Neste trabalho, é apresentada uma metodologia para fabricação de transistores de filmes finos orgânicos sobre substratos flexíveis e resultados de simples testes de flexão desses substratos. Foram fabricados transistores de Poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) com diversas arquiteturas não se preocupando somente com a relação W/L dessas, mas também com a facilidade de caracterizar os dispositivos em superfícies curvas. Os transistores foram fabricados sobre diversos substratos como silício, vidro e PET, para que fosse possível uma comparação de eficiência entre eles. A mobilidade do P3HT se manteve próximo de 10-2 cm2/Vs enquanto que a corrente de ION apresentou um aumento significativo, Os transistores sobre PET se mostraram resistentes à flexão, suportando raios de curvaturas de até 0,8 cm sem afetar sua resposta. Porém foi identificado que a compressão ou a tração resultam em efeitos diferentes nos transistores, principalmente sobre os eletrodos de ouro. / Presented herein is a fabrication procedure for organic thin film transistors over flexible substrates. It is also shown the results of the bending tests on these devices. Transistors of poly(3-hexyl thiophene) (P3HT), with different architectures were fabricated, aiming not only the W/L relation but also, the capability contacting bent electrodes for testes on curved surfaces. The transistors were fabricated over rigid and flexible substrates like silicon, glass and PET, allowing the efficiency comparison between them. The P3HT mobility was kept stable, around 10-2 cm2/Vs, while the ION current presented a significant change on different substrates. The transistors over PET showed to be resistance to bending, being able to bend to a curve radius of 0.8 cm without losing its transistor characteristics. Although, it was identified that the direction of bending, compression and traction, result on different effects over the transistors, especially over the golden electrodes.

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-19T10:35:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_FilipedeAndradeTabarani_M.pdf: 11362655 bytes, checksum: 2e42c97ddd2bc2cb397c41f31568dc37 (MD5) Previous issue date: 2011 / Resumo: Este trabalho apresenta o estudo aprofundado e a confecção de amplificadores realimentados por corrente (CFA). São analisadas as principais características de um CFA e comparado com o amplificador realimentado por tensão (VOA). Buscou-se esclarecer as aplicações nas quais a primeira célula apresenta-se como melhor alternativa e como importante ferramenta a ser disponibiliza aos projetistas. Ao longo desta analise são frisadas as principais dificuldades na implementação da célula em tecnologia CMOS mencionando as soluções encontradas pela na literatura. Estas dificuldades impedem a confecção de CFAs CMOS comerciais. Um dos principais problemas da implementação de amplificadores realimentados por corrente em tecnologia CMOS e a baixa transcondutância dos transistores. A literatura propõe contornar esta deficiência da tecnologia utilizando células que obtêm alta transcondutância através do uso de realimentação interna [1]. Entretanto, a topologia proposta possui um severo compromisso entre transcondutância e banda de freqüência. O trabalho apresentado nesta dissertação deixa sua contribuição a literatura propondo dois métodos para amenizar este compromisso, que resultam no deslocamento da freqüência de -3dB, tornando-a significantemente maior que a original. No exemplo de projeto, aqui ilustrado, foi obtida banda 3,25 vezes a original,mantendo as características DC.O projeto de duas topologias, sendo uma baseada no primeiro CFA monolítico comercializado e a outra que utiliza transistores compostos, foi realizado visando a implementação monolítica em tecnologia 0,35 ?m CMOS da fabrica Austriamicrosystems. Os protótipos fabricados foram medidos e os resultados comparados com o esperado por simulação / Abstract: This work presents the study and design of current-feedback amplifiers (CFA).It is analyzed the main characteristics of a CFA as it compares to a typical voltage feedback amplifier (VOA). It was attempted to clarify in which applications the first mentioned cell excels at and why it can serve as an important tool for the designers. Throughout the analysis, the main difficulties regarding the implementation of the cell using CMOS technology are highlighted and the solutions proposed by the literature exposed. Those characteristics restrain the conception of CMOS commercials CFAs. One of the primary obstacles for the implementation of current-feedback amplifiers using CMOS technology is the low transconductance of the transistors. The literature proposes the use of cells with internal feedback in order to solve this issue [1].However, the proposed cell has a severe trade-off between transconductance and frequency bandwidth. This work provides its contribution to the literature by proposing two methods to loosen this trade-off. Using the proposed modification, it was obtained 3.25 times the original bandwidth while maintaining all of its native DC characteristics. The design of two topologies was carried out using monolithic Austriamicrosystems0.35?m CMOS technology; one based on the topology of the first commercialized monolithic CFA and the other using compound transistors. The produced prototypes were measured and the results compared with expected by simulation / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-01T03:19:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Yoshioka_RicardoToshinori_D.pdf: 5664583 bytes, checksum: 23bca28e4856ca609fc3f0c59981bf76 (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Orientador: Newton Cesário Frateshi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T16:46:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 SilvaFilho_Adenirda_M.pdf: 1925778 bytes, checksum: 336f196d105321277c7dd16f2ec3c630 (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: Este trabalho de tese apresenta estudos investigativos e resultados experimentais sobre o funcionamento e fabricação de moduladores ópticos baseados em laseres de três terminais integrados com transistores de controle. O objetivo é demonstrar que os regimes estáveis e multi-estáveis de operação optoeletrônica de um modulador com cavidade absorvedora podem ser ativamente controlados por um transistor de efeito de campo (FET) integrado. Apresentamos o estudo teórico sistemático dos comportamentos estacionário e dinâmico do laser de três terminais (modulador), dentro e fora do regime de multiestabilidade. Identificamos e estimamos os parâmetros que controlam criticamente o regime de funcionamento. Também investigamos parâmetros críticos dinâmicos, tais como tempo de resposta óptica e eficiência de chaveamento óptico para ambos os regimes de operação. Fabricamos um modulador e um FET isolados. Ambos são caracterizados no regime estacionário e os resultados comparados com o modelo teórico. Finalmente, propomos um modelo matemático para o modulador com o FET integrado. Simulamos numericamente sua operação e fabricamos o dispositivo integrado. Este dispositivo é caracterizado e analisado no regime estacionário / Abstract: This thesis presents an analytical and experimental investigation of optical modulators based on three-terminal-lasers integrated with control transistors. Our main objective is to demonstrate that an integrated field effect transistor (FET) can actively control the multi-stable and stable optoelectronic states of the intra-cavity modulator. We present an investigation of the steady state and dynamical behavior of the three-terminal-laser (modulator) in and out multi-stable condition. We identify and estimate the critical parameters in determining the operation condition. Also, we obtain critical parameters such as, optical response time and switching efficiency in both operation conditions. A modulator and an isolated FET are fabricated and the steady state behavior is compared with our simulations. Finally, we develop a model to describe the modulator integrated with the FET. The integrated device is fabricated and experimentally investigated in the steady state condition / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ioshiaki Doi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T20:58:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JimenezGrados_HugoRicardo_D.pdf: 19028215 bytes, checksum: 2279791c51db013e931f9677d694fccb (MD5) Previous issue date: 2003 / Doutorado

Orientador: Alberto Martins Jorge / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T23:39:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dias_JoseAntonioSiqueira_D.pdf: 2350996 bytes, checksum: 9501666c0f18757af83a1af1a354e492 (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Neste trabalho apresetamos o projeto completo de um conversor D/A não-linear integrado (Lei A-128), em tecnologia I2L/Linear, que visa atender às especificações dos sistema de transmissão telefônica por modulação de código de pulsos (MCP). O projeto é dividido em duas etapas básicas: a primeira relativa ao projeto dos circuitos digitais I2L, e a segunda, a mais importante, relativa ao projeto dos circuitos analógicos de conversão D/A. A parte do projeto que envolve os circuitos analógicos é discutidas detalhadamente, procurando apresentar de forma clara as técnicas de projeto utilizadas. As avaliações do projeto, realizadas com montagens em "bread-board", usando "arrays" de transistores, mostraram um bom desempenho, indicando que uma versão em circuito integrado, deverá apresentar um desempenho, muito bom, atendendo facilmente as características necessárias ao conversor D/A do sistema MCP. / Abstract: The design of an integrated PCM non-linear D/A converter (A-128 law) in I2L/Linear technology is presented. The work has two main parts: one concerning the design of the I2L digital circuits and the second, which is also the most important, dedicated to the design and analysis of the analog circuits used in the D/A converter. The design of the analog circuits is discussed in details and all the desing techniques used are explainde carefully. The circuit was evaluated in bread-board form, using kit-parts and transistor arrays. The measured data show that the circuit has a good performance; it is expected than an integrated version of the circuit will have very good performance, meeting (or even exceeding) the specifications of the PCM D/A converter. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T15:37:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Acco_EdsonSantos_M.pdf: 4956105 bytes, checksum: d305e485880ebd44f862df629fbf1542 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Este trabalho apresenta um estudo teórico-experimental sobre o fenômeno de injeção de carga, que ocorre em circuitos a capacitores chaveados durante a transição de abertura das chaves analógicas MOS. Inicialmente é feita uma análise teórica sobre esse fenômeno, abordando as estratégias reportadas até então, para minimizar o efeito de injeção de carga. Um estudo sobre a formação de cargas no canal do transistor MOS é apresentado. Comprovam-se, experimentalmente, as curvas teóricas que a literatura apresenta. É apresentada, tanibém, uma proposta para equiparticionar a injeção de carga que, entretanto, não pode ser caracterizada devido ao não funcionamento do CI implementado no PMUCMOS.5. Finalmente, apresenta-se um circuito experimental bastante consistente que corrige o erro causado pela injeçào de carga introduzida pela chave MOS / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Neri Alves / Resumo: Nesta tese de doutorado são apresentados resultados a respeito da fabricação e caracterização de dois tipos de transístores com eletrólito no gate (EGTs, do inglês Electrolyte Gated Transistors): Transístores eletroquímicos orgânicos (OECTs, do inglês Organic Electrochemical Transistors) e transístores de dupla camada elétrica (EDLTs, do inglês Electric Double Layer Transistor). Os dispositivos foram produzidos utilizando inkjet printing e screen printing para imprimir soluções à base de polímeros como o poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS), precursores de óxido de zinco e de nanopartículas de óxido zinco. Como eletrólito de gate foram utilizadas faixas auto sustentáveis de íon gel à base de celulose. Esse último foi desenvolvido por pesquisadores do CEMOP/CENIMAT e combina a alta mobilidade iônica dos eletrólitos líquidos com a plasticidade dos eletrólitos sólidos. Sua estrutura em gel possibilita que o material seja moldado ou cortado de acordo com a aplicação. Os ECTs foram fabricados em arquitetura planar sobre substrato de vidro ou de papel, onde foram impressos: PEDOT:PSS como semicondutor e carbono como eletrodos. Os resultados mostram uma forte dependência de parâmetros como: corrente no estado ligado (Ion), no estado desligado (Ioff), transcondutância, razão Ion/Ioff, morfologia da superfície do substrato e a rugosidade. Os EDLTs foram fabricados usando síntese de auto combustão e foto-ativação química para produzir dispositivos com baix... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: On this doctoral thesis is presented results of the manufacture and characterization of two types of Electrolyte-gated Transistors (EGTs): Organic Electrochemical Transistors (OECTs) and electric double-layer transistors (EDLTs). Devices were manufactured using inkjet printing and screen printing to print solutions based on polymers such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT: PSS), zinc oxide precursors and zinc oxide nanoparticles. Self-sustainable bands of cellulose-based ion gel were used as gate electrolyte. The last was developed by researchers from CEMOP/CENIMAT and combines the high ion mobility of liquid electrolytes with the plasticity of solid electrolytes. This gel structure allows this material to be shaped or cut according to the application. The ECTs were manufactured in planar architecture over glass or paper substrates, where they were printed: PEDOT: PSS as semiconductor and carbon as electrodes. The results presents a strong dependence on parameters such as: on-state current (Ion), off-state current (Ioff), transconductance, Ion/Ioff ratio, surface morphology of the substrate and roughness. The EDLTs were manufactured using auto-combustion synthesis and chemical photo-activation process to produce devices with low processing temperatures in a way to be used in flexible, plastic or paper substrates. These devices are based on nanoparticles of zinc oxide as a semiconductor channel, fully printed and with heat treatment below 200 oC.... (Complete abstract click electronic access below) / Doutor

Orientador: Carlos Frederico de Oliveira Graeff / Banca: José Humberto Dias a Silva / Banca: Carlos César Bof Bufon / Banca: Marcelo Mulato / Banca: Paulo Roberto Bueno / Resumo: Atualmente, a eletrônica baseada em materiais orgânicos vem ganhando visibilidade no cenário científico e tecnológico devido à alta flexibilidade mecânica e baixo custo desses materiais. A fabricação de dispositivos eletrônicos baseados em materiais orgânicos e técnicas de baixo custo é um desafio pertinente e atual. Os transistores merecem destaque por serem a base da tecnologia atual. Em especial, uma arquitetura vertical comumente conhecida como VOFET (Transistor Orgânico de Efeito de Campo em Arquitetura Vertical) vem sendo explorada nos últimos anos. Entretanto, um problema comum em VOFETs é o eletrodo intermediário, o qual deve ser permeável a campos elétricos e apresentar baixa resistência de folha utilizando técnicas com baixo custo de produção. Desta forma, na primeira parte deste trabalho é apresentado o desenvolvimento de um eletrodo intermediário baseado em nanofios de prata utilizando a técnica de baixo custo conhecida como Mayer rod-coating. Os eletrodos otimizados foram aplicados em dispositivos VOFETs, resultando em transistores com densidades de corrente de 2,5 mA/cm2 e razão on/off de 5x103, utilizando tensões de operação de até 2 V. Além dos semicondutores orgânicos comumente sintetizados, corantes naturais também vêm sendo explorados para aplicações em dispositivos eletrônicos. Dentre eles, a melanina desperta atenção por ser um pigmento natural encontrado em vários sistemas biológicos. No corpo humano a melanina é responsável por funções como pigmentação,... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: Currently, electronics based on organic materials has been acquiring visibility in the scientific and technological scenario due to the high mechanical flexibility and low-cost of these materials. The fabrication of electronic devices based on organic materials and low-cost techniques is a relevant and current challenge. Transistors deserve attention because they are the base of our current technology. In particular, a vertical architecture commonly known as VOFET (Vertical Organic Field Effect Transistor) has been explored in recent years. However, a common issue in VOFET structure is the intermediate electrode, which must be permeable to electric fields with low sheet resistance using low-cost production techniques. Thus, in the first part of this work, the development of an intermediate electrode based on silver nanowires using the low-cost technique known as Mayer rod-coating is presented. The optimized electrodes were applied in VOFETs, resulting in devices with current densities of 2.5 mA/cm2 and on/off ratio of 5x103, using operating voltages up to 2 V. Apart from to the organic semiconductors commonly synthesized, natural dyes are also being explored in organic electronics. Among them, melanin deserves attention because it is a natural pigment found in several biological systems. In the human body melanin is responsible for functions such as pigmentation, photoprotection and thermoregulation. The humidity-dependent electrical response associated with the high biocompa... (Complete abstract click electronic access below) / Doutor

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-07T11:14:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Couto_AndreLuisdo_M.pdf: 2940356 bytes, checksum: 959908541a3bc46b7b7035eb035de186 (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: A integração de memórias e circuitos analógicos em um mesmo die oferece diversas vantagens: redução de espaço nas placas, maior confiabilidade, menor custo. Para tanto, prescindir-se de tecnologia específica à confecção de memórias e utilizar-se somente de tecnologia CMOS convencional é requisito para tal integração. Essa pode ser tanto mais eficiente quanto maior a capacidade de armazenagem de dados, ou seja, maior a densidade de informação. Para isso, memórias analógicas mostram-se bem mais adequadas, posto que em uma só célula (um ou dois transistores) podem ser armazenados dados que precisariam de diversas células de memórias digitais e, portanto, de maior área. Neste trabalho, transistores MOS com porta flutuante mostraram-se viáveis de serem confeccionados e resultados de caracterização como tipos de programação, retenção de dados e endurance foram obtidos. O trabalho apresenta as principais características dos FGMOS (Floating Gate MOS) e presta-se como referência à futuros trabalhos na área / Abstract:Monolithic integration of memories and analog circuits ,in the same die offers interesting advantages like: smaller application boards, higher robustness and mainly lower costs. Today, a profitable integration of these kind of circuit can only be possible using conventional CMOS technology, which allows efficiently extraordinary levels of integration. Thus, the possibility of integrating analog memories looks more suitable since one single cell (usually use one or two transistors) serves for storing the same data stored by few digital memory cells, therefore, they requiring less area. In this work, it was implemented different memory cells together with few devices using floating gate MOS transistors and manufactured by a conventional CMOS technology. Differemt sort of programrning', data retention, and endurance were characterized as well as the main characteristics of the FGMOS (Floating Gate MOS) were obtained. The results of their characterization reveal that is possible to make and' to program fIoating gate MOSFETS analog memories and must serve as starting-point and reference for new academic studies / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica