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Influence de l’irradiation et de la radiolyse sur la vitesse et les mécanismes de corrosion des alliages de zirconium / Influence of irradiation and radiolysis on the corrosion rate and mechanisms of zirconium alloysVerlet, Romain 03 December 2015 (has links)
Le combustible nucléaire des Réacteurs à Eau sous Pression (REP), sous forme de pastilles d’oxyde d’uranium UO2 (ou MOx), est confiné dans un gainage en alliage de zirconium. Ce gainage est très important car il représente la première barrière de confinement contre la dissémination des produits de fission, générés par la réaction nucléaire, vers le milieu extérieur. La corrosion par le milieu primaire des alliages de zirconium, en particulier l’alliage Zircaloy-4, est un des facteurs limitant le temps de séjour en réacteur des crayons combustibles (pastilles UO2 + gainage). Afin de permettre aux exploitants de centrales d’optimiser la gestion des cœurs et de prolonger la durée de vie des crayons combustibles en réacteur, de nouveaux alliages à base de zirconium-niobium (M5®) ont été développés. Or, les mécanismes de corrosion de ces derniers ne sont, en l’état, pas complètement élucidés du fait notamment de la complexité de ces matériaux, de l’environnement de corrosion et de la présence de l'irradiation venant du combustible nucléaire. De ce fait, cette thèse porte spécifiquement sur l’effet de la radiolyse et des défauts induits par l’irradiation aux ions dans la matrice métallique et dans la couche d’oxyde sur la vitesse de corrosion de l’alliage Zircaloy-4 et M5®. L’objectif est de déconvoluer la part de l’influence des dommages d’irradiation subis par la matrice métallique, de celle relative aux défauts créés dans l’oxyde et de celle liée à la radiolyse du milieu primaire sur la vitesse d’oxydation des alliages de zirconium en réacteur.1) Concernant l’effet de l’irradiation de la matrice métallique sur la vitesse d’oxydation : des boucles de dislocation de type <a> apparaissent et entrainent une augmentation de la vitesse d’oxydation des deux alliages. Pour le M5®, en plus de ce premier effet, une précipitation d’aiguilles fines de niobium diminue la concentration en niobium en solution solide dans la matrice métallique et in fine dans l’oxyde, ce qui réduit fortement la vitesse d’oxydation de l’alliage.2) Concernant l’effet de l’irradiation de la couche d’oxyde sur la vitesse d’oxydation : les défauts générés par les cascades de déplacement dans l’oxyde augmentent la vitesse d’oxydation des matériaux. Pour le M5®, la germination de zones enrichies en niobium par irradiation de l’oxyde entraine une également diminution de la concentration en niobium en solution solide dans l’oxyde, ce qui réduit une nouvelle fois, la vitesse d’oxydation de cet alliage.3) Concernant l’effet de la radiolyse de l’eau : nous n’avons pas relevé d’effet considérable de la radiolyse sur la corrosion de l’alliage Zy4 ou M5® dans nos conditions expérimentales. / The nuclear fuel of pressurized water reactors (PWR) in the form of uranium oxide UO2 pellets (or MOX) is confined in a zirconium alloy cladding. This cladding is very important because it represents the first containment barrier against the release of fission products generated by the nuclear reaction to the external environment. Corrosion by the primary medium of zirconium alloys, particularly the Zircaloy-4, is one of the factors limiting the reactor residence time of the fuel rods (UO2 pellets + cladding). To optimize core management and to extend the lifetime of the fuel rods in reactor, new alloys based on zirconium-niobium (M5®) have been developed. However, the corrosion mechanisms of these are not completely understood because of the complexity of these materials, corrosion environment and the presence of radiation from the nuclear fuel. Therefore, this thesis specifically addresses the effects of radiolysis and defects induced by irradiation with ions in the matrix metal and the oxide layer on the corrosion rate of Zircaloy-4 and M5®. The goal is to separate the influence of radiation damage to the metal, that relating to defects created in the oxide and that linked to radiolysis of the primary medium on the oxidation rate of zirconium alloys in reactor.1) Regarding effect of irradiation of the metal on the oxidation rate: <a> type dislocation loops appear and increase the oxidation rate of the two alloys. For M5®, in addition to the first effect, a precipitation of fines needles of niobium reduced the solid solution of niobium concentration in the metal and ultimately in the oxide, which strongly reduces the oxidation rate of the alloy.2) Regarding the effect of irradiation of the oxide layer on the oxidation rate: defects generated by the nuclear cascades in the oxide increase the oxidation rate of the two materials. For M5®, germination of niobium enriched zones in irradiated oxide also causes a decrease of the niobium concentration in solid solution in the oxide, which once again, reduced the oxidation rate of this alloy.3) Regarding the effect of water radiolysis: We did not identify any significant effect of radiolysis on corrosion of the alloys under our experimental conditions.
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Etude des nouveaux modificateurs de frottement à base de molybdène pour la lubrification moteurGorbatchev, Olga 24 July 2014 (has links)
La zone Segment-Piston-Chemise (SPC) d’un moteur thermique est une source importante de dissipation d’énergie liée au frottement sévère. Il est important d’optimiser les lubrifiants agissant dans cette zone car ils ont un impact essentiel sur la durée de vie des pièces mécaniques et la réduction de la consommation énergétique des véhicules. Le dépôt de revêtements sur certaines pièces soumises à des frottements sévères est également une alternative intéressante, en particulier les revêtements carbonés de type DLC et diamant nanocristallin (NCD). La formulation des nouveaux lubrifiants moteurs doit tenir compte de la présence éventuelle de ces nouveaux matériaux. Dans ce travail de doctorat, l’action tribochimique de nouveaux additifs à base de molybdène, couplés à un additif anti-usure de type ZnDTP et à d’autres additifs de type modificateur de frottement, a été étudiée. Ces derniers sont depuis longtemps connus pour leur grande capacité à réduire le frottement grâce à la formation du composé lamellaire di-sulfure de molybdène (MoS2), notamment les additifs MoDTC dimer. Cependant la quantité importante de soufre qu’ils contiennent reste problématique du fait de son impact néfaste sur l’environnement. L’effet synergique d’un additif au molybdène purement organique, appelé Mo-organique, en combinaison avec un additif ZnDTP et d’une triamine grasse, a été découvert. Ce nouveau mélange ternaire permet de réduire jusqu’à 20% la contenance en soufre d’une formulation lubrifiante globale tout en améliorant les performances tribologiques par rapport à celles du MoDTC classique. De ce fait, une réduction du coefficient de frottement atteignant 50% a été observée. Une caractérisation physico-chimique multi-échelles des tribofilms binaires et ternaires dérivés du Mo-organique a été réalisée en utilisant une approche multi-techniques (XPS, ToF-SIMS, FIB/HRTEM). Un mécanisme réactionnel hypothétique conduisant à la formation du MoS2, passant par un composé intermédiaire de type « thiomolybdate » a été proposé. / The friction in the Piston-ring area is a significant cause of the energy waste. It is important to optimize the lubricants acting in this zone because they have an essential impact on the service life of the mechanical parts and the reduction of the energy consumption of vehicles. The coating on relevant part is also an interesting alternative, such as the carbon coating of the DLC type or a nano-crystalline diamond (NCD) coating. If such coating materials are used, the composition of new lubricants has to be adapted correspondingly. This doctoral work-studies the tribo-chemical action of new additives with molybdenum, coupled with an anti-wear additive of the ZnDTP type as well as with some other friction-modifying additives. Some of these additives, especially the MoDTC dimer, are known to reduce the friction through formation of the lamellar di-sulfur composite of molybdenum (MoS2). However, due to high sulfur content these additives produce significant adverse environmental effects. A synergy effect has been proven of a purely organic molybdenum additive, called Moorganic, combined with a ZnDTP additive and from a fatty triamine. This new ternary mixture allows reducing up to 20% the sulfur content in the lubricant’s global formula and improves the tribological properties in comparison with the classical MoDTC. Consequently, the observed reduction of friction coefficient reached 50%. Using the multi-technic approach (XPS, ToF-SIMS, FIB/HRTEM) we realized a multi-scale physicochemical characterization of the binary and ternary tribo-layers that derived from the Mo-organic. A reactional mechanism that leads to the MoS2 formation has been proposed; it goes through the intermediate composite of the « thiomolybdate » type.
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Etude des interactions entre les défauts lacunaires et les solutés Y,O, Ti pour mieux comprendre leur rôle dans la formation des nanoparticules d'oxydes dans les aciers ODS / Experimental study of the interaction of vacancy defects with Y, O and Ti solutes to better understand their roles in the nanoparticles formation in ODS steelsAsplet, William 13 December 2018 (has links)
Cette thèse est dédiée à l’étude des interactions entre les défauts lacunaires et les solutés (Y, Ti, O) pour mieux comprendre la formation des nanoparticules d’oxyde dans les aciers ODS (Oxide Dispersion Strengthened). Ces aciers sont envisagés comme matériau de structure dans la prochaine génération de réacteurs nucléaires fission et fusion. Leurs bonnes propriétés reposent essentiellement sur une répartition homogène de nanoparticules (YxTiyOz) de très faible taille. Cependant, l’obtention de cette répartition n’est pas encore maitrisée et le mécanisme de formation de ces nanoparticules n’est pas encore bien défini. Des modèles théoriques montrent que la présence de lacunes pendant l’étape de broyage pourrait impacter la formation de ces nanoparticules. Cette étude fait suite à la thèse de C. He et apporte de nouveaux résultats et de nouvelles interprétations et conclusions. Des implantations avec des ions Y, Ti, O ont été réalisées afin de simuler l’étape de broyage de ces aciers ODS. Elles ont permis d’introduire des défauts et les solutés désirés dans la matrice de fer α. Nous avons ensuite étudié les interactions entre les solutés et les défauts générés dans la matrice. La nature des défauts induits a été étudiée en fonction de l’ion implanté et de traitements thermiques après implantation par spectroscopie d’annihilation de positons (PAS) et corrélée avec les profils en profondeur des solutés obtenus par spectrométrie de masse des ions secondaires (SIMS). Les caractéristiques d’annihilation de certains défauts encore inconnues ont pu être déterminées. Les mesures SIMS ont montré que le titane ne migre pas entre 100 et 450°C et que l’oxygène présente un comportement complexe de migration et de piégeage dépendant de la température et de la microstructure des matériaux. Les résultats PAS montrent que les implantations ioniques conduisent à la formation de clusters lacunaires, de complexes lacunes-solutés et de dislocations dont la proportion change en fonction de la profondeur et de la nature de l’ion implanté. Les clusters de lacunes Vn et les dislocations sont détectés au-delà du pic d’implantation avec une fraction plus importante pour les dislocations indiquant que les défauts ont pu migrer pendant l’implantation. La proportion des complexes lacunes-solutés est maximale dans la zone d’arrêt des ions. Elle est en accord avec les énergies de liaison théoriques des complexes lacunes-soluté. La nature et la distribution des défauts formés évoluent en fonction de la température de recuit. Les clusters lacunaires Vn disparaissent entre RT et 300°C alors que les dislocations sont éliminées à partir de 400°C. Des phases oxydes sont détectées pour des recuits à 500 et 550°C en lien avec la contamination en oxygène. Des défauts dont la nature est non identifiée ont été mis en évidence pour des recuits réalisés entre 300 et 400°C dans les implantations O, Y et Y+O. / This PhD thesis is dedicated to the study of interaction between vacancies and Y, Ti,O solutes for a better understanding of formation of oxide nanoparticles in ODS steel (Oxide Dispersion Strengthened). These ODS steels are considered as structural material for the next generation of fission and fusion nuclear reactors. Their good properties are induced by the fine dispersion of low size oxide nanoparticles. However, obtaining this distribution is not mastered and atomic scale clustering is not yet defined. Furthermore, it was shown by theoretical models that the presence of vacancy during mechanical alloying could affect the formation of these nanoparticles. This study follows upon on a previous study made by C.He, and bring new results, new interpretation and conclusions. Some implantations with Y, Ti, O ions with several energy have been made in order to simulate the mechanical alloying step used for ODS steel fabrication. Theses irradiations have induced defects and solutes into the iron matrix. Then we characterized samples using positron annihilation spectroscopy (PAS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The nature of defects was studied according to nature of the implanted ion and the annealing temperature by PAS and correlated to depth profiles of solutes obtained by SIMS. Annihilation characteristics of some defects still unknown were able to be determined thanks to positron lifetime measurements. SIMS analysis showed that titanium doesn’t migrate for annealing experiments between 100°C and 450°C and that oxygen show a complex behavior of migration and trapping dependent on the microstructure of the material. PAS results show that ionic implantations produce vacancy clusters, dislocations and solutes-vacancies complex. Their proportion changes as a function of depth and nature of these irradiations. Vacancy clusters and dislocations are detected deeper than the implantation peak with a higher fraction for the dislocations indicating that the defects were able to migrate during implantations. The fraction of vacancy-solutes complexes is the highest in the ion stopping zone and is in a good agreement with the theoretical binding energy of vacancies-solutes complex. The nature and the distribution of the defects evolve according to the annealing temperature. Vacancy clusters disappear between RT and 300°C while the dislocations are eliminated from 400°C. Oxide phases are detected for annealing at 500 and 550°C in relation with the oxygen contamination during these annealings. Some defects which the nature is not yet identified were highlighted for annealing between 300 and 400°C for Y, O and Y+O irradiations
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Chemische Charakterisierung von diagnostischen Glykan-Oberflächen vor und nach Interaktion mit Modell-AnalytenNietzold, Carolin 05 February 2020 (has links)
Das Hauptanliegen dieser Arbeit war es valide chemische Verfahren für die Optimierung der Gesamtleistung von Glykan-Microarrays bereitzustellen. Dafür erfolgte eine gründliche Untersuchung jedes einzelnen Prozessschritts innerhalb der Arrayproduktion durch Anwendung komplementärer Methoden der chemischen Oberflächenanalytik. Mit Hilfe von fortgeschrittenen Verfahren der Elektronen-Spektroskopie für die chemische Anlayse (ESCA/XPS) wurden valide quantitative Daten bei der chemischen Charakterisierung der Oberflächen erhalten die mit den häufig eingesetzten qualitativen bzw. indirekten Verfahren (z.B. Kontaktwinkel Goniometrie und Fluoreszenz-Spektroskopie) so nicht erhalten werden können. Die robuste Anbindung von Glykanen auf der Substratoberfläche ist Voraussetzung für eine reproduzierbare Anwendung in der Diagnostik aber auch für die Entwicklung valider quantitativer Charakterisierungsmethoden zur Bewertung der Effizienz der Immobilisierungsreaktionen.
Ein Schwerpunkt der Arbeit lag in der Charakterisierung und Optimierung der Glykananbindung an amin-reaktive Oberflächen. Hierzu wurden z.B. spezielle Glykane mit Fluorlabel auf epoxid-funktionalisierten Siliziumoberflächen immobilisiert. Eine Quantifizierung der angebundenen Glykane ist zum Beispiel über die Bestimmung der CF3-Gruppe im hochaufgelösten C1s XPS Spektrum möglich. Die Interaktionen Sonde-Analyt wurden modellhaft mit immobilisierten Glykanen und dem Lektin Concanavalin A mit Verfahren der chemischen Oberflächenanalytik untersucht.
Neben der chemischen Charakterisierung frisch präparierter Glykansonden wurde auch das Alterungsverhalten der Glykan-Microarrays untersucht. / The objective of this research is to sidestep many of the initial and current problems of glycan microarray based devices by using new analytical approaches to control molecular engineering. For this purpose, a thorough investigation of each individual step in the array production is carried out by applying complementary methods of surface chemical analysis. New fluorophore-free protocols based on methods of surface analysis as XPS will be developed and validated to enable glycan microarray performance optimization. The advantage of these methods is the direct quantitative access to chemical bonds at high lateral resolution. In contrast to the frequently used qualitative or indirect methods (e.g. contact angle goniometry and fluorescence spectroscopy), valid quantitative data are obtained. The robust binding of glycans on the substrate surface, is a prerequisite for a reproducible application in the diagnostics but also for the development of valid quantitative characterization methods for the evaluation of the efficiency of the immobilization reactions.
One focus of the work was the characterization and optimization of the glycan binding to popular amine-reactive surfaces. For this purpose, specific glycans with fluorine-label were immobilized on epoxide-functionalized silicon surfaces. A quantification of the attached glycan molecules is possible, for example, by determining the amount of CF3 groups using the high-resolution C1s XPS spectrum. The interactions between model probe (glycan molecules) and model analyte (lectin concanavalin A) were investigated using powerful methods surface chemical analysis.
In addition to the chemical characterization of freshly prepared glycan probes, the aging behavior of the glycan microarrays was also investigated.
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Sur l’origine de l’interdiffusion de puits quantiques par laser uv dans des heterostructures de semi-conducteurs iii-v / On the origin of uv laser-induced quantum well intermixing in iii-v semiconductor heterostructuresLiu, Neng January 2014 (has links)
Résumé : Les circuits photoniques intégrés qui combinent des dispositifs photoniques pour la génération, la détection, la modulation, l'amplification, la commutation et le transport de la lumière dans une puce, ont été rapportés comme étant une innovation technologique importante qui simplifie la conception du système optique et qui réduit l'espace et la consommation de l'énergie en améliorant ainsi la fiabilité. La capacité de modifier la bande interdite des zones sélectives des différents dispositifs photoniques à travers la puce est la clé majeure pour le développement de circuits photoniques intégrés. Comparé à d'autres méthodes d’épitaxie, l’interdiffusion de puits quantiques a attiré beaucoup d'intérêt en raison de sa simplicité et son efficacité en accordant la bande interdite durant le processus de post-épitaxie. Cependant, l’interdiffusion de puits quantiques a subi des problèmes reliés au manque de précision pour modifier convenablement la bande interdite ciblée et à l’incontrôlabilité de l’absorption des impuretés au cours du processus qui peut dégrader la qualité du matériel interdiffusé.
Dans cette thèse, nous avons utilisé les lasers excimer pour créer des défauts à proximité de la surface (~ 10 nm) des microstructures à base de puits quantiques III-V (par exemple InP et GaAs) et pour induire l’interdiffusion après le recuit thermique. L'irradiation par les lasers excimer (ArF et KrF) des microstructures à puits quantiques a été réalisée dans différents environnements, y compris l'air, l'eau déionisée, les couches diélectriques (SiO2 et Si3N4) et les couches d’InOx. Pour proposer un bon contrôle de la technique d’interdiffusion de puits quantiques par laser excimer, nous avons étudié la génération et la diffusion de défauts de surface en utilisant différentes méthodes de caractérisation de surface/interface, comme l'AFM, SEM, XPS et SIMS qui ont été utilisées pour analyser la modification de la morphologie de surface/interface et la modification chimique de la microstructure de ces puits quantiques. La qualité des microstructures à puits quantiques étudiées a été représentée par des mesures de photoluminescence et de luminescence des diodes lasers ainsi fabriqués.
Les résultats montrent que le laser excimer induit des quantités d'oxydes de surface dans les surfaces des microstructure à puits quantiques InP/InGaAs/InGaAsP dans l'air et des impuretés d'oxygène des couches d'oxydes diffusées dans la région active de la microstructure lors du recuit, ce qui améliore l’interdiffusion, mais réduit l'intensité de la photoluminescence. Par contre, l’irradiation dans un environnement d'eau déionisée n’a pas démontré de diffusion des impuretés évidentes d'un excès d'oxygène vers les régions actives, mais la stœchiométrie de surface a été restaurée après l’interdiffusion. L’InOx a été trouvé avec un grand coefficient de dilatation thermique dans la microstructure interdiffusée qui était supposée d’augmenter la contrainte de compression dans la région active et ainsi d’augmenter l'intensité de photoluminescence de 10 fois dans l’échantillon irradié dans l'eau déionisée.
Concernant les microstructures avec une couche diélectrique, la modification de la bande interdite a été toujours réalisée sur des échantillons dont les couches diélectriques ont été irradiées et la surface de InP a été modifiée par le laser excimer. Pour l'échantillon avec une couche de 243 nm de SiO2, les variations de la photoluminescence ont été mesurées sans l’ablation de cette couche de SiO2 lors de l'irradiation par le laser KrF. Cependant, la morphologie de l'interface d’InP a été modifiée, les oxydes d'interface ont été générés et les impuretés d'oxygène se sont diffusées à l'intérieur des surfaces irradiées. Les améliorations de l’interdiffusion dans les deux surfaces non irradiées et irradiés de l'échantillon couvert de couche d’InOx ont démontré l'importance des oxydes dans l’interdiffusion des puits quantiques.
Les diodes laser fabriquées à partir d’un matériau interdiffusé par un laser KrF ont montré un seuil de courant comparable à celui des matériaux non interdiffusés avec un décalage de photoluminescence de 100 nm. En combinant un masque d'aluminium, nous avons créé un déplacement uniforme de photoluminescence de 70 nm sur une matrice rectangulaire de 40 μm x 200 μm ce qui présente un potentiel d’application de l’interdiffusion des puits quantiques par les lasers excimer dans les circuits photoniques intégrés.
En outre, les lasers excimer ont été utilisés pour créer des structures de nano-cônes auto-organisées sur des surfaces de microstructure de InP/InGaAs/InGaAsP en augmentant l'intensité de PL par ~ 1.4 fois. Les lasers excimer ont été aussi utilisés pour modifier la mouillabilité sélective des zones d’une surface de silicium par une modification chimique de surface induite par laser dans différents milieux liquides. Ainsi, la fluorescence des nanosphères a été réussie pour des fonctions de configuration spécifique avec une surface de silicium. // Abstract : Photonic integrated circuits (PICs) which combine photonic devices for generation, detection, modulation, amplification, switching and transport of light on a chip have been reported as a significant technology innovation that simplifies optical system design, reduces space and power consumption, improves reliability. The ability of selective area modifying the bandgap for different photonic devices across the chip is the important key for PICs development. Compared with other growth methods, quantum well intermixing (QWI) has attracted amounts of interest due to its simplicity and effectiveness in tuning the bandgap in post-growth process. However, QWI has suffered problems of lack of precision in achieving targeted bandgap modification and uncontrollable up-taking of impurities during process which possibly degrade the quality of intermixed material.
In this thesis, we have employed excimer laser to create surface defects in the near surface region (~ 10 nm) of III-V e.g. InP and GaAs, based QW microstructure and then annealing to induce intermixing. The irradiation by ArF and KrF excimer lasers on the QW microstructure was carried out surrounded by different environments, including air, DI water, dielectric layers (SiO2 and Si3N4) and InOx coatings. To propose a more controllable UV laser QWI technique, we have studied surface defects generation and diffusion with various surface/interface characterization methods, like AFM, SEM, XPS and SIMS, which were used to analyse the QW surface/interface morphology and chemical modification during QWI. The quality of processed QW microstructure was represented by photoluminescence measurements and luminescence measurements of fabricated laser diodes.
The results shows that excimer laser induced amounts of surface oxides on the
InP/InGaAs/InGaAsP microstructure surface in air and the oxygen impurities from oxides
layer diffused to the active region of the QW microstructure during annealing, which enhance intermixing but also reduce the PL intensity. When irradiated in DI water environment, no obvious excessive oxygen impurities were found to diffuse to the active regions and the surface stoichiometry has been restored after intermixing. InOx with large coefficient of thermal expansion was found inside the intermixed QW microstructure, which was supposed to increase the compressive strain in active region and enhance the PL intensity to maximum 10 times on sample irradiated in DI water.
On microstructure coated with dielectric layers, bandgap modifications were always found
on samples whose dielectric layers were ablated and InP surface was modified by excimer
laser. On sample coated with 243 nm SiO2 layer, the PL shifts were found on sample without ablation of the SiO2 layer when irradiated by KrF laser. However, the InP interface
morphology was modified, interface oxides were generated and oxygen impurities have
diffused inside on the irradiated sites. The enhancements of interdiffusion on both non
irradiated and irradiated sites of sample coated with InOx layer have verified the importance of oxides in QWI.
The laser diodes fabricated from KrF laser intermixed material have shown comparable
threshold current density with as grown material with PL shifted by 133 nm. Combined
aluminum mask, we have created uniform 70 nm PL shifts on 40 μm x 200 μm rectangle
arrays which presents UV laser QWI potential application in PICs.
In addition, excimer lasers have been used to create self organized nano-cone structures on the surface of InP/InGaAs/InGaAsP microstructure and enhance the PL intensity by ~1.4x.
Excimer lasers have selective area modified wettability of silicon surface based on laser
induced surface chemical modification in different liquid environments. Then the fluorescence nanospheres succeeded to specific pattern functions with silicon surface.
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Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse températureVincent, Louis 03 1900 (has links)
Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In. / A semiconductor material used in the manufacture of terahertz (THz) antennas, the InGaAsP quaternary (E_g = 0,79 eV), is Fe-ion implanted followed by Rapid Thermal Annealing (RTA) in order to improve its emission properties. The annealing is required to recrystallize the layer that was amorphized during implantation, resulting in a polycrystal filled with recrystallization defects. However, the Fe-implanted materials provide better performance than those simply damaged with Ga. In order to disentangle the effect of recrystallization defects and of Fe impurities, Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) measurements, current DLTS (I-DLTS) measurements and Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) were carried out on non-implanted and on recrystallized samples. The DLTS et I-DLTS measurements aim to characterize deep levels generated by these two post-growth fabrication processes, while identifying the role of Fe impurities on the formation of these deep levels. In addition, a study of the vicinity of Fe atoms in the recrystallized material was performed using ToF-SIMS measurements. The DLTS measurements on recrystallized material were inconclusive because the capacitance measurements were distorted by the high resistivity of the material. On the other hand, the I-DLTS measurements on recrystallized material allowed us to conclude that the Fe impurities are responsible for the formation of a wide variety of energy levels lying between 0.25 and 0.40 eV, while structural defects induce levels lower than 0.25 eV. The Fe concentration is high compared to the solubility threshold of Fe in the material. It is therefore possible that Fe clusters are formed. However, this hypothesis is invalidated by the absence of a peak at the mass channels corresponding to the molecule ^(56)Fe_2^+ on ToF-SIMS mass spectra. Moreover, a simple model is used to estimate whether certain masses present on ToF-SIMS spectra correspond to actual bonds in the recrystallized material, not induced by the measurement. While no bonds with Ga and As were detectable, this model does not exclude the possibility of preferential binding between with In.
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Os videogames como recursos de ensino-aprendizagem: uma experiência nas aulas de matemática do ensino fundamental da rede públicaBurihan, Cláudia Maria Lopes de Avelar 25 September 2009 (has links)
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Claudia Maria Lopes de Avelar Burihan.pdf: 2775213 bytes, checksum: 53cab6ad869f22fbf718fbe0bdcef482 (MD5)
Previous issue date: 2009-09-25 / With the new technologies new forms of languages emerged and consequently, new culture forms. Videogames, inserted in this context appears as a hero for young people and teenagers and villainous for parents and educators. In the center of this subject it is school, with a double challenge: to stay as a knowledge construction space and at the same time, educate for changes. In this context, it was developed the present document, with the objective of investigating the use of videogames in the education context. Starting from an elaboration of a pedagogic project in the mathematics discipline entitled The Sims's Logic , it was used as object study the simulation game The Sims 2 . The research aimed to analyze the possibilities of use of videogames as teaching-learning strategy. Starting from a contextual analysis, a panoramic vision of the education public politics in Brazil was aimed and also the existing proposals regarding the area of Education Technology. The game concept was introduced starting from languages games and later as a culture form proposed by Huizinga. After a historical briefing about the videogames and their use in education in a constructivism conception by Piaget (1978;1983;1990;2003) and Vigotysky ( 1994; 2005)and was made a pedagogic analysis of some games using as pedagogic reference Coll ( 1999 ) and Zabala ( 1998). The methodological strategies used in the research involved five stages: application of the initial questionnaire (diagnosis); elaboration of the project; in locus development ; application of the final questionnaire and analysis of the data. As a result, it was verified that the videogames are not created with education objectives, but they can be used with such purpose since associated to a pedagogic project that establishes strategies that allows one to work the contents in different dimensions, either, conceptual, procedure or attitude wise / Com as novas tecnologias emergiram novas formas de linguagens e
consequentemente, novas formas de cultura. O videogame, inserido neste contexto
aparece como herói para jovens e adolescente e vilão para pais e educadores. No
centro desta questão está a escola, com um duplo desafio: se mantiver como um
espaço de construção de conhecimento e ao mesmo tempo educar para as
mudanças. Neste contexto, foi desenvolvida a presente dissertação ,com o objetivo
de investigar a utilização dos videogames no contexto educacional. Partindo da
elaboração de uma proposta da aplicação de um projeto pedagógico na disciplina de
matemática intitulado A Lógica do The Sims , utilizou-se como objeto de estudo o
game de simulação The Sims 2. A pesquisa buscou analisar quais as
possibilidades de utilização dos videgames como estratégia de ensino -
aprendizagem. Partindo de uma análise contextual, buscou-se uma visão
panorâmica das políticas públicas educacionais no Brasil e verificar as propostas
referentes à área de Tecnologia Educacional. O conceito de jogo foi introduzido
partindo dos jogos de linguagens e posteriormente como forma de cultura proposta
por Huizinga (2001) . Após um breve histórico sobre os videogames e a utilização
dos mesmos na educação na concepção construtivista das teorias de Piaget
(1978;1983;1990;2003) e Vigotysky ( 1994 ; 2005) efetuada a análise pedagógica de
alguns games utilizando como referência pedagógica Coll (1999) e Zabala ( 1998).
As estratégias metodológicas utilizadas na pesquisa envolveram cinco etapas, a
saber : aplicação do questionário inicial ( diagnóstico); elaboração do projeto;
desenvolvimento in locus ; aplicação do questionário final e análise dos dados
.Como resultado, verificou-se que os videogames não são criados com objetivos
educacionais, mas podem ser utilizados com tal propósito desde que associado a
um projeto pedagógico que estabeleça estratégias que permita trabalhar os
conteúdos em diferentes dimensões , sejam eles conceituais, procedimentais ou
atitudinais
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Etude des mécanismes d'accumulation de l'iode chez l'algue brune Laminaria digitata et chez les mammifèresVerhaeghe, Elodie 23 November 2007 (has links) (PDF)
Les halopéroxydases à vanadate (vHPO) seraient des enzymes clés du métabolisme iodé des algues brunes en assurant la captation de l'iode et en participant à la biosynthèse de composés volatils iodés. Pour vérifier ces hypothèses, nous avons mis en place une stratégie de génétique chimique inverse dans le but d'étudier in vivo les effets de l'invalidation des vHPOs. A cette fin, nous avons réalisé un test de criblage à haut-débit sur la bromopéroxydase à vanadate d'Ascophyllum nodosum pour identifier des inhibiteurs de cette enzyme. Les tests secondaires ont montré que les molécules sélectionnées ne sont pas des inhibiteurs mais qu'elles sont très réactives envers les espèces oxydées de l'iode générées par l'enzyme. Un test in vivo a permis de montrer que ces molécules inhibent l'influx des iodures par Laminaria digitata, ce qui corrobore l'implication d'une vHPO dans ce mécanisme. Nous avons étudié la distribution tissulaire et subcellulaire de l'iode chez L. digitata par microsonde nucléaire et par microsonde SIMS. Cette étude a mis en évidence que l'iode est principalement stocké au niveau du tissu périphérique dans le compartiment apoplastique et non au sein de structures intra-cellulaires. Cette découverte remet en cause le modèle de captation des iodures proposé dans la littérature et ouvre de nouvelles perspectives de recherche. Parallèlement à ces études, nous avons poursuivi les travaux concernant les inhibiteurs de la captation des iodures chez des modèles cellulaires exprimant le symporteur Na+/I- en mettant au point leur synthèse, en validant leur activité et en initiant la recherche de leur protéines cibles par photomarquage d'affinité.
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A Simulator Tool for Human Activity RecognitionWestholm, Erik January 2010 (has links)
<p>The goal of this project was to create a simulator that was to produce data for research in the field of activity recognition. The simulator was to simulate a human entity moving around in, and interacting with, a PEIS environment. This simulator ended up being based on The Sims 3, and how this was done is described. The reader is expected to have some experience with programming.</p>
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Thin films of polyfluorene:fullerene blends - Morphology and its role in solar cell performanceBjörström Svanström, Cecilia January 2007 (has links)
<p>The sun provides us daily with large quantities of energy in the form of light. With the world’s increasing demand of electrical energy the prospect of converting this solar light into electricity is highly tempting. In the strive towards mass-production and low cost solar cells, new types of solar cells are being developed, e.g. solar cells completely based on organic molecules and polymers. These materials offer a promising potential of low cost and large scale manufacturing and have the additional advantage that they can be produced on flexible and light weight substrate which opens for new and innovating application areas, e.g. integration with paper or textiles, or as building materials. In polymer solar cells a combination of two materials are used, an electron donor and an electron acceptor. The three dimensional distribution of the donor and acceptor in the active layer of the device, i.e. the morphology, is known to have larger influence of the solar cell performance. For the optimal morphology there is a trade-off between sometimes conflicting criteria for the various steps of the energy conversion process. The dissociation of photogenerated excitons takes place at an interface between the donor and acceptor materials. Therefore an efficient generation of charges requires a large interface between the two components. However, for charge transport and collection at the electrodes, continuous pathways for the charges to the electrodes are required.</p><p>In this thesis, results from morphology studies by atomic force microscopy (AFM) and dynamic secondary ion mass spectrometry (SIMS) of spin-coated blend and bilayer thin films of polyfluorene co-polymers, especially poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-5,5-(4´,7´-di-2-thienyl-2´,1´,3´-benzothiadiazole)] APFO-3, and the fullerene derivative [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) are presented. It is shown that by varying the blend ratio, the spin.-coating solvent, and/or the substrate, different morphologies can be obtained, e.g. diffuse bilayer structures, spontaneously formed multilayer structures and homogeneous blends. The connection between these different morphologies and the performance of solar cells is also analysed. The results indicate that nano-scale engineering of the morphology in the active layer may be an important factor in the optimization of the performance of polymer solar cells.</p>
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