelle méthode de caractérisation électrique basée sur la fonction Y qui permet une analyse du comportement d'un transistor sur l'ensemble de son régime de fonctionnement. Cette nouvelle méthode est ensuite combinée à celle développée dans le chapitre 2 pour assembler un protocole expérimentale permettant de corriger et d'analyser l'impact des résistances d'accès sur les courbes de courant et les paramètres électriques.Finalement, le dernier chapitre applique la méthodologie vue dans la chapitre précédent à l'étude du désappariement stochastique des transistors. Les résultats obtenus sont ensuite comparés aux méthodes en vigueur dans les domaines industriel et académique qui présentent chacune leurs avantages et leurs inconvénients. La nouvelle méthode ainsi proposée tente de garder le meilleur de chacune de ces dernières. / The reduction of the dimensions of field effect MOS transistors has slowed down during the last years due to the increasing importance of parasitic factors such as access resistance. As a matter of fact, channel miniaturisation was accompanied by a reduction of its intrinsic resistance while that of the access region at the frontier with the channnel stayed constant or increased. The goal of this thesis was to set a new electrical characterization method to take into account this parasitic component long considered negligible in by industrials.In the first chapter, CMOS technologies working and its FD-SOI adaptation specificities are presented. The second half of the chapter deals with the state of the art of electrical characterization and their hypothesis about access resistance.The second chapter present a new resistive and capacitive parasitic components extraction method using transistors of close channel length. The results are then compared to existing models from which, a new one more physically accurate is proposed.The third chapter expose a new electrical characterization method based on Y function allowing the analyze of transistor behavior on the whole working regime. This new method is then combined with the one developped in the previous chapter to build a new experimental protocol to correct and analyze the impact of access resistances on current curves and parameters.Finally, the last chapter apply this new methodology to the case of stochastic mismatch between transistors. The results are then compared to the methods used by industrials and academics, each of them having their own pros and cons. The new method proposed tries to keep the best of both previous one.

La production d'énergie photovoltaïque est une option d'avenir pour répondre au développement économique de notre société tout en réduisant notre impact sur l'environnement. Mais pour devenir compétitive, cette filière doit améliorer le rendement des cellules solaires. Une technologie d'avenir consiste à combiner différents matériaux via une croissance par épitaxie et l'usage du collage direct. Cette thèse, financée par SOITEC, vise au développement du collage d'arseniure de gallium (GaAs) sur le phosphure d'indium (InP) pour la cellule SmartCell. L'objectif est d'optimiser son comportement électrique via un modèle numérique prenant en compte son état physico-chimique. Nous présentons d'abord un ensemble d'outils de caractérisations électriques pour réaliser une mesure I(V) précises de l'interface de collage. En fonction des cas, nous détaillons des contacts métalliques adaptés pour améliorer cette caractérisation. Une étude détaillée de l'hétérostructure GaAs/InP et des homostructures GaAs/GaAs et InP/InP amène ensuite à une compréhension de leur mécanisme de collage. Après recuit thermique, le procédé de collage hydrophile engendre des oxydes d'interfaces qui se résorbent dans le cas de l'InP et se fragmentent pour le GaAs. A paramètres constants, les empilements obtenus sont meilleurs que ceux de l'état de l'art au niveau électrique et mécanique. Nous poursuivons avec des propositions de procédés innovants pour maitriser l'oxyde d'interface et optimiser l'hétérostructure. Parmi ces options nous validons l'approche avec exposition ozone qui vise à générer sélectivement un oxyde avant mise en contact. L'empilement obtenu affiche une résistance proche de nos mesures de référence et a un fort potentiel. Enfin l'étude se conclue sur la présentation d'un modèle numérique inédit reliant procédé de collage, état d'interface et comportement électrique. A recuit donné, l'interface est hétérogène avec une zone reconstruite (conduction thermo-électronique) et une zone avec oxyde (conduction tunnel). Ces régions s'activent préférentiellement en fonction de la température de fonctionnement. Elles sont pondérés par un critère qui détermine le niveau de reconstruction du collage et qui sera utile pour de futurs développements de l'application. / The solar photovoltaic is a promising way to support our economical growth while it can reduce the environmental impact of our society. But, to be truly competitive, the sector has to develop more efficient solar cells. An interesting option aims at combining different materials either by epitaxy growth and direct bonding. The Ph.D. was funded by the SOITEC company with the goal to develop the bonding of the gallium arsenide (GaAs) on the indium phosphide (InP) for the SmartCell architecture. We had to optimize its electrical behavior with a numerical model taking into account the bonding interface state. We introduce the study with a wide range of I(V) tools to precisely characterize the bonding interface. Depending on the case, we detail suitable metal contacts to improve the test. A study in deep of the GaAs/InP heterostructure and the GaAs/GaAs and the InP/InP homostructures leads to a better understanding of the bonding mechanisms. After a thermal annealing, the hydrophilic bonding process generates oxyde compounds at the interface which are absorbed in the InP case and are fragmented in the GaAs case. For given parameters, our stacks are electrically and mechanically better than the state of the art. Then we propose innovative processes to control the interface oxyde and thus optimize the heterostructure. Among them, we validate a new approach with ozone exposure that selectively generates an oxyde prior to bonding. The interface resistance of the stack is therefore closed to our best results and has great potentials. To conclude, the study focuses on a novel numerical model connecting the bonding process, the interface state and the electrical behavior. For a given annealing, the interface is heterogenous with reconstructed areas (thermionic conduction) and oxyde areas (tunnel conduction). These regions are preferentially activated as a function of the operating temperature. They are weighted by a criteria determining the level of the bonding reconstruction which will be useful for the future developments of the application.

La technologie Flash arrive à ses limites de miniaturisation. Ainsi, la nécessité de nouvelles technologies mémoire augmente. Les candidats au remplacement des mémoires Flash sont les technologies non volatiles émergentes comme les mémoires à pont conducteur (CBRAM), résistives à base d'oxyde (RRAM), mémoires magnétiques (MRAM) et mémoires à changement de phase (PCRAM). En particulier, les mémoires CBRAM sont basées sur structure simple métal-isolant-métal (MIM) et présentent plusieurs avantages par rapport aux autres technologies. La CBRAM est non volatile, à savoir qu'elle garde l’information lorsque l'alimentation est coupée, ses dimensions peuvent être réduites jusqu'à nœud 10 nm, elle peut facilement être intégrée dans le Back-End d’une intégration CMOS, enfin, elle a une vitesse de fonctionnement élevée à basse tension et un faible coût de fabrication. Néanmoins, les spécifications pour l'industrialisation des CBRAM sont très strictes. Dans cette thèse, nous analysons deux générations de technologie CBRAM, chacune adressant un marché d'application spécifique. La première partie de la thèse est consacrée à l’étude électrique des structures à base de cuivre et de GdOX, qui présentent comme avantages une conservation des données très stable et une bonne résistance lors de la soudure des puces, et un bon comportement de l'endurance. Cette technologie adresse principalement les applications à haute température telle que l'automobile. Pour répondre aux spécifications, un oxyde métallique dopé ainsi que des bicouches sont intégrés pour réduire la tension de formation de la mémoire et augmenter la fenêtre de programmation. Les performances en endurance sont améliorées. La deuxième partie est dédiée à une nouvelle technologie de CBRAM, avec un empilement de type MIM. Dans ce cas, nous avons démontré des temps de commutation très rapides de 20ns à basses tensions (2V), combinés avec une endurance satisfaisante et une bonne rétention des données. Cette technologie semble être compatible avec les applications Internet des objets (IOT). En résumé, au cours de ce doctorat, l'objectif principal était d'étudier la fiabilité des dispositifs embarqués CBRAM en termes d’écriture des données, endurance et la conservation de l’information. Une méthodologie de test spécifique a été développée, afin d’évaluer les performances des technologies étudiées. Des modèles physiques ont été mis au point pour expliquer et analyser les résultats expérimentaux. Sur la base des résultats obtenus, nous démontrons que la technologie de CBRAM est très prometteuse pour les futures applications de mémoires non volatiles. / Flash technology is approaching its scaling limits, so the demand for novel memory technologies is increasing. Promising replacing candidates are the emerging non volatile technologies such as Conductive Bridge Memory (CBRAM), Oxide based Resistive RAM (OXRAM), Magnetic Random Access Memory (MRAM) and Phase Change Memory (PCRAM). In particular, CBRAM is based on a simple Metal-Insulator-Metal (MIM) structure and presents several advantages compared to the other technologies. CBRAM is non volatile, i.e. it keeps the information when the power is off, it is scalable down to 10nm technology node, it can be easily integrated into the Back-End-of-Line (BEOL), finally, it has high operation speed at low voltages and low cost per bit. Nevertheless, demands for the industrialization of CBRAM are very stringent and issues related to device reliability are still to be faced. In this thesis we analyze two generations of CBRAM technology, each one addressing a specific application market. The first part of the PhD is dedicated to the electricalstudy of Cu-based/GdOx structures, which present the advantages of a very stable data retention and resistance to soldering reflow and also good endurance behavior. This CBRAM family addresses mainly the high temperature applications as automotive. To fulfill the specification requirements, doping of metal-oxide andbilayers are integrated to decrease the forming voltage and increase the programmingwindow. Better endurance performance is also achieved. The second part isdedicated to a new CBRAM technology, with a simple MIM structure. In this case, the device showsfast operation speed of 20ns at low voltages of 2V, combined with satisfying endurance and data retention. This technology seems to be compatible with the growing Internet of Things (IOT) market. In summary, during the PhD research, the main objective was to study the reliability of the embedded CBRAM devices in terms of forming, endurance and data retention. Some methodologies were developed and the electrical set-up was modified and adapted to specific measurements. Physical models were developed to explain and better fit the experimental results. Based on the obtained results, we demonstrate that the CBRAM technology is highly promising for future NVM applications.

L’intégration monolithique de filtres et de diodes contre les décharges électrostatiques sur silicium est une solution à bas cout et fiable pour protéger les interfaces de transfert de données des appareils nomades. La formation de caissons isolants de silicium poreux sous les filtres permet d’améliorer en partie leur performance. Cette thèse avait pour but de poursuivre l’intégration de démonstrateurs RF sur silicium poreux et de proposer des voies de fonctionnalisation du matériau en vue d’optimiser les caractéristiques des filtres. Tout d’abord, les configurations bénéfiques d’intégration de caissons poreux à un filtre de mode commun (ECMF) ont été étudiées. Ensuite, une optimisation de l’étape d’oxydation post-anodisation a été réalisée afin d’améliorer la qualité et la stabilité de l’isolation électrique. Pour cela, les mécanismes d’oxydation, les propriétés chimiques et les propriétés électriques du silicium mésoporeux oxydé ont été mises en perspective avec la nature du traitement appliqué. Enfin, l’insertion dans les pores de nanoparticules ferromagnétiques de forte perméabilité a été menée dans le but d’augmenter la densité d’inductance par unité de surface. / Monolithic integration of interference filters and protection diodes on silicon is a viable and mature technology used to protect high-speed serial interfaces of nomadic devices. To enhance the filters performance, porous silicon can be formed by anodization specifically underneath the filter area. This thesis aimed to pursue the integration of RF prototypes on porous silicon and also to suggest strategies of material functionalization in order to optimize the filter characteristics. First, various configurations of common-mode filters were integrated on porous silicon and their performances were compared. Then, the post-anodization oxidation step has been optimized in order to provide the most efficient and stable electrical isolation. The oxidation mechanisms were discussed. The surface chemistry of porous silicon and its electrical behavior have been put in perspective with the oxidation treatments. Finally, this work suggested experimental methods to synthesize and characterize a ferromagnetic porous silicon-based nanocomposite for the improvement of the inductance density per unit area.

Submitted by Lara Oliveira (lara@ufersa.edu.br) on 2017-05-24T20:47:48Z No. of bitstreams: 1 JuanRFG_DISSERT.pdf: 3346003 bytes, checksum: 0b61d81493463a07bc096fa6a4a756d6 (MD5) / Approved for entry into archive by Vanessa Christiane (referencia@ufersa.edu.br) on 2017-05-26T11:52:59Z (GMT) No. of bitstreams: 1 JuanRFG_DISSERT.pdf: 3346003 bytes, checksum: 0b61d81493463a07bc096fa6a4a756d6 (MD5) / Approved for entry into archive by Vanessa Christiane (referencia@ufersa.edu.br) on 2017-05-26T11:53:54Z (GMT) No. of bitstreams: 1 JuanRFG_DISSERT.pdf: 3346003 bytes, checksum: 0b61d81493463a07bc096fa6a4a756d6 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-05-26T11:54:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JuanRFG_DISSERT.pdf: 3346003 bytes, checksum: 0b61d81493463a07bc096fa6a4a756d6 (MD5) Previous issue date: 2016-05-20 / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / The flexible microstrip antennas are devices that guarantee the development of communications systems with greater adaptability to the different types of microwaves applications .The possibility of an antenna be designed using textile materials facilitates their conditioning on systems that need is in contact or very close to the human body. The mesh fabric offers greater adaptability to the application due its flexibility. To build the antenna, is necessary check the compatibility between the knitted fabrics available and project needs. Therefore, is essential study the behavior of the electrical and physical features of each structure, analyzing also the influence of synthetic and organic fibers in performance. The characterization allows choice which fabrics is better to manufacture the antenna, is designed and built one microstrip antenna with classic rectangular geometry using the knitted fabric with better performance. The synthetic fibers have better physical characteristics that improve the adaptability of the tissue as a substrate. The electrical characteristics of the mesh fabrics they presented similar behavior as the frequency variation. In the frequency 2.45 GHz knitted fabric composed of polyester and spandex has the best actual values of relative permittivity and loss tangent thus constructed is used in the antenna design. The results show that the resonance frequency is approximately 2.68 GHz, a variation near 230 MHz, this is due to aspects of the test antenna construction / As antenas de microfitas flexíveis são dispositivos que garantem o desenvolvimento de sistemas de comunicações com maior adaptabilidade aos diversos tipos de aplicações em microondas. A possibilidade de uma antena ser projetada utilizando materiais têxteis facilita seu condicionamento em sistemas que necessitem estar em contato ou muito próximo ao corpo humano. O tecido de malha oferece maior adaptabilidade à aplicação devido a sua flexibilidade. Com o objetivo de construir a antena, é necessário verificar a compatibilidade entre os tecidos de malha disponíveis e as necessidades do projeto. Assim, é indispensável estudar o comportamento das características elétricas e físicas de cada estrutura. Analisando também, a influência das fibras sintéticas e orgânicas no desempenho. A partir da caracterização e escolha dos tecidos que comporão a antena, é projetada e construída uma antena de microfita com geometria retangular clássica utilizando o tecido com melhor desempenho. Os tecidos que contém fibras sintéticas apresentam características físicas que aumentam a adaptabilidade do tecido como substrato. As características elétricas dos tecidos apresentam comportamento semelhante quanto à variação da frequência. Na frequência de 2,45 GHz o tecido de malha composto por Poliéster e Elastano apresenta os melhores valores de permissividade relativa real e tangente de perdas, assim, é utilizado no projeto da antena construída. Os resultados demonstram que a frequência de ressonância é aproximadamente 2,68 GHz, representando uma variação aproxima de 230 MHz, isso ocorre devido a aspectos ligados a fase de construção da antena teste / 2017-05-24

Les convertisseurs à base de Si atteignent leurs limites. Face à ces besoins, le GaN, avec sa vitesse de saturation des électrons et le champ électrique de claquage élevés est candidat idéal pour réaliser des redresseurs, surtout s’il est épitaxié sur substrat à bas cout. Ce travail est dédié au développement des diodes Schottky sur AlGaN/GaN. Une couche de SiNx en faible traction a été obtenue. Un contact ohmique de Ti/Al avec une gravure partiel a donné une Rc de 2.8 Ω.mm avec une résistance Rsh de 480 Ω/□. Des diodes Schottky avec les étapes issues de ces études ont été fabriqué. La diode recuite à 400 °C avec 30 nm de profondeur de gravure a montré une hauteur de barrière de 0,82 eV et un facteur d'idéalité de 1,49. La diode a présenté une très faible densité de courant de fuite de 8.45x10-8 A.mm-1 à -400 V avec une tension de claquage entre 480 V et 750 V. / Si-based devices for power conversion applications are reaching their limits. Wide band gap GaN is particularly interesting due to the high electron saturation velocity and high breakdown electric field, especially when epitaxied on low cost substrates such as Si. This work was dedicated to the development and fabrication of the Schottky diode on AlGaN/GaN on Si. SiNx passivation in very low tensile strain is used. Ti (70 nm)/Al (180 nm) partially recessed ohmic contacts annealed at 800 ºC exhibited a 2.8 Ω.mm Rc with a sheet resistance of 480 Ω/sq. Schottky diodes with the previously cited passivation and ohmic contact were fabricated with a fully recessed Schottky contact annealed at 400 ºC. A Schottky barrier height of 0.82 eV and an ideality factor of 1.49 were obtained. These diodes also exhibited a very low leakage current density (up to -400 V) of 8.45x10-8 A.mm-1. The breakdown voltage varied between 480 V and 750 V.

Selon la feuille de route des industriels de la microélectronique (ITRS), la dimension critiqueminimum des MOSFET en 2026 ne devrait être que de 6 nm [1]. La miniaturisation du CMOS reposeessentiellement sur deux approches, à savoir la réduction des dimensions géométriques physiques etdes dimensions équivalentes. La réduction géométrique des dimensions conduit à la diminution desdimensions critiques selon la « loi » de Moore, qui définit les tendances de l’industrie dessemiconducteurs. Comme la taille des dispositifs est réduite de façon importante, davantage d’effortssont consentis pour maintenir les performances des composants en dépit des effets de canaux courts,des fluctuations induites par le nombre de dopants…. [2-4]. D’autre part, la réduction des dimensionséquivalentes devient de plus en plus importante de nos jours et de nouvelles solutions pour laminiaturisation reposant sur la conception et les procédés technologiques sont nécessaires. Pour cela,des solutions nouvelles sont nécessaires, en termes de matériaux, d’architectures de composants et detechnologies, afin d’atteindre les critères requis pour la faible consommation et les nouvellesfonctionnalités pour les composants futurs (“More than Moore” et “Beyond CMOS”). A titred’exemple, les transistors à film mince (TFT) sont des dispositifs prometteurs pour les circuitsélectroniques flexibles et transparents. / Novel advanced metal-oxide semiconductor (MOS) devices such as fully-depleted-silicon-on-insulator (FD-SOI) Tri-gate transistor, junctionless transistor, and amorphous-oxide-semiconductor thin film transistor were developed for continuing down-scaling trend and extending the functionality of CMOS technology, for example, the transparency and the flexibility. In this dissertation, the electrical characteristics and modeling of these advanced MOS devices are presented and they are analyzed. The sidewall mobility trends with temperature in multi-channel tri-gate MOSFET showed that the sidewall conduction is dominantly governed by surface roughness scattering. The degree of surface roughness scattering was evaluated with modified mobility degradation factor. With these extracted parameters, it was noted that the effect of surface roughness scattering can be higher in inversion-mode nanowire-like transistor than that of FinFET. The series resistance of multi-channel tri-gate MOSFET was also compared to planar device having same channel length and channel width of multi-channel device. The higher series resistance was observed in multi-channel tri-gate MOSFET. It was identified, through low temperature measurement and 2-D numerical simulation, that it could be attributed to the variation of doping concentration in the source/drain extension region in the device. The impact of channel width on back biasing effect in n-type tri-gate MOSFET on SOI material was also investigated. The suppressed back bias effects was shown in narrow device (Wtop_eff = 20 nm) due to higher control of front gate on overall channel, compared to the planar device (Wtop_eff = 170 nm). The variation of effective mobility in both devices was analyzed with different channel interface of the front channel and the back channel. In addition, 2-D numerical simulation of the the gate-to-channel capacitance and the effective mobility successfully reconstructed the experimental observation. The model for the effective mobility was inherited from two kinds of mobility degradations, i.e. different mobility attenuation along lateral and vertical directions of channel and additional mobility degradation in narrow device due to the effect of sidewall mobility. With comparison to inversion-mode (IM) transistors, the back bias effect on tri-gate junctionless transistors (JLTs) also has been investigated using experimental results and 2-D numerical simulations. Owing to the different conduction mechanisms, the planar JLT shows more sensitive variation on the performance by back biasing than that of planar IM transistors. However, the back biasing effect is significantly suppressed in nanowire-like JLTs, like in extremely narrow IM transistors, due to the small portion of bulk neutral channel and strong sidewall gate controls. Finally, the characterization method was comprehensively applied to a-InHfZnO (IHZO) thin film transistor (TFT). The series resistance and the variation of channel length were extracted from the transfer curve. And mobility values extracted with different methods such as split C-V method and modified Y-function were compared. The static characteristic evaluated as a function of temperature shows the degenerate behavior of a-IHZO TFT inversion layer. Using subthreshold slope and noise characteristics, the trap information in a-IHZO TFT was also obtained. Based on experimental results, a numerical model for a-IHZO TFT was proposed, including band-tail states conduction and interface traps. The simulated electrical characteristics were well-consistent to the experimental observations. For the practical applications of novel devices, the electrical characterization and proper modeling are essential. These attempts shown in the dissertation will provides physical understanding for conduction of these novel devices.