Cette thèse s’intéresse à la question du diagnostic et du traitement à travers la psychothérapie narrativemédiatisée de syndromes avec hyperreligiosité consécutifs à un traumatisme crânio-cérébral sévère. Desétudes neuroscientifiques ont proposé l’hypothèse que hyperreligiosité post-lésionnelle constitue unetentative de réorganisation de la psyché dans un contexte d’ébranlement du sentiment de soi (Persinger,1993a ; 1993b ; 2003) et ont exploré différents postulats explicatifs de la récurrence de l’expériencereligieuse chez le sujet avec traumatisme crânio-cérébral. Mais un regard psychanalytique permetd’apporter des éléments essentiels à la compréhension de la psychopathologie post-lésionnelle marquéepar l’hyperreligiosité. Le démantèlement de l’appareil psychique, la régression psychique du patientavec une primauté des processus primaires, le retour en force d’agonies primitives, l’émergence detraumatismes antérieurs et l’expérience du handicap sont des conséquences de la lésion cérébrale àconsidérer dans le diagnostic et le traitement de ces syndromes.Cette thèse présente une méthodologie composée de trois enquêtes distinctes.Une enquête phénoménologique (# 1) sera ici présentée afin de pallier au manque de recherchescliniques au sujet des différentes manifestations sémiologiques de l’hyperreligiosité post-lésionnelle.Partant d’un échantillon de trente-deux sujets, elle aura pour objet (1) le recueil de données concernantl’expression sémiologique des syndromes avec hyperreligiosité et (2) l’identification de thématiquesexpérientielles chez des sujets ayant présenté une hyperreligiosité post-lésionnelle. Elle s’appuiera surla passation de deux questionnaires crées dans le cadre de cette étude : le questionnaire de l’expériencereligieuse et le questionnaire de l’émergence de de l’hyperreligiosité post-lésionnelle et des entretiensde recherche qui seront analysés selon la méthode de l’analyse phénoménologique interprétative. Uneenquête fondée sur des sources littéraires (# 2) aura pour objet l’analyse de la thématique existentiellede biographies religieuses écrites par de survivants devenus hyperreligieux après un traumatisme crâniocérébralsévère. Enfin, une enquête en clinique psychothérapique (# 3) sera centrale au sein de cetteétude parce que cette thèse s’intéresse à l’hyperreligiosité en tant que processus potentiellementréorganisateur de la psyché. A travers cinq études de cas et des mesures réalisées à travers des outils(échelle de pensée magique, échelle pensée-action-fusion et test BNIS), la partie clinique de cette thèseaura pour objet de mettre en avant la fonction adaptative de l’expérience religieuse et montrera commentle rétablissement du sentiment de soi est possible par l’utilisation d’actes créatifs, comme le dessin,l’écriture (biographique, poèmes) et le choix d’images, activités qui serviront d’appui restructurationpsychique et cognitive de ces patients. L’utilisation du questionnaire de l’expérience religieuse en tantque grille thématique permettra de considérer les données issues des trois enquêtes de cette étude selondes critères communs. / This dissertation focuses on the diagnosis and psychotherapeutic treatment of patients withhyperreligiosity secondary to a severe traumatic brain injury (TBI). The methodology of this workhas required three separate investigations. A first phenomenological survey (#I) based thirty-twosubjects sample had as an aim (1) to identify the clinical manifestation of syndromes withhyperreligiosity, and (2) to identify experiential themes in subjects who experienced post- lesionalhyperreligiosity. Two questionnaires were created and administered as part of this study: thereligious experience questionnaire, and emergence of post-lesional hyperreligiosity questionnaire.Research interviews analyzed following the interpretative phenomenological analysis method willcomplete the clinical data collection for this survey (#I). A second survey (#II) will consider theanalysis the existential themes of religious biographies written by TBI survivors who reportedrecurrent religious experiences secondary to a traumatic brain injury. A third and main survey(#III) provides a clinical analysis of the therapeutic support of patients with post-lesionalhyperreligiosity. Through five case studies and consistent (every 6 months) administration ofmeasurement tools (magical thinking scale, thought-action fusion scale and test BNIS), this surveydisplays through detailed case studies the adaptive function of religious experience and therestoration of the sense of self though the use of creative acts (drawing, writing biographicalnarratives and poems, commenting on images).Key

Intitulée : «La connaissance de soi, dans la perspective de Socrate», cette thèse a pour but d’étudier les caractéristiques de la démarche de Socrate, en ce qui concerne la connaissance de soi et son importance. La mise en œuvre de la vie humaine, telle qu’elle mérite d’être vécue, au sens socratique, est l’objectif indispensable de cet engagement philosophico-spirituel, qui consiste à rendre à l’homme, l’identité existentielle qui lui est essentiellement propre. C’est donc à la recherche de cette identité concrète, que Socrate a toujours invité ses interlocuteurs, et invite encore les lecteurs, à faire usage de leur intellect, afin de découvrir la partie la plus divine de leur âme. La question de la connaissance de soi, dans la perspective de Socrate relève plus précisément de la connaissance de l’âme, considérée comme le véritable soi, portant en elle l’empreinte divine. Par conséquent, se connaître soi-même vise la contemplation de cette particularité propre à l’homme, laquelle le conduit à son excellence. L’aspect subjectif de cette entreprise rationnelle, garantit totalement l’indépendance de l’individu, à la recherche de lui-même, lui permettant également d’acquérir les connaissances qui résident en lui, selon la théorie de la réminiscence. D’où la nécessité de s’appliquer à cette tâche essentielle de l’existence humaine, afin de lui donner un véritable sens humain. La connaissance de l’intelligible―faisant partie intégrante de sa recherche―, cet éveilleur de l’esprit a mis en œuvre, d’une manière extraordinaire, les outils essentiels de sa philosophie pratique, à savoir : la dialectique, la réfutation et la maïeutique, portées par son Amour, en vue de faire sortir ses semblables de leur caverne d’ignorance, en les invitant à se diriger vers le monde intelligible. Il ne s’agit donc pas de chercher un idéal, dans l’espoir de de s’y conformer, ce qui met en péril la liberté du sujet, mais de s’accomplir le plus concrètement, le plus parfaitement possible, comme un être humain excellemment achevé. C’est dans ce contexte précis, que la connaissance de soi, dans la perspective de Socrate, sera prise comme le modèle par excellence de cet accomplissement. / Entitled “Self-khowledge, from the perspective of Socrates” this thesis intends to examine fundamental characteristics of the Socrates’ authentic approach to self-knowledge, and the utmost importance of it. Implementation of human life, as it deserves to be lived, in the Socratic sense of the word, is the essential purpose of this philosophical and spiritual commitment, which aims at giving back to the human being the ontological identity, of his own by essence. Therefore, Socrates always invited his interlocutors, and still now invites his readers, to search for this concrete identification, and to use their intellect in order to discover the most divine part of their soul. The self-knowledge problem in the Socrates’ perspective is questioned here, for it precisely comes from the soul knowledge, considered as the genuine one-self, bearing in it the heavenly imprint. Therefore, “to know one-self“ aims at contemplating the divine part of our one-self, which leads the man to his excellence, as such he is destined to become. The subjective aspect of this rational enterprise gives a guarantee of total independence to the individual seeking his one-self. It also allows him to acquire the knowledge that lies in him according to the “reminiscence theory, “hence the necessity for him is to take great care of this essential task of a human life, in order to give it a real human significance. To know what is intelligible, being an integral part of his research, “He who awakened the mind“developed in a wonderful manner essential tools of his practical philosophy which are: dialectics, refutation, maieutic, as supported by his Love, intending to let his fellow-men to get out of their “cave“ of ignorance, by inducing them to head for the intelligible world. It does not mean to seek an ideal with the hope to look like it, which unquestionably puts at risk the individual’s freedom, but to find out one’s own fulfilment in the most possible concrete and perfect way as an excellently accomplished human being. In this very context, self-knowledge, such as Socrates meant it, will be considered as the pre-eminent model of this accomplishment.

Frente à crescente necessidade de que novas tecnologias sejam capazes de operar com confiabilidade em ambientes hostis, a análise dos efeitos da radiação ionizante em dispositivos semicondutores se tornou um ramo de pesquisa em contínua ascensão, contribuindo para o desenvolvimento de tecnologias estratégicas e promovendo o aprimoramento científico e o desenvolvimento tecnológico da humanidade. Por outro lado, a atual tecnologia CMOS de fabricação de circuitos integrados apresenta sinais de limitação, em grande parte, devido às características físicas inerentes ao seu princípio de funcionamento, sendo necessário, portanto, que dispositivos com novos mecanismos de operação e geometrias sejam desenvolvidos. Dentre eles, transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) se destacam por apresentarem menor corrente de dreno quando desligados e a possibilidade de se atingir inclinações de sublimiar abaixo do limite teórico estabelecido por dispositivos MOSFET de 60 mV/déc à temperatura ambiente, permitindo-se a redução da tensão de alimentação dos transistores para cerca de 0,5 V. Buscando contribuir com as necessidades destas duas áreas de pesquisa, neste projeto de mestrado, foi analisado o comportamento de TFETs de silício com porta tripla, fabricados sobre lâmina SOI (silício sobre isolante), submetidos a até 10 Mrad(Si) de dose acumulada total enquanto não polarizados, gerada por uma fonte de prótons de 600 keV de energia. Em uma análise inicial, após exposição de dispositivos de 1 µm de largura de aleta a uma dose de 1 Mrad(Si), foi possível observar uma redução no nível corrente de dreno de estado ligado do dispositivo (ION ? 300 pA) de até 10%, não associada à uma alteração da corrente de porta. Além disso, o efeito da radiação nesses transistores reduz de 10% para 2% quando se aumenta o comprimento do canal de 150 nm para 1 µm. As razões para ambos os fenômenos foram discutidas com base na competição entre os efeitos de divisão da corrente de dreno na primeira e segunda interfaces e do aumento da resistência de canal em dispositivos mais longos. Para uma análise em função da dose acumulada total, dispositivos SOI TFET e SOI MOSFET, ambos de porta tripla, foram caracterizados eletricamente 14 dias após cada etapa de irradiação. De maneira geral, dispositivos de ambas as tecnologias, com largura de aleta igual a 40 nm, apresentaram baixa susceptibilidade aos efeitos cumulativos da radiação ionizante. No entanto, quando considerados dispositivos com largura de aleta muito maior que a altura da aleta (WFIN = 1 µm), nos quais a influência das portas laterais sobre o acoplamento eletrostático do canal é praticamente inexistente, transistores túnel-FET se destacaram positivamente. Esses dispositivos se mostraram resistentes aos efeitos de dose ionizante total (TID) mesmo para doses de 5 Mrad(Si), enquanto os transistores SOI MOSFET apresentaram uma variação gradual de seus parâmetros a cada dose acumulada. Um exemplo disso é a variação observada na inclinação de sublimiar, de 32,5% nos transistores SOI MOSFET e 5,6% nos transistores SOI TFET. Somente após 10 Mrad(Si) de irradiação por prótons é que os TFETs de aleta larga apresentaram variações mais significativas em sua curva de transferência (ID x VG). Tanto para a configuração como tipo P quanto para a configuração como tipo N, notou-se um deslocamento de até 80 mV da curva de transferência do dispositivo para a esquerda, provocado, segundo análise via simulações, pelas cargas fixas positivas geradas pela irradiação no óxido enterrado do dispositivo. Adicionalmente, foi possível observar um aumento da corrente de tunelamento assistido por armadilhas (TAT) nesses dispositivos, provocada pelo aumento da densidade de estados de interface causada também pelos efeitos de TID. O aumento de TAT foi reconhecido como o principal responsável pela degradação de 23,3% da inclinação de sublimiar dos TFETs, com WFIN igual 1 µm, após 10 Mrad(Si). Apesar das mudanças observadas, foi possível se sugerir, através da comparação com transistores SOI MOSFET de dimensões equivalentes, que transistores de tunelamento induzido por efeito de campo podem, futuramente, se tornar referência no quesito imunidade aos efeitos de dose ionizante total. / In light of the increasing need for new technologies to be able to operate reliably in harsh environments, the analysis of the effects of ionizing radiation on semiconductor devices has become a continually rising field of research, contributing to the development of strategic technologies and promoting scientific improvement and technological development of humankind. On the other hand, the current CMOS technology for the manufacture of integrated circuits shows signs of limitation, mostly, due to the physical characteristics inherent to its operating principle, thus, it is necessary that devices with new operating mechanisms and geometries be developed. Among them, tunnel field-effect transistors (TFET) stand out because of its lower OFF state current and the possibility of reaching subthreshold swing below the theoretical limit established by MOSFET devices of 60 mV/dec at room temperature, allowing to reduce transistors supply voltage to about 0.5 V. In order to contribute with both areas, the behavior of silicon based triple gate TFETs fabricated on a SOI (silicon-on-insulator) substrate and exposed to a total cumulative dose of 10 Mrad (Si) (while not biased) generated by a 600 keV proton beam was analyzed. In an initial analysis after exposure of 1 µm width devices to 1 Mrad(Si), it was possible to observe an ON state current reduction (ION ? 300 pA) up to 10%, not associated to a gate current change. Beyond that, irradiation effects on these devices reduce from 10% to 2% with the channel length increasing from 150 nm to 1 µm. The reasons behind these phenomena were discussed based on the competition between a high channel resistance present in longer devices and the TFET drain current reduction due to the irradiation. For a total cumulative dose analysis, triple gate SOI TFET and triple gate SOI MOSFET devices were characterized 14 days after each irradiation phase. In general, devices of both technologies, with 40 nm fin width, presented low susceptibility to the cumulative effects of ionizing radiation. However, for devices with fin width larger than fin height (WFIN = 1 µm) in which the influence of side gates on the electrostatic coupling of the channel is weak, tunnel-FET transistors have stood out. These devices were resistant to the effects of total ionizing dose (TID) even for doses as high as 5 Mrad(Si), while SOI MOSFET transistors showed a gradual variation of their parameters at each accumulated dose. The variation observed for the subthreshold swing, for example, was about 32.5% for SOI MOSFET devices and 5.6% for SOI TFET devices. TFETs with wider fin have shown significant variations on its transfer characteristic (ID x VG) only after 10 Mrad(Si) of proton irradiation. For both P-type and N-type configurations, it was observed a shift of the transfer curve to the left up to 80 mV caused by, according to simulations, the positive fixed charges generated in the buried oxide by irradiation. In addition, it was possible to observe a trap assisted tunneling (TAT) current increase caused by interface states promoted by TID effects. The increase of TAT was recognized as the main responsible for the degradation of 23.3% of the subthreshold swing of the TFETs after 10 Mrad(Si). In spite of the observed changes, it was possible to suggest, through comparison with SOI MOSFET devices of equivalent dimensions, which tunnel field-effect transistors may become a reference when considering immunity against total ionizing dose effects.

Cette thèse porte sur les pratiques et les usages numériques de quantification de soi. Le mouvement Quantified Self est apparu initialement en 2007 dans la Silicon Valley, mais en quelques années ces pratiques ont rapidement évolué pour converger vers les technologies numériques en santé. S’il ressort de la littérature scientifique et académique qu’elles constituent une forme contemporaine de biopouvoir (Lupton, 2016) et qu’elles sont porteuses de nombreux espoirs dans le domaine de la santé, elles ne sont pourtant pas questionnées, ni du point de vue des mutations anthropologiques qu’elles introduisent dans le couplage entre organisme physiologique et données numériques (Simondon, 1958 ; Boullier, 2011 ; Sadin, 2013), ni du point de vue des modèles de conception sous-jacents aux technologies de quantification de soi, essentiellement fondées sur des approches comportementales, privilégiant la persuasion plutôt que la signification. Ce manque de réflexion soulève de nombreuses questions d’ordre éthique quant à la manière de concevoir des dispositifs numériques, en particulier lorsqu’il s’agit de la santé des individus (Lupton, 2013 ; 2016). Dans cette perspective, cette thèse poursuit un double objectif. Le premier est d’apporter un éclairage compréhensif sur les pratiques numériques de quantification de soi. Le second se rapporte à l’instrumentation de ces nouveaux objets technologiques et à leur modélisation en amont de leur conception. Pour ce faire, nous avons choisi le modèle Learning by expanding d’Engeström (1999, 2014) qui permet d’envisager la conception sous l’angle de la médiation. / This thesis concerns the digital practices and uses of self-quantification. The quantified-self movement first appeared in 2007 in Silicon Valley, but in a few years these practices have evolved rapidly to converge on digital health technologies. If it appears from the scientific and academic literature, that they constitute a contemporary form of biopower (Lupton, 2016) and that they carry many hopes in the field of health, they are however not questioned, neither from the perspective of the anthropological changes they introduce in the coupling between body and physiological digital data (Simondon, 1958, Boullier, 2011; Sadin, 2013), nor from the self-quantification technologies models point of view mainly based on behaviorist approaches, favoring persuasion rather than meaning. This lack of thinking raises many ethical questions about how to design a technology, especially when it comes to the health of individuals (Lupton, 2013; 2016).In this perspective, this thesis pursuit a dual purpose. The first is to provide a comprehensive perspective on the digital self-quantification practices. The second objective relates to the instrumentation of these new technological artifacts and to their modeling. To do this, we chose the approach the “Learning by Expanding model” of Engeström (1999, 2014), to model the digital mediations processes involved in the self-quantification practices.

Le but de cette étude est de suivre le chemin de la reprise du mythe dans l’oeuvre de Giono. Le monde antique reste pour Giono une donnée permanente et imprescriptible de la condition humaine. Reprendre un mythe c'est souvent pour refaire de son héros un autre Moi, identique ou opposé. L'univers mythique de Giono, tel qu'il est représenté dans ses oeuvres, relève bien sûr de son imagination psychologique et de l’envie de se trouver un chemin qui conduit à la découverte de Soi. Etre Soi ou être un Autre, voilà la question fondamentale de la littérature contemporaine qui prend toute son ampleur chez les écrivains d'après-guerre. Giono, dans le cours de son existence réelle, a inventé son mythe de l'écrivain à travers le « portrait de l’artiste par lui-même ». C'est en devenant Ulysse ou Noé qu'il est enfin le plus authentiquement lui-même, en commençant par les autoportraits notamment Pour saluer Melville, ensuite l'autobiographie de Jeunesse dans Jean le Bleu. / The aim of this study was to follow the path to recovery myth in the novelistic work of Jean Giono. For Giono, the ancient world remains a permanent and inalienable human condition. Resume is often a myth of his hero to remake another ego, a similar one or the opposite one. The mythical world of Giono, as represented in his works, is of course the psychological imagination and the desire to find a path that led to the self discovery. Being self or being an Other, this is the fundamental question in the contemporary literature. This problem takes a full extent in the post-war writers. During his real existence, Giono invented the myth of the author through the "portrait of the artist himself". Becoming Ulysses or Noah, Giono is finally the most authentically when being himself, starting with the self-portraits including Pour saluer Melville, then followed by the youth autobiography in Jean le Bleu.

Esta Tese apresenta os resultados da simulação do transporte eletrônico em três dimensões (3D) no nano dispositivo eletrônico conhecido como “SOI-FinFET”. Este dispositivo é um transistor MOS em tecnologia Silício sobre Isolante – “Silicon-on- Insulator”, SOI – com porta dupla e cujo canal e zonas de fonte e dreno são realizadas em uma estrutura nanométrica vertical de silício chamada de “finger” ou “fin”. Como introdução ao dispositivo em questão, é feita uma revisão básica sobre a tecnologia e transistores SOI e sobre MOSFETs de múltiplas portas. A implementação de um modelo tipo “charge-sheet” para o transistor SOI-MOSFET totalmente depletado e uma modelagem deste dispositivo em altas frequências também é apresentada. A geometria do “fin” é escalada para valores menores do que 100 nm, com uma espessura entre 10 e 20 nm. Um dos objetivos deste trabalho é a definição de parâmetros para o SOI-FinFET que o viabilizem para a tecnologia de 22 nm, com um comprimento efetivo de canal menor do que 20 nm. O transistor FinFET e uma estrutura básica simplificada para simulação numérica em 3D são descritos, sendo utilizados dados de tecnologias atuais de fabricação. São apresentados resultados de simulação numérica 3D (curvas ID-VG, ID-VD, etc.) evidenciando as principais características de funcionamento do FinFET. É analisada a influência da espessura e dopagem do “fin” e do comprimento físico do canal em parâmetros importantes como a tensão de limiar e a inclinação de sublimiar. São consideradas e analisadas duas possibilidades de dopagens da área ativa do “fin”: (1) o caso em que esta pode ser considerada não dopada, sendo baixíssima a probabilidade da presença de dopantes ativos, e (2) o caso de um alto número de dopantes ativos (> 10 é provável). Uma comparação entre dois simuladores numéricos 3D de dispositivos é realizada no intuito de explicitar diferenças entre modelos de simulação e características de descrição de estruturas 3D. São apresentadas e analisadas medidas em dispositivos FinFET experimentais. Dois métodos de extração de resistência série parasita são utilizados em FinFETs simulados e caracterizados experimentalmente. Para finalizar, são resumidas as principais conclusões deste trabalho e são propostos os trabalhos futuros e novas diretivas na pesquisa dos transistores FinFETs. / This thesis presents the results of 3D-numerical simulation of electron transport in double-gate SOI-FinFETs in the decanometer size range. A basic review on the SOI technology and multiple gates MOSFETs is presented. The implementation of a chargesheet model for the fully-depleted SOI-MOSFET and a high frequency modeling of this device are first presented for a planar device topology. The second part of this work deals with FinFETs, a non-planar topology. The geometry of the silicon nano-wire (or “fin”) in this thesis is scaled down well below 100 nm, with fin thickness in the range of 10 to 20 nm. This work addresses the parameters for a viable 22 nm CMOS node, with electrical effective channel lengths below 20 nm. The basic 3D structure of the FinFET transistor is described in detail, then it is simulated with various device structural parameters, and results of 3D-numerical simulation (ID-VG curves, ID-VD, etc.), showing the main features of operation of this device, are presented. The impacts of varying silicon fin thicknesses, physical channel lengths, and silicon fin doping concentration on both the average threshold voltage and the subthreshold slope are investigated. With respect to the doping concentration, the discrete and highly statistical nature of impurity presence in the active area of the nanometer-range fin is considered in two limiting cases: (1) the zero-doping or undoped case, for highly improbable presence of active dopants, and (2) the many-dopants case, or high number (> 10 are probable) of active dopants in the device channel. A comparison between two 3D-numerical device simulators is performed in order to clarify differences between simulation models and features of the description of 3D structures. A structure for SOIFinFETs is optimized, for the undoped fin, showing its applicability for devices with electrical effective channel lengths below 20 nm. SOI-FinFET measurements were performed on experimental devices, analyzed and compared to device simulation results. This thesis uses parasitic resistance extraction methods that are tested in FinFET simulations and measurements. Finally, the main conclusions of this work are summarized and the future work and new directions in the FinFETs research are proposed.

129f. / Submitted by Suelen Reis (suziy.ellen@gmail.com) on 2013-04-16T15:51:51Z No. of bitstreams: 1 Dissertacao Denise Costaseg.pdf: 789635 bytes, checksum: 019803bebefecfdd3f0e0fd77a5818bf (MD5) / Approved for entry into archive by Rodrigo Meirelles(rodrigomei@ufba.br) on 2013-05-11T17:17:40Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Dissertacao Denise Costaseg.pdf: 789635 bytes, checksum: 019803bebefecfdd3f0e0fd77a5818bf (MD5) / Made available in DSpace on 2013-05-11T17:17:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissertacao Denise Costaseg.pdf: 789635 bytes, checksum: 019803bebefecfdd3f0e0fd77a5818bf (MD5) Previous issue date: 2007 / O objetivo do nosso trabalho é delinear o caráter do si-mesmo e o seu nexo com a singularidade da presença (Dasein). Primeiramente, trataremos da caracterização do impessoalmente-si-mesmo como modo predominante da presença na cotidianidade, para mostrar seu caráter ontológico de abertura enquanto possibilidade, o qual lhe confere o caráter de poder-ser. Como possibilidade, a presença abre-se propriamente a si mesma em sua singularidade na disposição da angústia, determinando-se na decisão antecipadora. Pretendemos esclarecer que a singularidade do si-mesmo não é uma subjetividade, um eu fechado e isolado do mundo, mas um si-mesmo enquanto ser-no-mundo, aberto a modos de ser, que se determinam em mundo, no movimento de velamento e desvelamento, no jogo de propriedade e impropriedade. / Salvador

Submitted by Edileide Reis (leyde-landy@hotmail.com) on 2013-05-14T12:32:25Z No. of bitstreams: 1 Nilza Carolina Suzin Cercato.pdf: 5686082 bytes, checksum: 9ed396edc356875f311ed9c6261d7950 (MD5) / Approved for entry into archive by Alda Lima da Silva(sivalda@ufba.br) on 2013-05-16T18:02:16Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Nilza Carolina Suzin Cercato.pdf: 5686082 bytes, checksum: 9ed396edc356875f311ed9c6261d7950 (MD5) / Made available in DSpace on 2013-05-16T18:02:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nilza Carolina Suzin Cercato.pdf: 5686082 bytes, checksum: 9ed396edc356875f311ed9c6261d7950 (MD5) Previous issue date: 2007 / Neste trabalho, há uma análise do discurso de auto-ajuda em duas perspectivas teóricas fundamentais: Análise de Discurso, na linha francesa de Michel Pêcheux e Retórica. Para trabalhar com a Análise de Discurso, o procedimento de análise inicia-se com o estudo das condições de produção, nas quais se fazem importantes, em primeiro lugar, o contexto situacional, dando conta da emergência do termo “auto-ajuda” caracterizado como um gênero específico, com características e finalidades determinadas; em seguida os protagonistas desse discurso, os interlocutores, compreendendo locutores e alocutários; por fim reflexões sobre o contexto sócio-histórico, referindo-se ao período da emergência do discurso de auto-ajuda no Brasil. Depois das condições de produção, ainda na linha da Análise de Discurso, analisa-se o sujeito, a ideologia e a memória discursiva, como elementos que mobilizam os efeitos de sentido. O segundo referencial teórico está ligado à Retórica. Parte-se da Retórica aristotélica, através das categorias do páthos, ethos e lógos, fazendo um deslocamento para a modernidade, apoiado no Tratado de argumentação, a nova retórica de Chaim Perelman e Lucie Olbrechts-Tyteca, especialmente no que se refere à categoria do lógos. Esse referencial teórico serve de apoio para a verticalização das análises dos corpora selecionados para estudo. Fazem parte dos corpora, com destaque maior, os autores Lair Ribeiro, Roberto Shinyashiki; completam as comprovações Lauro Trevisan e Augusto Cury. Essa delimitação foi fundamental para demonstrar os pressupostos desejados em que a constituição do sujeito, o assujeitamento ideológico ao sucesso, a memória discursiva estão ligados ao efeito de sentido desse gênero de discurso. Por outro lado, o questionamento sobre o tipo de argumentação para convencer um vasto auditório, como é o de leitores de auto-ajuda, levou ao estudo dos comportamentos retóricos desenvolvidos por esses autores. A contribuição que se deseja oferecer com este estudo está relacionada com a análise do funcionamento discursivo, das materialidades lingüísticas e de como todo discurso permite uma verificação de suas interfaces, com desconstruções e deslocamentos. / Salvador

En quête d'efficacité et d'influence, tout candidat aux électionsprésidentielles tente de se fabriquer et de donner à voir une image de soi conformeaux attentes des électeurs concernant le profil d'un futur chef d'État. Cette imagede soi séduisante construite à travers le discours, appelée ethos en rhétorique, faitpartie intégrante de l'argumentation au même titre que ses autres composantes, àsavoir le logos et le pathos. Le discours politique, en tant que porteur d'importantsenjeux, est le terrain de construction identitaire par excellence.Ce travail explore les stratégies communicatives dans l'activitéargumentative qu'est le débat politique télévisé. Les données sont constituées parle face à face télévisé du 2 mai 2007 entre Nicolas Sarkozy et Ségolène Royal, àla veille du deuxième tour des élections présidentielles françaises.Je me propose dans ce travail de dégager les règles et les mécanismes surlesquels repose la fabrication d'une image de soi télévisuelle par les praticiens dela persuasion que sont les hommes et les femmes politiques, afin de parvenir àleurs fins. Les outils langagiers dont les deux adversaires se servent lors du dueltélévisé en question ici, pour nous servir une image de soi conforme au modèleprésidentiel « idéal » sont analysés un par un. Ainsi, ayant une meilleureconnaissance des coulisses de la rhétorique audiovisuelle, l'électeur-téléspectateurdevient maître de sa décision et responsable de son choix, et apprend à se méfierdes sentiments et des impressions que lui inspirent les praticiens de la persuasion. / In search of effectiveness and influence, every candidate who stands forpresidential elections attempts to create and give to the audience a self-imageconsistent with the elector's expectations concerning a future head of state'sprofile. This attractive self-image created through discourse, called ethos inrhetoric, is an integral part of argumentation, as well as its other components,logos and pathos. Political discourse, as a vector of important stakes, constitutesthe ground of identity construction par excellence.This work explores communication strategies in argumentation activity,and particularly in televised political debate. The data is constituted by thetelevised face to face of the 2nd of May 2007 between Nicolas Sarkozy andSégolène Royal, at the eve of the second ballot of the French presidentialelection.What I propose in this work is to draw up the rules and mechanisms thatgovern the making of one's televised self-image by politicians, spin doctors, inorder to achieve their ends. I propose to analyse, one by one, the linguistic toolsthat the two opponents use in order to give the audience a self-image consistentwith an ideal presidential model, during the televised duel that we're studyinghere. In this way, having a better knowledge of what goes on behind the scenesof audiovisual rhetoric, the elector-televiewer becomes master of his decisionand has the control of his choice and learns to beware of feelings andimpressions inspired by the professionals of persuasion.

Made available in DSpace on 2016-06-02T20:25:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5360.pdf: 1107990 bytes, checksum: 2b6110e790c65b10e145bac8d8ce5914 (MD5) Previous issue date: 2013-04-03 / Financiadora de Estudos e Projetos / Le discours politique se consolide comme objet d étude de la Science Politique, tout en étant au coeur du débat dans les Sciences du Langage aussi, surtout à l égard de l Analyse du Discours ancrée aux idées des penseurs français. De nombreuses études sont soigneusement menées au Brésil sous le regard de ce domaine de la Linguistique, et nombreuses études sont penché sur le processus de construction de l image ou d un cadre imagé des candidats aux postes publiques à travers leur discours. Cependant, peu étudient les particularités d'une puissance urbaine université. Notre recherche au niveau du Master se consacre à l analyse de la constituition de l ethos discursif des candidats à la mairie de São Carlos pendant la campagne électorale de 2008. Le but à présent consiste en analyser l élaboration de l image de soi selon les discours et les photos des agents politiques, la définition de la vocalité et de la corporalité du garant et une question s impose : comment toute cette construction imagée se rapporte à la représentation sociale à laquelle l interlocuteur/électeur doit prendre part ? Dans ce propos notre étude fait recours aux principes téoriques et methodologiques des auteurs français tels que Dominique Maingueneau et Patrick Charaudeau, en les applicant au matériel constitué de la parole des trois candidats à maire les plus votés, dans des circonstances énonciatives distinctes. Comme hypothèse de travail nous vérifions comment les candidats cherchent à construire à travers leurs discours euphoriques images d'eux-mêmes. Pour ce faire, s'appliquent à la fois l'ethos dit et montré e l'ethos semiotizé. / O discurso político tem sido amplamente estudado não só pela Ciência Política, mas pelas mais diversas Ciências da Linguagem e, sobretudo, pelo domínio da Análise do Discurso de orientação francesa. Inúmeros trabalhos têm se debruçado de forma acurada sobre essa problemática no Brasil e muitos buscam compreender como os candidatos a cargos políticos constroem por meio de seus discursos um conjunto de imagens de si. Todavia, poucos se debruçam sobre as peculiaridades de uma potência urbana universitária. Nosso trabalho de dissertação objetiva compreender como é constituído o ethos discursivo dos candidatos a prefeito de São Carlos nas eleições municipais de 2008. De maneira mais ampla, visamos compreender como é construída a imagem de si por meio do discurso e das fotos dos atores políticos; a que cenografias recorrem para legitimar seu discurso; qual a vocalidade e corporalidade do fiador e como toda essa construção de imagens está associada a uma representação social a qual o interlocutor/eleitor deve aderir. Para isso, mobilizamos os pressupostos teóricometodológicos da Análise do discurso de orientação francesa, ancorados, principalmente, em Dominique Maingueneau e Patrick Charaudeau. Tomamos como material de análise as falas dos três candidatos a prefeito de São Carlos mais votados em diferentes situações enunciativas. Como hipótese de trabalho perscrutamos que os candidatos buscam construir por meio de seus discursos imagens eufóricas de si. Para tanto, valem-se tanto do ethos dito e mostrado quanto do ethos semiotizado.