La thèse est consacrée à l’expression emblématique chez Jean Baudoin (1584-1650). D’abord Lecteur de Marguerite de Valois, Marie de Médicis l’envoya en Angleterre afin de traduire l’Arcadie de la Comtesse de Pembroke en 1624. Il fit partie de la maison du cardinal de Richelieu et fut un protégé du chancelier Séguier. Dès 1634, il rejoignit les premiers membres de l’Académie française et participa à la rédaction de ses statuts. À cet auteur et traducteur très abondant, on attribue quatre-vingt six ouvrages, dont la plupart sont des traductions significatives pour l’orientation qu’il donne à son oeuvre : les Discours politiques sur l’oeuvre de Tacite de Scipio Ammirato (1618), La Sagesse Mysterieuse des Anciens de Francis Bacon, la Mythologie de Natale Conti (1627) ou encore les Monita et Exempla politica de Juste Lipse (1606 et 1650). La tradition iconographique est essentielle chez Jean Baudoin, ainsi que l’explication symbolique. Le Recueil d’Emblemes divers, publié pour la première fois à Paris en 1638-1639 est l’objet principal de la recherche ici entreprise. Ce recueil d’emblèmes est une oeuvre de l’invention de Jean Baudoin qui a toutefois été fortement influencé, dans sa rédaction, par ses traductions antérieures. Deux autres ouvrages traduits par Baudoin sont indispensables à l’étude approfondie du Recueil d’Emblemes divers : l’adaptation de l’Iconologia de Cesare Ripa (première partie, 1636-1637 ; première et seconde parties, 1644) et la traduction des Fables d’Esope Phrygien (1631). Ce travail se propose d’aborder dans un premier temps la façon dont Baudoin n’a eu de cesse de mettre sa personne et son oeuvre au service du renforcement et de l’affirmation de la monarchie française et de l’édification morale du lecteur. Dans un second temps, nous nous proposons d’étudier les connexions entre ces trois ouvrages majeurs qui permettent de comprendre la portée de l’expression emblématique chez Jean Baudoin, à travers trois axes majeurs. Le renouvellement de la forme emblématique ; la création d’un vocabulaire allégorique qui avait pour fin la codification de la représentation du pouvoir et de la figure royale et une étude des gravures, de leur fonctionnement dans le texte et des mécanismes de leur production. / This dissertation is about the emblematical expression in the work of Jean Baudoin. At first Marguerite de Valois’s lecturer, he was sent to England by Marie de Médicis in order to translate L’Arcadie de la Comtesse de Pembroke, in 1624. Baudoin belonged to the House of the Cardinal de Richelieu and was one of chancelier Séguier’s protégés. As soon as 1634, hejoined the first members of the Académie française and took part in the writing of its statutes. Eighty six pieces of work are attributed to this prolific author and translator, most of which are translations significant of the orientation he gave to his work: the “Discours politiques” on Tacite’s work by Scipio Ammirato (1618), La Sagesse Mystérieuse des Anciens by Francis Bacon (1619), Mythologie by Natale Conti (1627) or Monita et Exempla politica by Justus Lipsus (1606 & 1650). The iconographical tradition is paramount in Jean Baudoin’s work, as well as the emblematical expression. The Recueil d’Emblemes divers, first published in Paris in 1638-1639 is the focus of the present dissertation. This collection of emblems was designed by Jean Baudoin, but he was largely influenced in its writing by previous translations. Two other pieces of work translated by Baudoin are essential to the thorough study of the Recueil d’Emblemes divers: the adaptation of Cesare Ripa’s Iconologia (First part 1636-1637, First and second part 1644) and the translation of Esope Phrygien’s Fables in 1631. The present work will first focus on how Baudoin constantly put himself and his work at the service of the reinforcement and affirmation of the French monarchy and of the moral edification of the reader. Then, we will study the connections between these three major works which enable to understand the importance of emblematical expression in Jean Baudoin. To do so, three main aspects will be studied: the renewal of the emblematical form/ genre, the creation of an allegorical vocabulary whose aim was the codification of the representation of power and monarchy, and a study of engraving, of it functioning in the text and of its production processes.

Henri IV et son panache blanc, Jeanne d’Arc en armure, Vercingétorix vaincu amené devant César… ces représentations liées à l’histoire de France nous sont aujourd’hui familières. Pourtant leur origine est ancienne : elles apparaissent dès la première moitié du XIXe siècle dans les arts visuels et dans l’historiographie, lorsqu’émerge la vogue de l’histoire, et spécialement de l’histoire nationale. Le médium de l’illustration, alors en plein essor, devient un agent efficace de la création et de la diffusion de représentations liées à l’histoire de France. En effet, les éditeurs en quête de formules éditoriales plus séduisantes commencent à intégrer des illustrations dans les ouvrages historiques savants, lorsqu’une telle association semblait auparavant délicate. Cette thèse se propose donc d’étudier les illustrations produites pour les ouvrages historiques parus entre 1814 et 1848. Les ouvrages historiques illustrés s’adressent à un lectorat de plus en plus large, que nous distinguons en termes de classes sociales (populaire, bourgeois) et d’âges (adultes, enfants). Les discours comme les illustrations tentent donc de s’adapter aux attentes et aux dispositions de ces divers lectorats, ce que nous étudierons dans le premier chapitre. Une part de la vogue pour les ouvrages historiques illustrés vient de ce qu’ils font écho aux préoccupations contemporaines : la question de la fondation de la France en tant que nation, en particulier, soulève de vastes débats. Notre deuxième chapitre examinera donc l’illustration de l’historiographie des périodes considérées comme fondatrices, le haut Moyen-Age et la Révolution française. Enfin, si l’historiographie illustrée de cette période apparaît très francocentrée, certains ouvrages viennent éveiller l’intérêt des lecteurs pour une histoire aux échelles « micro » ou macro », intéressée par l’histoire régionale et par l’histoire transnationale (troisième chapitre). Au fil du temps et des publications illustrées émergent donc des schémas iconographiques récurrents, contribuant à enraciner un récit historique iconotextuel, hybride de texte et d’images, dans l’imaginaire national. / Which images pop into the minds of Frenchmen when they recall their national history? Henry IV and his white panache, Joan of Arc in her armor, or Vercingétorix and his long hair. Where do these representations come from? How did they develop and with which narrative? This dissertation aims at studying the origins of these images : the spreading of the illustrated historical narrative in France from 1814 to 1848. Indeed, in these years, a true economy of the illustrated history book emerged. These illustrated narratives – these iconotexts – progressively clarified and strengthened a national history in image on which French identity was leaning on. The illustration of history developed interacting with other historical-focused media: theater, panorama, and especially history painting, standing as a model from which to set apart in order to find its own language. Over the course of time and publications, iconotextual patterns established themselves. Therefore, the illustration of history, spread through a larger and larger audience, contributed to the rooting of a national historical narrative into the collective psyche.

Les copolymères à bloc (BCP) ont la propriété particulière de s’auto-assembler en structures périodiques. Ces macromolécules en association avec la photolithographie est un candidat prometteur à utiliser comme technique alternative pour les patterning avancé de très haute résolution. De cette façon, la réduction des circuits intégrés peut être maintenue. Les BCPs avec une forte incompatibilité chimique entre les deux blocs présentent une valeur élevée du paramètre d’interaction de Flory-Huggins χ. La théorie des BCPs prédit des caractéristiques périodiques de seulement quelques nanomètres avec des BCPs à haut valeur d’interaction.Cette thèse présente un dispositif expérimental en vue du développement d’une lithographie à BCPs de deuxième génération en utilisant le polystyrène-bloc polydiméthylsiloxane (PS-b-PDMS), contre le polystyrène-bloc-Polydi(méthyle méthacrylate) (PS-b-PMMA) à faible valeur de χ. Sur ce sujet, la cinétique d’auto-assemblage d’un PS-b-PDMS avec une valeur du paramètre de segregation χN élevée a été amélioré avec le mélange de plastifiants sélectifs au bloc PS. L’auto-assemblage sur des grandes surfaces a été alors prouvé par un recuit thermique rapide (~ 30 s). Comme une preuve de concept de la lithographie, certains masques PS-b-PDMS testés ont été transférés sur Si, où des caractéristiques allant jusqu’à 25 nm ont été atteintes.Le principe de la lithographie par BCP a également été utilisé pour montrer la structuration de matériaux 2D. Par exemple, le graphène présente un besoin réel de structuration en nanostructures très étroites afin d’ouvrir un gap entre la bande de valence et la bande conduction pour modifier ses propriétés électriques par confinement quantique.Un bas Le PS-b-PDMS a été utilisé pour patterner avec de tailles caractéristiques de 10 nm. Le BCP est déposé par centrifugation et recuit directement sur le graphène.L’auto-assemblage sur de grandes surfaces (1 cm²) est réalisé en quelques minutes et le masque est ensuite transféré vers le graphène par gravure plasma à base d’oxygène, où dans une seule étape la matrice PS est éliminé, les cylindres PDMS oxydés et le graphène gravé. De grandes surfaces de nanorubans de 11 nm de largeur (GNR) ont été fabriquées par la lithographie de l’auto-assemblage du PS-b-PDMS. Un nettoyage au plasma H2 a également été effectué afin d’éliminer les contaminants organiques apparaissant lors des étapes de fabrication. Des techniques différentes pour l’analyse du carbone telles que la spectroscopie photoélectronique de rayons X, la spectroscopie Raman et la microscopie à force atomique ont été utilisées pour montrer la haute qualité des GNR.La caractérisation électrique des GNRs tels que la mobilité et l’ouverture du gap dans le graphène ont également été mesurés pour confirmer le comportement électronique des nanorubans de graphène. Des valeurs de l’ordre de 150 cm²/V s et 30 meV ont été mesurées. L’ensemble de la procédure expérimentale a été réalisé dans le cadre des réglèmentations de salles blanches pour la microélectronique, puis les processus d’auto-assemblage des BCPs proposés sont évolutifs et peu coûteux et sont bien adaptés pour être intégrés aux techniques existantes de fabrication de semi-conducteurs. / The Block copolymers (BCPs) have the particular property of self-assemble into ordered periodical structures. These macromolecules in association with the classic photolithography, is a promising candidate to be used as an alternative technique for the advanced patterning. This way, the downsizing of the integrated circuits can be kept up. BCPs with high chemical incompatibility between their blocks exhibit a high value of the Flory-Huggins interaction parameter χ. The BCP theory predicts periodical features sizes with high-χ; BCPs of only few nanometers.The BCP lithography principe was also used to show the patterning of 2D materials. For exemple, graphene present a real needs of patterning into very narrow nanostructures to open up a bandgap to switch its electrical properties by quantum confinement. A low χN PS-b-PDMS was used to pattern ~ 10 nm features. BCP is spin-coated and annealed directly on graphene. Self-assembly on large surfaces (1 cm²) is achieved in few minutes and the mask is then transferred on graphene by oxygen-based plasma etching, where in a single step will eliminate the PS matrix, oxidized the PDMS cylinders and etch the graphene. Large surfaces of 11nm-width Graphen nanoribbons (GNRs) were fabricated by the self-assembly of PS-b-PDMS. Dry H2 plasma cleaning was also performed to remove organic contaminants appearing during the fabrication steps. Different analysis techniques of carbon such as Raman and X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy were used to show the high chemical quality of the GNRs.Electrical characterization of the GNRs such as mobility and the bandgap openingin graphene were measured also to confirm the electronic behavior of the graphene nanoribbons. Values of the order of 150 cm²/V s and 30 meV were measured. The entire procedure was realized under microelectronics clean room requirement, then, the BCP self-assembly processes proposed are scalable and low cost, and is well-suited for integration with existing semiconductor fabrication techniques.The lithographical procedure developed in this investigation could also be generalized to fabricate different graphene nanostructures such as graphene nanomeshes or quantum dots that could be envisaged for other applications in functional devices. GNRs on large surfaces are expect to find a broad ranges of applications, in the fields of electrochemical and bioanalysis.

Ce travail de thèse s'inscrit dans un domaine de recherche émergeant : la gravure par plasma pour la photonique et l'opto-électronique. La maîtrise des procédés de gravure passe par la prédiction des énergies et des flux d'espèces produites dans le plasma en fonction des paramètres de la décharge, ainsi que par la compréhension des mécanismes d'interaction plasma-surface. Ce travail aborde ces deux aspects au travers de modélisations fluides et de simulations atomistiques. Nous avons développé des simulations de dynamique moléculaire pour comprendre les mécanismes fondamentaux qui régissent la pulvérisation de deux semiconducteurs III-V (GaAs et GaN) par des ions Ar faiblement énergétiques. Cette étude numérique, confrontée à une série d'expériences, montre que la composition des matériaux bombardés est modifiée sur quelques dizaines d'angströms et que les atomes de Ga pulvérisés quittent la surface avec des énergies suffisantes pour endommager les flancs de gravure et briser les couches de passivation, notamment dans les procédés dominés par bombardement ionique. Nous avons également travaillé sur des simulations fluides (bi-dimensionnelles et globales) pour comprendre la dynamique des décharges inductives chlorées et étudier le transport des espèces au sein du plasma. Des confrontations modèle/expérience montrent que le modèle fluide 2D surestime les densités des particules chargées mais prédit de façon satisfaisante la composition neutre et ionique du plasma. Le modèle global constitue le premier pas vers une modélisation du régime basse puissance des plasmas inductifs chlorés ; il nous a permis d'étudier les instabilités qui se développent à la transition E-H.

La gravure plasma de structures à fort rapport d'aspect dans le silicium est une étape clé dans la fabrication de microsystèmes et de composants de microélectronique de puissance. L'objectif de ce travail est de développer un procédé de gravure profonde du silicium, qui fonctionne à plus haute température de substrat que le procédé cryogénique en chimie plasma SF6/O2 et qui présente une meilleure stabilité en température et en concentration de gaz passivant(s). Dans ce but, de nouvelles voies de passivation non polymérisante ont été explorées. Nous avons évalué les possibilités de passivation par l'apport de SO2 en remplacement de O2. A température cryogénique, les propriétés de gravure sont semblables en plasma SF6/SO2 et SF6/O2 ; elles sont corrélées aux densités de neutres mesurées par spectrométrie de masse et actinométrie. La majeure partie des recherches a été consacrée à l'étude de la molécule SiCl4 comme précurseur de passivation. Nous avons au préalable analysé les interactions entre espèces générées en plasma SF6/SiCl4. Les expériences de caractérisation du plasma montrent que les réactions aux parois entre atomes F et espèces SiClx contrôlent la chimie du plasma et donc les propriétés de gravure du silicium. En mélange SF6/O2/SiCl4, ces réactions influent également sur la vitesse de gravure du substrat, mais l'ajout de SiCl4 à SF6/O2 a surtout pour effet de favoriser l'attaque chimique latérale. Nous avons finalement étudié la possibilité de former une couche de passivation par plasma SiCl4/O2 à température de substrat de -20 °C. Les résultats de cette étude permettent de proposer un nouveau procédé, basé sur l'alternance d'étapes de gravure par plasma SF6 et d'étapes de passivation par plasma SiCl4/O2.

Avec la miniaturisation des composants CMOS, l'utilisation du polysilicium comme matériau de grille est aujourd'hui remise en cause. L'insertion d'une couche métallique entre le diélectrique de grille et le polysilicium est alors indispensable mais nécessite le développement de nouveaux procédés de gravure plasma. L'objectif de ce travail est de proposer un procédé de gravure plasma pour la gravure des métaux W et WN dans un empilement polysilicium/TiN/W(WN)/high-k (matériau à haute permittivité diélectrique). <br />La première étape a donc consisté à caractériser les matériaux de départ en distinguant la caractérisation avant et après intégration dans l'empilement de grille. Les différences révélées à travers cette première étude ont imposé deux stratégies de gravure différentes. Nous proposons une solution en gravant le WN en Cl2/O2 et le W en Cl2/O2/NF3. Cette solution permet une gravure verticale du métal sans dégrader l'intégralité de la grille et le diélectrique sous-jacent.<br />Le deuxième volet de ce travail a consisté à comprendre de manière approfondie les mécanismes de gravure du W et du WN dans les chimies à base de Cl2/O2. Les aspects étudiés sont les interactions plasma/surface, la composition des plasmas de type Cl2/O2, les couches de passivation qui se forment sur les flancs des motifs gravés et l'état de surface des parois du réacteur.

Les interactions entre les plasmas créés par couplage inductif et les parois du réacteur sont responsables du manque de reproductibilité des procédés de gravure par plasma auquel est confrontée l'industrie microélectronique. Nous avons mis en évidence le mécanisme global de formation des dépôts sur les parois du réacteur pendant la gravure de divers matériaux grâce à une technique d'analyse des parois basée sur la spectroscopie de photoélectrons X. L'utilisation de plasmas à base de fluor est inévitable pour retirer ces dépôts et ainsi obtenir une reproductibilité satisfaisante, mais elle conduit à la formation de matériau AlFx sur les parois en Al2O3 des réacteurs - et ainsi à des dérives de procédés - à moins de lui associer un nettoyage par plasma à base de SiCl4 (ou de BCl3). Nous avons également étudié une stratégie de conditionnement des parois du réacteur avec du carbone qui permet d'améliorer la reproductibilité des procédés de gravure tout en supprimant le problème d'apparition de l'AlFx. L'impact de la nature chimique des parois du réacteur sur la physico-chimie des plasmas à base de chlore est détaillé et le rôle majeur du recyclage des espèces sur les parois du réacteur est mis en évidence.

Ce travail de thèse s'inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS à ces dimensions ultimes.<br /> Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor inférieures à 30nm, les variations moyennes de la longueur de grille, appelées rugosité de bord, entraînent des fluctuations électriques dans le transistor inacceptables pour le bon fonctionnement des futures générations de dispositifs. Il convient donc de contrôler ce paramètre afin de le réduire. Pour réussir ce défi technologique, il est essentiel de le mesurer avec précision afin, par la suite, de comprendre ses origines et son évolution après chaque étape technologique de fabrication. <br /> Dans un premier temps, nous nous sommes intéressés à la mesure la rugosité de bord, à l'aide d'un nouvel équipement de métrologie : le microscope à force atomique en trois dimensions. Nous avons évalué les capacités de cet outil et déterminé un protocole de mesure de la rugosité de bord, qui nous a permis ensuite d'étudier ses origines et d'étudier son évolution lors des différentes étapes technologiques de fabrication d'une grille de transistors MOS. Nous avons remarqué que la formation de la rugosité de bord est un problème complexe qui fait intervenir de nombreux facteurs fortement liés entre eux. Par la suite, nous montrons que le bombardement ionique d'un procédé de gravure plasma est responsable de la diminution de la rugosité de bord de la résine. Nous avons également mis en évidence que la rugosité de bord du masque avant la gravure de la grille est un paramètre clé pour le contrôle de la rugosité de la grille finale.

L'intérêt des guides d'onde à base de couches minces chalcogénures pour des applications dans l'infrarouge comme la métrologie de l'environnement, l'amplification optique ou l'interférométrie spatiale est démontré. La réalisation de ces guides par empilement et gravure de couches non dopées ou dopées erbium est ensuite décrite, étape par étape. La première d'entre elles a consisté à acquérir la maîtrise du dépôt des verres chalcogénures purs par pulvérisation cathodique radiofréquence. Des films de bonne qualité et aux propriétés reproductibles ont pu être obtenus. La dépendance des propriétés des films en fonction de leur épaisseur a été mise en évidence. La deuxième étape concerne le dopage erbium des couches minces chalcogénures, pour la réalisation de composants actifs. L'introduction de l'erbium sous sa forme optiquement active Er(3+) a pu être mise en évidence par la présence du phénomène de photoluminescence dans les couches. Les premières mesures de durées de vie sont par ailleurs très encourageantes. La troisième étape de la réalisation des guides d'onde est la gravure des couches guidantes : trois types de gravure (gravures chimique, sous plasma inerte et sous plasma réactif) ont été testés et comparés. Des marches de bonne qualité ont pu être obtenues par chacune de ces trois méthodes. La dernière étape décrite dans ce manuscrit est la réalisation et la caractérisation des guides proprement dits : deux types de guide (TIR et ARROW) ont été réalisés et testés avec succès.

Cette thèse est un des premiers travaux sur les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH)de la filière InP ayant une base en GaAsSb. Une méthode de mesure précise des offsets des<br />hétérojonctions de type II par électroluminescence, associée aux mesures électriques a permis de clarifier les conditions du transport électronique dans le système InP/GaAsSb et d'initier l'utilisation d'un émetteur en InGaAlAs. Deux briques technologiques spécifiques ont été développées : la gravure chimique sélective de InGaAlAs par rapport à GaAsSb et la réalisation de contacts ohmiques très faiblement résistifs sur p-GaAsSb. Ceci a permis l'assemblage d'un procédé de fabrication de TBH ultra-rapides dans cette filière. La faisabilité de ce procédé a été démontrée par la réalisation de TBH submicroniques ayant des fréquences ( fT ; fmax) de (155 ; 162) GHz. Son optimisation, protégée par deux brevets, montre des perspectives pour atteindre des fréquences ( fT ; fmax) de (380 ; 420) GHz.