To enable a new level of connectivity among machines as well as between people and machines, future wireless applications will demand higher requirements on data rates, response time, and reliability from the communication system. This will lead to a different system design, comprising a wide range of deployment scenarios. One important aspect is the evolution of physical layer (PHY), specifically the waveform modulation. The novel generalized frequency division multiplexing (GFDM) technique is a prominent proposal for a flexible block filtered multicarrier modulation. This thesis introduces an advanced GFDM concept that enables the emulation of other prominent waveform candidates in scenarios where they perform best. Hence, a unique modulation framework is presented that is capable of addressing a wide range of scenarios and to upgrade the PHY for 5G networks. In particular, for a subset of system parameters of the modulation framework, the problem of symbol time offset (STO) and carrier frequency offset (CFO) estimation is investigated and synchronization approaches, which can operate in burst and continuous transmissions, are designed. The first part of this work presents the modulation principles of prominent 5G candidate waveforms and then focuses on the GFDM basic and advanced attributes. The GFDM concept is extended towards the use of OQAM, introducing the novel frequency-shift OQAM-GFDM, and a new low complexity model based on signal processing carried out in the time domain. A new prototype filter proposal highlights the benefits obtained in terms of a reduced out-of-band (OOB) radiation and more attractive hardware implementation cost. With proper parameterization of the advanced GFDM, the achieved gains are applicable to other filtered OFDM waveforms. In the second part, a search approach for estimating STO and CFO in GFDM is evaluated. A self-interference metric is proposed to quantify the effective SNR penalty caused by the residual time and frequency misalignment or intrinsic inter-symbol interference (ISI) and inter-carrier interference (ICI) for arbitrary pulse shape design in GFDM. In particular, the ICI can be used as a non-data aided approach for frequency estimation. Then, GFDM training sequences, defined either as an isolated preamble or embedded as a midamble or pseudo-circular pre/post-amble, are designed. Simulations show better OOB emission and good estimation results, either comparable or superior, to state-of-the-art OFDM system in wireless channels.

Durch hochbrillante Festkörperlaserstrahlung können transmittierende optische Elemente bei hohen Strahlungsleistungen ihre optischen Eigenschaften ändern. Die Folge davon ist der Verlust der gewünschten Fokuslage und unerwünscht schlechte Bearbeitungsqualitäten. In dieser Arbeit geht es daher darum, die sich einstellenden Effekte während des Bearbeitungsprozesses zu minimieren. Dazu wurde ein Messsystem entwickelt, mit dem es möglich ist, die aktuellen Eigenschaften der eingesetzten optischen Elemente zu bestimmen und anhand der gewonnenen Daten zu ermitteln, inwiefern die optischen Elemente relativ zueinander verschoben werden müssen, damit die ursprünglich gewünschte Fokslage wieder eingenommen werden kann. Als zielführend hat sich dabei die Strahlwinkelbestimmung erwiesen, mit deren Hilfe man durch Nutzung einer Übertragungsmatrizenfunktion, der sog. ABCD-Matrix- Rechnung, die aktuelle Brennweite des zu betrachtenden optischen Elementes bestimmen kann. Die ABCD-Matrix-Rechnung ist zudem auch dazu geeignet, die Verschiebung der optischen Elemente relativ zueinander zu determinieren, so dass eine angemessene Verstellung der optischen Elemente erfolgen kann, um die ursprüngliche Fokuslage wieder einzunehmen. In der Arbeit konnte die Eignung des Messverfahrens und die angemessene Verstellung weitestgehend nachgewiesen werden, so dass diese Arbeit einen geeigneten Weg zur Minimierung der Fokusageabweichung während des Bearbeitungsprozesses aufzeigt.

In future cellular radio networks Radio over Fiber (RoF) is a very attractive technology to deliver microwave and millimeter-wave signals containing broad band multimedia services to numerous base stations of the network. The radio signals are placed on an optical carrier and distributed by means of an optical fiber network to the base stations (BS). In the BS the optical signals heterodyne in a photodiode to produce the radio signals which are then sent via a wireless link to the mobile units (MU). The optical fiber network provides high frequency, wideband, low loss and a means of signal distribution immune to electromagnetic interference. In this thesis, different methods of electrooptical upconversion were investigated. The generation of an optical double-sideband with suppressed carrier (DSB-SC) signal is a straightforward method due to the fact that only one optical modulator driven at half the millimeter-wave frequency is required. One or both sidebands were ASK-modulated with baseband data rates of up to 10 Gbps. Optical single sideband modulation proves to be dispersion resilient as error free transmission was demonstrated after 53 km of single mode fiber transmission for data rates up to 10 Gbps. Wireless links up to 7 m were also demonstrated, proving the feasibility of this approach for broadband wireless inhouse access systems. / Für zukünftige zellulare Funknetze ist „Radio over Fiber (RoF)“ eine sehr attraktive Technologie, um breitbandige Multimedia-Dienste mit Mikro- und Millimeterwellen zu übertragen. Die Funksignale werden dabei auf eine optische Trägerwelle aufmoduliert und mittels eines optischen Fasernetzes zu den Basisstationen (BS) verteilt. In den BS erfolgt die Überlagung der optischen Signale durch eine Fotodiode, um die Funksignale zu erzeugen. Diese werden dann über eine drahtlose Verbindung zu den beweglichen Multimedia-Endgeräten geschickt. Vorteile des optischen Fasernetzes sind Breitbandigkeit, geringe Dämpfung und eine gegenüber elektromagnetischen Störungen immune Signalverteilung. In dieser Arbeit werden verschiedene Methoden der elektrooptischen Aufwärtskonversion erforscht und die wichtigsten Eigenschaften dieser untersucht. Die Erzeugung eines optischen Zweiseitenbandsignales mit unterdrücktem Träger (DSB-SC) ist eine einfache Methode, da nur ein optischer Modulator, betrieben mit der halben elektrischen Trägerfrequenz, benötigt wird. Eine oder beide Seitenbänder konnten mit Bitraten bis zu 10 Gbps amplitudenmoduliert werden. Optische Einseitenbandmodulation ist extrem tolerant bezüglich der chromatischen Dispersion der Faser, wie die fehlerfreie Übertragung nach 53 km Glasfaser beweist. Drahtlose Links bis zu 7 m wurden realisiert und zeigen die Möglichkeit dieser Verfahren für breitbandige drahtlose Inhouse-Zugangssysteme.

Scaling of electronic circuits from micro- to nanometer size determined the incredible development in computer technology in the last decades. In charge storage capacitors that are the largest components in dynamic random access memories (DRAM), dielectrics with higher permittivity (high-k) were needed to replace SiO2. Therefore ZrO2 has been introduced in the capacitor stack to allow sufficient capacitance in decreasing structure sizes. To improve the capacitance density per cell area, approaches with three dimensional structures were developed in device fabrication. To further enable scaling for future generations, significant efforts to replace ZrO2 as high-k dielectric have been undertaken since the 1990s. In calculations, CaTiO3 has been identified as a potential replacement to allow a significant capacitance improvement. This material exhibits a significantly higher permittivity and a sufficient band gap. The scope of this thesis is therefore the preparation and detailed physical and electrical characterization of ultrathin CaTiO3 layers. The complete capacitor stacks including CaTiO3 have been prepared under ultrahigh vacuum to minimize the influence of adsorbents or contaminants at the interfaces. Various electrodes are evaluated regarding temperature stability and chemical reactance to achieve crystalline CaTiO3. An optimal electrode was found to be a stack consisting of Pt on TiN. Physical experiments confirm the excellent band gap of 4.0-4.2 eV for ultrathin CaTiO3 layers. Growth studies to achieve crystalline CaTiO3 indicate a reduction of crystallization temperature from 640°C on SiO2 to 550°C on Pt. This reduction has been investigated in detail in transmission electron microscopy measurements, revealing a local and partial epitaxial growth of (111) CaTiO3 on top of (111) Pt surfaces. This preferential growth is beneficial to the electrical performance with an increased relative permittivity of 55 with the advantage of a low leakage current comparable to that in amorphous CaTiO3 layers. A detailed electrical analysis of capacitors with amorphous and crystalline CaTiO3 reveals a relative permittivity of 30 for amorphous and an excellent value of 105 for fully crystalline CaTiO3. The permittivity exhibits a quadratic dependence with applied electric field. Crystalline CaTiO3 shows a 1-3% drop in capacitance density and permittivity at a bias voltage of 1V, which is significantly lower compared to all results for SrTiO3 capacitors measured elsewhere. A capacitance equivalent thickness (CET) below 1.0 nm with current densities 1×10−8 A/cm2 have been achieved on carbon electrodes. Finally, CETs of about 0.5 nm with leakage currents of 1 × 10−7 A/cm2 on top of Pt/TiN fulfill the 2016 DRAM requirements following the ITRS road map of 2012. / Die Verkleinerung von elektronischen Bauelementen hin zu nanometerkleinen Strukturen beschreibt die unglaubliche Entwicklung der Computertechnologie in den letzten Jahrzehnten. In Ladungsspeicherkondensatoren, den größten Komponenten in Arbeitsspeichern, wurden dafür Dielektrika benötigt, die eine deutlich höhere Permittivität als SiO2 besitzen. ZrO2 wurde als geeignetes Dielektrikum eingeführt, um eine ausreichende Kapazität bei kleiner werdenen Strukturen sicherzustellen. Zur weiteren Verbesserung der Kapazitätsdichte pro Zellfläche konnten 3D Strukturen in die Chipherstellung integriert werden. Seit den 1990ern wurden parallel bedeutende Anstrengungen unternommen, um ZrO2 als Dielektrikum durch Materialien mit noch höherer Permittivität zu ersetzen. Nach Berechnungen stellt nun CaTiO3 eine mögliche Alternative dar, die eine weitere Verbesserung der Kapazität ermöglicht. Das Material besitzt eine deutlich höhere Permittivität und eine ausreichend große Bandlücke. Diese Arbeit beschäftigt sich deshalb mit Herstellung und detaillierter physikalischer und elektrischer Charakterisierung von extrem dünnen CaTiO3 Schichten. Zusätzlich wurden diverse Elektroden bezüglich ihrer Temperaturstabilität und der chemischen Stabilität untersucht, um kristallines CaTiO3 zu herhalten. Als eine optimale Elektrode stellte sich Pt auf TiN heraus. Physikalische Experimente an extrem dünnen CaTiO3 Schichten bestätigen die Bandlücke von 4,0-4,2 eV. Wachstumsuntersuchungen an kristallinem CaTiO3 zeigen eine Reduktion der Kristallisationstemperatur von 640°C auf SiO2 zu 550°C auf Pt. Diese Reduktion wurde detailliert mittels Transmissionselektronenmikroskopie untersucht. Es konnte für einige Schichten ein partielles lokales epitaktischesWachstum von (111) CaTiO3 auf (111) Pt gemessen werden. Dieses Vorzugswachstum ist vorteilhaft für die elektrischen Eigenschaften durch eine gesteigerte Permittivität von 55 bei gleichzeitig geringem Leckstrom vergleichbar zu amorphen Schichten. Eine genaue elektrische Analyse von Kondensatoren mit amorphen und kristallinem CaTiO3 ergibt eine Permittivität von 30 für amorphe und bis zu 105 für kristalline CaTiO3 Schichten. Die Permittivität zeigt eine quadratische Abhängigheit von der angelegten Spannung. Kristallines CaTiO3 zeigt einen 1-3% Abfall der Permittivität bei 1V, der wesentlich geringer ausfällt als vergleichbare Werte für SrTiO3. Eine zu SiO2 vergleichbare Schichtdicke (CET) von unter 1,0 nm mit Stromdichten von 1×10−8 A/cm2 wurde auf Kohlenstoffsubstraten erreicht. Mit Werten von 0,5 nm bei Leckstromdichten von 1×10−7 A/cm2 auf Pt/TiN Elektroden erfüllen die CaTiO3 Kondensatoren die Anforderungen der ITRS Strategiepläne für Arbeitsspeicher ab 2016.

Neben der Ausbreitungsgeschwindigkeit ist die Absorption elektromagnetischer Wellen der wichtigste Parameter für die Bearbeitung und Interpretation von Georadar-Daten. Für die realitätsnahe Beschreibung der Ausbreitung elektromagnetischer Wellen in Gesteinen eignet sich das Modell mit konstantem Q und einem Dispersionsansatz der Phasengeschwindigkeit nach Futterman (1982). Anhand von Modellrechnungen wird die Wirkung dieser Parameter auf Wavelets untersucht. Die Ermittlung des absorptionscharakterisierenden Gütefaktors Q aus GPR-Transmissionsdaten erfolgt auf der Basis einer Erweiterung der Q-Definition. Die dazu benutzte Referenzfrequenz fR ist eine Potenzfunktion von zu vergleichenden Amplitudendichten der entsprechenden Äquivalenzspektren. Die Anwendbarkeit der danach benannten Methode der Äquivalenten Bandbreite wird sowohl an synthetischen Daten als auch an Messergebnissen nachgewiesen, die an einem Sandsteinblock sowie an anstehendem Gneis erhalten worden sind. Es werden Möglichkeiten aufgezeigt, Querbeziehungen zwischen Q-Werten und petrophysikalischen Parametern herzustellen.

Der Workshop Methoden und Beschreibungssprachen zur Modellierung und Verifikation von Schaltungen und Systemen (MBMV 2015) findet nun schon zum 18. mal statt. Ausrichter sind in diesem Jahr die Professur Schaltkreis- und Systementwurf der Technischen Universität Chemnitz und das Steinbeis-Forschungszentrum Systementwurf und Test. Der Workshop hat es sich zum Ziel gesetzt, neueste Trends, Ergebnisse und aktuelle Probleme auf dem Gebiet der Methoden zur Modellierung und Verifikation sowie der Beschreibungssprachen digitaler, analoger und Mixed-Signal-Schaltungen zu diskutieren. Er soll somit ein Forum zum Ideenaustausch sein. Weiterhin bietet der Workshop eine Plattform für den Austausch zwischen Forschung und Industrie sowie zur Pflege bestehender und zur Knüpfung neuer Kontakte. Jungen Wissenschaftlern erlaubt er, ihre Ideen und Ansätze einem breiten Publikum aus Wissenschaft und Wirtschaft zu präsentieren und im Rahmen der Veranstaltung auch fundiert zu diskutieren. Sein langjähriges Bestehen hat ihn zu einer festen Größe in vielen Veranstaltungskalendern gemacht. Traditionell sind auch die Treffen der ITGFachgruppen an den Workshop angegliedert. In diesem Jahr nutzen zwei im Rahmen der InnoProfile-Transfer-Initiative durch das Bundesministerium für Bildung und Forschung geförderte Projekte den Workshop, um in zwei eigenen Tracks ihre Forschungsergebnisse einem breiten Publikum zu präsentieren. Vertreter der Projekte Generische Plattform für Systemzuverlässigkeit und Verifikation (GPZV) und GINKO - Generische Infrastruktur zur nahtlosen energetischen Kopplung von Elektrofahrzeugen stellen Teile ihrer gegenwärtigen Arbeiten vor. Dies bereichert denWorkshop durch zusätzliche Themenschwerpunkte und bietet eine wertvolle Ergänzung zu den Beiträgen der Autoren. [... aus dem Vorwort]

We report the self assembly of nanostructures via. the bottom-up approach by dielectrophoresis. Dielectrophoresis deals with the force on an electric dipole placed in an external in-homogenous field. The force depends on the geometry and volume of the dielectric material and on the frequency and gradient of the electric field. We report the self-assembly of metallic palladium nanowires from the aqueous solution by dielectrophoresis. The metal cations with the surrounding hydration shell and counter-ion cloud results in the formation of a dipole which responds to the local dielectrophoretic forces. Structural properties and morphology of the palladium nanowires are listed. Depending on the experimental conditions two different types of nanowires were grown. Some of them were extremely thin (5 nm diameter) and branched while the others were thick (25 nm diameter) and dendritic. The wire formation can be divided into the nucleation and growth process. For the particle assembly, a minimum threshold force is needed to overcome the random Brownian motion. The nucleation depends on the asperities on the electrode surface and the growth depends on the tip of the growing wires where exists extremely high field magnitude and in-homogeneties and so the force overcomes the threshold at these locations. We showed that wire growth depends a lot on the formation of the double layer at the electrode/solution interface and potential drop within the double layer. Carbon nanotubes (CNT) were also deposited between the electrodes leading to the formation of field-effect transistors (FETs). We produced CNTFETs having extremely high on/off ratio, in a single step without the requirement of any intermediate burning process of the metallic tubes. Besides these inorganic systems, we also investigated the dielectrophoretic experimental conditions required for self assembly of bio-molecules like microtubules between the electrodes. Hybrid structures were also formed by mixing these materials in combination of two. In conclusion, we report in this work the possibility to assemble a large variety of particles (ions, neutral particles and bio-molecules) between the electrodes leading to the device formation. The thesis was mainly devoted to the task for the synthesis and assembly of the nanostructures via. the bottom-up approach.

Hocheffiziente Solarzellen beruhen auf der exzellenten Oberflächenpassivierung, die minimale Rekombinationsverluste gewährleistet. Innerhalb des letzten Jahrzehnts wurde Al2O3 in der Photovoltaikindustrie zum bevorzugten Material für p-leitendes Si. Unterschiedliche Abscheidetechnologien erreichten Passivierungen mit effektiven Minoritätsladungsträgerlebensdauern nahe der AUGER–Grenze. Die ausgezeichnete Passivierungswirkung von Al2O3wird zwei Effekten zugeschrieben: Einerseits werden Si−SiO2-grenzflächennahe Rekombinationszentren passiviert, wenn Wasserstoff, beispielsweise aus der Al2O3-Schicht, offene Bindungen absättigt. Bedingt durch die hohe Konzentration intrinsischer negativer Ladungen an der SiO2-Grenzfläche weist Al2O3 andererseits einen charakteristischen Feldeffekt auf. Das resultierende elektrische Feld hält Elektronen von Oberflächenrekombinationszentren fern. Negative Ladungen im Al2O3 werden generell als fest bezeichnet. Allerdings hat Al2O3 zusätzlich eine hohe Dichte an Haftstellen, die von Elektronen besetzt werden können. Die Dichte negativer Ladungen im Al2O3-Passivierungsschichten hängt vom elektrischen Feld und der Bestrahlungsintensität ab. Ziel dieser Arbeit ist die systematische Untersuchung dielektrischer Passivierungsschichtstapel für die Anwendung auf Si-Solarzellen. Der Qualität und Dicke der SiO2-Grenzschicht kommt in diesem Kontext eine besondere Rolle zu, da sie Ladungsträgertunneln ermöglicht. Der Elektronentransport ist eine Funktion der Oxiddicke und das Optimum zwischen Ladungseinfang und -haltung liegt bei etwa 2 nm SiO2. Vier relevante Al2O3-Abscheidetechnologien werden untersucht: Atomlagenabscheidung, Kathodenzerstäubung, Sprühpyrolyse und Rotationsbeschichtung, wobei die erstgenannte dominiert. Es werden Nanolaminate verglichen, die aus Al2O3 und TiO2, HfO2 oder SiO2 mit subnanometerdicken Zwischenschichten bestehen. Während letztgenannte die Oberflächenrekombination nicht vermindern, beeinflussen TiO2- und HfO2-Nanolaminate die Passivierungswirkung. Ein dynamisches Wachstumsmodell, das initiale und stationäre Wachstumsraten der beteiligten Metalloxide berücksichtigt, beschreibt die physikalischen Parameter. Schichtsysteme mit 0,2 % TiO2 oder 7 % HfO2 sind konventionellen Al2O3-Schichten überlegen. In beiden Fällen überwiegt die veränderte Feldeffekt- der chemischen Passivierung, die mit einer Grenzflächenzustandsdichte von maximal 5·1010 eV−1·cm−2 unverändert auf hohem Niveau verbleibt. Die Ladungsdichte beider Schichtsysteme wird entweder über die Änderung ihrer Polarität der festen Ladungen oder der Fähigkeit zum Ladungseinfang bestimmt. Das Tunneln von Elektronen wird durch ein mathematisches Modell erklärt, dass eine bewegliche Ladungsfront innerhalb der Oxidschicht beschreibt. / High-efficiency solar cells rely on excellent passivation of the surface to ensure minimal recombination losses. In the last decade, Al2O3 became the material of choice for p-type Si in the photovoltaic industry. A remarkable surface passivation with effective minority carrier lifetimes close to the AUGER–limit was demonstrated with different deposition techniques. The excellent passivation effect of Al2O3 is attributed to two effects: Firstly, recombination centers at the Si−SiO2 interface get chemically passivated when hydrogen, for instance from the Al2O3 layer, saturates dangling bonds. Secondly, Al2O3 presents an outstanding level of field effect passivation due to its high concentration of intrinsic negative charges close to the SiO2 interface. The generated electrical field effectively repels electrons from surface recombination centers. Negative charges in Al2O3 are generally termed fixed charges. However, Al2O3 incorporates a high density of trap sites, too, that can be occupied by electrons. It was shown that the negative charge density in Al2O3 passivation layers depends on the electrical field and on the illumination intensity. The goal of this work is to systematically investigate dielectric passivation layer stacks for application on Si solar cells. The SiO2 interface quality and thickness plays a major role in this context, enabling or inhibiting carrier tunneling. Since the electron transport is a function of the oxide thickness, the balance between charge trapping and retention is achieved with approximately 2 nm of SiO2. Additionally, four relevant Al2O3 deposition techniques are compared: atomic layer deposition, sputtering, spray pyrolysis and spin–on coating, whereas the former is predominant. Using its flexibility, laminates comprising of Al2O3 and TiO2, HfO2 or SiO2 with subnanometer layers are compared. Although the latter do not show decreased surface recombination, nanolaminates with TiO2 and HfO2 contribute to the passivation. Their physical properties are described with a dynamic growth model that considers initial and steady–state growth rates for the involved metal oxides. Thin films with 0.2 % TiO2 or 7 % HfO2 are superior to conventional Al2O3 layers. In both cases, the modification of the field effect prevails the chemical effect, that is, however, virtually unchanged on a very high level with a density of interface traps of 5·1010 eV−1·cm−2 and below. The density of charges in both systems is changed via modifying either the polarity of intrinsic fixed charges or the ability of trapping charges within the layers. The observations of electron tunneling are explained by means of a mathematical model, describing a charging front, which moves through the dielectric layer.

In dieser Arbeit werden Speichertransistoren mit Oxid-Nitrid-Oxid-Speicherschicht und lokaler Ladungsspeicherung untersucht, die zur nichtflüchtigen Speicherung von Informationen genutzt werden. Charakteristisch für diese Transistoren ist, dass an beiden Enden des Transistorkanals innerhalb der Isolationsschicht Informationen in Form von Ladungspaketen unabhängig und getrennt voneinander gespeichert werden. Für das Auslesen, Programmieren und Löschen der Speichertransistoren werden die physikalischen Hintergründe diskutiert und grundlegende Algorithmen zur Implementierung dieser Operationen auf einer typischen Speicherfeldarchitektur aufgezeigt. Für Standard-MOS-Transistoren wird ein Kurzkanal-Schwellspannungsmodell abgeleitet und analytisch gelöst. Anhand dieser Modellgleichung werden die bekannten Kurzkanaleffekte betrachtet. Weiterhin wird ein Modell zur Berechnung des Drainstroms von Kurzkanaltransistoren im Subthreshold-Arbeitsbereich abgeleitet und gezeigt, dass sich die Drain-Source-Leckströme bei Kurzkanaltransistoren vergrößern. Die Erweiterung des Schwellspannungsmodells für Standard-MOS-Transistoren auf den Fall der lokalen Ladungsspeicherung innerhalb der Isolationsschicht erlaubt die Ableitung eines Schwellspannungsmodells für Oxid-Nitrid-Oxid-Transistoren mit lokaler Ladungsspeicherung. Dieses Modell gestattet die qualitative und quantitative Diskussion der Erhöhung der Schwellspannung durch die lokale Injektion von Ladungsträgern beim Programmiervorgang. Weiterhin ist es mit diesem Modell möglich, die Trennung der an beiden Kanalenden des Transistors gespeicherten Informationen beim Auslesevorgang qualitativ zu erklären und diese Bittrennung in Abhängigkeit von der Drainspannung zu berechnen. Für Langkanalspeichertransistoren wird eine analytische Näherungslösung des Schwellspannungsmodells angegeben, während das Kurzkanalverhalten durch die numerische Lösung der Modellgleichung bestimmt werden kann. Für Langkanalspeichertransistoren wird ein Subthreshold-Modell zur Berechnung des Drainstroms abgeleitet. Dieses Modell zeigt, dass sich die Leckströme von programmierten Speichertransistoren im Vergleich zu Standard-MOS-Transistoren gleicher Schwellspannung vergrößern. Die Ursache dieses Effekts, die Verringerung der Subthreshold-Steigung von Transistoren im programmierten Zustand, wird analysiert. Für einige praktische Beispiele wird die Anwendung der hergeleiteten Modellgleichungen beim Entwurf von Flash-Speichern demonstriert. / In this work, memory transistors with an oxide-nitride-oxide trapping-layer and local charge storage, which are used for non-volatile information storage, are examined. Characteristic for these transistors is an independent and separated storage of information by charge packages, located at both sides of the transistor channel, in the insulation layer. The physical backgrounds for reading, programming and erasing the memory transistors are discussed, and basic algorithms are shown for implementing these operations on a typical memory array architecture. For standard MOS-transistors a short channel threshold model is derived and solved analytically. By using these model equations, the known short channel effects are considered. Further, a model for calculating the drain current of short channel transistors in the subthreshold operation region is derived. This model is used to show the increase of drain-source leakage currents in short channel transistors. By extending the standard MOS-transistor threshold voltage model for local charge storage in the insulation layers, the derivation of a threshold voltage model for oxide-nitride-oxide transistors with local charge storage is enabled. This model permits the quantitative and qualitative discussion of the increase in threshold voltage caused by local injection of charges during programming. Furthermore, with this model, the separation of the information, which are stored at both sides of the transistor channel, in the read-out operation is explained qualitatively, and the bit separation is calculated dependent on the drain voltage. For long channel memory transistors an analytical approximation of the threshold voltage model is given, whereas the short channel behaviour can be determined by solving the model equation numerically. For long channel memory transistors, a subthreshold model for calculating the drain current is derived. This model shows the increase in leakage current of programmed memory transistors in comparision to standard MOS-transistors. The root cause of this effect, the reduced subthreshold swing of transistors in the programmed state, is analysed. The application of the derived model equations for the development of flash memories is demonstrated with some practical examples.

In dieser Arbeit werden verschiedene Methoden zur Erhöhung der Systemtoleranz optischer Übertragungssysteme theoretisch analysiert, durch numerische Simulationen untersucht und in Experimenten und Feldversuchen praktisch überprüft. Der Schwerpunkt lag dabei auf empfängerseitigen elektronischen sowie optischen Entzerrern. Diese Entzerrer verbessern die Signalübertragung, in dem sie die Augenöffnung des Signals am Empfänger vergrößern oder in dem sie durch digitale Logikschaltungen das gesendete Signal aus einem gestörten Signal rekonstruieren. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt jedoch auf der Untersuchung der Entzerrer auf Systemebene, d.h. es wird das Verhalten in einem kompletten optischen Übertragungssystem bestehend aus Sender, Glasfaserstrecke und Empfänger bewertet. Zur Untersuchung wurde eine Simulationsumgebung in der Programmiersprache FORTRAN erstellt, in der die unterschiedlichen Entzerrer in verschiedenen Netz-Szenarien untersucht wurden. Zur praktischen Untersuchung wurde außerdem eine Testumgebung im verlegten Glasfasernetz aufgebaut und eine Realisierung eines Entzerrers experimentell untersucht. / In this thesis, several methods for the enhancement of the tolerance of optical transmission systems are analyzed theoretically, investigated in numerical simulations and evaluated in experiments and field trials. The investigations were thereby focused on receiver sided electronic and optical equalizers. Those devices improve the signal transmission by increasing the eye-opening at the receiver or by reconstructing the original signal from the distorted received signal by the use of digital signal processing. However, this thesis is focused on the investigation of different equalizers on a system level where the performance of a complete transmission system consisting of a transmitter, transmission fiber and receiver is evaluated. For those studies a simulation environment was created using the programming language FORTRAN where the different equalizers were evaluated in different network scenarios. For practical investigations, a test environment was created using the deployed fiber infrastructure and specific equalizer realization were evaluated experimentally.