Efficient immobilization of the antibody to the substrate is of crucial importance in the development of anti-CD34-based endothelial progenitor cells capturing cardiovascular devices. This should go along with precise control of the antibody orientation by appropriate immobilization technology for retaining antibody activity, like in immunosensors. Recently, great attention was paid to immobilization of anti-CD34 antibody onto substrates by covalent binding, but at random orientation. Here, to investigate the biological effect of antibody orientation, we have prepared two kinds of anti-CD34 antibody coated surfaces, with random immobilization and oriented immobilization. The immunological binding activity (IBA) of the antibody at oriented immobilization was 3.48 times higher than at random immobilization, indicating that the two different surfaces were successfully prepared. The endothelial progenitor cell-capturing capability of oriented antibody-immobilized surface was 1.35 and 1.64 times higher than for the random immobilized surface after seeding for 2 and 12 h under flow condition, respectively. The endothelial progenitor cell-capturing efficiency per antibody by oriented immobilization was 5.16 and 6.26 times higher than for the random after seeding for 2 and 12 h under flow condition, respectively. In addition, the oriented antibody-immobilized surface possessed better blood-compatibility. These results clearly revealed the significance of antibody orientation which could retain its biological effect and may revolutionize the antibody-immobilization protocols used in cardiovascular and other bloodcontacting biomedical devices.

Pansexualität leitet sich aus dem griechischen Wort παν (gesamt, ganz, alles) ab und beschreibt eine sexuelle Orientierung, die eine Offenheit in der Partner_innenwahl beinhaltet. In Abgrenzung zu psychiatrischen Verwendungsweisen, die in pansexuellem Verhalten und Denken eine Persönlichkeitsstörung sehen, wird Pansexualität in queer-feministischen Debatten als subversiver Handlungsraum in heteronormierten Umwelten verstanden. In einem sozialwissenschaftlichen Kontext ist das Konzept der Pansexualität bisher deutlich unterbelichtet. Die im Konzept selbst angelegte Unmöglichkeit einer eindeutigen Definition führt zu ethischen und wissenschaftlichen Herausforderungen.

So unterschiedlich wir auch sein mögen, eine Erfahrung eint fast alle Menschen. Wir wurden spätestens bei der Geburt einer der folgenden Kategorien zugeteilt: Junge oder Mädchen. Einem als ‚normal‘ oder ‚gesund‘ geltenden Menschen wird nun unterstellt, dass das zugeschriebene Geschlecht, das empfundene Geschlecht und die gelebte Geschlechterrolle übereinstimmen. Ebenso gilt eine heterosexuelle Orientierung als Norm. Begründet wird dies durch eine naturoder gottgegebene Notwendigkeit der Fortpflanzung. Menschen, die nicht in dieses normierte Entweder-Oder-Schema passen, werden häufig als Minderheiten oder gar als krank bezeichnet. Die Realität allerdings ist vielfältig; es gibt unzählige Geschlechter und Geschlechtsidentitäten. Diese Broschüre möchte sich kritisch mit der aktuellen rechtlichen, politischen und gesellschaftlichen Lage von Trans*Menschen auseinandersetzen und versucht, so viele Fragen wie möglich zu beantworten. Es wird dabei kein Anspruch auf Endgültigkeit und Vollständigkeit erhoben, sondern versucht, möglichst viele Aspekte für möglichst viele Menschen zu beleuchten.

Funktionalisierte organische Perylenbisimidfarbstoffe (PBI) und aus Cadmiumselenid bestehende Halbleiternanokristalle werden hinsichtlich physikalischer sowie chemischer Wechselwirkungsprozesse miteinander und mit ihrer Umgebung mittels zeitaufgelöster optischer Spektroskopie untersucht. Im Mittelpunkt der Studien an diesem organisch/anorganischen Modellsystem nanoskopischer Größe steht die Aggregatbildungskinetik und die Identifikation und Quantifizierung von Transferpozessen. Die Anbindung der gut löslichen PBI-Farbstoffe an die Oberfläche solcher Halbleiternanokristalle mittels spezieller Ankergruppen wird durch Selbstorganisation in Lösung realisiert. Die Kombination von Absorptions- und zeitaufgelöster Fluoreszenzspektroskopie zeigt einen unterschiedlich starken Einfluss von Liganden und Farbstoffen auf die Fluoreszenzlöschung der Nanokristalle und belegt, dass Resonanzenergietransfer zum Farbstoff nur in sehr geringem Maße die physikalische Ursache der Fluoreszenzlöschung ist. Die Anzahl adsorbierter Farbstoffe und die Stärke der Fluoreszenzlöschung eines einzelnen Farbstoffmoleküls werden aus zeitaufgelösten Einzelmolekülexperimenten an immobilisierten Emittern gewonnen, welche den direkten spektroskopischen Zugang zur Verteilung gebundener und freier Farbstoffe/Nanokristalle erlaubt. Darüber hinaus werden ankergruppen- und umgebungsspezifische Einflüsse auf die Konformations- und Orientierungsdynamik von Perylenbisimidmolekülen dargestellt. Abschließend werden photo-physikalische Gemeinsamkeiten chemisch unterschiedlich hervorgerufener Fluoreszenzlöschungsprozesse herausgearbeitet und im Kontext von Einzelkristall-Blinkprozessen diskutiert.

The efficiency of organic light-emitting diodes (OLEDs) typically decreases with increasing current density. This so-called roll-off impedes the market entry of OLEDs in high-brightness applications such as general lighting. One of the most important processes causing roll-off is exciton annihilation, which evolves upon high exciton densities. This mechanism is especially pronounced in phosphorescent molecules due to their long triplet lifetime. In order to reduce the roll-off in phosphorescent OLEDs, this thesis focusses on decreasing the local exciton density by modifying the exciton lifetime, the spatial exciton distribution, and the tendency of emitters to form aggregates. The obtained results lead to a deeper understanding of efficiency roll-off and help sustaining the OLED efficiency at high brightness. The emitter lifetime can be influenced by the optical environment around the emitting dipoles through the Purcell effect. In order to study this effect, the distance between emitter and metal cathode is varied for two different OLED stacks. A strong influence of emitter position and orientation on roll-off is observed and explained by modelling the data with triplet-triplet annihilation theory. Furthermore, design principles for optimal high-brightness performance are established by simulating the roll-off as a function of emitter-cathode distance, emissive dipole orientation, and radiative efficiency. Next, a method is developed that allows extracting the spatial exciton distribution. Therefore, a thin sensing layer that locally quenches excitons is introduced into the emission layer at varying positions. The resulting quenching profile is then fitted using a comprehensive theory based on the diffusion equation, which renders the exciton distribution and diffusion length with nanometer resolution. This method is applied to an emission layer comprising an ambipolar host material. Contrary to expectations which suggest that ambipolar materials exhibit broad exciton formation, a narrow emission zone close to the electron transport layer is found. Additional explorations of structures that might broaden the emission zone point to a narrow emission zone in double emission layers and broader exciton formation in mixed emission layers. Previous investigations revealed a strong correlation between emitter aggregation and molecular dipole moment of the emitter. Within this thesis, the range of studied emitters is significantly extended. It is shown that homoleptic emitters show a stronger tendency to form aggregates than heteroleptic compounds. This is probably not only related to their higher dipole-dipole potential, but also to the molecular structure. Systematic analysis of the deposition parameters shows that aggregate formation depends on the underlying material and increases with increasing substrate temperature and decreasing evaporation rate. The two green emitters Ir(ppy)3 and Ir(ppy)2(acac) are additionally studied by means of X-ray diffraction. Both emitters form crystallite grains and exhibit a preferred orientation. Doping the emitters into an amorphous host, both orientation and crystallite formation retain at the investigated doping concentrations above 20 wt%. This result is a first step toward further understanding of the mechanism of transition dipole orientation. / Die Effizienz organischer Leuchtdioden (OLEDs) nimmt üblicherweise mit ansteigender Stromdichte ab. Dieser so genannte Roll-Off erschwert den Markteintritt von OLEDs in Bereichen, die hohe Helligkeiten erfordern, wie beispielsweise in der Beleuchtung. Einer der wichtigsten Prozesse, die zu Roll-Off führen, ist die Annihilation von Exzitonen. Diese nimmt mit steigender Exzitonendichte zu und ist vor allem in phosphoreszenten OLEDs aufgrund der dort vorhandenen langen Triplettlebensdauer ein großer Verlustfaktor. Im Rahmen dieser Dissertation werden Methoden vorgestellt, die mittels Reduzierung der Exzitonendichte den Roll-Off in phosphoreszenten OLEDs verringern können. Dazu gehören die Veränderung der Exzitonenlebensdauer, die Untersuchung der räumlichen Verteilung der Exzitonen und die Erforschung der Bildung von Emitteraggregaten. Die gewonnenen Ergebnisse führen zu einem besseren Verständnis des Effizienz Roll-Offs und helfen, die Effizienz von OLEDs bei hohen Helligkeiten zu verbessern. Die Emitterlebensdauer kann über den Purcell-Effekt durch Veränderung des die emittierenden Dipole umgebenden elektromagnetischen Felds beeinflusst werden. Dieser Effekt wird genutzt, indem der Abstand zwischen Emitter und Metallelektrode für zwei verschiedene OLED-Aufbauten variiert wird. Der Roll-Off ist stark abhängig von der Position und Orientierung des Emitters und kann durch Modellierung der Daten auf Basis von Triplett-Triplett-Annihilation erklärt werden. Durch Simulation des Roll-Offs in Abhängigkeit des Emitter-Kathode-Abstands, der Orientierung und der strahlenden Effizienz der emittierenden Dipole werden Prinzipien zur optimalen Leistung von OLEDs bei hohen Helligkeiten entwickelt. Als nächstes wird eine Methode eingeführt mittels derer die räumliche Exzitonenverteilung extrahiert werden kann. Dafür wird eine dünne Sensorschicht in die Emissionsschicht eingebracht, die lokal Exzitonen auslöscht. Unter Variation der Position des Sensors wird ein Profil der Auslöschungsintensität bestimmt. Die gemessene Intensität wird mittels einer umfassenden Theorie auf Grundlage der Diffusionsgleichung angepasst, wodurch sich die räumliche Verteilung der Exzitonen und die Diffusionslänge mit einer Auflösung von 1nm ergibt. Die Methode wird auf eine Emissionsschicht angewandt, die das ambipolare Matrixmaterial CBP enthält. Entgegen der Erwartung, dass die Exzitonenbildung in ambipolaren Materialien weiter ausgedehnt ist, ist die gemessene Emissionszone sehr schmal und befindet sich an der Grenze zur Elektronentransportschicht. Um eine Verbreiterung des Emissionsprofils zu ermöglichen, werden weitere Strukturen untersucht. Dabei wird eine schmale Emissionszone in Doppelemissionsschichten beobachtet, wohingegen gemischte Emissionsschichten zu einer Verbreiterung der Exzitonenbildung führen können. Vorangegangene Untersuchungen deckten einen Zusammenhang zwischen der Aggregation von Emittermolekülen und dem Dipolmoment des Emitters auf. In dieser Arbeit werden weitere Emittermoleküle untersucht, wobei eine stärkere Aggregation von homoleptischen Emittern im Vergleich zu heteroleptischen festgestellt wird. Dies ist einerseits im höheren Dipol-Dipol-Potential der homoleptischen Verbindungen und andererseits in der Molekülstruktur begründet. Eine systematische Analyse der Herstellungsparameter zeigt, dass die Aggregatbildung von dem darunter liegenden Material abhängt und mit steigender Substrattemperatur und sinkender Verdampfungsrate zunimmt. Die zwei Grünemitter Ir(ppy)3 und Ir(ppy)2(acac) werden zusätzlich mittels Röntgenspektroskopie untersucht. Beide Emitter bilden kristalline Körner und weisen eine bevorzugte Orientierung auf. Sowohl die Kristallbildung als auch die Orientierung bleiben erhalten, wenn die Emitter mit mehr als 20 Gewichtsprozent in das Matrixmaterial CBP dotiert werden. Dieses Ergebnis ist ein erster Schritt zum besseren Verständnis der in vielen Iridium-Emittern beobachteten Orientierung des Übergangsdipolmoments.

In the thesis CuPc thin films were investigated by (in situ) SE and RAS, which are employed to determine the out-of-plane and in-plane optical anisotropy and molecular orientation, respectively. CuPc is a promising candidate of organic semiconductors used in organic field effect transistors, organic light emitting diodes and organic solar cells. Vicinal Si(111) substrates are interesting due to the in-plane anisotropy caused by the steps and terraces on the surface. The strength of in-plane anisotropy of vicinal Si(111) is dependent on the offcut angle. The influence of offcut angle on out-of-plane and in-plane molecular orientation in CuPc thin films is explored. The in situ investigation of CuPc films suggests that structural changes occur during film growth. In addition, two different surface modification layers were utilized to examine the effect on CuPc molecular orientation: OTS monolayer with upright standing molecules and PTCDA layers with flat lying molecules. Metal-organic interface plays an important role in organic electronic devices. In-CuPc is chosen to be an example system investigated employing in situ SE and RAS. When In was thermally evaporated onto CuPc film, In atoms firstly diffuse into the CuPc film underneath and then aggregate to form clusters on top. Hafnium dioxide (HfO2) is currently a hot topic to replace the conventionally used SiO2 as gate dielectrics in order to minimize leakage current when further scaling down microelectronic devices. Since HfO2 films are often crystalline, in order to obtain amorphous films which are beneficial to minimize leakage current, aluminum oxide (Al2O3) (k value: 9) which stays amorphous at much higher temperatures are combined to overcome this difficulty. Two series of ultra-thin samples were deposited by atomic layer deposition: mixed layers HfxAl1-xOz and bilayers HfO2 on Al2O3. Optical constants and bandgap are determined using SE in the energy range of 0.7-10 eV. It is found that the (effective) optical bandgap of both mixed layer and bilayer structures can be tuned by the film composition. Aging effect of high-k films was observed after storage of samples in air for two months, which is attributed to further oxidation of the dielectric films caused by the oxygen diffusion from ambient air to high-k films. / In dieser Arbeit werden dünne Schichten aus Kupferphthalozyanin (CuPc) mittels spektroskopischer (in-situ) Ellipsometrie (SE) und (in-situ) Reflektions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) untersucht, um die optische Anisotropie in einer Ebene parallel und senkrecht zur Schichtoberfläche und die molekulare Orientierung zu bestimmen. CuPc ist ein aussichtsreicher Kandidat als organischer Halbleiter in organischen Feldeffekt-Transistoren, organischen Leuchtdioden und organischen Solarzellen. Vizinale Si(111)-Substrate sind wegen der Anisotropie in der Substratebene interessant, die durch die Treppen und Terrassen auf der Oberfläche verursacht wird. Die Stärke der Anisotropie der vizinalen Si(111)-Oberfläche ist vom Schnittwinkel (Offcut) abhängig. Es wird der Einfluss des Offcut-Winkels auf die molekulare Orientierung in dünnen CuPc-Schichten parallel und senkrecht zur Substratoberfläche untersucht. Die in-situ Untersuchungen von CuPc-Schichten weisen darauf hin, dass strukturelle Veränderungen beim Wachstum auftreten. Darüber hinaus wurden zwei unterschiedliche Oberflächenmodifizierungsschichten, um deren Wirkung auf die molekulare Orientierung von CuPc zu untersuchen, verwendet: eine OTS-Monoschicht mit aufrecht stehenden Molekülen und PTCDA-Schichten mit flach liegenden Molekülen. Metall-organische Grenzflächen spielen eine wichtige Rolle in organischen elektronischen Bauelementen. In-CuPc wird als Beispiel für ein Metall-organisches System durch in-situ SE und RAS untersucht. Wenn In thermisch auf eine CuPc-Schicht aufgedampft wird, diffundieren In-Atome zunächst in die darunterliegende CuPc-Schicht und bilden dann Cluster auf der Schicht. Hafniumdioxid (HfO2) ist ein heißer Kandidat für das Ersetzen des herkömmlich als Gate-Dielektrikum verwendeten SiO2 mit dem Ziel, die Leckströme bei der weiteren Verkleinerung mikroelektronischer Bauelemente zu minimieren. Um amorphe Schichten, die vorteilhaft zur Minimierung der Leckströme sind, zu erhalten, werden die HfO2-Schichten, die oft kristallin sind, mit Aluminiumoxid (Al2O3) (k-Wert: 9) kombiniert, das bei wesentlich höheren Temperaturen amorph bleibt. Zwei Serien von ultra-dünnen Proben wurden durch Atomlagenabscheidung hergestellt: Mischschichten HfxAl1-xOz und Doppelschichten HfO2 auf Al2O3. Die optischen Konstanten und Bandlücken wurden mittels SE im Energiebereich von 0,7 bis 10 eV bestimmt. Es hat sich gezeigt, dass die (effektive) Bandlücke der Misch- und Doppelschichten durch die Komposition abgestimmt werden kann. Nach Lagerung der High-k-Schichten für zwei Monate an Luft konnte ein Alterungseffekt beobachtet werden. Dieser wird auf die weitere Oxidation der dielektrischen Schichten, die durch Sauerstoffdiffusion aus der Umgebungsluft in die High-k-Schichten ermöglicht wird, zurückgeführt.

Die Jugendberufshilfe versteht sich in ihrem Kern als ,Brücke zur Arbeitswelt' und ist in ihrem Maßnahmespektrum als zielgruppenorientierte, arbeitsweltbezogene Integrationshilfe angelegt. Die Veränderungen in der Arbeitswelt erschüttern jedoch die wohlfahrtsgesellschaftliche Grundannahme einer chancenoffenen, für alle erreichbaren Berufswelt. Der zukunfts-optimistische Lebensentwurf bricht sich an den Grenzen eines segmentierten Arbeitsmarktes, der die nachwachsende Generation vor schwierige und oft unüberwindbare Eintrittshürden stellt. Mit der Dissertation wird versucht, in einem historisch-systematischen Zugang die epochalen Muster der Vergesellschaftung von Arbeit im Spannungsfeld von industriekapitalistischer Entwicklung und sozialpolitischer Regulierung zu identifizieren. Die Wirtschaft und der öffentliche Sektor reagieren aktuell auf die Erschöpfung des fordistischen Produktionsregimes und auf die globalisierungsbedingte Dynamisierung mit umfassenden Restrukturierungen. Dabei werden gerade jene Zonen einfacher Beschäftigung (Jedermansarbeiten), auf welche die Jugendberufshilfe traditionell ausgerichtet ist, rationalisiert und zu anspruchsvolleren Tätigkeitsprofilen verdichtet. So steht die Jugendberufshilfe insgesamt und besonders in den neuen Bundes-ländern vor der Verlegenheit, die mit der Bereitstellung von erheblichen Finanzmitteln für ihre Maßnahmen verbundenen Erwartungen hinsichtlich solider Übergangsquoten (zum ersten Arbeitsmarkt) nicht einzulösen zu können. Darum ist sie herausgefordert, ihr tradiertes problemindividualisierendes Grundverständnis zu überwinden und über eine Neubestimmung ihres gesellschaftlichen Handlungsauftrags -adäquate Handlungsformen zu entwickeln. Die Frage der sozialen Integration und Desintegration, die in die lebensweltlichen Kontexte der Menschen als Bewältigungsproblem hineinreicht, wird zur zentralen Vermittlungskategorie zwischen sozialpolitischer und sozialpädagogischer Dimension. Die Gestaltungsfrage muß somit ihren Ausgangspunkt in den biographischen Bewältigungsaufgaben der Jugendlichen suchen: Die Jugendberufshilfe ist unter funktionalen Gesichtspunkten der Beschäftigungsentwicklung Ausfallbürge und Kompensationssystem der durch die Marktökonomie hergestellten Selektionsprozesse und Disparitäten. Um ihre Gestaltungsaufgabe ausfüllen zu können, muß die Jugendberufshilfe berufsqualifizierende und zugleich biografisch produktive Arrangements schaffen, die Jugendliche in ihrer Lebensbewältigung unterstützen. Dies kann - so die Essenz der Arbeit - nur gelingen, wenn die Jugendberufshilfe ihre defensive Maßnahmeorientierung überwindet und als Innovationsmotor in einer Verzahnung mit der regionalen Wirtschaft, der Beschäftigungsförderung und dem Dritten Sektor netzwerkorientierte Regionalentwicklungsprozesse anstößt und implementiert.

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In the thesis CuPc thin films were investigated by (in situ) SE and RAS, which are employed to determine the out-of-plane and in-plane optical anisotropy and molecular orientation, respectively. CuPc is a promising candidate of organic semiconductors used in organic field effect transistors, organic light emitting diodes and organic solar cells. Vicinal Si(111) substrates are interesting due to the in-plane anisotropy caused by the steps and terraces on the surface. The strength of in-plane anisotropy of vicinal Si(111) is dependent on the offcut angle. The influence of offcut angle on out-of-plane and in-plane molecular orientation in CuPc thin films is explored. The in situ investigation of CuPc films suggests that structural changes occur during film growth. In addition, two different surface modification layers were utilized to examine the effect on CuPc molecular orientation: OTS monolayer with upright standing molecules and PTCDA layers with flat lying molecules. Metal-organic interface plays an important role in organic electronic devices. In-CuPc is chosen to be an example system investigated employing in situ SE and RAS. When In was thermally evaporated onto CuPc film, In atoms firstly diffuse into the CuPc film underneath and then aggregate to form clusters on top. Hafnium dioxide (HfO2) is currently a hot topic to replace the conventionally used SiO2 as gate dielectrics in order to minimize leakage current when further scaling down microelectronic devices. Since HfO2 films are often crystalline, in order to obtain amorphous films which are beneficial to minimize leakage current, aluminum oxide (Al2O3) (k value: 9) which stays amorphous at much higher temperatures are combined to overcome this difficulty. Two series of ultra-thin samples were deposited by atomic layer deposition: mixed layers HfxAl1-xOz and bilayers HfO2 on Al2O3. Optical constants and bandgap are determined using SE in the energy range of 0.7-10 eV. It is found that the (effective) optical bandgap of both mixed layer and bilayer structures can be tuned by the film composition. Aging effect of high-k films was observed after storage of samples in air for two months, which is attributed to further oxidation of the dielectric films caused by the oxygen diffusion from ambient air to high-k films. / In dieser Arbeit werden dünne Schichten aus Kupferphthalozyanin (CuPc) mittels spektroskopischer (in-situ) Ellipsometrie (SE) und (in-situ) Reflektions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) untersucht, um die optische Anisotropie in einer Ebene parallel und senkrecht zur Schichtoberfläche und die molekulare Orientierung zu bestimmen. CuPc ist ein aussichtsreicher Kandidat als organischer Halbleiter in organischen Feldeffekt-Transistoren, organischen Leuchtdioden und organischen Solarzellen. Vizinale Si(111)-Substrate sind wegen der Anisotropie in der Substratebene interessant, die durch die Treppen und Terrassen auf der Oberfläche verursacht wird. Die Stärke der Anisotropie der vizinalen Si(111)-Oberfläche ist vom Schnittwinkel (Offcut) abhängig. Es wird der Einfluss des Offcut-Winkels auf die molekulare Orientierung in dünnen CuPc-Schichten parallel und senkrecht zur Substratoberfläche untersucht. Die in-situ Untersuchungen von CuPc-Schichten weisen darauf hin, dass strukturelle Veränderungen beim Wachstum auftreten. Darüber hinaus wurden zwei unterschiedliche Oberflächenmodifizierungsschichten, um deren Wirkung auf die molekulare Orientierung von CuPc zu untersuchen, verwendet: eine OTS-Monoschicht mit aufrecht stehenden Molekülen und PTCDA-Schichten mit flach liegenden Molekülen. Metall-organische Grenzflächen spielen eine wichtige Rolle in organischen elektronischen Bauelementen. In-CuPc wird als Beispiel für ein Metall-organisches System durch in-situ SE und RAS untersucht. Wenn In thermisch auf eine CuPc-Schicht aufgedampft wird, diffundieren In-Atome zunächst in die darunterliegende CuPc-Schicht und bilden dann Cluster auf der Schicht. Hafniumdioxid (HfO2) ist ein heißer Kandidat für das Ersetzen des herkömmlich als Gate-Dielektrikum verwendeten SiO2 mit dem Ziel, die Leckströme bei der weiteren Verkleinerung mikroelektronischer Bauelemente zu minimieren. Um amorphe Schichten, die vorteilhaft zur Minimierung der Leckströme sind, zu erhalten, werden die HfO2-Schichten, die oft kristallin sind, mit Aluminiumoxid (Al2O3) (k-Wert: 9) kombiniert, das bei wesentlich höheren Temperaturen amorph bleibt. Zwei Serien von ultra-dünnen Proben wurden durch Atomlagenabscheidung hergestellt: Mischschichten HfxAl1-xOz und Doppelschichten HfO2 auf Al2O3. Die optischen Konstanten und Bandlücken wurden mittels SE im Energiebereich von 0,7 bis 10 eV bestimmt. Es hat sich gezeigt, dass die (effektive) Bandlücke der Misch- und Doppelschichten durch die Komposition abgestimmt werden kann. Nach Lagerung der High-k-Schichten für zwei Monate an Luft konnte ein Alterungseffekt beobachtet werden. Dieser wird auf die weitere Oxidation der dielektrischen Schichten, die durch Sauerstoffdiffusion aus der Umgebungsluft in die High-k-Schichten ermöglicht wird, zurückgeführt.

The efficiency of organic light-emitting diodes (OLEDs) typically decreases with increasing current density. This so-called roll-off impedes the market entry of OLEDs in high-brightness applications such as general lighting. One of the most important processes causing roll-off is exciton annihilation, which evolves upon high exciton densities. This mechanism is especially pronounced in phosphorescent molecules due to their long triplet lifetime. In order to reduce the roll-off in phosphorescent OLEDs, this thesis focusses on decreasing the local exciton density by modifying the exciton lifetime, the spatial exciton distribution, and the tendency of emitters to form aggregates. The obtained results lead to a deeper understanding of efficiency roll-off and help sustaining the OLED efficiency at high brightness. The emitter lifetime can be influenced by the optical environment around the emitting dipoles through the Purcell effect. In order to study this effect, the distance between emitter and metal cathode is varied for two different OLED stacks. A strong influence of emitter position and orientation on roll-off is observed and explained by modelling the data with triplet-triplet annihilation theory. Furthermore, design principles for optimal high-brightness performance are established by simulating the roll-off as a function of emitter-cathode distance, emissive dipole orientation, and radiative efficiency. Next, a method is developed that allows extracting the spatial exciton distribution. Therefore, a thin sensing layer that locally quenches excitons is introduced into the emission layer at varying positions. The resulting quenching profile is then fitted using a comprehensive theory based on the diffusion equation, which renders the exciton distribution and diffusion length with nanometer resolution. This method is applied to an emission layer comprising an ambipolar host material. Contrary to expectations which suggest that ambipolar materials exhibit broad exciton formation, a narrow emission zone close to the electron transport layer is found. Additional explorations of structures that might broaden the emission zone point to a narrow emission zone in double emission layers and broader exciton formation in mixed emission layers. Previous investigations revealed a strong correlation between emitter aggregation and molecular dipole moment of the emitter. Within this thesis, the range of studied emitters is significantly extended. It is shown that homoleptic emitters show a stronger tendency to form aggregates than heteroleptic compounds. This is probably not only related to their higher dipole-dipole potential, but also to the molecular structure. Systematic analysis of the deposition parameters shows that aggregate formation depends on the underlying material and increases with increasing substrate temperature and decreasing evaporation rate. The two green emitters Ir(ppy)3 and Ir(ppy)2(acac) are additionally studied by means of X-ray diffraction. Both emitters form crystallite grains and exhibit a preferred orientation. Doping the emitters into an amorphous host, both orientation and crystallite formation retain at the investigated doping concentrations above 20 wt%. This result is a first step toward further understanding of the mechanism of transition dipole orientation.:List of Publications 1 Introduction 2 Principles of Organic Semiconductors 2.1 Molecular Orbitals 2.2 Optical Properties 2.3 Intermolecular Energy Transfer 2.4 Charge Transport 2.5 Organic Light-Emitting Diodes 2.5.1 Structure and Working Principle 2.5.2 Characterization 3 Theory of Efficiency Roll-Off 3.1 Current Status 3.2 Processes Leading to Roll-Off 3.2.1 Triplet-Triplet Annihilation 3.2.2 Triplet-Polaron Interaction 3.2.3 Further Processes Influencing Roll-Off 3.3 Interplay of the Various Processes 3.4 Scope of this Work 4 Experimental Methods 4.1 Sample Preparation 4.2 Measurement 4.2.1 Thin-Film Characterization 4.2.2 OLED Characterization 4.3 Materials 4.3.1 Electrodes, Transport Materials, and Blockers 4.3.2 Materials of the Emission Layer 5 Influence of the Optical Environment 5.1 Introduction 5.2 Influence of Emitter-Cathode Distance 5.3 Emitter Lifetime and Orientation 5.4 Correlation of Roll-Off and Orientation 5.5 Simulation of Roll-Off 5.5.1 Influence of the Electroluminescence Spectrum 5.5.2 Influence of Orientation and Radiative Efficiency 5.6 Conclusion 6 Influence of the Emission Profile 6.1 Preliminary Considerations 6.1.1 Exciton Generation and Diffusion 6.1.2 Width of the Emission Zone 6.1.3 Dependence on the Structure of the Emission Layer 6.2 Measurement of the Emission Profile 6.2.1 Method 6.2.2 Mathematical Description 6.2.3 Experimental Realization and Evaluation 6.3 Ambipolar Matrix Materials 6.3.1 Device Performance 6.3.2 Influence of the Sensing Layer 6.3.3 Emission Profile 6.4 Double- and Mixed Emission Layers 6.4.1 Emission Profile 6.4.2 Influence of the Matrix Ratio 6.5 Summary and Outlook 7 Influence of Molecular Aggregation 7.1 Introduction 7.2 Aggregation of Homoleptic and Heteroleptic Emitters 7.2.1 Photoluminescence Measurements 7.2.2 Time-Resolved Spectroscopy 7.2.3 X-Ray Diffraction 7.2.4 Conclusions on Emitter Orientation 7.2.5 Comparison of the Different Methods—Emitter Aggregation 7.3 Influence of the Matrix Material 7.3.1 Photoluminescence Measurements 7.3.2 Time-Resolved Spectroscopy 7.4 Influence of Processing Parameters 7.4.1 Substrate Heating 7.4.2 Underlying Layer 7.4.3 Evaporation Rate 7.5 Summary and Implications of Aggregation on Efficiency Roll-Off 8 Summary and Outlook 8.1 Summary of Roll-Off Investigations 8.2 Improving the High-Brightness Performance Further 8.3 Concluding Words on Emitter Orientation A Appendix to Theory of Efficiency Roll-Off B Appendix to Emission and Sensing Profiles B.1 Emission Profiles B.2 Emission Profiles Including a Sensing Layer B.3 Sensing Profiles C Appendix to Double- and Mixed Emission Layers C.1 Sample Uniformity C.2 Influence of the Sensor on Current Density C.3 Further D-EML and M-EML structures D Appendix to Molecular Aggregation List of Chemical Compounds List of Abbreviations List of Important Symbols Bibliography Acknowledgement / Die Effizienz organischer Leuchtdioden (OLEDs) nimmt üblicherweise mit ansteigender Stromdichte ab. Dieser so genannte Roll-Off erschwert den Markteintritt von OLEDs in Bereichen, die hohe Helligkeiten erfordern, wie beispielsweise in der Beleuchtung. Einer der wichtigsten Prozesse, die zu Roll-Off führen, ist die Annihilation von Exzitonen. Diese nimmt mit steigender Exzitonendichte zu und ist vor allem in phosphoreszenten OLEDs aufgrund der dort vorhandenen langen Triplettlebensdauer ein großer Verlustfaktor. Im Rahmen dieser Dissertation werden Methoden vorgestellt, die mittels Reduzierung der Exzitonendichte den Roll-Off in phosphoreszenten OLEDs verringern können. Dazu gehören die Veränderung der Exzitonenlebensdauer, die Untersuchung der räumlichen Verteilung der Exzitonen und die Erforschung der Bildung von Emitteraggregaten. Die gewonnenen Ergebnisse führen zu einem besseren Verständnis des Effizienz Roll-Offs und helfen, die Effizienz von OLEDs bei hohen Helligkeiten zu verbessern. Die Emitterlebensdauer kann über den Purcell-Effekt durch Veränderung des die emittierenden Dipole umgebenden elektromagnetischen Felds beeinflusst werden. Dieser Effekt wird genutzt, indem der Abstand zwischen Emitter und Metallelektrode für zwei verschiedene OLED-Aufbauten variiert wird. Der Roll-Off ist stark abhängig von der Position und Orientierung des Emitters und kann durch Modellierung der Daten auf Basis von Triplett-Triplett-Annihilation erklärt werden. Durch Simulation des Roll-Offs in Abhängigkeit des Emitter-Kathode-Abstands, der Orientierung und der strahlenden Effizienz der emittierenden Dipole werden Prinzipien zur optimalen Leistung von OLEDs bei hohen Helligkeiten entwickelt. Als nächstes wird eine Methode eingeführt mittels derer die räumliche Exzitonenverteilung extrahiert werden kann. Dafür wird eine dünne Sensorschicht in die Emissionsschicht eingebracht, die lokal Exzitonen auslöscht. Unter Variation der Position des Sensors wird ein Profil der Auslöschungsintensität bestimmt. Die gemessene Intensität wird mittels einer umfassenden Theorie auf Grundlage der Diffusionsgleichung angepasst, wodurch sich die räumliche Verteilung der Exzitonen und die Diffusionslänge mit einer Auflösung von 1nm ergibt. Die Methode wird auf eine Emissionsschicht angewandt, die das ambipolare Matrixmaterial CBP enthält. Entgegen der Erwartung, dass die Exzitonenbildung in ambipolaren Materialien weiter ausgedehnt ist, ist die gemessene Emissionszone sehr schmal und befindet sich an der Grenze zur Elektronentransportschicht. Um eine Verbreiterung des Emissionsprofils zu ermöglichen, werden weitere Strukturen untersucht. Dabei wird eine schmale Emissionszone in Doppelemissionsschichten beobachtet, wohingegen gemischte Emissionsschichten zu einer Verbreiterung der Exzitonenbildung führen können. Vorangegangene Untersuchungen deckten einen Zusammenhang zwischen der Aggregation von Emittermolekülen und dem Dipolmoment des Emitters auf. In dieser Arbeit werden weitere Emittermoleküle untersucht, wobei eine stärkere Aggregation von homoleptischen Emittern im Vergleich zu heteroleptischen festgestellt wird. Dies ist einerseits im höheren Dipol-Dipol-Potential der homoleptischen Verbindungen und andererseits in der Molekülstruktur begründet. Eine systematische Analyse der Herstellungsparameter zeigt, dass die Aggregatbildung von dem darunter liegenden Material abhängt und mit steigender Substrattemperatur und sinkender Verdampfungsrate zunimmt. Die zwei Grünemitter Ir(ppy)3 und Ir(ppy)2(acac) werden zusätzlich mittels Röntgenspektroskopie untersucht. Beide Emitter bilden kristalline Körner und weisen eine bevorzugte Orientierung auf. Sowohl die Kristallbildung als auch die Orientierung bleiben erhalten, wenn die Emitter mit mehr als 20 Gewichtsprozent in das Matrixmaterial CBP dotiert werden. Dieses Ergebnis ist ein erster Schritt zum besseren Verständnis der in vielen Iridium-Emittern beobachteten Orientierung des Übergangsdipolmoments.:List of Publications 1 Introduction 2 Principles of Organic Semiconductors 2.1 Molecular Orbitals 2.2 Optical Properties 2.3 Intermolecular Energy Transfer 2.4 Charge Transport 2.5 Organic Light-Emitting Diodes 2.5.1 Structure and Working Principle 2.5.2 Characterization 3 Theory of Efficiency Roll-Off 3.1 Current Status 3.2 Processes Leading to Roll-Off 3.2.1 Triplet-Triplet Annihilation 3.2.2 Triplet-Polaron Interaction 3.2.3 Further Processes Influencing Roll-Off 3.3 Interplay of the Various Processes 3.4 Scope of this Work 4 Experimental Methods 4.1 Sample Preparation 4.2 Measurement 4.2.1 Thin-Film Characterization 4.2.2 OLED Characterization 4.3 Materials 4.3.1 Electrodes, Transport Materials, and Blockers 4.3.2 Materials of the Emission Layer 5 Influence of the Optical Environment 5.1 Introduction 5.2 Influence of Emitter-Cathode Distance 5.3 Emitter Lifetime and Orientation 5.4 Correlation of Roll-Off and Orientation 5.5 Simulation of Roll-Off 5.5.1 Influence of the Electroluminescence Spectrum 5.5.2 Influence of Orientation and Radiative Efficiency 5.6 Conclusion 6 Influence of the Emission Profile 6.1 Preliminary Considerations 6.1.1 Exciton Generation and Diffusion 6.1.2 Width of the Emission Zone 6.1.3 Dependence on the Structure of the Emission Layer 6.2 Measurement of the Emission Profile 6.2.1 Method 6.2.2 Mathematical Description 6.2.3 Experimental Realization and Evaluation 6.3 Ambipolar Matrix Materials 6.3.1 Device Performance 6.3.2 Influence of the Sensing Layer 6.3.3 Emission Profile 6.4 Double- and Mixed Emission Layers 6.4.1 Emission Profile 6.4.2 Influence of the Matrix Ratio 6.5 Summary and Outlook 7 Influence of Molecular Aggregation 7.1 Introduction 7.2 Aggregation of Homoleptic and Heteroleptic Emitters 7.2.1 Photoluminescence Measurements 7.2.2 Time-Resolved Spectroscopy 7.2.3 X-Ray Diffraction 7.2.4 Conclusions on Emitter Orientation 7.2.5 Comparison of the Different Methods—Emitter Aggregation 7.3 Influence of the Matrix Material 7.3.1 Photoluminescence Measurements 7.3.2 Time-Resolved Spectroscopy 7.4 Influence of Processing Parameters 7.4.1 Substrate Heating 7.4.2 Underlying Layer 7.4.3 Evaporation Rate 7.5 Summary and Implications of Aggregation on Efficiency Roll-Off 8 Summary and Outlook 8.1 Summary of Roll-Off Investigations 8.2 Improving the High-Brightness Performance Further 8.3 Concluding Words on Emitter Orientation A Appendix to Theory of Efficiency Roll-Off B Appendix to Emission and Sensing Profiles B.1 Emission Profiles B.2 Emission Profiles Including a Sensing Layer B.3 Sensing Profiles C Appendix to Double- and Mixed Emission Layers C.1 Sample Uniformity C.2 Influence of the Sensor on Current Density C.3 Further D-EML and M-EML structures D Appendix to Molecular Aggregation List of Chemical Compounds List of Abbreviations List of Important Symbols Bibliography Acknowledgement