Funktionalisierte organische Perylenbisimidfarbstoffe (PBI) und aus Cadmiumselenid bestehende Halbleiternanokristalle werden hinsichtlich physikalischer sowie chemischer Wechselwirkungsprozesse miteinander und mit ihrer Umgebung mittels zeitaufgelöster optischer Spektroskopie untersucht. Im Mittelpunkt der Studien an diesem organisch/anorganischen Modellsystem nanoskopischer Größe steht die Aggregatbildungskinetik und die Identifikation und Quantifizierung von Transferpozessen. Die Anbindung der gut löslichen PBI-Farbstoffe an die Oberfläche solcher Halbleiternanokristalle mittels spezieller Ankergruppen wird durch Selbstorganisation in Lösung realisiert. Die Kombination von Absorptions- und zeitaufgelöster Fluoreszenzspektroskopie zeigt einen unterschiedlich starken Einfluss von Liganden und Farbstoffen auf die Fluoreszenzlöschung der Nanokristalle und belegt, dass Resonanzenergietransfer zum Farbstoff nur in sehr geringem Maße die physikalische Ursache der Fluoreszenzlöschung ist. Die Anzahl adsorbierter Farbstoffe und die Stärke der Fluoreszenzlöschung eines einzelnen Farbstoffmoleküls werden aus zeitaufgelösten Einzelmolekülexperimenten an immobilisierten Emittern gewonnen, welche den direkten spektroskopischen Zugang zur Verteilung gebundener und freier Farbstoffe/Nanokristalle erlaubt. Darüber hinaus werden ankergruppen- und umgebungsspezifische Einflüsse auf die Konformations- und Orientierungsdynamik von Perylenbisimidmolekülen dargestellt. Abschließend werden photo-physikalische Gemeinsamkeiten chemisch unterschiedlich hervorgerufener Fluoreszenzlöschungsprozesse herausgearbeitet und im Kontext von Einzelkristall-Blinkprozessen diskutiert.

Alle Welt spricht von Digitalisierung. Betritt man aber eine Bibliothek, bietet sich zunächst meist ein so gewohntes wie ikonisches Bild, dessen vorherrschendes Element endlose Reihen von Bücherregalen sind. Gebäude, die solche mehr oder weniger uniformen Ansammlungen von mehr oder weniger uniformen Informationsträgern beherbergen, bedürfen der Erschließung, weshalb findige Grafiker, Typografen und Designer Leitsysteme erfunden haben.

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit optischen Untersuchungen von MBE-gewachsenen hexagonalen Gruppe-III-Nitridheterostrukturen. Dafür wird die Photolumineszenz von InGaN/GaN- und GaN/AlGaN-Mehrfachquantengrabenstrukturen umfangreich zeitintegriert und zeitaufgelöst studiert. Die Proben unterscheiden sich in den Dicken der Quantengräben und Barrieren (InGaN) bzw. in der kristallografischen Orientierung (AlGaN). Als Ergebnis der großen, für das Materialsystem charakteristischen, elektrostatischen Felder zeigen die konventionell [0001]-orientierten Heterostrukturen eine verringerte Übergangsenergie und längere Lebensdauern mit zunehmender Quantengrabenbreite und höherem Indiumgehalt in den Gräben. Der beobachtete Einfluss des Quantumconfined Stark-Effektes (QCSE) auf diese Größen kann auch durch Modellrechnungen quantitativ gezeigt werden. In der Arbeit wird erstmals eine umfangreiche optische Charakterisierung einer neuartigen [1-100]-orientierten GaN-Heterostruktur auf Gamma-LiAlO2 geboten. Zum Vergleich wird das Verhalten einer identisch aufgebauten, [0001]-orientierten Struktur auf SiC ebenfalls diskutiert. Die (1-100)-Probe ist in Wachstumsrichtung frei von elektrostatischen Feldern und unterscheidet sich damit deutlich von den herkömmlichen Nitridstrukturen mit [0001]-Orientierung, deren interne Felder im MV/cm-Bereich liegen. Die spektrale Lage der Photolumineszenz bei geringen Anregungsdichten bestätigt die Flachbandsituation in der Probe. Aufgrund des bei dieser Probe nicht auftretenden QCSE ist hier eine deutlich verkürzte Lebensdauer festzustellen. Entsprechend der Auswahlregeln für hexagonales GaN weist die [1-100]-orientierte Probe eine sehr starke Polarisation der Photolumineszenz bezogen auf die Lage der [0001]-Achse auf. Die geringe Abweichung des ermittelten Polarisationsgrades von der, für A-Exzitonen in Volumen-GaN zu erwartenden, totalen Polarisation kann durch das Konfinement in den Quantengräben erklärt werden. Ein Schwerpunkt der Arbeit ist die Untersuchung der Rekombinationsmechanismen der Proben in Abhängigkeit von der induzierten Ladungsträgerdichte. Diese wird in einem Bereich von sehr geringer Dichte bis über die Mottdichte variiert. Eine Abschirmung der elektrostatischen Felder mit zunehmender Ladungsträgerdichte wird festgestellt. Dabei kann bei einer InGaN/GaN-Probe mit 3.1 nm breiten Gräben gezeigt werden, dass neben den internen piezoelektrischen Feldern die in der Literatur diskutierte Lokalisation von Exzitonen an Stöchiometrieschwankungen des Quantengrabens entscheidend die Rekombinationsdynamik in der Probe beeinflusst. Dies spiegelt sich in einer Abhängigkeit der Quantengrabeneigenschaften von den Anfangsbedingungen des Abklingprozesses und damit einem nicht existierenden allgemein gültigen Zusammenhang zwischen der Lebensdauer und der Ladungsträgerdichte wider. Die zeitaufgelösten Lumineszenzspektren der InGaN/GaN-Strukturen zeigen als Folge der mit höheren Ladungsträgerdichten zunehmenden Abschirmung eine verringerte Lebensdauer durch die vergrößerte Überlappung von Elektron- und Lochwellenfunktionen. Aufgrund der wieder abnehmenden Abschirmung während des Rekombinationsprozesses verändert sich die Lebensdauer im Laufe der Zeit. Gleichzeitig kommt es zu einer Verringerung der Übergangsenergie des Lumineszenzmaximums durch den weniger abgeschirmten QCSE. Die zeitintegrierten Photolumineszenzspektren zeigen ebenfalls eine deutliche Abhängigkeit von der Anregungsdichte. Während bei der feldfreien (1-100)-Probe keine Kompensationseffekte erwartet werden, weisen die Resultate für die konventionellen Proben auf einen, die Ladungsträgerdichte wesentlich beeinflussenden Effekt hin. Die Abhängigkeit der Intensität der Photolumineszenz von der Ladungsträgerdichte deutet ab einer bestimmten Anregungsdichte auf einen zusätzlichen Prozess, welcher die Ladungsträgerdichte reduziert, sich aber nicht im Lumineszenzspektrum widerspiegelt. Als Erklärung dafür wird die Absorption von stimulierter Emission im Substrat oder in der Pufferschicht angenommen. Bei den InGaN-Proben schiebt die Übergangsenergie mit höheren Dichten zu größeren Energien und nähert sich bis 10e5 W/cm2 einem Sättigungswert an. Dieser Wert entspricht trotz Dichten oberhalb der Mottdichte noch nicht der Flachbandsituation bei vollständig kompensierten internen Feldern. Als Ursache dafür wird der genannte, bei hohen Ladungsträgerdichten einsetzende Konkurrenzprozess gesehen. Bei den GaN/AlGaN-Proben kann im untersuchten Bereich der Anregungsdichte keine spektrale Verschiebung im Photolumineszenzspektrum festgestellt werden. Zum ersten Mal werden experimentelle Untersuchungen zur stimulierten Emission einer [1-100]-orientierten GaN-Probe durchgeführt und das optische Gewinnspektrum analysiert. Die Messungen zeigen einen maximalen Nettogewinn von ca. 50 1/cm. Aus der rechnerischen Analyse der Modenausbreitung lässt sich dafür ein Materialgewinn für GaN(1-100) von 1.1x10e4 1/cm ableiten. Die Ergebnisse zeigen außerdem, dass die Rekombination eines Elektron-Loch-Plasmas der Mechanismus für die stimulierte Emission ist. Dies entspricht dem überwiegenden Teil der in der Literatur veröffentlichten Beobachtungen für [0001]-orientierte Nitridstrukturen. Ein direkter Vergleich mit der parallel untersuchten GaN/AlGaN(0001)-Probe ist aufgrund der starken Substratabsorption nicht möglich. Es zeigt sich, dass für [1-100]-orientierte GaN-Heterostrukturen gute Ausgangsbedingungen für die Realisierung von Laserdioden gegeben sind. Zu den untersuchten Heterostrukturen wird die Wellenführung in den Proben simuliert. Bei den auf SiC gewachsenen Schichten werden die sich ausbreitenden Moden wegen des deutlich höheren Brechungsindexes des Substrates vornehmlich dort geführt. Die Überlappung der Moden mit dem aktiven Schichtpaket ist äußerst gering. Es ist für die Proben auf SiC kein optischer Gewinn zu erwarten. Die [1-100]-orientierte GaN/AlGaN-Probe besitzt eine deutlich bessere Wellenführung, da das LiAlO2 einen vergleichsweise kleinen Brechungsindex besitzt. Es wird ein Zusammenhang zwischen experimentell ermitteltem optischen Gewinn und dem Materialgewinn gebildet und das Ergebnis mit Rechnungen aus der Literatur verglichen. Ein Vorschlag für eine optimierte Wellenführung in allen untersuchten Proben wird gegeben. / In this thesis, the optical properties of molecular beam epitaxy grown hexagonal group-III nitride heterostructures are studied. The photoluminescence (PL) characteristics of InGaN/GaN and GaN/AlGAN multiple quantum well structures are investigated by time-integrated and time-resolved measurements. The analyzed specimens differ in the width of the quantum wells and barriers (InGaN) and in the crystallographic orientation (AlGaN), respectively. As a result of the large characteristic electrostatic fields, conventional [0001]-oriented heterostructures show a reduced transistion energy and longer lifetimes with increasing well width and higher Indium content in the wells. The observed impact of the Quantum Confined Stark Effect (QCSE) on these quantities is quantitatively shown in model calculations. In this work, a first extensive optical characterization of a novel [1-100]-oriented GaN heterostructure grown on Gamma-LiAlO2 is presented. For comparison, an identically designed [0001]-oriented structure on SiC is discussed. The (1-100)-grown specimen is free of electrostatic fields along the growth direction and shows a significant different behavior than conventional [0001]-oriented nitrides with internal fields of several MV/cm. The existing flat band conditions are confirmed by the spectral position of the PL at low excitation densities. Due to the non-existing QCSE at this specimen an significantly reduced lifetime is observed. A strong polarization of the PL is observed for the [1-100]-oriented sample, following the selection rules for hexagonal GaN. The small deviation of the degree of polarization from unity, which is expected in bulk GaN, is attributed to the quantum confinement in the heterostructures. One main topic of this thesis is the analysis of the recombination mechanisms of the specimens depending on the induced carrier density. The carrier density is varied from very low upto densities above the mott density. A screening of the electrostatic fields is observed with increasing carrier density. It is shown, that an InGaN/GaN heterostructure with a well width of 3.1 nm not only is influenced by internal piezoelectric fields but also the localization of excitons at stoichiometric inhomogenities in the quantum well is playing an important role for the recombination dynamics of the structure. This can be seen in the dependence of the decay process on the starting conditions. No general correlation is existing between lifetime and carrier density. Time-resolved PL measurements on InGaN/GaN heterostructures show a reduced lifetime due to an increased overlap of the electron and hole wave functions as a result of the increased screening at increasing carrier densities. During the recombination process the screening decreases again and the lifetime is changed with time. Simultaneously the transistion energy of the PL maximum is reduced by the less screened QCSE. A distinct dependence of the time-integrated PL spectra on the excitation density was also found. While there are no compensation effects expected at the (1-100) structure, which is free of electrostatic fields, the results for the conventional specimens point to an effect which influences the carrier density essentially. The dependence of the PL intensity on the carrier density points to an additional process, which comes into play at a special excitation density. This process reduces the carrier density but is invisible in the PL spectra. As an explanation we assume, that light of stimulated emission is absorbed either in the substrate or in the buffer layer. The transistion energy of the InGaN structures increases with increasing excitation density and reaches a saturation energy at a density of 10e5 W/cm2. Although this density is larger than the mott density, the transistion energy is not equivalent with a transition energy at flat band conditions. The origin of the observed effect is assumed to be the rival process, mentioned above, which comes into play at high carrier densities. For the GaN/AlGaN heterostructures no spectral shift of the PL was observed within the variation of excitation density. For the very first time, the stimulated emission of an [1-100]-oriented GaN structure was analyzed. A maximum netto gain of 50 1/cm was observed. From calculations of the mode propagation, a material gain of 1.1x10e4 1/cm is derived for GaN(1-100). Additionally from the results follows that the recombination of an electron-hole-plasma is the mechanism of the stimulated emission. This is in accordance with most of the published observations for [0001]-oriented GaN heterostructures. A direct comparison of both, the [1-100]-oriented specimen and the GaN/AlGaN(0001) structure, which was investigated parallel, was not possible. The reason for that is the strong absorption of the SiC substrate of the latter mentioned structure. It is generally shown, that [1-100]-oriented GaN heterostructures offers good starting conditions to realize laser diodes. The wave guiding was simulated for all of the used specimens. At structures grown on SiC the propagating modes are mainly guided in the substrate due to the larger refractive index of SiC with respect to GaN. The overlap of the amplified mode and the active layer is very small. No optical gain is expected for these structures. The [1-100]-oriented GaN/AlGaN structure shows a significantly improved wave guiding, due to the small refractive index of LiAlO2 in comparison with GaN. A correlation between the experimentally observed optical gain and the material gain is formed and the results are compared with the literature. A suggestion for an optimized wave guiding in all investigated specimens is given.

Diese kumulative Dissertation besteht aus drei eigenständigen Arbeiten aus dem Bereich der Rechnungslegungsforschung. Die erste Arbeit ist eine Befragungsstudie von 137 internationalen Rechnungslegungsforschern über die Fair-Value-Orientierung von 28 lokalen Rechnungslegungssystemen. Anhand der Umfrageergebnisse war es möglich, einen internationalen Fair-Value Score zu bilden. Dieser zeigt, dass das portugiesische, slowenische und das russische Rechnungslegungssystem am meisten und das österreichische, deutsche und italienische Rechnungslegungssystem am wenigsten Fair-Value orientiert ist. Die zweite Arbeit untersucht die Determinanten der Wahl von Rechnungslegungssystemen mittels eines Prinzipal-Agenten-Models. In dem Model kann ein risikoneutraler Entrepreneur (Prinzipal) mit einem Anreiz zur Konsumglättung zwischen zwei Rechnungslegungssystemen wählen. Das Rechnungslegungssystem wird genutzt, um eine effiziente vertragstheoretische Lösung mit dem Manager herbeizuführen und um Informationen über das Unternehmen für Kapitalmarktteilnehmer bereitzustellen. Die Modellergebnisse zeigen, dass der Entrepreneur eher gewillt ist das Fair-Value-orientierte Rechnungslegungssystem zu wählen, wenn die Bedeutung von Eigenkapitalmärkten steigt, die Opportunitätskosten des Managements steigen, die Produktivität des Managements sinkt und die Qualität des Enforcements von Rechnungslegungsregeln abnimmt. Die empirischen Ergebnisse bestätigen größtenteils die theoretischen Erwartungen. Die dritte Arbeit untersucht, ob die verpflichtende Einführung der IFRS bei gleichzeitiger Anpassung des Enforcements zu einer Verbesserung der Ergebnisqualität geführt hat. Die empirischen Ergebnisse sind uneinheitlich und können daher den vermuteten Effekt nicht bestätigen. / This cumulative PhD-thesis consists of three papers within the field of empirical accounting research. The first paper provides descriptive evidence on the fair value orientation of existing local GAAP systems by surveying the perception of 137 international accounting academics about the fair value orientation of 28 local GAAP systems. The survey results enable us to rank countries’ local GAAP systems by their fair value orientation. The score ranking shows that Portuguese, Slovenian and Russian GAAP are the top three and Austrian, German and Italian GAAP are the bottom three of the fair value orientation. Furthermore, we are able to show that the fair value orientation of IFRS is higher than any of the 28 local GAAP systems. The second paper investigates the determinants of financial accounting regime choice in a principal agent setting. The model considers a risk-neutral entrepreneur who needs financial accounting information for contracting with a managerial agent and for communicating the firm value to a risk-averse secondary capital market. The comparative static results indicate that the preference of the entrepreneur for a fair value accounting regime increases with the relative importance of the secondary capital market and the opportunity costs of the managerial agent, while it decreases with the overall quality of the accounting signal, the effectiveness of the enforcement process and managerial productivity. Empirical evidence, which is based on country-year and country-level and US time series analysis, provides support for most of the theoretical predictions. The third paper investigates whether earnings quality effects are more pronounced post mandatory IFRS adoption in countries that substantially changed their enforcement system of accounting standards in comparison to countries that already had a strict enforcement system in place. The empirical analysis gives inconclusive results for the earnings quality measures.

Wir haben blau, grün und orange leuchtende organische Nanofäden oder Nanonadeln und Mikroringe aus para-Hexaphenyl (p-6P), alpha-Quaterthiophen (alpha-4T) und alpha-Sexithiophen (alpha-6T) mittels Organischer Molekularstrahlepitaxie (OMBE) auf Muskovit Glimmer hergestellt. Die Aggregate haben wir mit der Atomkraftmikroskopie, mit der Fluoreszenz-Mikroskopie und durch UV-vis Spektroskopie charakterisiert. Auf der Muskovit Oberfläche wachsen p-6P Fäden parallel zueinander auf und zeigen zwei verschiedene Orientierungsdomänen entlang [110] und [1-10]. Mit Hilfe einer systematischen statistischen Analyse diskutieren wir das Wachstum dieser p-6P Nadeln für verschiedene Wachstumsbedingungen. Zusätzlich zu den Fäden haben wir p-6P Cluster auf der Oberfläche beobachtet. Nadeln werden durch die Aggregation solcher Cluster gebildet. Ein Realraummodell der Morphologie der Nadeln sowie ein Modell für deren Wachstum werden vorgestellt. Indem wir Glimmer zunächst mit einer dünnen Goldschicht bedecken und die Wachstumsparameter variieren, erreichen wir eine weitgehende Kontrolle der Morphologie der Nadeln (Länge von 0,5 Mikrometer bis 1 mm, Höhe von 25 bis 300 nm und Breite von 100 bis 600 nm). Im Gegensatz zu p-6P orientieren Thiophene ihre Wachstumsrichtungen an allen hoch symmetrischen Richtungen von Glimmer. Es wird gezeigt, dass die Mechanismen für das Fadenwachstum von beiden Oligomere gleich sind, nämlich eine Kombination aus Epitaxie und einer Dipol-unterstützten Ausrichtung. Auch die Strukturen dieser Fäden sind ähnlich: die Moleküle liegen parallel angeordnet auf der Oberfläche, ihre Längsachsen orientieren sich schräg zur Längsachse der Fäden. Auf mit Wasser oder Methanol vorbehandeltem Glimmer wachsen diese beiden Oligomere als gebogene Fäden und Mikroringe auf. Diese Oberflächenvorbehandlungen sowie das Wachstum von p-6P auf Gold/Glimmer unterstützen auch den Wachstumsmechanismus auf der sauberen Glimmer-Oberfläche. / By using organic molecular beam epitaxy (OMBE) blue, green and orange light emitting organic nanofibers or nanoneedles and microrings from para-hexaphenyl (p-6P), alpha-quaterthiophene (alpha-4T) and alpha-sexithiophene (alpha-6T), respectively, on muscovite mica surfaces are generated. The aggregates are characterized by atomic force microscopy, fluorescence microscopy and UV-vis spectroscopy. On muscovite mica, p-6P fibers usually grow mutually parallel showing two domains of their orientations with an angle of 120 degree in between. The detail growth of nanofibers from p-6P by performing a systematic statistical analysis of fibers as a function of various growth conditions is discussed. Furthermore, the morphology exhibits p-6P clusters, which are found to be fibers´ building blocks. A real space model of the fiber and a model for their growth are also presented. By introducing a thin gold layer on mica prior to p-6P deposition together with varying growth parameters, the morphology of fibers is controlled in a wide range (length from 0.5 micrometer to 1 mm, height from 25 to 300 nm and width from 100 to 600 nm). In contrast to p-6P, thiophene fibers exhibit various orientations close to mica high symmetry directions. It is shown that the mechanism behind the fiber growth from all molecules on mica is the same, i.e. a combination of epitaxy and dipole assisted growth process. The fiber microscopic structures are similar, too: molecules take lying orientations and they hold themselves parallel pointing their long axes along an oblique direction off the long fiber axis. The growth of both types of oligomers on water or methanol treated mica surfaces leads to the formation of bent fibers and microrings. This surface pretreatment and the growth of p-6P on gold/mica support the fiber growth mechanism on plain mica.

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Die Jugendberufshilfe versteht sich in ihrem Kern als ,Brücke zur Arbeitswelt' und ist in ihrem Maßnahmespektrum als zielgruppenorientierte, arbeitsweltbezogene Integrationshilfe angelegt. Die Veränderungen in der Arbeitswelt erschüttern jedoch die wohlfahrtsgesellschaftliche Grundannahme einer chancenoffenen, für alle erreichbaren Berufswelt. Der zukunfts-optimistische Lebensentwurf bricht sich an den Grenzen eines segmentierten Arbeitsmarktes, der die nachwachsende Generation vor schwierige und oft unüberwindbare Eintrittshürden stellt. Mit der Dissertation wird versucht, in einem historisch-systematischen Zugang die epochalen Muster der Vergesellschaftung von Arbeit im Spannungsfeld von industriekapitalistischer Entwicklung und sozialpolitischer Regulierung zu identifizieren. Die Wirtschaft und der öffentliche Sektor reagieren aktuell auf die Erschöpfung des fordistischen Produktionsregimes und auf die globalisierungsbedingte Dynamisierung mit umfassenden Restrukturierungen. Dabei werden gerade jene Zonen einfacher Beschäftigung (Jedermansarbeiten), auf welche die Jugendberufshilfe traditionell ausgerichtet ist, rationalisiert und zu anspruchsvolleren Tätigkeitsprofilen verdichtet. So steht die Jugendberufshilfe insgesamt und besonders in den neuen Bundes-ländern vor der Verlegenheit, die mit der Bereitstellung von erheblichen Finanzmitteln für ihre Maßnahmen verbundenen Erwartungen hinsichtlich solider Übergangsquoten (zum ersten Arbeitsmarkt) nicht einzulösen zu können. Darum ist sie herausgefordert, ihr tradiertes problemindividualisierendes Grundverständnis zu überwinden und über eine Neubestimmung ihres gesellschaftlichen Handlungsauftrags -adäquate Handlungsformen zu entwickeln. Die Frage der sozialen Integration und Desintegration, die in die lebensweltlichen Kontexte der Menschen als Bewältigungsproblem hineinreicht, wird zur zentralen Vermittlungskategorie zwischen sozialpolitischer und sozialpädagogischer Dimension. Die Gestaltungsfrage muß somit ihren Ausgangspunkt in den biographischen Bewältigungsaufgaben der Jugendlichen suchen: Die Jugendberufshilfe ist unter funktionalen Gesichtspunkten der Beschäftigungsentwicklung Ausfallbürge und Kompensationssystem der durch die Marktökonomie hergestellten Selektionsprozesse und Disparitäten. Um ihre Gestaltungsaufgabe ausfüllen zu können, muß die Jugendberufshilfe berufsqualifizierende und zugleich biografisch produktive Arrangements schaffen, die Jugendliche in ihrer Lebensbewältigung unterstützen. Dies kann - so die Essenz der Arbeit - nur gelingen, wenn die Jugendberufshilfe ihre defensive Maßnahmeorientierung überwindet und als Innovationsmotor in einer Verzahnung mit der regionalen Wirtschaft, der Beschäftigungsförderung und dem Dritten Sektor netzwerkorientierte Regionalentwicklungsprozesse anstößt und implementiert.

In dieser Arbeit wird ein Verfahren entwickelt (Infrared Transition Moment Orientational Analysis, IR-TMOA) um die dreidimensionale Ordnung auf molekularer Ebene in infrarot-durchlässigen Systemen zu quantifizieren. Es beruht auf der Messung zahlreicher Infrarotspektren, die unter systematisch variierender Polarisation des einfallenden Lichts und Ausrichtung der Probe relativ zur optischen Achse aufgenommen werden. So wird ein repräsentativer Ausschnitt des dreidimensionalen Absorptionsellipsoids gemessen. Die Tensordarstellung dieses Ellipsoids ist äquivalent zum quadratischen Mittel der Verteilungsfunktion der Orientierung der Übergangsmomente, was wiederum dem Ordnungsparameter entspricht. Von zentraler Bedeutung ist ebenfalls, dass die Ordnung (und Orientierung) spezifisch für verschiedene molekulare Untereinheiten angegeben werden kann, da im mittleren Infrarot die Übergangsdipolmomente definierten, lokalen Schwingungen zugeordnet sind. Im zweiten Teil der Arbeit wird IR-TMOA angewendet um die molekulare Ordnung von verschiedenen amorphen und kristallinen Untereinheiten in teil-kristallinen Polymeren (Polycaprolacton, PCL und Polyethylen, PE) zu bestimmen. So kann der Einfluss der Grenzflächen und der geometrischen Einschränkungen in PCL-Filmen auf Substraten in seiner Temperaturabhängigkeit charakterisiert werden. Ebenso wird erstmalig in freitragenden PCL-Filmen in durch mechanische Streckung plastisch deformierten Bereichen die stark biaxiale molekulare Ordnung quantifiziert. In industriell produzierten PE-Filmen, die unter dem Einfluss von äußerer mechanischer Spannung kristallisieren, wird die biaxiale Ordnung und Orientierung vollständig charakterisiert und in Abhängigkeit der Präparationsbedingungen analysiert. Des weiteren wird die Ordnung in einem System aus zwei Phasen untersucht: einer ferroelektrischen Polymermatrix mit mikrometer-großen Flüssigkristalleinschlüssen (Polymer Dispersed Liquid Crystals). Dies erlaubt es, den Einfluss eines äußeren elektrischen Feldes und des remanenten Feldes der Matrix auf die Flüssigkristalle zu quantifizieren. Durch IR-TMOA wird für alle Systeme, die infrarot aktive Vibrationen aufweisen, eine dreidimensionale molekulare Beschreibung der Orientierung und Ordnung ermöglicht. Dies stellt wiederum einen unverzichtbaren Beitrag zum Verständnis der unterliegenden strukturbildenden Prozesse dar und deren Beitrag zur resultierenden makroskopischen Struktur.

The late Variscan rapid extrusion of ultra-high pressure metamorphic rocks into a preexisting nappe stack is the striking feature of the Erzgebirge, N-Bohemian Massif. Complex deformation increments, the large scatter of orientation and geometry of the finite strain ellipsoid as well as partly inverted metamorphic and age profiles are controversially discussed. Structural analysis and geothermobarometry show that deeply buried continental crust emplaced under transpression with horizontal σ1 (NNW-SSE) and σ3 stress axes. Thereby, west-directed lateral escape of isothermally exhumed high-pressure units led to the formation of an exhumation channel. The pervasive fabric of quartz-feldspar rocks formed between 400–650 °C. Based on Ar-Ar geochronology, the deformation in the exhumation channel is framed between 340 and 335 Ma. This preliminary results allow a modern texture analysis of natural shear zones, i.e. electron back scattering and neutron diffraction of quartz from shear zones of the exhumation channel. Because of an extensive and complex dataset, the crystallographic orientation of quartz is statistically analysed. I applied multidimensional scaling of the error between orientation density functions to visualize quartz textures together with additional microstructural features. I show that the temporal coexistence of two crystallographic orientation endmembers is the exclusive result of varying strain rates and differential stress. This thesis combines for the first time crystallographic textures of the Erzgebirge with modern plate tectonic concepts of the European Variscan orogeny.:Table of contents PREFACE Channel exhumation models in collisional Orogens Texture evolution of quartz in orogenic shear zones The structure of the thesis PART 1: THE EXHUMATION CHANNEL OF THE ERZGEBIRGE: GEOLOGICAL CONSTRAINS 1 Introduction 2 Geological Setting 2.1 The Variscan orogeny 2.2 The Saxo-Thuringian Zone as part of the European Variscides 2.3 Tectonics – constraints for an exhumation channel (<340 Ma) 3 Methods and Data processing 3.1 Field work, sample collection and selection 3.2 Geochemistry 3.3 MLA 3.4 EMP analyses and pressure-temperature estimations 3.5 Ar-Ar dating 3.6 Ar-Ar data handling and statistical treatment 4 Results 4.1 Geochemistry and Mineral Content of the Channel Rocks 4.2 Tectonics of the exhumation channel 4.2.1 Mica schists – roof of the channel 4.2.2 Paragneisses and Orthogneiss (type 1) 4.2.3 Orthogneiss (mgn) 4.2.4 Orthogneiss (type 2) – footwall of the channel 4.3 Petrology and Mineral chemistry 4.3.1 Garnet 4.3.2 Plagioclase 4.3.3 White mica 4.3.4 Biotite 4.4 Geothermobarometry 4.5 40Ar/39Ar – geochronology 4.5.1 Step heating 4.5.2 Single grain fusion 4.5.3 Ar-Ar and mineral chemistry 4.5.4 Ar-Ar and structural geology 5 The tectonometamorphic evolution of the exhumation channel 5.1 Local change in finite strain ellipsoid orientation 5.2 Evidence for advective heat transfer during exhumation 5.3 Position of the gneiss complex Reitzenhain-Catherine 5.4 Do Ar-Ar ages of the Erzgebirge represent cooling or recrystallization? 6 The channel model 6.1 Pre-channel stage – subduction 6.2 Channel stage – lateral extrusion 6.3 Post-channel stage – extensional doming 7 The Constrains for Texture analyses in a channel-type exhumation shear zone PART 2: QUARTZ TEXTURE AND MICROSTRUCTURAL EVOLUTION IN A CHANNEL-TYPE EXHUMATION SHEAR ZONE 1 Introduction 2 State of the Art 2.1 Dynamic recrystallization mechanism in quartz. 2.2 Texture evolution from natural and experimental deformed quartz 2.3 Quartz c-axis and textures in the Erzgebirge 3 Sample description 3.1 Mineral content 3.2 Quartz microstructures 3.2.1 Type 1 – Predominance of GBM 3.2.2 Type 2 – GBM overprints SGR 3.2.3 Type 3 – Equal ratio of GBM and SGR 3.2.4 Type 4 – Predominance of SGR 4 Methods 4.1 Time of Flight data processing and analysis 4.2 EBSD data processing and analysis 4.3 Multidimensional scaling 5 Results 5.1 Pole figure geometry 5.2 Multidimensional scaling 5.3 Texture properties and recrystallization 5.4 Grain and sample properties 5.5 Intragranular misorientation 5.6 Subgrain misorientation axes, slip systems and Schmid factor 6 Discussion 6.1 The dependence of quartz content and distribution and the particular CPO 6.2 The context between grain sizes, shape preferred orientation (SPO) and crystal preferred orientation (CPO) 6.3 Active slip systems during ductile quartz deformation 6.4 Recrystallization mechanism and texture 7 Conclusions GENERAL CONCLUSIONS REFERENCES APPENDIX A Isochemistry during metamorphism B Confidentiality of the PT estimations C Discrepancy of WPA and WMA D Appendix Figures E Appendix Tables

Die GeNeMe-Workshops, 1998 ins Leben gerufen, haben einer Reihe von Praktikern und Wissenschaftlern ein attraktives Forum geboten, um ihre Konzepte, Werkzeuge, Methoden und Modelle der Fachöffentlichkeit zu präsentieren und somit virtuelle Organisationen auf operationaler Ebene zu modellieren und zu unterstützen. Der Erfolg resultiert nicht zuletzt daraus, dass in einem überschaubaren Kreis, am Gegenstand der virtuellen Organisationen (VO) und Gemeinschaften, ein für alle fruchtbarer transdisziplinärer Wissensaustausch stattfand. Hierbei stand überwiegend praxisnahes Verfügungswissen, also das möglichst detaillierte und genaue Wissen um einen Wirklichkeitsausschnitt einschließlich konstruktiver Modell- und Methodenentwicklung im Zentrum. Eher an der Peripherie blieb bisher die Frage, was notwendiges Orientierungswissen (vom „know how“ zum „know why“, vgl. [Mittelstraß 2001]) für Akteure und Organisationen bei der Gestaltung von VO sein kann. Nach unserer Auffassung benötigt exzellente Forschung beides, hochspezialisiertes Fachwissen verknüpft mit dem Blick für das Ganze. Denn mittels Orientierungswissen gelingt es, die Spezialkenntnisse einzuordnen und ihre Einbettung in gesellschaftliche und makroökonomische Belange zu verstehen. VO unterliegen zwar auch technischen oder ökonomischen Sachzwängen, sind aber verstärkt in gesellschaftliche Entwicklungen, IT-Innovationen, neue Ansätze der Organisationsentwicklung und veränderte kulturelle Leitbilder eingebettet. Zu ihrer Analyse werden VO in ihren historischen Kontexten und Wechselwirkungen eingeordnet. Grundlage dieser Bewertung ist das an der Universität Hamburg entwickelte Orientierungsmodell „Mikropolis“, das sich, metaphorisch gesprochen, als Reiseführer für die Informationsgesellschaft versteht.