Abstract In this thesis, a Multi-gate PD SOI Device is realized. The inverse narrow channel effect of the device is also studied. In the Multi-gate PD SOI structure, it has three-surface gate on the silicon MESA Island, which can promote the device performance. However, for eliminating the abnormal corner leakage current in the MESA Island, the process of rounded corner is used. In order to overcome the floating body effect, we use the Schottky body contact. According to the 3-D DAVINCI device simulation and the measurement results, the Multi-gate PD SOI device presents the excellent characteristics: low threshold voltage, low subthreshold factor and high breakdown voltage. In addition, comparing the Multi-gate device with that of the conventional one, the excess drain current gain is observed. In order to understand the behavior of INCE in Multi-gate PD SOI Device in depth, we use the concept of overlap depletion region to derive the expressions of threshold voltage shift. Owing to the device has rounded corner, we also study the rounded corner effect in the model formulation. Comparing calculation with that of the experiment one, the calculation shows agreement with the experiments.

This thesis addresses the manufacturing of complex three-dimensional structures using planar nano-fabrication techniques and a stress-driven self-assembly process in group IV semiconductors. In the state of the art, the method called nanostructured origami, advocated here, has been used to achieve controlled fabrication of rolled-up, wrinkled and folded structures in different material systems. At the same time a new field of silicon technology based on transferable and engineered nanomembranes has developed with the realization of the fact that excellent properties of bulk Si are preserved in nm-thin layers released from the substrate surface. Furthermore, strained Si and SiGe membranes have received much attention as efficient templates to improve Si based device performance. This work focuses on finely tuning the inherent strain in Si-based membranes in order to reliably fold them into rolled-up and wrinkled structures. The topics include manufacturing, in depth characterization and potential applications of the fabricated objects. All samples investigated here have a multilayered structure comprising a sacrificial layer and an all semiconductor or hybrid functional layer. A selective underetching procedure is used to release the nanomembranes from their substrates. The strain profile in the growth direction of the functional layer is one of the key parameters to define the 3D objects forming during the release of the membranes from the substrate. Rolled-up tubes are achieved, for instance, by defining a bilayer strip in the region where bending is to take place. The upper layer of these areas is intentionally deposited with as much residual stress as possible. This intrinsic stress causes the defined slab to curl in a predictable fashion when released from the substrate by selective etching of the sacrificial film. Wrinkled structures are achieved by release of films with a uniform compressive strain from the substrate surface. Three different multilayer stacks are used here, i.e., Si:B/SiGe:B, SiGe and Si functional layers on a Si, SiO₂, and Ge sacrificial layer, respectively. Major contributions of this thesis are the fabrication of integrated microtube resistors based on Si:B/SiGe:B tubes; the use of the Ge condensation technique to tailor the strain distribution in SiGe films on insulator; the manufacturing of fully scalable and CMOS compatible all-semiconductor and hybrid tubes ; the development of the REBOLA (RElease and BOndback of LAyers) technology for the fabrication of linear and circular networks formed by interconnected wrinkled structures; the experimental demonstration of light emission from Ge and Si nanoparticles integrated in a tube wall; the observation and investigation of the waveguiding effect along the axis of SiO_x/Si tubes. For manufacturing of integrated microtube resistors, two-dimensional strained templates are created by MBE growth of Si:B/SiGe:B bilayers on an intrinsic Si sacrificial layer. Conventional patterning techniques are used to define a mesa for a rolled-up tube bridged between two electrodes on the strained film. The pattern is designed taking into account the anisotropic nature of Si etching by the used solution, and a preferential rolling of the film in the <010> direction of the Si crystal. After definition of the electrical contacts in the dedicated areas, rolled-up tubes bridged between two large terminal areas are fabricated by selective etching of the Si sacrificial layer. Linear I-V curves are recorded both for unreleased and rolled-up films, and an increase of the bilayer resistance after release from the substrate is observed. Scalability of the electrical resistance of tubes is achieved by tuning the rolled-up bilayer thickness and the tube diameter. SGOI substrates with various thicknesses and Ge composition profiles are fabricated by using the Ge condensation technique. For this purpose a SiGe layer with low Ge content is epitaxially grown on an ultra-thin SOI wafer and the obtained heterostructure undergoes dry thermal oxidation. Upon exposure to oxygen gas, Si in the SiGe layer is selectively oxidized, and the Ge piles up in the semiconductor layer at the receding SiO₂/SiGe interface. The growing and the buried oxides act as barriers for the Ge out-diffusion, leading to the simultaneous thinning and Ge enrichment of the semiconductor film. Different Ge distribution profiles are created in the SiGe films by tuning the duration and/or the temperature of the oxidation process. An in-situ post-annealing step in nitrogen atmosphere is also used to tailor the composition profile in the film. Rolled-up microtubes and interconnected wrinkled structures are fabricated by releasing SiGe films graded and homogeneous in composition, respectively, by selective etching of the buried SiO₂ layer. Hybrid metal/semiconductor tubes are fabricated by using Si and SiGe films on insulator as templates. A patterned Cr film is thermally evaporated on the SOI and SGOI substrates and a starting edge for the rolling process is defined by photolithography and RIE (reactive ion etching). The inherent tensile strain in the Cr layer creates a strain gradient sufficient to drive the upward bending of the Cr/Si or Cr/SiGe bilayer once the film is released from the substrate. The third part of the thesis focuses on functionalization of rolled-up tubes as optical devices. SiO_x/Si and SiGe tubes undergo high temperature annealing treatment to induce the formation of Si and Ge nanostructures in the tube wall. Intense photoluminescence in the visible spectrum range is acquired at room temperature from these structures. A detailed investigation of light emission and propagation in SiO_x/Si tube is performed. Finally the rolled-up microtubes are shown to work as optical ring-resonators and waveguides. These results conclusively demonstrate the ability to pattern Si-based membranes with nanoscale features and controllably fold them into a predetermined 3D configuration by finely tuning the strain distribution in the membranes by well-estabilished deposition and growth processes i.e., molecular beam epitaxy, physical vapor deposition, and thermal oxidation. Future work may involve the use of selective epitaxy, local oxidation and strained metal or insulator film deposition to locally engineer the strain distribution on the same template. Selecting an appropriate geometry of starting etching windows allows in that case a batch production of different kinds of interconnected structures (tubes, coils and channel networks) by selective etching of a sacrificial buffer layer. This is a promising step to implement various functionalities, i.e, electron devices (SiGe/Si tubes as rolled-up resistors, or metal/semiconductor tubes as inductors), fluidic devices (interconnected wrinkled structures as nanofluidic channel networks), or optical devices (Si-based tubes with integrated emitters as ring-resonators or waveguides) on the same substrate and eventually on a transferable membrane. / Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Herstellung von komplexen dreidimensionalen Strukturen unter der Verwendung planarer Nano-Fabrikationsmethoden und Verspannungsgetriebener Selbstordnungsprozesse. Die hier vorgestellte Methode, das sogenannte nanostrukturierte Origami, wird benutzt, um gezielt gerollte und gefaltete Strukturen verschiedener Materialklassen herzustellen. Gleichzeitig hat sich ein neues Feld der Siliziumtechnologie etabliert, welches darauf beruht, dass in ultradünnen, von der Substratoberfläche losgelösten Schichten die sehr guten Eigenschaften des Siliziumfestkörpers erhalten bleiben. Des Weiteren wurde Si und SiGe Membranen vermehrt Aufmerksamkeit als Ausgangsmaterial für Si-basierte Bauelemente zuteil. Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Feineinstellung der Verspannung in Si-basierten Membranen zur reproduzierbaren Herstellung von aufgerollten und gefalteten Strukturen. Die Aufgabenstellung schließt die Fertigung, die weitgehende Charakterisierung und potentielle Verwendung der Strukturen ein. Alle in dieser Arbeit verwendeten Proben bestehen aus Multilagen, die sowohl eine Opferschicht als auch eine funktionelle Halbleiter- oder Hybridlage enthalten. Durch einen selektiven Prozess werden die Nanomembranen von ihrem Substrat abgelöst. Das Verspannungsprofil in Wachstumsrichtung der funktionellen Schicht ist einer der Schlüsselparameter, um die Art der 3D Objekte vorherzubestimmen, die sich während des Ablösens vom Substrat bilden. Die obere Lage wird dazu absichtlich mit einer maximalen Verspannung aufgebracht. Diese intrinsische Verspannung bewirkt, dass sich das zuvor festgelegte Gebiet in vorhersagbarer Weise aufrollt, wenn es durch selektives Ätzen vom Substrat abgelöst wird. Gefaltete Strukturen erhält man, wenn Lagen mit einer gleichmäßigen kompressiven Verspannung vom Substrat abgelöst werden. Drei verschiedene Multilagen werden in dieser Arbeit verwendet: Si:B/SiGe:B, SiGe und Si-basierte funktionale Schichten, die auf Si-, SiO₂- oder Ge-Opferschichten aufgebracht werden. Die Schwerpunkte dieser Arbeit sind: die Herstellung von integrierten Mikroröhren- Transistoren auf der Basis von Si:B/SiGe:B-Röhren; die Ausnutzung von Ge-Kondensation um die Verspannung von SiGe auf Isolator-Substraten einzustellen; die Herstellung von skalierbaren und CMOS-kompatiblen Halbleiter- und Hybridröhren; die Entwicklung der REBOLA-Technik (RElease and BOnd-back of LAyers) zur Herstellung von linearen und kreisförmigen Netzwerken, die durch gefaltete und verbundene Strukturen gebildet werden; die experimentelle Demonstration der Emission von in den Tubewänden integrierten Si und Ge Nanopartikeln; sowie die Beobachtung und Untersuchung von Wellenleitung entlang der Achse von SiO_x/Si Röhren. Für den Bau von integrierten Mikroröhren-Widerständen werden verspannte zweidimensionale Vorlagen mittels MBE-Wachstum aus Si:B/SiGe:B-Doppelschichten auf intrinsischen Si-Opferschichten verwendet. Klassische Strukturierungsmethoden werden verwendet, um Stege zu definieren, die zwei Elektroden mittels einer aufgerollten Mikroröhre verbinden. Die Strukturierungsmasken werden entsprechend ausgelegt, um sowohl das anisotrope selektive Ätzverhalten der verwendeten Ätzflüssigkeit, als auch die bevorzugte Rollrichtung der Doppelschicht in die <010>-Richtung des Si-Kristalls zu berücksichtigen. Nach der Abscheidung der beiden Elektroden werden deren Anschlussgegenden durch eine Röhre miteinander verbunden, die beim selektiven entfernen der Opferschicht entsteht. Lineare I-V Kennlinien werden sowohl für den flachen, als auch den aufgerollten Film gemessen, wobei ein erhöhter Widerstand für die aufgerollte Doppelschicht beobachtet wird. Eine Skalierbarkeit des Widerstandes der Röhren wurde durch Einstellen der Wandstärke und des Röhrendurchmessers erreicht. SGOI-Substrate verschiedener Dicken und Ge-Konzentrationsprofilen werden mittels der Ge-Kondensationsmethode hergestellt. Für diesen Zweck werden dünne SiGe-Schichten mit geringer Ge-Konzentration epitaktisch auf ultra-dünnen SOI-Wafer eptiaktisch aufgewachsen und anschließend einer trockenen, thermischen Oxidation unterworfen. Wenn diese Schicht dem Sauerstoff ausgesetzt wird, oxidiert Silizium an der Oberfläche und Ge sammelt sich in der Halbleiterschicht unter der SiO_x/SiGe Grenzfläche an. Sowohl das aufwachsende als auch das vergrabene SiO₂ wirken als Diffusionsbarrieren für das Ge, was zu einem simultanen Ansteigen der Ge-Konzentration und dem Abdünnen der verbleibenden Halbleiterschicht führt. Verschiedene Ge-Verteilungsprofile wurden durch gezielte Variation der Dauer und/oder der Temperatur während des Oxidationsprozesses hergestellt. Ein in-situ Nachtempern in einer Stickstoffatmosphäre wird ebenfalls benutzt, um das Verteilungsprofil im Film anzupassen. Sowohl aufgerollte Mikroröhren als auch verbundene gefaltete Netzwerkstrukturen werden durch gezieltes Ablösen von gradierten oder homogenen SiGe Schichten mittels selektiven Ätzens des SiO₂ hergestellt. Hybride Metall/Halbleitende Röhren wurden fabriziert, wobei Si- und SiGe-Schichten auf Isolator als Template dienten. Dafür wurde eine strukturierte Cr-Schicht thermisch auf ein SOI- oder SGOI-Substrat aufgedampft und Startkanten für den Aufrollprozess mittels Fotolithographie und RIE-Ätzen definiert. Die inhärent dehnungsverspannten Cr-Schichten erzeugen einen Verspannungsgradienten, der beim Ablösen der Cr/Si- oder Cr/SiGe-Doppelschichten ein Aufwärtsrollen sicherstellt. Der dritte Teil der Arbeit fokussiert sich auf die Funktionalisierung von aufgerollten Röhren als optische Bauelemente. SiO_x/Si-Röhren werden hohen Temperaturen ausgesetzt, um Si- und Ge-Nanostrukturen in der Röhrenwand zu bilden. Bei Raumtemperatur wird eine intensive Fotolumineszenz der Strukturen beobachtet. Eine detaillierte Untersuchung der Lichtemission und der Lichtausbreitung in den SiO_x /Si-Röhren wurde durchgeführt. Dabei wird nachgewiesen, dass aufgerollte Mikroröhren als optische Ringresonatoren und Wellenleiter genutzt werden können. Die Ergebnisse zeigen klar, dass es unter der Benutzung von wohl etablierten Abscheidungsmethoden wie Molekularstrahlepitaxie, physikalischer Gasphasenabscheidung oder thermischer Oxidation möglich ist, Si-basierte Membranen mit nanometergroßen Strukturen herzustellen und in vorherbestimmte 3D-Konfigurationen zu überführen. Um die Verspannung auf dem benutzten Film-Template lokal einzustellen, könnten zukünftige Arbeiten von selektiver Epitaxie, lokaler Oxidation, sowie von verspannten Metallen, als auch von Isolatorschichten Gebrauch machen. Durch Auswahl einer entsprechenden Geometrie der Startfenster würde in diesem Fall die Herstellung verschiedener miteinander verbundener Strukturen (Röhren, Spulen und Kannalnetzwerken) möglich werden. Dies stellt einen vielversprechenden Ansatz dar, verschiedene funktionelle elektrische Bauelemente (SiGe/Si-Röhren als Widerstände oder Metall/Halbleiterspulen), Flüssigkeitsbauelemente (verbundene, gefaltete Netzwerkstrukturen als Nanokanäle) oder optische Bauelemente (Si-basierte Röhren mit integrierten Emittern als Ringresonatoren oder Wellenleiter) auf dem gleichen Substrat oder eventuell auf einer transferierbaren Membran unterzubringen.

Habilitationsschrift : Philosophie : Tübingen, Eberhard-Karls-Universität : 1998. / Bibliographie : p. 325-335.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Sciences de l'éducation : Lyon 2 : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. Index. Glossaire.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Littérature française : Le Mans : 2007. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 412-430.

Reproduction de : Mémoire d'orthophonie : Médecine : Nantes : 2009. / Bibliogr.

The heteroepitaxial growth of cubic silicon carbide (3C-SiC) on silicon (Si) substrates at high growth rates, via a horizontal hot-wall chemical vapor deposition (CVD) reactor, has been achieved. The final growth process was developed in three stages; an initial "baseline" development stage, an optimization stage, and a large area growth stage. In all cases the growth was conducted using a two step, carbonization plus growth, process. During carbonization, the surface of the Si is converted to 3C-SiC, which helps to minimize the stress in the growing crystal. Propane (C3H8) and silane (SiH4), diluted in hydrogen (H2), were used as the carbon and silicon source, respectively. A deposition rate of approximately 10 um/h was established during the baseline process. Once the baseline process proved to be repeatable, optimization of the process began. Through variations in temperature, pressure, and the Si/C ratio, thick 3C-SiC films (up to 22 um thick) and high deposition rates (up to 30 um/h) were obtained. The optimized process was then applied to growth on 50 mm diameter Si(100) wafers. The grown 3C-SiC films were analyzed using a variety of characterization techniques. The thickness of the films was assessed through Fourier Transform infrared (FTIR) spectroscopy, and confirmed by cross-section scanning electron microscopy (SEM). The SEM cross-sections were also used to investigate the 3C-SiC/Si interface. The surface morphology of the films was inspected via Nomarsky interference optical microscopy, atomic force microscopy (AFM), and SEM. The crystalline quality of the films was determined through X-ray diffraction (XRD) and low-temperature photoluminescence (LTPL) analysis. A mercury probe was used to make non-contact CV/IV measurements and determine the film doping.

L'étude conduite à l'occasion de cette thèse porte sur l'analyse des processus de transformations identitaires observables à l'occasion des interactions de conseil en orientation professionnelle. Elle s'intéresse aux stratégies d'insertion des jeunes docteurs en dehors de la recherche publique qui constitue généralement pour la majorité d'entre eux, un point d'ancrage majeur de leurs anticipations. L'objet est de repérer certaines figures de remaniements identitaires qui paraissent aller de pair avec une reconversion réussie vers le secteur privé et de formuler quelques hypothèses explicatives relatives aux processus et facteurs en jeu. Cette recherche (conduite au sein de l'association Bernard Grégory) s'appuie sur le modèle de la subjectivité individuelle, conçue comme un système dynamique de formes identitaires subjectives (Guichard, 2004). Certaines formes de ce système représentent les anticipations de soi qui peuvent jouer un rôle majeur dans le sens que l'individu donne à son existence à un moment donné. Deux formes de réflexivité en tension sont au principe du développement de ces anticipations : l'une (la réflexivité duelle) vise une stabilisation de soi dans un modèle désiré, alors que l'autre (la réflexivité trinitaire) pousse à une mise en perspective des expériences passées et présentes. C'est cette seconde forme de réflexivité que l'intervention de conseil développée dans cette étude vise à observer. La description de cas concrets de jeunes docteurs montre l'impact des processus de réflexivité dialogique sur la manière dont ces derniers renoncent progressivement à l'ancrage académique de leurs anticipations professionnelles, pour développer de nouveaux modes d'interpréter et de mise en perspectives futures de l'expérience doctorale

En se basant sur le Modèle Dualiste de la Passion (Vallerand, 2010; Vallerand et al., 2003), la présente thèse avait pour objectif général d'examiner le rôle modérateur de la passion dans la relation entre l'adaptation psychologique et la performance (Article 1) et le rehaussement du soi (Article 2) dans le cadre de l'activité passionnante. Le Modèle Dualiste de la Passion définit la passion comme une forte inclination envers une activité que l'on aime, que l'on trouve importante, et dans laquelle on investit du temps et de l'énergie de façon considérable. De plus, le modèle postule que ces activités deviennent si importantes qu'elles représentent des aspects centraux de l'identité des individus. Le modèle postule l'existence de deux types de passion, les passions harmonieuse et obsessive. La passion harmonieuse réfère à un fort désir de s'engager dans l'activité librement. Avec la passion harmonieuse, la personne est en contrôle de son engagement dans l'activité. Dans un tel cas, l'activité occupe une place importante, mais non écrasante de l'identité de la personne. L'activité est ainsi intégrée en cohérence et en harmonie avec les autres éléments de l'identité de la personne. À l'inverse, la passion obsessive réfère également à un fort désir de s'engager dans l'activité. Cependant, contrairement à la passion harmonieuse, la passion obsessive occupe une place prépondérante de l'identité de la personne. L'activité est ainsi hors du contrôle de la personne et est ressentie comme une pression à s'engager dans l'activité. Les recherches, dans des sphères variées d'activités, ont montré que la passion harmonieuse mène à des conséquences plus adaptatives que la passion obsessive (voir Vallerand, 2010, pour une recension). Le premier chapitre de cette thèse présente les résultats des deux études du premier article. La première étude avait comme objectif principal d'examiner, à l'aide d'un devis corrélationnel, le rôle modérateur de la passion dans la relation entre la performance et la satisfaction de vie chez des peintres professionnels. Notre hypothèse était que plus les participants ont une passion obsessive, plus ils devraient connaître une augmentation de leur satisfaction de vie lors de périodes de forte créativité (succès). À l'opposé, plus les participants ont une passion obsessive, plus ils devraient connaître une diminution de leur satisfaction de vie lors de périodes de faible créativité (échec). En contrepartie, la passion harmonieuse serait liée positivement à la satisfaction de vie indépendamment des périodes de forte ou de faible créativité. Les résultats de l'Étude 1 ont révélé que plus les participants ont une passion obsessive, plus leur satisfaction de vie augmente suite à un succès. D'autre part, plus les participants ont une passion obsessive, plus leur satisfaction de vie diminue suite à un échec. En revanche, la passion harmonieuse est liée positivement à la satisfaction de vie indépendamment de la performance dans l'activité. La seconde étude du premier article avait pour but de reproduire les résultats de l'Étude 1 en utilisant une méthodologie différente, soit la méthode du journal de bord. Un deuxième but de l'Étude 2 était d'éliminer une explication alternative des résultats de l'Étude 1. Plus précisément, on pourrait s'attendre à ce que la passion obsessive soit plus fortement liée à l'importance accordée à l'activité et que cela pourrait être le processus sous-jacent responsable de l'effet observé. Nous avons prédit que cela ne devrait pas être le cas. Ainsi, nous avons émis l'hypothèse que le patron de résultats obtenus dans l'Étude 1 serait reproduit, tout en contrôlant statistiquement l'influence de l'importance de l'activité. Un troisième but de l'Étude 2 consistait à reproduire les résultats de l'Étude 1 avec une population différente, des amateurs de hockey au cours des séries éliminatoires 2009 de la LNH. Notre hypothèse était que plus les amateurs de hockey ont une passion obsessive envers leur équipe, plus ils devraient connaître une augmentation de leur satisfaction de vie suite à une victoire de leur équipe favorite. D'autre part, plus les amateurs de hockey ont une passion obsessive envers leur équipe, plus ils devraient connaître une diminution de leur satisfaction de vie suite à une défaite de leur équipe favorite. En contrepartie, la passion harmonieuse serait liée positivement à la satisfaction de vie indépendamment de la performance de l'équipe. Les résultats de l'Étude 2 ont montré que le même patron de résultats que l'Étude 1 est obtenu tout en contrôlant statistiquement l'influence de l'importance de l'activité. Le deuxième chapitre de cette thèse présente les résultats des deux études du deuxième article. La première étude avait comme objectif principal d'examiner, à l'aide d'un devis corrélationnel, le rôle modérateur de la passion dans la relation entre le rehaussement du soi dans le cadre de l'activité passionnante (c.-à-d., perception exagérément positivement de soi; Sedikides & Gregg, 2008) et la satisfaction de vie chez des étudiants. Notre hypothèse était que plus les participants ont une passion obsessive, plus ils devraient connaître une augmentation de la satisfaction de vie lorsque la perception de soi est exagérément positive. En contrepartie, la passion harmonieuse serait liée positivement à la satisfaction de vie indépendamment du rehaussement du soi. Les résultats de l'Étude 1 ont révélé que plus les gens ont une passion obsessive, plus leur satisfaction de vie augmente lorsque leur perception de soi est exagérément positive. En revanche, la passion harmonieuse est liée positivement à la satisfaction de vie indépendamment du rehaussement du soi. La seconde étude du deuxième article avait pour but de reproduire les résultats de l'Étude 1 en utilisant une méthodologie différente, soit un devis expérimental. À cette fin, l'Étude 2 comprenait des manipulations expérimentales à la fois de la passion et du rehaussement du soi. Notre hypothèse était que les participants dans la condition passion obsessive devraient avoir une plus haute satisfaction de vie dans la condition rehaussement du soi que dans la condition contrôle. En contrepartie, les participants dans la condition passion harmonieuse devraient avoir une plus haute satisfaction de vie globale. Les résultats de l'Étude 2 ont montré que le même patron de résultats que l'Étude 1 est obtenu en utilisant un devis expérimental. Le dernier chapitre de la présente thèse met l'accent sur la contribution scientifique des deux articles présentés. Il se compose de trois sections. La première section aborde les implications théoriques des études qui composent cette thèse ainsi que des recherches futures qui en découlent. La deuxième section traite des différentes limites reliées aux études présentées. Finalement, la troisième section présente une courte conclusion. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : passion, satisfaction de vie, performance, rehaussement de soi

Selon le modèle de motivation L2 de Gardner (1985), dominant dans le domaine depuis plusieurs années, une orientation intégrative, c'est-à-dire des attitudes positives envers la communauté L2 et un désir de s'intégrer à celle-ci, soutient l'apprentissage réussi de la L2. L'universalité de l'orientation intégrative a été remise en question dans certains contextes socioculturels, notamment chez les francophones au Canada, pour qui la peur de l'assimilation et de la perte de l'identité première pourrait empêcher le développement d'un désir d'intégration à la communauté anglophone. Récemment, Dörnyei (2005) a proposé un nouveau modèle de la structure interne de la motivation L2, selon lequel l'apprenant L2 motivé serait celui qui désire incorporer la L2 à son concept du « soi ». Cette étude a vérifié la fidélité interne du modèle de motivation de Dörnyei auprès d'une cohorte d'étudiants francophones au Québec (n=68). Au moyen d'un questionnaire, le premier objectif de cette étude a été de confirmer le lien entre le construit central du modèle de Gardner, la dimension intégrative, et celui de Dörnyei, le soi L2 idéal. Ensuite, l'étude a examiné lequel de ces deux construits était l'indicateur le plus fiable de l'intention d'effort de l'apprenant. Les résultats ont confirmé la corrélation entre le soi L2 idéal et la dimension intégrative; de plus, ils ont soutenu l'intégrité du modèle de Dörnyei dans le contexte québécois, à savoir que son construit central, le soi L2 idéal, était un prédicteur fiable de l'intention de l'apprenant de déployer des efforts pour apprendre la L2. Par la suite, les attitudes envers l'apprentissage de l'anglais ont été examinées ainsi que la relation entre l'instrumentalité et l'intention d'effort. Les résultats ont confirmé que ces deux derniers construits sont également des indicateurs de l'intention d'effort. Ces résultats sont discutés en référence à la pertinence de resituer la motivation dans un cadre psychologique du soi, ce qui permettrait d'explorer la motivation L2 dans une ère de mondialisation, où l'anglais n'est plus associé à des communautés précises, mais constitue plutôt une lingua franca. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : acquisition des langues secondes, motivation, soi L2 idéal, dimension intégrative, francophone