Le nombre d'objets connectés utilisés quotidiennement ne cesse d'augmenter. Ces objets manipulent et stockent toute sorte de données personnelles et confidentielles. La contrainte de la sécurité devient alors importante pour la conception des systèmes sur puce (SoCs) destinés à des applications grand public. Et, dans un contexte de plus en plus exigeant en termes de performances et agressif en termes de coûts d'intégration et de développement, il est important de trouver des solutions de sécurisation des SoCs adaptées. Aussi, bien que la sécurité matérielle soit souvent envisagée d'un point de vue numérique, les SoCs actuels sont la plupart du temps mixtes. Les travaux présentés dans ce manuscrit s'intéressent alors à la sécurisation des circuits analogiques composant ces systèmes mixtes. Pour protéger au mieux un système quel qu'il soit, il est avant tout nécessaire d'en connaitre les vulnérabilités. Pour cela, une méthodologie d'analyse des vulnérabilités dédiée aux circuits analogiques a été développée. Ainsi, les contremesures adéquates peuvent être développées avant que le système ne soit complètement conçu. La sécurité du système est alors améliorée sans augmenter considérablement le temps de conception de celui-ci. L'analyse d'un système analogique largement utilisé dans les SoCs actuels et composé de nombreux sous-circuits a permis d'identifier les attaques en faute par Stimulation Photoélectrique Laser (SPL) , et par variation de la tension d'alimentation, comme présentant un risque important pour le système. Mais, a aussi mis en avant certaines difficultés. En effet, les circuits analogiques, contrairement aux circuits numériques, sont sensibles aux fautes paramétriques. Aussi, les nombreuses interconnections entre les différents sous-circuits rendent l'analyse de la propagation des fautes difficile. Pour cela, des simulations du système au niveau transistors sont nécessaires. Ces simulations étant coûteuses en temps, la modélisation des circuits analogiques pour l'analyse des effets des attaques par variations de la tension d'alimentation a été étudiée. Les modèles développés pour cette analyse doivent respecter différentes contraintes spécifiques. L'application de ces contraintes à la modélisation d'un circuit analogique concret a montré que les modèles pouvaient être utilisés pour identifier les formes d'attaques pouvant compromettre la sécurité du circuit. En revanche, l'étude n'a pas permis de déterminer le temps gagné par l'utilisation de modèles. Après avoir identifié les deux types d'attaques précédents et analysé leurs effets sur les circuits analogiques, la problématique de la protection des circuits a été abordée. Les contremesures existantes ont été comparées et évaluées. Pour les compléter, des circuits analogiques de détection d'attaques laser et d'attaques en tension actives ont été conçus en tenant compte des fortes contraintes de coûts et des différentes problématiques présentes au niveau d'un SoC. Les tests électriques de ces détecteurs en technologie CMOS 28nm FD-SOI ont prouvé leur efficacité. Finalement, ce travail présente les différentes étapes de la sécurisation d'un circuit analogique, de l'analyse des vulnérabilités à la conception de contremesures, en passant par la modélisation des attaques et de leurs effets, dans le contexte d'applications mixtes et à bas coût. / With the development of the Internet of things, the number of connected devices is in constant increase. These objects use a large amount of data including personal credentials. Therefore, security has become a major constraint for System on Chips (SoCs) designers. Moreover, in a context more and more aggressive in terms of performances and time to market, it is important to find low cost security solutions. Although the hardware security is often treated from a digital point of view, almost every SoCs is also using analog and mixed IP. Thus, this work presents different steps to improve the security of analog IPs, from vulnerability analysis to countermeasures design validation, and behavioral modeling in the context of mixed signals and low cost applications. To protect any system, the first requirement is to know its vulnerabilities. To do so, a vulnerability analysis methodology dedicated to analog circuit has been developed. Using the results of this analysis, countermeasures can be designed during the development of the circuit and not at the end. The circuit security is thus improved without dramatically increasing its cost in terms of design time. The analysis of a clock system generator, an analog IP widely used in current SoCs and composed with various sub-circuits, has shown fault attacks using Laser Photoelectric Stimulation (LPS) or supply voltage glitches as important threats. After having identified the 2 previous attacks types as major threats, their effects on analog circuits are analyzed. Existing countermeasures are then compared and evaluated for the protection of analog IPs. To complete these solutions, two analog detectors have been designed to detect laser and supply voltage glitch attacks considering SoCs level constraints. Electrical test of these detectors processed on CMOS 28nm FD-SOI technology proved their efficiency. Theoretical vulnerability analysis has shown some difficulties. Indeed, analog circuits are sensitive to numerous parametrical faults. Also, the high interconnection of various sub-circuits makes the faults propagation analysis quite difficult. To help this analysis, electrical simulations at transistor level are necessary. These simulations are quite long and, so the behavioral modeling of analog circuits to help the analysis of supply voltage glitch attack effects has been studied. To do so, the developed models must be developed according different constraints presented in this report and applied to the behavioral modeling of a real analog circuit. This illustration proved that behavioral models can be used to help to identify which attack shapes are the most likely to induce faults in the circuit.

Les mémoires à base de semi-conducteur sont indispensables pour les dispositifs électroniques actuels. La demande croissante pour des dispositifs mémoires fortement miniaturisées a entraîné le développement de mémoires non volatiles fiables qui sont utilisées dans des systèmes informatiques pour le stockage de données et qui sont capables d'atteindre des débits de données élevés, avec des niveaux de dissipation d'énergie équivalents voire moindres que ceux des technologies mémoires actuelles.Parmi les technologies de mémoires non-volatiles émergentes, les mémoires à changement de phase (PCM) sont le candidat le plus prometteur pour remplacer la technologie de mémoire Flash conventionnelle. Les PCM offrent une grande variété de fonctions, comme une lecture et une écriture rapide, un excellent potentiel de miniaturisation, une compatibilité CMOS et des performances élevées de rétention de données à haute température et d'endurance, et peuvent donc ouvrir la voie à des applications non seulement pour les dispositifs mémoires, mais également pour les systèmes informatiques à hautes performances. Cependant, certains problèmes de fiabilité doivent encore être résolus pour que les PCM se positionnent comme un remplacement concurrentiel de la mémoire Flash.Ce travail se concentre sur l'étude de mémoires à changement de phase intégrées afin d'optimiser leurs performances et de proposer des solutions pour surmonter les principaux points critiques de la technologie, ciblant des applications à hautes températures. Afin d'améliorer la fiabilité de la technologie, la stœchiométrie du matériau à changement de phase a été conçue de façon appropriée et des dopants ont été ajoutés, optimisant ainsi la stabilité thermique. Une diminution de la vitesse de programmation est également rapportée, ainsi qu'un drift résiduel de la résistance de l'état de faiblement résistif vers des valeurs de résistance plus élevées au cours du temps.Une nouvelle technique de programmation est introduite, permettant d'améliorer la vitesse de programmation des dispositifs et, dans le même temps, de réduire avec succès le phénomène de drift en résistance. Par ailleurs, un algorithme de programmation des PCM multi-bits est présenté. Un générateur d'impulsions fournissant des impulsions avec la tension souhaitée en sortie a été conçu et testé expérimentalement, répondant aux demandes de programmation d'une grande variété de matériaux innovants et en permettant la programmation précise et l’optimisation des performances des PCM. / Semiconductor memory has always been an indispensable component of modern electronic systems. The increasing demand for highly scaled memory devices has led to the development of reliable non-volatile memories that are used in computing systems for permanent data storage and are capable of achieving high data rates, with the same or lower power dissipation levels as those of current advanced memory solutions.Among the emerging non-volatile memory technologies, Phase Change Memory (PCM) is the most promising candidate to replace conventional Flash memory technology. PCM offers a wide variety of features, such as fast read and write access, excellent scalability potential, baseline CMOS compatibility and exceptional high-temperature data retention and endurance performances, and can therefore pave the way for applications not only in memory devices, but also in energy demanding, high-performance computer systems. However, some reliability issues still need to be addressed in order for PCM to establish itself as a competitive Flash memory replacement.This work focuses on the study of embedded Phase Change Memory in order to optimize device performance and propose solutions to overcome the key bottlenecks of the technology, targeting high-temperature applications. In order to enhance the reliability of the technology, the stoichiometry of the phase change material was appropriately engineered and dopants were added, resulting in an optimized thermal stability of the device. A decrease in the programming speed of the memory technology was also reported, along with a residual resistivity drift of the low resistance state towards higher resistance values over time.A novel programming technique was introduced, thanks to which the programming speed of the devices was improved and, at the same time, the resistance drift phenomenon could be successfully addressed. Moreover, an algorithm for programming PCM devices to multiple bits per cell using a single-pulse procedure was also presented. A pulse generator dedicated to provide the desired voltage pulses at its output was designed and experimentally tested, fitting the programming demands of a wide variety of materials under study and enabling accurate programming targeting the performance optimization of the technology.

Le cerveau humain est composé d’un grand nombre de réseaux neuraux interconnectés, dont les neurones et les synapses en sont les briques constitutives. Caractérisé par une faible consommation de puissance, de quelques Watts seulement, le cerveau humain est capable d’accomplir des tâches qui sont inaccessibles aux systèmes de calcul actuels, basés sur une architecture de type Von Neumann. La conception de systèmes neuromorphiques vise à réaliser une nouvelle génération de systèmes de calcul qui ne soit pas de type Von Neumann. L’utilisation de mémoire non-volatile innovantes en tant que synapses artificielles, pour application aux systèmes neuromorphiques, est donc étudiée dans cette thèse. Deux types de technologies de mémoires sont examinés : les mémoires à changement de phase (Phase-Change Memory, PCM) et les mémoires résistives à base d’oxyde (Oxide-based resistive Random Access Memory, OxRAM). L’utilisation des dispositifs PCM en tant que synapses de type binaire et probabiliste est étudiée pour l’extraction de motifs visuels complexes, en évaluant l’impact des conditions de programmation sur la consommation de puissance au niveau du système. Une nouvelle stratégie de programmation, qui permet de réduire l’impact du problème de la dérive de la résistance des dispositifs PCM est ensuite proposée. Il est démontré qu’en utilisant des dispositifs de tailles réduites, il est possible de diminuer la consommation énergétique du système. La variabilité des dispositifs OxRAM est ensuite évaluée expérimentalement par caractérisation électrique, en utilisant des méthodes statistiques, à la fois sur des dispositifs isolés et dans une matrice complète de mémoire. Un modèle qui permets de reproduire la variabilité depuis le niveau faiblement résistif jusqu’au niveau hautement résistif est ainsi développé. Une architecture de réseau de neurones de type convolutionnel est ensuite proposée sur la base de ces travaux éxperimentaux. La tolérance du circuit neuromorphique à la variabilité des OxRAM est enfin démontrée grâce à des tâches de reconnaissance de motifs visuels complexes, comme par exemple des caractères manuscrits ou des panneaux de signalisations routières. / The human brain is made of a large number of interconnected neural networks which are composed of neurons and synapses. With a low power consumption of only few Watts, the human brain is able to perform computational tasks that are out of reach for today’s computers, which are based on the Von Neumann architecture. Neuromorphic hardware design, taking inspiration from the human brain, aims to implement the next generation, non-Von Neumann computing systems. In this thesis, emerging non-volatile memory devices, specifically Phase-Change Memory (PCM) and Oxide-based resistive memory (OxRAM) devices, are studied as artificial synapses in neuromorphic systems. The use of PCM devices as binary probabilistic synapses is studied for complex visual pattern extraction applications, evaluating the impact of the PCM programming conditions on the system-level power consumption.A programming strategy is proposed to mitigate the impact of PCM resistance drift. It is shown that, using scaled devices, it is possible to reduce the synaptic power consumption. The OxRAM resistance variability is evaluated experimentally through electrical characterization, gathering statistics on both single memory cells and at array level. A model that allows to reproduce OxRAM variability from low to high resistance state is developed. An OxRAM-based convolutional neural network architecture is then proposed on the basis of this experimental work. By implementing the computation of convolution directly in memory, the Von Neumann bottleneck is avoided. Robustness to OxRAM variability is demonstrated with complex visual pattern recognition tasks such as handwritten characters and traffic signs recognition.

Dans le travail que l’on présente désormais, on a étudié quelques textes des mémorialistes et autobiographes, ayant pour objectif de tracer le développement du mémorialisme brésilien vers la fin du XIXe siècle jusqu’au milieu du XXe siècle. D’abord on a fait des efforts pour démontrer le peu d’espace et d’attention attribués aux Mémoires et aux autobiographies par les différentes histoires de la littérature brésilienne, ce que leur donne un statut d’infériorité par rapport aux autres formes et genres littéraires. Puis, on est passé à l’analyse des Mémoires du XIXe siècle, surtout celles de José de Alencar, Joaquim Nabuco, Alfredo Taunay et Helena Morley, pour que l’on pouvait formuler un panorama des Mémoires de cette époque-là. Pour établir ces propositions, il a fallu étudier aussi la période historique au sein de laquelle ces oeuvres ont été écrites, c’est-à-dire, le Brésil de la Première République, à la fin du XIXe siècle. En mettant en relation les oeuvres et leur contexte historique-social, on a essayé de montrer comment les Mémoires sont devenues un genre plus ou moins convenable et adapté aux besoins des écrivains de cette époque-là. Ensuite, au XXe siècle, on a cherché à éstimer les transformations des textes de mémoires en leur mettant en interaction avec les changements politiques et sociaux par lesquels passait le Brésil, pour établir une ligne d’évolution entre les textes étudiés auparavant et quatre autres oeuvres écrites au XXe siècle : Segredos da infância e No tempo da flor, de Augusto Meyer ; História da minha infância, de Gilberto Amado ; et le premier tome des mémoires de Pedro Nava, Baú de ossos. L’idée principale a été celle d’évaluer la situation des Mémoires et autobiographies par rapport à la société et au système littéraire tout en cherchant à discerner le développement d’une possible tra / No trabalho que ora apresentamos, estudamos alguns textos memorialísticos e autobiográficos com o objetivo de tentar traçar o desenvolvimento da memorialística brasileira de fins do século XIX até meados do século XX. Então, primeiramente fizemos o esforço de demonstrar o pouco espaço e a pouca atenção que recebem as Memórias e autobiografias nas diversas histórias da literatura brasileira, o que lhes confere certo estatuto de inferioridade em relação a outras formas e gêneros literários. Em seguida, passamos à análise de obras memorialísticas do século XIX, em especial, às de José de Alencar, Joaquim Nabuco, Alfredo Taunay e Helena Morley, para que pudéssemos formular um panorama da memorialística do período. Para que esse panorama fosse construído, precisamos também estudar o período histórico em que essas obras foram escritas, ou seja, o Brasil da Primeira República, em fins do século XIX. Colocando em relação as obras e o seu contexto históricosocial, tentamos mostrar como as Memórias foram o gênero mais ou menos adequado e adaptado às necessidades dos escritores da época. Chegado o século XX, buscamos avaliar os desenvolvimentos da memorialística nacional em estreita relação com as mudanças políticas e sociais do Brasil, estabelecendo uma espécie de linha evolutiva entre aqueles textos do século XIX e quatro obras do século XX: Segredos da infância e No tempo da flor, de Augusto Meyer; História da minha infância, de Gilberto Amado; e o primeiro volume das memórias de Pedro Nava, Baú de ossos. A ideia principal foi a de avaliar a situação das obras memorialísticas e autobiográficas em relação à sociedade e ao sistema literário, procurando entrever o desenvolvimento de uma possível tradição memorialística no quadro da literatura nacional.

En raison de leur faible consommation d'énergie, les mémoires non volatiles (MNV) sont En raison de leur faible consommation d'énergie, les mémoires non-volatiles sont particulièrement intéressantes pour l'électronique portative (clé USB, téléphone, ordinateur portable …). Les mémoires Flash, qui dominent le marché, atteignent leurs limites physiques et doivent être remplacées. L'introduction de nouveaux matériaux et architectures mémoire est proposée. Les mémoires OxRRAM (Oxide Resistive Random Access Memory) sont des candidats potentiels. Il s'agit de structures M-O-M (Métal-Oxyde-Métal). Le stockage de l'information est basé sur la modulation de la résistance de l'oxyde à l'application d'un champ électrique ou d'un courant. Une meilleure compréhension du mécanisme de changement de résistance de ces dispositifs est nécessaire pour contrôler leurs performances. Nous nous intéressons au claquage diélectrique de l'oxyde, qui initie le mécanisme de changement de résistance. Les mesures physico-chimiques à l'échelle nanométrique sont indispensables à sa compréhension et font défaut dans la littérature. Dans cette thèse, nous proposons des mesures physico-chimiques, des mesures électriques et des méthodes de préparation d'échantillon adaptées. Les oxydes de nickel et d'hafnium sont investigués. En plus de la dégradation électrique (chute de résistance), les modifications de ces deux oxydes sont investiguées à trois niveaux : la composition chimique, la morphologie et la structure électronique. Mots-clés : mémoire résistive, mécanisme de changement de résistance, claquage diélectrique, NiO, HfO2, spectroscopie de photoélectrons, microscopie électronique en transmission, microscopie à forme atomique, lacunes d'oxygène. / With low energy consumption, non-volatile memories are interesting for portative applications (USB, mobile phone, laptop …). The Flash memory technology is reaching its physical boundaries and needs to be replaced. New materials and architectures are currently investigated. Oxide Resistive Random Access Memory (OxRRAM) is considered as a good candidate. It is based on a M-O-M (Metal-Oxide-Metal) stack. The information is stored using an electric field or a current that modulates the resistance of the oxide. A better understanding of the resistance switching mechanism is required in order to control the performances of the devices. We investigate the dielectric breakdown that activates the resistance switching properties. Physico-chemical characterization at the nanoscale is required. In this work, we propose proper physico-chemical and electrical measurements. Sample preparation is also considered. Nickel and hafnium oxide are investigated. Besides the evolution of the electrical properties, we analyze the oxide modification at three levels : the chemical composition, the morphology and the electronic structure. Keywords : resistive memory, resistance switching mechanism, dielectric breakdown, NiO, HfO2, photoelectron spectroscopy, electronic transmission microscopy, atomic force microscopy, oxygen vacancies.

Dans le travail que l’on présente désormais, on a étudié quelques textes des mémorialistes et autobiographes, ayant pour objectif de tracer le développement du mémorialisme brésilien vers la fin du XIXe siècle jusqu’au milieu du XXe siècle. D’abord on a fait des efforts pour démontrer le peu d’espace et d’attention attribués aux Mémoires et aux autobiographies par les différentes histoires de la littérature brésilienne, ce que leur donne un statut d’infériorité par rapport aux autres formes et genres littéraires. Puis, on est passé à l’analyse des Mémoires du XIXe siècle, surtout celles de José de Alencar, Joaquim Nabuco, Alfredo Taunay et Helena Morley, pour que l’on pouvait formuler un panorama des Mémoires de cette époque-là. Pour établir ces propositions, il a fallu étudier aussi la période historique au sein de laquelle ces oeuvres ont été écrites, c’est-à-dire, le Brésil de la Première République, à la fin du XIXe siècle. En mettant en relation les oeuvres et leur contexte historique-social, on a essayé de montrer comment les Mémoires sont devenues un genre plus ou moins convenable et adapté aux besoins des écrivains de cette époque-là. Ensuite, au XXe siècle, on a cherché à éstimer les transformations des textes de mémoires en leur mettant en interaction avec les changements politiques et sociaux par lesquels passait le Brésil, pour établir une ligne d’évolution entre les textes étudiés auparavant et quatre autres oeuvres écrites au XXe siècle : Segredos da infância e No tempo da flor, de Augusto Meyer ; História da minha infância, de Gilberto Amado ; et le premier tome des mémoires de Pedro Nava, Baú de ossos. L’idée principale a été celle d’évaluer la situation des Mémoires et autobiographies par rapport à la société et au système littéraire tout en cherchant à discerner le développement d’une possible tra / No trabalho que ora apresentamos, estudamos alguns textos memorialísticos e autobiográficos com o objetivo de tentar traçar o desenvolvimento da memorialística brasileira de fins do século XIX até meados do século XX. Então, primeiramente fizemos o esforço de demonstrar o pouco espaço e a pouca atenção que recebem as Memórias e autobiografias nas diversas histórias da literatura brasileira, o que lhes confere certo estatuto de inferioridade em relação a outras formas e gêneros literários. Em seguida, passamos à análise de obras memorialísticas do século XIX, em especial, às de José de Alencar, Joaquim Nabuco, Alfredo Taunay e Helena Morley, para que pudéssemos formular um panorama da memorialística do período. Para que esse panorama fosse construído, precisamos também estudar o período histórico em que essas obras foram escritas, ou seja, o Brasil da Primeira República, em fins do século XIX. Colocando em relação as obras e o seu contexto históricosocial, tentamos mostrar como as Memórias foram o gênero mais ou menos adequado e adaptado às necessidades dos escritores da época. Chegado o século XX, buscamos avaliar os desenvolvimentos da memorialística nacional em estreita relação com as mudanças políticas e sociais do Brasil, estabelecendo uma espécie de linha evolutiva entre aqueles textos do século XIX e quatro obras do século XX: Segredos da infância e No tempo da flor, de Augusto Meyer; História da minha infância, de Gilberto Amado; e o primeiro volume das memórias de Pedro Nava, Baú de ossos. A ideia principal foi a de avaliar a situação das obras memorialísticas e autobiográficas em relação à sociedade e ao sistema literário, procurando entrever o desenvolvimento de uma possível tradição memorialística no quadro da literatura nacional.

La sémantique des jeux permet l'étude et la modélisation abstraite des langages de programmation d'un point de vue mathématique, en gardant assez d'informations concrètes sur la structure des programmes, mais en laissant de côté les détails superflus. Durant mon doctorat, j'ai travaillé sur l'association de la sémantique des jeux avec les structures d'événements pour proposer des modèles dénotationnels vraiment concurrents de langages concurrents d'ordresupérieur. Dans un premier temps, je construis un modèle réalisant cette association, qui retient suffisamment d'informations sur le comportement des programmes pour interpréter adéquatement une grande variété de langages concurrents et non déterministes pour des notions fines de convergences. La construction de ce modèle se base surl'introduction de symétrie afin d'établir que le modèle forme une catégorie cartésienne fermée. Dans un second temps, je propose une généralisation dans ce cadre des notions d'innocence et de bon parenthésage, essentielles en sémantiquedes jeux pour comprendre les effets calculatoires, et résolvant ainsi des problèmes ouverts de la sémantique des jeux concernant l'innocence concurrente et non-déterministe. Dans un dernier temps je propose une interprétation dans ce modèle, de langages concurrents avec mémoire faible, un des premiers travaux de sémantique dénotationnelle pour ce type de langages. Bien que théoriques, ces modèles sont compositionnels et basés sur des ordres partiels, et donc pourraient permettre de faire passer la vérification de programmes concurrents à l'échelle (une problématique importante du domaine). / Game semantics is an effective tool to study and model abstractly programming languages from a mathematical point of view, by keeping enough concrete information on the structure of programs but yet leaving aside superfluous details. During my PhD thesis, I worked on merging game semantics with event structures to propose truly concurrent denotational models of higher-order concurrent languages. In the first part, I build a model based on this merge, retaining enough information about the behaviour of programs to interpret adequately a large variety of concurrent programming languages for various notions of convergence. The construction of this model is based on the introduction of symmetry to prove that the model is indeed in a cartesian-closed category. In the second part, I propose a generalization, in this setting, of innocence and well-bracketing, key notions in game semantics to understand the computational effects, and thusly closing openproblems of game semantics about concurrent and nondeterministic innocence.In the last part, I propose an interpretation in this model of concurrent languages with weak shared memory, one of the first works of denotational semantics for these kinds of languages. Althoughtheoretical, these models are compositional and based on partial orders, and thus could permit scaling verification of concurrent programs (an important problem of the domain).

Dans le travail que l’on présente désormais, on a étudié quelques textes des mémorialistes et autobiographes, ayant pour objectif de tracer le développement du mémorialisme brésilien vers la fin du XIXe siècle jusqu’au milieu du XXe siècle. D’abord on a fait des efforts pour démontrer le peu d’espace et d’attention attribués aux Mémoires et aux autobiographies par les différentes histoires de la littérature brésilienne, ce que leur donne un statut d’infériorité par rapport aux autres formes et genres littéraires. Puis, on est passé à l’analyse des Mémoires du XIXe siècle, surtout celles de José de Alencar, Joaquim Nabuco, Alfredo Taunay et Helena Morley, pour que l’on pouvait formuler un panorama des Mémoires de cette époque-là. Pour établir ces propositions, il a fallu étudier aussi la période historique au sein de laquelle ces oeuvres ont été écrites, c’est-à-dire, le Brésil de la Première République, à la fin du XIXe siècle. En mettant en relation les oeuvres et leur contexte historique-social, on a essayé de montrer comment les Mémoires sont devenues un genre plus ou moins convenable et adapté aux besoins des écrivains de cette époque-là. Ensuite, au XXe siècle, on a cherché à éstimer les transformations des textes de mémoires en leur mettant en interaction avec les changements politiques et sociaux par lesquels passait le Brésil, pour établir une ligne d’évolution entre les textes étudiés auparavant et quatre autres oeuvres écrites au XXe siècle : Segredos da infância e No tempo da flor, de Augusto Meyer ; História da minha infância, de Gilberto Amado ; et le premier tome des mémoires de Pedro Nava, Baú de ossos. L’idée principale a été celle d’évaluer la situation des Mémoires et autobiographies par rapport à la société et au système littéraire tout en cherchant à discerner le développement d’une possible tra / No trabalho que ora apresentamos, estudamos alguns textos memorialísticos e autobiográficos com o objetivo de tentar traçar o desenvolvimento da memorialística brasileira de fins do século XIX até meados do século XX. Então, primeiramente fizemos o esforço de demonstrar o pouco espaço e a pouca atenção que recebem as Memórias e autobiografias nas diversas histórias da literatura brasileira, o que lhes confere certo estatuto de inferioridade em relação a outras formas e gêneros literários. Em seguida, passamos à análise de obras memorialísticas do século XIX, em especial, às de José de Alencar, Joaquim Nabuco, Alfredo Taunay e Helena Morley, para que pudéssemos formular um panorama da memorialística do período. Para que esse panorama fosse construído, precisamos também estudar o período histórico em que essas obras foram escritas, ou seja, o Brasil da Primeira República, em fins do século XIX. Colocando em relação as obras e o seu contexto históricosocial, tentamos mostrar como as Memórias foram o gênero mais ou menos adequado e adaptado às necessidades dos escritores da época. Chegado o século XX, buscamos avaliar os desenvolvimentos da memorialística nacional em estreita relação com as mudanças políticas e sociais do Brasil, estabelecendo uma espécie de linha evolutiva entre aqueles textos do século XIX e quatro obras do século XX: Segredos da infância e No tempo da flor, de Augusto Meyer; História da minha infância, de Gilberto Amado; e o primeiro volume das memórias de Pedro Nava, Baú de ossos. A ideia principal foi a de avaliar a situação das obras memorialísticas e autobiográficas em relação à sociedade e ao sistema literário, procurando entrever o desenvolvimento de uma possível tradição memorialística no quadro da literatura nacional.

Submitted by Renata Lopes (renatasil82@gmail.com) on 2016-01-28T12:44:54Z No. of bitstreams: 1 gabrielmoreirafaulhaber.pdf: 845569 bytes, checksum: 32e4eef1de2fe84e881c32fde6101c0e (MD5) / Approved for entry into archive by Adriana Oliveira (adriana.oliveira@ufjf.edu.br) on 2016-01-28T12:46:59Z (GMT) No. of bitstreams: 1 gabrielmoreirafaulhaber.pdf: 845569 bytes, checksum: 32e4eef1de2fe84e881c32fde6101c0e (MD5) / Made available in DSpace on 2016-01-28T12:46:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 gabrielmoreirafaulhaber.pdf: 845569 bytes, checksum: 32e4eef1de2fe84e881c32fde6101c0e (MD5) Previous issue date: 2014-03-28 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / A presente dissertação tem como objetivo realizar uma abordagem do livro intitulado Uma história à margem, do poeta brasileiro Chacal. Como se trata de uma narrativa pertencente às escritas de si, nosso objetivo recai em apontar o modo como o autor se constrói ao longo do texto. Para tal, busca-se verificar objetivos que movimentam sua escrita. Temos como hipótese que, ao adotar a postura de um memorialista, Chacal assume para si um papel preponderante dentro do cenário não só da poesia surgida na década de 1970, como do ambiente contracultural da mesma época, tornando-se uma espécie de porta-voz de sua geração. Outro ponto ressaltado é o fato de que, paralelamente ao memorialista, vemos a construção de um sujeito antropófago, um herdeiro da antropofagia oswaldiana. Alguém que se mostra aberto ao outro, em comunhão com o outro, com a disposição para encontro, em movimento e em busca da produção do novo a partir dessas relações. / L‘objectif de ce mémoire est l‘étude du livre Uma historia à margem, du poète brésilien Chacal. Puisqu‘il s‘agit d‘um récit mémorialistique , s‘inscrivant dans les écritures de soi, nous analysons comment l‘auteur se construit tout au long du texte. Pour ce faire, nous cherchons à vérifier sa posture en tant que mémorialiste et aussi les buts qui guident son écriture. L‘hypothèse que nous avançons est que, lorsqu‘il adopte la posture d‘un mémorialiste, Chacal se donne un rôle prépondérant aussi bien dans le contexte de la poésie de la décennie 1970, que dans l‘ambiance de cette époque dominée par la contreculture. Il devient ainsi en quelque sorte un porte-parole de sa génération. Un autre point mis en évidence dans ce travail est le fait que, parallèlement au mémorialiste, on observe dans son récit la construction d‘un sujet anthropophage, un héritier de l‘anthropophagie d‘ Oswald de Andrade, c‘est-à-dire un sujet ouvert à l‘autre, en communion avec l‘autre, disposé à le rencontrer, toujours en mouvement et à la recherche de la production du nouveau à partir des rapports qu‘il entretient avec cet autre.

Les nouveaux matériaux de type chalcogénures (à base de S, Se, Te) font l’objet d’un intérêt croissant, non seulement pour les applications mémoires avancées, photonique et photovoltaïque, mais également autour des matériaux dichalcogénures innovants à base de métaux de transition (MoS₂, WS₂, ..). Les propriétés de ces matériaux, réalisés sous forme d’alliages binaires ou ternaires, avec ou sans dopage, dépendent fortement de leur composition, du profil de composition dans ces couches très fines, ainsi que des conditions de surface et d’interface (préparation, passivation). La maîtrise des propriétés de ces couches fines, déposées par voie chimique (CVD) ou par co-pulvérisation cathodique magnétron, doit s’appuyer sur des nouveaux protocoles de caractérisation aux incertitudes optimisées et compatibles avec un contrôle de fabrication en ligne. Dans cette thèse, nous présentons les performances de protocoles de métrologie spécifiquement développés pour l’analyse de couches minces de chalcogénures. Ces protocoles, qui s’appuient essentiellement sur les techniques non destructives de spectroscopie de photoélectrons (XPS) et de fluorescence X (XRF), ont été optimisés pour la caractérisation surfacique des couches ultrafines, l’analyse quantitative de la composition des matériaux complexes à base de tellure ou de soufre, et la mesure du profil de composition dans des couches et empilements < 50 nm. Dans un premier temps, nous présentons l’étude par XPS quasi in situ des propriétés de surface des matériaux Ge, Sb, Te ainsi que de leurs composés binaires et ternaires. Nous mettons en évidence l’évolution de la surface après remise à l’air puis vieillissement, et nous comparons l’efficacité de stratégies d’encapsulation in situ de couches minces à base de Te et Se. Nous démontrons ensuite les performances de protocoles d’analyses par XRF à dispersion de longueur d’onde (WDXRF) et XPS pour la quantification précise de la composition chimique de composés Ge-Sb-Te (de 1 à 200 nm) et de couches ultrafines de dichalcogénures à base de métaux de transition (MoS₂, WS₂). L’analyse combinée WDXRF/XPS permet de mesurer l’évolution avec la composition des facteurs de sensibilité relative des composantes Ge3d, Te4d et Sb4d, et par conséquent d’améliorer la précision de mesure par XPS de la composition des matériaux à changement de phase de type GexSbyTez. Nous soulignons également l’influence des effets de matrice sur la capacité de la WDXRF à l’analyse quantitative de l’azote dans des matériaux Ge-Sb-Te. Nous évaluons la possibilité d’un étalonnage de la WDXRF fondé sur des analyses par faisceaux d’ions spécifiques, ce qui permet in fine un suivi en ligne de couches GeSbTeN dans une fenêtre procédé donnée. Enfin, nous présentons deux stratégies de caractérisation non destructive du profil de composition dans des couches minces de chalcogénures. D’une part, nous démontrons que la combinaison des techniques de XRF en géométrie d'incidence rasante (GIXRF) et de réflectométrie X (XRR) permet une mise en évidence non ambiguë de faibles variations dans les procédés de dépôts, voire de phénomènes de diffusion dans des empilements de 10 nm d'épaisseur. L'utilisation de substrats multicouches en lieu et place du silicium permet d’optimiser la distribution en profondeur du champ d'ondes stationnaires, ce qui conduit à une amélioration nette de la sensibilité des stratégies XRR / GIXRF. D’autre part, nous montrons l’adéquation de protocoles fondés sur l’analyse XPS résolue en angle pour la caractérisation du profil de composition dans des couches nanométriques de GeTe et Ge₂Sb₂Te₅, ce qui permet une étude fine des premières étapes de dépôt de ces matériaux. / Chalcogenide materials are compounds based on S, Se, and Te elements from group VI of the periodic table. They are receiving an extensive interest not only for applications in resistive memories (PCRAM and CBRAM), photonics and photovoltaics but also in the development of new 2-D materials (e.g. spintronics applications). Chalcogenide materials are already present in the semiconductor roadmaps and it is already replacing flash memories (e.g. phase change material and ovonic threshold switch in new random access memory). For the next technology nodes, chalcogenide properties can be scaled by tuning the chemical composition or by reducing the film thickness. Nonetheless, it also means that their properties become more tightly influenced by the chemical composition, the surface/interface effects and the depth-profile composition. Hence, dedicated metrology protocols must be developed, first to assist the optimization of chalcogenide materials processes in cleanroom environment, then to allow non-destructive process monitoring with industry-driven uncertainties. In this PhD thesis, we developed metrology protocols based on X-ray techniques, dedicated to thin chalcogenides materials and fully compatible with inline monitoring. First, we used quasi in-situ X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) to characterize the surface of Ge, Sb, Te thin materials and compounds, and to study the composition-dependent evolution of the surface after air break and ageing. The efficiency of in situ capping strategies to protect Te-based and Se-based thin layered materials from ageing was also investigated. Secondly, we demonstrated the ability of improved metrology strategies based on in-line Wavelength Dispersive X-ray Fluorescence (WDXRF) and XPS to accurately quantify the chemical composition of Ge-Sb-Te compounds (from 1 to 200 nm) and ultrathin 2D transition metal dichalcogenides (MoS₂, WS₂). Combined WDXRF/XPS analysis was used to determine refined values of composition-dependent relative sensitivity factors for Te4d, Sb4d and Ge3d that allow for XPS-based metrology of PCRAM materials with mastered accuracy. We pointed the need for in-depth study of the significant matrix effects that alter the ability of WDXRF to quantify Nitrogen in Ge-Sb-Te materials: ion beam analysis was carefully investigated as possible input for WDXRF calibration, and a WDXRF protocol was established for inline monitoring of N-doped Ge-Sb-Te films in a specific process window. Finally, we investigated two ways to non-destructively characterize the in-depth chemical distribution in thin chalcogenide films: we demonstrated that the combination of XRF in grazing incidence geometry (GIXRF) and X-ray reflectometry (XRR) was able to unambiguously reveal small process differences along with process-induced diffusion in 10 nm-thick stackings. We showed that the use of multilayered substrate instead of silicon allowed fine-tuning of the depth-dependent X-ray standing wave field, resulting in improved sensitivity of XRR/GIXRF strategies. We also developed an angle-resolved XPS protocol for the evaluation of the first deposition steps of GeTe and Ge₂Sb₂Te₅ films, revealing the process-dependent elemental distribution as a function of the film growth. Therefore, in this work we not only elaborated advanced metrology protocols for the development of new chalcogenide films but also metrological solutions for the next technology nodes (28 nm and below), since current in-line metrology tools reach their detection limits.