Made available in DSpace on 2016-04-26T20:27:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cesar Barbosa Martins.pdf: 608331 bytes, checksum: 4584e50f9cd7a57b92b5627c52ad4a22 (MD5) Previous issue date: 2008-06-24 / The dissertation focuses on the analysis of conditions which allow judicial review and intervention of contracts when supervening facts that cause substantial variation to the terms and conditions occur. Thus, the objective was to make an approach towards the legal requisites for contractual review and dissolution, based on principles of Brazilian Law, once the contract is distorted due to a subsequent fact. Such work required a historical study, in order to obtain the elementary premises that authorize judicial review and intervention of contracts. In this manner, among other topics, the study of the classic and origin-debated rebus sic stantibus clause was the main theoretical reference for research of the topic. Furthermore, judicial contractual review and dissolution requisites in both Brazilian and foreign legal systems were likewise studied. Without doubt, the approach towards international legal investigation was the primary source of progressive research of the possibilities of relativization of the pacta sunt servanda dogma / A presente dissertação possui o escopo central de analisar os pressupostos que possibilitam a intervenção judicial nos contratos quando este é atingido por um fato superveniente que altere, significativamente, as bases que existiam no momento da contratação. Ou seja, buscou-se pesquisar, segundo o sistema jurídico moderno, baseando-se em princípios do Direito, os requisitos necessários para a revisão ou resolução contratual quando lhe sobrevêm modificações posteriores à sua formação. Para tanto, foi necessária uma regressão histórica que serviu de fundamento para a possibilidade de intervenção judicial nos contratos. Neste ponto, foi analisada, entre outros tópicos, a velha cláusula rebus sic stantibus, de origem controversa, que, sem dúvida alguma, foi a construção teórica que mais estimulou as pesquisas acerca do tema. Foram estudados os requisitos para a aplicação da revisão ou resolução contratual decorrente de fato superveniente no nosso Direito pátrio e no estrangeiro. Este último, sem dúvida alguma, foi a grande fonte que indicou os caminhos para a concretização, entre nós, da possibilidade de relativização do dogma pacta sunt servanda

L'objectif du projet VELSIC a été de démontrer la faisabilité de jonctions p+/n- profondes dans le semiconducteur 4H-SiC, de haute qualité électrique, comprenant une zone p++ réalisée par un procédé original d'épitaxie localisée à basse température (1100 – 1200°C), en configuration VLS (Vapeur - Liquide - Solide). Cette technique innovante de dopage par épitaxie utilise le substrat de SiC mono cristallin comme un germe de croissance sur lequel un empilement enterré de Al - Si est porté à fusion pour constituer un bain liquide, lequel est alimenté en carbone par la phase gazeuse. Cette méthode se positionne comme une alternative avantageuse à l'implantation ionique, actuellement utilisée par tous les fabricants de composants en SiC, mais qui présente des limitations problématiques encore non résolues à ce jour. Les travaux de thèse ont exploré toutes les facettes du processus complet de fabrication de diodes de test, avec une attention particulière portée sur l'optimisation de la gravure de cuvettes dans le substrat SiC. Le cœur des travaux a été concentré sur l'optimisation de l'épitaxie VLS localisée. L'étude a confirmé la nécessité de limiter la vitesse de croissance vers 1 µm/h pour conserver une bonne cristallinité du matériau épitaxié. Elle a également mis en évidence l'action directe du champ électromagnétique radiofréquence sur la phase liquide, conduisant à une très forte influence du diamètre des cuvettes gravées sur l'épaisseur du SiC déposé. Un remplissage quasiment complet des cuvettes de 1 µm de profondeur à très fort dopage p++ a été démontré. À partir des couches VLS optimisées, des démonstrateurs de types diodes p+/n- ont été fabriqués. Sur les meilleurs échantillons, sans passivation ni protection périphérique, des tensions de seuil en régime direct (entre 2,5 et 3 V) ont, pour la première fois, été mesurées, sans recourir à un recuit haute température après épitaxie. Elles correspondent aux valeurs attendues pour une vraie jonction p-n sur 4H-SiC. Des densités de courant de plusieurs kA/cm2 ont également pu être injectées pour des tensions situées autour de 5 - 6 V. En régime de polarisation inverse, aucun claquage n'est observé jusqu'à 400 V et les densités de courant de fuite à faible champ électrique dans la gamme 10-100 nA/cm2 ont été mesurées. Toutes ces avancées si situent au niveau de l'état de l'art pour des composants SiC aussi simples, toutes techniques de dopage confondues / The objective of the VELSIC project has been to demonstrate the feasibility of 1 µm deep p+/n- junctions with high electrical quality in 4H-SiC semiconductor, in which the p++ zone is implemented by an original low-temperature localized epitaxy process ( 1100 - 1200 °C ), performed in the VLS (Vapor - Liquid - Solid) configuration. This innovative epitaxy doping technique uses the monocrystalline SiC substrate as a crystal growth seed. On the substrate (0001-Si) surface, buried patterns of Al - Si stack are fused to form liquid islands which are fed with carbon by C3H8 in the gas phase. This method is investigated as a possible higher performance alternative to the ion implantation process, currently used by all manufacturers of SiC devices, but which still experiences problematic limitations that are yet unresolved to date. Although the main focus of the study has been set on the optimization of localized VLS epitaxy, our works have explored and optimized all the facets of the complete process of test diodes, from the etching of patterns in the SiC substrate up to the electrical I - V characterization of true pn diodes with ohmic contacts on both sides.Our results have confirmed the need to limit the growth rate down to 1 µm/h to maintain good crystallinity of the epitaxial material. It has also highlighted the direct action of the radiofrequency electromagnetic field on the liquid phase, leading to a very strong influence of the diameter of the etched patterns on the thickness of the deposited SiC. A nearly complete filling of the 1 µm deep trenches with very high p++ doping has been demonstrated. Using optimized VLS growth parameters, p+/n- diode demonstrators have been processed and tested. On the best samples, without passivation or peripheral protection, high direct-current threshold voltages, between 2.5 and 3 V, were measured for the first time without any high-temperature annealing after epitaxy. These threshold voltage values correspond to the expected values for a true p-n junction on 4H-SiC. Current densities of several kA/cm2 have also been injected at voltages around 5 - 6 V. Under reverse bias conditions, no breakdown is observed up to 400 V and low leakage current densities at low electric field, in the range 10 - 100 nA/cm2, have been measured. All these advances align with or exceed state-of-the-art results for such simple SiC devices, obtained using any doping technique

Cette thèse présente l'étude et la réalisation d'un disjoncteur statique tout silicium et intelligent pouvant fonctionner à haute température (200°C) pour des applications de type DC basse et moyenne tensions. Plusieurs applications dans l’aéronautique, l’automobile et les transports ferroviaires poussent les composants à semi-conducteur de puissance à être utilisés à haute température. Cependant, les Si-IGBT et Si-CoolMOSTM actuellement commercialisés ont une température de jonction spécifiée et estimée à 150°C et quelque fois à 175°C. L’une des faiblesses des convertisseurs provient de la réduction du rendement avec l’augmentation de la température de jonction des composants à semiconducteur de puissance qui peut amener à leur destruction. La solution serait d’utiliser des composants grand-gap (SiC, GaN), qui autorisent un fonctionnement à une température de jonction plus élevée ;mais ces technologies en plein essor ont un coût relativement élevé. Une solution alternative serait de faire fonctionner des composants en silicium à une température de jonction voisine de 200°C afin de conserver l’un des principaux intérêts du silicium en termes de coût. Avant de commencer, le premier chapitre portera sur un état de l’art des différentes techniques de protection aussi bien mécanique que statique afin d’identifier les éléments essentiels pour la réalisation du circuit de protection. Les disjoncteurs hybrides seront aussi abordés afin de voir comment ceux-ci arrivent à combler les lacunes des disjoncteurs mécaniques et purement électroniques (statiques). A partir du chapitre précédent, un disjoncteur statique intelligent de faible puissance sera réalisé afin de mieux cerner les différentes difficultés qui sont liées à ce type de disjoncteur. Le disjoncteur statique sera réalisé à partir de fonction analogique de telle façon à ce qui soit autonome et bas cout. Il en ressort que les inductances parasites ainsi que la température des composants à base de semi-conducteurs ont un impact significatif lors de la coupure.Le chapitre III portera sur une analyse non exhaustive, vis-à-vis de la température, de différents types d’interrupteurs contrôlés à base de semi-conducteur de puissance en s’appuyant sur plusieurs caractérisations électriques (test de conduction, tension de seuil, etc) afin de sélectionner le type d’interrupteur de puissance qui sera utilisé pour le chapitre IV. Comme il sera démontré, les composants silicium à super jonction peuvent se rapprocher du comportement des composants à base de carbure de silicium pour les basses puissances. Un disjoncteur statique 400V/63A (courant de court-circuit prédictible de 5kA) sera étudié et 4développé afin de mettre en pratique ce qui a été précédemment acquis et pour montrer la compétitivité du silicium pour cette gamme de puissance. / This thesis presents a study about a smart solid state circuit breaker which can work at 200°C forlow and medium voltage continuous applications. Some applications in aeronautics, automotive,railways, petroleum extraction push power semiconductor devices to operate at high junctiontemperature. However, current commercially available Si-IGBT and Si-CoolMOS have basically amaximum junction temperature specified and rated at 150°C and even 175°C. Indeed, the main problemin conventional DC-DC converters is the switching losses of power semiconductor devices (linked to thetemperature influence on carrier lifetime, on-state voltage, on-resistance and leakage current) whichdrastically increase with the temperature rise and may drive to the device failure. Then, the use of wideband gap semiconductor like SiC or GaN devices allows higher junction temperature operation (intheory about 500°C) and higher integration (smaller heatsink, higher switching frequency, smallconverter), but are still under development and are expensive technologies. In order to keep theadvantage of low cost silicon devices, a solution is to investigate the feasibility to operate such devicesat junction temperature up to 200°C.Before starting the first starting chapter is a stat of the art of protectives circuit technics as well asmechanics as statics in order to identify essentials elements to develop the protective circuit. Hybridprotective circuits are approached too.From the precedent chapter, a smart and low power solid state circuit breaker is realized to identifyproblems which are linked with this type of circuit breaker. Solid state circuit breaker is developed withanalog components in a way that is autonomous and low cost. It’s follow that stray inductance andtemperature have an important impact when a default occurs.Chapter III give an analyze on different silicon power semiconductor dice towards temperature5relying on statics and dynamics characteristics in order to find the best silicon power switch which beused in the chapter IV. It has been shown that super junction MOSFET has the same behavior at lowpower than silicon carbide MOSFET.Solid state circuit breaker (400V/63A) has been studied and developed, in order to use all theknowledge previously acquired and to show the competitively of the silicon for this power range.

Les matériaux composites à matrice de carbure de silicium renforcée par des fibres decarbone (C/SiC) sont des composites à matrice céramique (CMC), très prometteurs pour desapplications à haute température, comme le secteur aéronautique. Dans cette thèse, sontmenées des études particulières concernant les propriétés de ces matériaux : prédiction despropriétés mécanique (élastiques), analyses thermiques (optimisation des contraintesthermiques), simulation de l’oxydation à haute température.Une méthode basée sur l’énergie de déformation est proposée pour la prédiction desconstantes élastiques et des coefficients de dilatation thermiques de matériaux compositesorthotropes 3D. Dans cette méthode, les constantes élastiques et les coefficients de dilatationthermique sont obtenus en analysant la relation entre l'énergie de déformation de lamicrostructure et celle du modèle homogénéisé équivalent sous certaines conditions auxlimites thermiques et élastiques. Différents types de matériaux composites sont testés pourvalider le modèle.Différentes configurations géométriques du volume élémentaire représentatif des compositesC/SiC (2D tissés et 3D tressés) sont analysées en détail. Pour ce faire, la méthode énergétiquea été couplée à une analyse éléments finis. Des modèles EF des composites C/SiC ont étédéveloppés et liés à cette méthode énergétique pour évaluer les constantes élastiques et lescoefficients de dilatation thermique. Pour valider la modélisation proposée, les résultatsnumériques sont ensuite comparés à des résultats expérimentaux.Pour poursuivre cette analyse, une nouvelle stratégie d'analyse « globale/locale »(multi-échelle) est développée pour la détermination détaillée des contraintes dans lesstructures composites 2D tissés C/SiC. Sur la base de l'analyse par éléments finis, laprocédure effectue un passage de la structure composite homogénéisée (Echelle macro :modèle global) au modèle détaillé de la fibre (Echelle micro : modèle local). Ce passage entreles deux échelles est réalisé à partir des résultats de l'analyse globale et des conditions auxlimites du modèle local. Les contraintes obtenues via cette approche sont ensuite comparées àcelles obtenues à l’aide d’une analyse EF classique.IVLa prise des contraintes résiduelles thermiques (contraintes d’origine thermique dans lesfibres et la matrice) joue un rôle majeur dans le comportement des composites à matricescéramiques. Leurs valeurs influencent fortement la contrainte de microfissuration de lamatrice. Dans cette thèse, on cherche donc à minimiser cette contrainte résiduelle thermique(TRS) par une méthode d’optimisation de type métaheuristique: Particle Swarm Optimization(PSO), Optimisation par essaims particulaires.Des modèles éléments finis du volume élémentaire représentatif de composites 1-Dunidirectionnels C/SiC avec des interfaces multi-couches sont générés et une analyse paréléments finis est réalisée afin de déterminer les contraintes résiduelles thermiques. Unschéma d'optimisation couple l'algorithme PSO avec la MEF pour réduire les contraintesrésiduelles thermiques dans les composites C/SiC en optimisant les épaisseurs des interfacesmulti-couches.Un modèle numérique est développé pour étudier le processus d'oxydation de microstructureet la dégradation des propriétés élastiques de composites 2-D tissés C/SiC oxydant àtempérature intermédiaire (T<900°C). La microstructure du volume élémentaire représentatifde composite oxydé est modélisée sur la base de la cinétique d'oxydation. La méthode del'énergie de déformation est ensuite appliquée au modèle éléments finis de la microstructureoxydé pour prédire les propriétés élastiques des composites. Les paramètres d'environnement,à savoir, la température et la pression, sont étudiées pour voir leurs influences sur lecomportement d'oxydation de composites C/SiC. / Carbon fiber-reinforced silicon carbide matrix (C/SiC) composite is a ceramic matrixcomposite (CMC) that has considerable promise for use in high-temperature structuralapplications. In this thesis, systematic numerical studies including the prediction of elasticand thermal properties, analysis and optimization of stresses and simulation ofhigh-temperature oxidations are presented for the investigation of C/SiC composites.A strain energy method is firstly proposed for the prediction of the effective elastic constantsand coefficients of thermal expansion (CTEs) of 3D orthotropic composite materials. Thismethod derives the effective elastic tensors and CTEs by analyzing the relationship betweenthe strain energy of the microstructure and that of the homogenized equivalent model underspecific thermo-elastic boundary conditions. Different kinds of composites are tested tovalidate the model.Geometrical configurations of the representative volume cell (RVC) of 2-D woven and 3-Dbraided C/SiC composites are analyzed in details. The finite element models of 2-D wovenand 3-D braided C/SiC composites are then established and combined with the stain energymethod to evaluate the effective elastic constants and CTEs of these composites. Numericalresults obtained by the proposed model are then compared with the results measuredexperimentally.A global/local analysis strategy is developed for the determination of the detailed stresses inthe 2-D woven C/SiC composite structures. On the basis of the finite element analysis, theprocedure is carried out sequentially from the homogenized composite structure of themacro-scale (global model) to the parameterized detailed fiber tow model of the micro-scale(local model). The bridge between two scales is realized by mapping the global analysisresult as the boundary conditions of the local tow model. The stress results by global/localmethod are finally compared to those by conventional finite element analyses.Optimal design for minimizing thermal residual stress (TRS) in 1-D unidirectional C/SiCcomposites is studied. The finite element models of RVC of 1-D unidirectional C/SiCIIcomposites with multi-layer interfaces are generated and finite element analysis is realized todetermine the TRS distributions. An optimization scheme which combines a modifiedParticle Swarm Optimization (PSO) algorithm and the finite element analysis is used toreduce the TRS in the C/SiC composites by controlling the multi-layer interfaces thicknesses.A numerical model is finally developed to study the microstructure oxidation process and thedegradation of elastic properties of 2-D woven C/SiC composites exposed to air oxidizingenvironments at intermediate temperature (T<900°C). The oxidized RVC microstructure ismodeled based on the oxidation kinetics analysis. The strain energy method is then combinedwith the finite element model of oxidized RVC to predict the elastic properties of composites.The environmental parameters, i.e., temperature and pressure are studied to show theirinfluences upon the oxidation behavior of C/SiC composites.

Dans le domaine de l'électronique de puissance, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieure à celles de silicium. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes. Parmi les interrupteurs existants, le JFET en SiC est l'interrupteur le plus avancé dans son développement technologique, et il est au stade de la pré-commercialisation. Le travail réalisé au cours de cette thèse consiste à caractériser électriquement des JFET- SiC de SiCED en fonction de la température (25°C-300°C). Des mesures ont été réalisé en statique (courant-tension), en dynamique (capacité-tension) et en commutation sur charge R-L (résistive-inductives) et dans un bras d'onduleur. Un modèle multi-physique du transistor VJFET de SiCED à un canal latéral a été présenté. Le modèle a été développé en langage MAST et validé aussi bien en mode de fonctionnement statique que dynamique en utilisant le simulateur SABER. Ce modèle inclut une représentation asymétrique du canal latéral et les capacités de jonction de la structure. La validation du modèle montre une bonne concordance entre les mesures et la simulation.

Depuis la création de l'Union soviétique jusqu'à sa dissolution, la mer Caspienne appartenait à l'Iran et à l'URSS, qui constituaient ses deux seuls États riverains. Ces derniers avaient convenu de gérer la Caspienne «en commun », selon un régime de condominium, dans deux accords bilatéraux signés en 1921 et 1940. Cependant, après le démembrement de l'Union soviétique en 1991, trois nouveaux États indépendants et riverains de la Caspienne (1'Azerbaïdjan, le Kazakhstan et le Turkménistan) se sont ajoutés à l'équation, et ont exigé une révision du régime juridique conventionnel en vigueur. Ainsi, des négociations multilatérales ont été entamées, lesquelles ont mis en relief plusieurs questions juridiques faisant l'objet d'interprétation divergente: Le régime juridique conventionnel de 1921 et de 1940 (établissant une gestion en commun) est-il toujours valable dans la nouvelle conjoncture? Les nouveaux États riverains successeurs de l'Union soviétique sont-ils tenus de respecter les engagements de l'ex-URSS envers l'Iran quant à la Caspienne? Quel est l'ordre juridique applicable à la mer Caspienne? Serait-ce le droit de la mer (UNCLOS) ou le droit des traités? La notion de rebus sic stantibus - soit le « changement fondamental de circonstances» - aurait-elle pour effet l'annulation des traités de 1921 et de 1940? Les divisions administratives internes effectuées en 1970 par l'URSS pour délimiter la mer sont-elles valides aujourd'hui, en tant que frontières maritimes? Dans la présente recherche, nous prendrons position en faveur de la validité du régime juridique établi par les traités de 1921 et de 1940 et nous soutiendrons la position des États qui revendiquent la transmission des engagements de l'ex-URSS envers l'Iran aux nouveaux États riverains. Pour cela nous effectuerons une étude complète de la situation juridique de la mer Caspienne en droit international et traiterons chacune des questions mentionnées ci-dessus. Le droit des traités, le droit de la succession d'États, la Convention des Nations Unies du droit de la mer de 1982, la doctrine, la jurisprudence de la C.I.J et les positions des États riverains de la Caspienne à l'ONU constituent nos sources pour l'analyse détaillée de cette situation. / From the creation of the Soviet Union to its dissolution, the Caspian Sea belonged to Iran and the USSR, which were its only two littoral States. The Caspian was, during this period, governed by two bilateral agreements signed in 1921 and 1940, in which the two States had agreed to “jointly” manage the Sea. However, after the dissolution of the USSR in 1991 gave birth to three newly independent States (Azerbaijan, Kazakhstan and Turkmenistan) with coast lines along the Caspian Sea, these three new actors demanded with insistence that the existing treaty-based regime be revised. During the course of the ensuing negotiations, several legal questions have been raised: Is the treaty-based legal regime established by the 1921 and 1940 treaties still valid in the new regional configuration? Are the newly independent States, successors to the USSR, obliged to respect the former Union's legal obligations towards Iran? If not, what is the appropriate legal regime applicable to the Caspian? Is it the law of the Sea (as defined mostly in the UNCLOS) or the law of treaties? Considering the new regional configuration, does the concept of rebus sic stantibus - or the fundamental change of circumstances - invalidate the 1921 and 1940 treaties? Will the internal administrative divisions established in 1970 by the former Soviet Union with regards to the Caspian become - de jure - the new international maritime frontiers? In this thesis, we argue in favour of the validity of the legal regime established by the 1921 and 1940 treaties and we support the position of those States which assert the transmissibility of the obligations of the former Union to the newly independent littoral States. In doing so, we will provide a complete analysis of the legal dilemma at hand and suggest appropriate analytical answers to the aforementioned questions. The law of treaties, the law of the succession of States, the 1982 United Nations' Convention of the Law of the Sea (UNCLOS), doctrinal commentaries, case law of the I.C.J, and official U.N documents revealing the positions of each littoral States will be thoroughly conversed in this regard.

Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande d'énergie interdite, remarquable par ses propriétés physiques situées à mi-chemin entre le silicium et le diamant. Ceci suscite actuellement un fort intérêt industriel pour son utilisation dans la fabrication de composants susceptibles de fonctionner dans des conditions extrêmes : forte puissance et haute température. Les travaux de thèse se sont focalisés sur la levée de verrous technologiques pour réaliser des composants latéraux de type JFET (Junction Field Effect Transistor) et les intégrer monolithiquement dans des substrats SiC-4H. L'objectif est de réaliser un bras d'onduleur intégré en SiC avec deux étages commande et puissance. Dans un premier temps, nous avons entamé cette thèse par une caractérisation de deux lots de composants JFET latéraux à canaux N et P réalisés dans le cadre de deux projets ANR précédents cette thèse. De cette étude nous avons extrait plusieurs points positifs, comme celui qui concerne la tenue en tension des JFET de puissance et l'intégration monolithique des JFET basse tension. Mais, nous avons aussi mis en évidence, la nécessité d'optimiser la structure de composants et d'améliorer certaines étapes technologiques, principalement, la définition des canaux par implantation ionique, le contact ohmique et la gravure profonde. Des études approfondies pour réaliser le contact ohmique sur SiC type P et des procédés pour réaliser une gravure profonde dans le SiC ont été développés. Ces études ont permis d'obtenir une faible résistance de contact comparable à l'état de l'art mondial, d'avoir des calibres en courant plus élevés et par conséquent une meilleure modulation. Pour la gravure, un masque dur à base de silicium et nickel (NiSi), nous a permis de mettre en place un procédé original qui permet des gravures profondes du SiC et réaliser les structures intégrés des JFET. L'ensemble de ces améliorations technologiques nous a permis d'obtenir des nouveaux lots de composants JFET P et N intégrés sur la même puce, avec des meilleures performances par rapport aux précédentes réalisations, notamment avec une conduction dans les canaux 10 à 100 fois plus importante. Nous avons également obtenu une modulation du courant Ids en fonction de la tension Vgs sur un nombre très important de JFET en augmentant significativement le rendement par rapport aux lots précédents.

Ce travail s'inscrit dans un contexte de développement des réacteurs de quatrième génération. Il concerne plus particulièrement la partie composite du gainage tubulaire de type sandwich envisagé par le CEA pour les réacteurs RNR-NA/Gaz. Le renfort est mis en forme par tressage et l'étude se focalise sur des composites tressés interlocks. Ces structures relativement nouvelles nécessitent une caractérisation mécanique poussée. Deux protocoles expérimentaux ont été développés permettant la réalisation d'essais de traction et de pression interne sur tube. Trois textures différentes ont ainsi été caractérisées. En parallèle un modèle multi-échelle a été mis en place permettant de relier la microstructure aux propriétés mécaniques du tube. Ce modèle est validé dans le domaine élastique sur une des textures caractérisées. Une première approche de l'endommagement de la structure est abordée et une amélioration possible du protocole est proposée.

The knowledge about the reliability of power electronics is necessary for the design of converters. Especially for offshore applications it is essential to know, which fatigue processes happen and how the lifetime can be estimated. Numerical simulation is an important tool for the development of power electronic systems. This thesis analyse the thermal and thermal-mechanical behaviour of packages for power semiconductor devices with the help of simulations. One topic is the evaluation of different thermal models. The main focus is on the description of the thermal cross-coupling between the devices and the influence to the lifetime estimation. The power module is a well established package for power semiconductor devices. It will be explained how the heating period of power cycles influences the failure mode of this package type. Additionally, it will evaluated how SiC devices and DAB substrates influence the power cycling capability. The press-pack is in focus for high power applications as the package short-circuits during an electrical failure without external auxiliary systems. However, the knowledge about the power cycling behaviour is currently limited. With the help of simulations this behaviour will be analysed and possible weak points will be also derived. In the end of the work it will be discussed, how the lifetime can be estimated with help of FEM simulations. / Für die Entwicklung von Umrichtern ist die Kenntnis über die Zuverlässigkeit der Leistungselektronik ein wichtiges Kernthema. Insbesondere für Offshore-Anwendungen ist das Wissen über die stattfindenden Ermüdungsprozesse und die Abschätzung der zu erwartenden Lebensdauer der Bauteile essentiell. Hierfür hat sich die Simulation als ein wichtiges Werkzeug für die Entwicklung und Lebensdauerbewertung von leistungselektronischen Anlagen etabliert. In der folgenden Arbeit wird das thermische und das thermisch-mechanische Verhalten der Leistungselektronik mittels Simulationen untersucht. Hierzu wird ein Vergleich zwischen verschiedenen thermischen Modellen für Leistungsbauelemente durchgeführt. Schwerpunkt ist die Beschreibung der thermischen Kopplung zwischen den Chips und deren Einfluss auf die Lebensdauerabschätzung. Ein weiterer Schwerpunkt ist das Leistungsmodul, welches sich als ein Standardgehäuse etabliert hat. Dazu wird erklärt, wie die Variation der Einschaltzeit im aktiven Lastwechseltest den Fehlermodus dieses Gehäusetyps beeinflusst. Weiterhin wird untersucht, wie SiC als Leistungshalbleiter und DAB als Substrat die Zuverlässigkeit beein- flusst. Der Press-Pack ist für Hochleistungsapplikationen von hohem Interesse, da dieses Gehäuse im elektrischen Fehlerfall ohne äußere Unterstützung kurzschliesst. Jedoch ist das Wissen über diese Gehäusetechnologie unter aktiven Lastwechselbedingungen sehr limitiert. Mit Hilfe von Simulationen wird dieses Verhalten untersucht und mögliche Schwachpunkte abgeleitet. Am Ende der Arbeit werden Möglichkeiten untersucht, wie Mithilfe von FEM Simulationen die Lebensdauer von Leistungsmodulen evaluiert werden kann.

Les environnements ont tendance à être plus sévères (plus chauds et quelquefois plus froids). À ce titre, l’électronique de puissance haute température est un enjeu majeur pour le futur. Concernant les technologies d’assemblage à haute température, les brasures haute température comme l'alliage 88Au/12Ge, 97Au/3Si et 5Sn/95Pb pourraient supporter ces niveaux de contraintes thermiques, qui sont actuellement développées pour répondre à ces exigences. Nous avons effectué les caractérisations électriques, mécaniques et thermomécaniques des matériaux d’assemblage. Une étude thermique a réalisée par des méthodes expérimentales et des simulations numériques, l’étude numérique est réalisée sous ANSYS dans le but d’estimer les influences des différents paramètres sur la performance thermique de l’assemblage. En plus, les cyclages thermiques passif de grande amplitude sont effectués pour analyser la fiabilité des modules de puissance dans ces conditions d’utilisation. / The environments tend to be more severe (hotter and sometimes colder). As such, the high temperature power electronics is a major challenge for the future. Concerning the technologies for high temperature assembly, high temperature brazing alloy as 88Au / 12Ge, 97Au / 3Si and 5Sn / 95Pb could support these levels of thermal stresses, which are being developed to answer these requirements. We performed the electric, mechanical and thermomechanical characterizations for the materials of assembly. A thermal study was realized by experimental methods and numerical simulations, the numerical study is carried out in ANSYS in order to estimate the influences of the various parameters on the thermal performance of the assembly. In addition, the passive thermal cycles of large amplitude are conducted to analyze the reliability of the power modules in these conditions.