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Temperature dependence of lattice dynamics in quasicrystalsEl Hor, Hamid 04 February 2003 (has links)
The work presented in this thesis was motivated by the large amount of
experimental investigations of the phonons in quasicrystals. The
generalized vibrational density of states (GVDOS) was measured for
many quasicrystalline phases and in some cases at different
temperatures [suck et al (1997), Dugain et al (1997)].
The progress achieved in the structure determination of approximants
to some quasicrystals was a legitimate motivation for numerical
investigations of lattice dynamics in these structures.
Two different types of interatomic interactions were used: the spring
model and the ab-initio pair potentials.
The investigations explained the shape of some experimentally measured
GVDOS (d-AlNiCo, o-Al13Co4 and i-ZnMgY)
via the calculation of the partial vibrational densities of states.
Both calculated and measured GVDOS of the d-AlNiCo phase showed an
intensity excess at low energies relatively to the ideal Debye
behaviour.
This excess was found to be a consequence of the existence of special
modes at theses energies which are called ``quasi-localized
modes''. These modes seem to be characteristic of the lattice dynamics
in the complex Al-TM structures.
To calculate the frequency shift due to the shift of the GVDOS through
low energies observed experimentally at high temperatures, a new
method based on a Monte-Carlo simulation was developed. It was shown
that the quasi-localized modes introduce large frequency shifts at
low energies.
Finally, the vibrational entropy was also investigated, and it was
found that it contributes to the stabilization of the complex
structures over the relatively simple structures at high temperatures. / Die Arbeit, die in dieser Dissertation präsentiert wird, wurde durch eine
Vielzahl von experimentellen Beobachtungen von Phononen in Quasikristallen
motiviert. Die verallgemeinerte vibrationelle Zustandsdichte
(GVDOS, generalized
vibrational density of states) wurde für viele quasikristalline Phasen
gemessen und für einige auch bei verschiedener Temperatur [Suck et al.
(1997),
Dugain et al. (1997)]. Der Fortschritt, der in der Bestimmung von
Näherungen
für einige Quasikristalle erreicht wurde war eine legitime Motivation für
numerische Untersuchungen der Gitterdynamik auf diesen Strukturen. Es wurden
zwei unterschiedliche interatomare Wechselwirkungen verwendet: Das Federmodell
und die ab-initio Paar Potentiale. Die Untersuchungen erklärten die
Form einiger
experimenteller GVDOS-Messungen (d-AlNiCo, o-Al13Co4 und i-ZnMgY)
mittels der Berechnung der partiellen vibrationellen Zustandsdichte.
Beide, berechnete und gemessene, GVDOS der d-AlNiCo Phase zeigten einen
Intensitätsanstieg bei kleinen Energien relativ zum idealen Debye Verhalten.
Dieser Anstieg stellte sich als Konsequenz der Existenz von besonderen Moden
bei diesen Energien heraus, die quasi-lokalisierte Moden genannt werden.
Diese Moden scheinen charakteristisch für die Gitterdynamik in den komplexen
Al-TM Strukturen zu sein. Um die experimentell beobachtete Frequenzverschiebung
aufgrund der Verschiebung der GVDOS durch niedrige Energien zu berechnen, wurde
eine neue, auf Monte-Carlo Simulation beruhende, Methode entwickelt. Es wurde
gezeigt, daß die quasi-lokalisierten Moden große
Frequenzverschiebungen bei
kleinen Energien hervorrufen. Letzt-lich wurde auch die vibrationelle Entropie
untersucht und es stellte sich heraus, daß sie bei hohen Temperaturen
dazu
beiträgt die komplexen Strukturen gegenüber den relativ einfachen zu
stabilisieren.
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Untersuchung der Lokalisierung elektronischer Zustaende in quasiperiodischen GitternRieth, Thomas Herbert 02 February 1996 (has links)
In dieser Arbeit wird vor allem der Einflu¨s eines quasiperiodischen
Gitters und dessen Topologie auf die Lokalisierungseigenschaften der
Eigenzust¨ande und die elektronische Zustandsdichte untersucht.
Ausgehend vom Penrosegitter und dessen dreidimensionalen Analogons werden
auch die quasiperiodischen Gitter aus anderen lokal isomorphen Klassen
untersucht. Durch den Einbau von Phasonendefekten werden weiterhin
Random-Tiling-Gitter konstruiert. Ferner wird untersucht, inwieweit
ein quasiperiodisches Gitter den Metall-Isolator-¨Ubergang beeinflu¨st.
Zwei- und dreidimensionale Quasigitter werden mit der Gridmethode nach
de Bruijn konstruiert und ¨Random Tiling¨-Gitter durch den Einbau von
Phasonendefekten erzeugt. Im Vertexmodell wird jeder Ecke eines
Rhombus ein s-Atomorbital zugewiesen mit ausschlie¨slich
N¨achster-Nachbar-Wechselwirkung entlang der Kanten. Aus den
berechneten Eigenzust¨anden werden Zustandsdichten berechnet und deren
Partizipationzahlen und R¨uckkehrwahrscheinlichkeiten bestimmt, um das
Lokalisierungsverhalten zu untersuchen. Im Penrosegitter zeigen die
Zustandsdichten eine hohe Entartung in der Bandmitte. Die
entsprechenden Zust¨ande sind stark lokalisiert (¨confined states¨)
und durch eine Energiel¨ucke von den anderen Energieniveaus getrennt.
Die Zust¨ande an der Bandkante sind dagegen ausgedehnt. Durch die
Phasonen werden die Zustandsdichte und das Lokalisierungsverhalten
ver¨andert. Im Falle dreidimensionaler Quasigitter ist die
Energiel¨ucke verschwunden, und man findet eine wesentlich kleinere
Anzahl entarteter Zust¨ande in der Bandmitte. Die anderen Zust¨ande in
der Bandmitte sind nicht lokalisiert.
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Spektraltheoretische Untersuchungen von zufälligen Operatoren auf Delone-MengenKlassert, Steffen 10 May 2007 (has links)
Das Thema dieser Arbeit ist die
spektraltheoretische Untersuchung von zufälligen
Operatoren, die zu einem minimal ergodischen bzw.
strikt ergodischen Delone dynamischen System
assoziiert sind. Es werden kontinuierliche sowie
diskrete Modelle untersucht. Diese Modelle sind
mathematische Modelle zur Beschreibung von
Festkörpern, bei denen die Punkte der einzelnen,
in einem Delone dynamischen System enthaltenen,
Delone-Mengen die Atompositionen eines
Festkörpers beschreiben. Delone-Mengen, die in
einem minimal ergodischen Delone dynamischen
System enthalten sind weisen eine sehr hohe
Ordnungsstruktur auf, sind aber nicht
notwendigerweise periodisch. Sie können daher
zur Modellierung von Quasikristallen verwendet
werden. In dieser Arbeit wird das Spektrum der
assoziierten Operatoren im kontinuierlichen
sowie im diskreten Fall untersucht.
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Elektronische Transporteigenschaften von amorphem und quasikristallinem Al-Cu-FeMadel, Caroline 25 June 2000 (has links) (PDF)
Quasikristallines Al-Cu-Fe (i-Phase) wurde ueber den Weg der amorphen (a-) Phase in Form duenner Schichten hergestellt und ein Vergleich elektronischer Transporteigenschaften der isotropen a-Phase in verschiedenen Anlassstufen mit der schliesslich entstehenden fast isotropen i-Phase durchgefuehrt (Leitfaehigkeit, Magnetoleitfaehigkeit, Hall-Effekt und Thermokraft). Die Auswirkungen einer Hume-Rothery-Stabilisierung auf den elektronischen Transport standen dabei im Vordergrund. Es wurden in der i-Phase auch die Auswirkungen einer systematischen Aenderung des Fe-Gehalts untersucht.
Die a-Phase und die i-Phase sind in vielen wichtigen Trends miteinander verwandt, z.B. ist die inverse Matthiesen-Regel sowohl in der a- als auch in der i-Phase gueltig. Thermokraft und Hall-Effekt, die sehr empfindlich auf Aenderungen der Bandstruktur sind, zeigen drastischere Aenderungen beim Uebergang amorph-quasikristallin.
Die Aenderungen der Eigenschaften in der i-Phase als Funktion der Temperatur und des Fe-Gehalts koennen in einem Zweibandmodell quantitativ erfasst werden. Mit dem Konzept der Spektralleitfaehigkeit, in das im Prinzip das Zweibandmodell uebergeht, koennen die Eigenschaften sowohl der i-Phase als auch der a-Phase quantitativ beschrieben werden.
In der a-Phase fuehrt dieses Konzept auf eine sich von der frisch praeparierten a-Phase durch Tempern bis hin zur i-Phase kontinuierlich aendernde Spektralleitfaehigkeit, die schon unmittelbar nach dem Aufdampfen durch ein breites und ein, diesem ueberlagertes, schmales Minimum beschrieben werden kann. Beim Tempern wird das schmale Minimum immer tiefer.
Im Ortsraum wird insgesamt ein Szenario vorgeschlagen, das von sphaerischer Ordnung ausgeht, zu der schon in der frisch praeparierten a-Phase eine Winkel- und Abstandsordnung hinzukommt. Diese verstaerkt sich beim Tempern bis hin zur perfekt geordneten Struktur in der i-Phase. Das Verschwinden magnetischer Effekte und die damit verbundenen Aenderungen der Tieftemperatur-Leitfaehigkeit beim Tempern deuten ebenfalls auf eine sich bereits in der a-Phase vollziehende kontinuierliche Aenderung der lokalen Umgebung der Fe-Atome, deren Anordnung hauptsaechlich die elektronischen Transporteigenschaften bestimmt.
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Theoretical investigations of magnetic and electronic properties of quasicrystalsRepetowicz, Przemyslaw 09 October 2001 (has links) (PDF)
Es werden physikallische Eigenschaften von Quasikristallen
anhand von quasiperiodischen Ising- und Tight-Binding-Modellen
auf dem fuenfzaehligen Penrose- und achtzaehligen
Amman-Beenker-Muster untersucht.
Bei den Ising-Modellen wird eine graphische Hochtemperaturentwicklung
der freien Energie ausgerechnet und die kritischen Parameter
des ferromagnetischen Phasenueberganges abgeschaetzt. Weiterhin
wird mittels eines analytischen Resultates die freie Energie
auf den periodischen Approximanten quasiperiodischer Muster exakt ausgerechnet
und zur Bestimmung der Verteilung komplexer (Fisher-)Nullstellen
herangezogen. Letztendlich wird noch ein Ising-Modell mit einem verschiedenen,
nicht-Onsager kritischen Verhalten konstruiert und untersucht.
Im zweiten Kapitel werden kritische, nichtnormierbare
Eigenzustaende eines quasiperiodischen Tight-Binding-Modells
exakt berechnet. Es stellt sich heraus, dass die Eigenzustaende
eine selbstaehnliche, fraktale Struktur aufweisen
die in Details untersucht wird.
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Influence of spectral fine structure on the electronic transport of icosahedral quasicrystalsLandauro Saenz, Carlos V. 19 July 2002 (has links) (PDF)
Die Spektrale Leitfaehigkeit ikosaedrischer
Approximanten zeigt Feinstrukturen (100 meV) die
das besondere elektronische Transportverhalten der
Quasikristalle und Approximanten erklaeren
koennen. Der Ursprung diese spektralen
Feinstrukturen liegt im Zusammenwirken der
typischen mehrkomponentigen Atomcluster des
Systems. Das Konzept stellt Struktur und
chemische Dekoration auf der Laengenskala der
Cluster ueber ausgedehnte Quasiperiodizitaet.
Ab-initio Methode mit und ohne periodische
Randbedingungen werden hier angewendet,
um das Zusammenwirken der Cluster fuer niedere
Approximanten ikosaedrischer Quasikristalle zu
untersuchen. Deshalb werden die Linearen
Muffin-Tin Orbitale in einem Superzellenkonzept,
die Tight-Binding Linearen Muffin-Tin Orbitale in
einem Cluster-Rekursionsverfahren und die
Landauer/Buettiker-Methode in dieser
Arbeit eingesetzt.
Auf der Grundlage der ab-initio Ergebnisse werden
spektrale Modelle (Lorentz-Funktionen) fuer den
spektralen spezifischen Widerstand gebildet.
Der Uebergang zum Quasikristall erfolgt durch
Skalierung der Modellparameter auf der Grundlage
der gemessenen Thermokraft. Die optische
Leitfaehigkeit und die Temperaturverlaeufe des
Widerstandes, der Thermokraft, des
Hall-Koeffizienten und der elektronischen
Waermeleitfaehigkeit einiger ikosaedrischer
Systeme werden so durch je zwei Lorentz-Funktionen
beschrieben.
Wir zeigen, dass die Transportanomalien zusammen
mit den spektralen Feinstrukturen empfindlich vom
Subsystems des jeweils aktiven
Uebergangsmetallsabhaengen (Orientierung und
Dekoration der ikosaedrischen Cluster).
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Szenarien der Strukturbildung in Al100-xÜMx-Legierungen und Halbleitern sowie Konsequenzen daraus für elektronischen TransportBarzola Quiquia, Jose Luis 21 June 2004 (has links) (PDF)
Im Rahmen dieser Arbeit wurden die Strukturbildung in amorphen Al-ÜM-Legierungen, Quasikristallen und amorphen Halbleitern, sowie die Temperatur- und Konzentrationsabhängigkeit der elektrischen Transportgrößen Widerstand und Thermokraft untersucht. Die Legierungen wurden in Form dünner Schichten durch abschreckende Kondensation aus der Dampfphase hergestellt. Die atomare Struktur wurde durch Elektronenbeugung analysiert.
Für die Beschreibung der atomaren Struktur werden der Durchmesser der Fermikugel (im k-Raum) und die Friedel-Wellenlänge (im r-Raum) als interne Skalen benutzt. Nach der Skalierung der atomaren Struktur mit diesen Größen zeigen sich große Ähnlichkeiten zwischen ganz verschiedenen Systemen.
Durch Kombination der Strukturdaten mit elektronischen Transportgrößen ist es möglich, ein bereits bekanntes Szenarium der Strukturbildung, das auf Resonanzen zwischen dem Elektronensystem als Ganzem und der sich bildenten statischen Struktur der Ionen aufgebaut ist, zu erweitern.
Bei der Strukturbildung und ihrem Einfluß auf die elektronischen Transporteigenschaften und die Stabilität der amorphen Phase wird bei den Al-ÜM-Legierungen der Einfluss eines Hybridisierungsmechanismus zwischen den Alp- und den TMd-Elektronen diskutiert.
Für die Beschreibung der atomaren Struktur der Al-ÜM-Legierungen wird außer der schon bekannten sphärisch-periodischen Ordnung ein neuer Typ von Ordnung beobachtet, welcher eine lokale Winkelordnung verursacht. Die sphärisch-periodische und die Winkelordnung lassen sich bei der Untersuchung mit verschiedenen Anlasstemperaturen, insbesondere bei den Proben, die einen kontinuierlichen Übergang von amorpher zu quasikristalliner Phase ausführen, beobachten.
Die sphärisch-periodische Ordnung führt zu einem breiten Pseudogap in der elektronischen Zustandsdichte bei EF , die Winkelkorrelation bei Quasikristallen, durch die relativ weit reichende Ordnung, zu einem scharfen Pseudogap.
Die Änderung der elektronischen Eigenschaften in der amorphen und quasikristallinen Phase als Funktion der Übergangsmetalle aber auch als Funktion der Temperatur kann quantitativ mit dem Konzept der Spektralleitfähigkeit beschrieben werden, das auf zwei Pseudo-Energerielücken an der Fermikante beruht.
Die Resonanz, die zu Winkelkorrelationen führt, wird bei amorphen Halbleitern weiter getestet. Es werden dazu sowohl reine Elemente als auch binäre Legierungen untersucht.
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Szenarien der Strukturbildung in Al 100-x ÜM x -Legierungen und Halbleitern sowie Konsequenzen daraus für elektronischen TransportBarzola-Quiquia, Jose Luis, January 2004 (has links)
Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2003.
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Elektronische Transporteigenschaften von amorphem und quasikristallinem Al-Cu-FeMadel, Caroline 23 June 2000 (has links)
Quasikristallines Al-Cu-Fe (i-Phase) wurde ueber den Weg der amorphen (a-) Phase in Form duenner Schichten hergestellt und ein Vergleich elektronischer Transporteigenschaften der isotropen a-Phase in verschiedenen Anlassstufen mit der schliesslich entstehenden fast isotropen i-Phase durchgefuehrt (Leitfaehigkeit, Magnetoleitfaehigkeit, Hall-Effekt und Thermokraft). Die Auswirkungen einer Hume-Rothery-Stabilisierung auf den elektronischen Transport standen dabei im Vordergrund. Es wurden in der i-Phase auch die Auswirkungen einer systematischen Aenderung des Fe-Gehalts untersucht.
Die a-Phase und die i-Phase sind in vielen wichtigen Trends miteinander verwandt, z.B. ist die inverse Matthiesen-Regel sowohl in der a- als auch in der i-Phase gueltig. Thermokraft und Hall-Effekt, die sehr empfindlich auf Aenderungen der Bandstruktur sind, zeigen drastischere Aenderungen beim Uebergang amorph-quasikristallin.
Die Aenderungen der Eigenschaften in der i-Phase als Funktion der Temperatur und des Fe-Gehalts koennen in einem Zweibandmodell quantitativ erfasst werden. Mit dem Konzept der Spektralleitfaehigkeit, in das im Prinzip das Zweibandmodell uebergeht, koennen die Eigenschaften sowohl der i-Phase als auch der a-Phase quantitativ beschrieben werden.
In der a-Phase fuehrt dieses Konzept auf eine sich von der frisch praeparierten a-Phase durch Tempern bis hin zur i-Phase kontinuierlich aendernde Spektralleitfaehigkeit, die schon unmittelbar nach dem Aufdampfen durch ein breites und ein, diesem ueberlagertes, schmales Minimum beschrieben werden kann. Beim Tempern wird das schmale Minimum immer tiefer.
Im Ortsraum wird insgesamt ein Szenario vorgeschlagen, das von sphaerischer Ordnung ausgeht, zu der schon in der frisch praeparierten a-Phase eine Winkel- und Abstandsordnung hinzukommt. Diese verstaerkt sich beim Tempern bis hin zur perfekt geordneten Struktur in der i-Phase. Das Verschwinden magnetischer Effekte und die damit verbundenen Aenderungen der Tieftemperatur-Leitfaehigkeit beim Tempern deuten ebenfalls auf eine sich bereits in der a-Phase vollziehende kontinuierliche Aenderung der lokalen Umgebung der Fe-Atome, deren Anordnung hauptsaechlich die elektronischen Transporteigenschaften bestimmt.
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Influence of spectral fine structure on the electronic transport of icosahedral quasicrystalsLandauro Saenz, Carlos V. 15 July 2002 (has links)
Die Spektrale Leitfaehigkeit ikosaedrischer
Approximanten zeigt Feinstrukturen (100 meV) die
das besondere elektronische Transportverhalten der
Quasikristalle und Approximanten erklaeren
koennen. Der Ursprung diese spektralen
Feinstrukturen liegt im Zusammenwirken der
typischen mehrkomponentigen Atomcluster des
Systems. Das Konzept stellt Struktur und
chemische Dekoration auf der Laengenskala der
Cluster ueber ausgedehnte Quasiperiodizitaet.
Ab-initio Methode mit und ohne periodische
Randbedingungen werden hier angewendet,
um das Zusammenwirken der Cluster fuer niedere
Approximanten ikosaedrischer Quasikristalle zu
untersuchen. Deshalb werden die Linearen
Muffin-Tin Orbitale in einem Superzellenkonzept,
die Tight-Binding Linearen Muffin-Tin Orbitale in
einem Cluster-Rekursionsverfahren und die
Landauer/Buettiker-Methode in dieser
Arbeit eingesetzt.
Auf der Grundlage der ab-initio Ergebnisse werden
spektrale Modelle (Lorentz-Funktionen) fuer den
spektralen spezifischen Widerstand gebildet.
Der Uebergang zum Quasikristall erfolgt durch
Skalierung der Modellparameter auf der Grundlage
der gemessenen Thermokraft. Die optische
Leitfaehigkeit und die Temperaturverlaeufe des
Widerstandes, der Thermokraft, des
Hall-Koeffizienten und der elektronischen
Waermeleitfaehigkeit einiger ikosaedrischer
Systeme werden so durch je zwei Lorentz-Funktionen
beschrieben.
Wir zeigen, dass die Transportanomalien zusammen
mit den spektralen Feinstrukturen empfindlich vom
Subsystems des jeweils aktiven
Uebergangsmetallsabhaengen (Orientierung und
Dekoration der ikosaedrischen Cluster).
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