Die vorliegende Arbeit behandelt die Herstellung geordneter C60-Schichten, ihre elektrochemische Nanostrukturierung in wässrigen Lösungen und ionischen Flüssigkeiten und den Einsatz geordneter und nanostrukturierter Fullerenschichten in organischen Dünnschichttransistoren. Geordnete C60-Schichten wurden durch thermische Verdampfung im Hochvakuum hergestellt. Als Substratmaterial wurden HOPG (Graphit), Glimmer und einkristallines Silizium verwendet. Die größten einkristallinen Bereiche werden auf HOPG-Substraten erhalten. Die laterale Ausdehnung der C60-Kristallite parallel zu den Graphitstufen kann bis zu 50 µm erreichen, orthogonal zu den Stufen ist das Wachstum durch die Graphitstufen begrenzt. Die elektrochemische Reduktion von C60 -Schichten in wässriger Lösung ist elektrochemisch irreversibel. Die geflossene Ladung beträgt ein Vielfaches der theoretisch möglichen Menge. Durch die Reduktion tritt eine Nanostrukturierung der Schichtoberfläche ein, die Größe der gebildeten Cluster beträgt 20 nm bis 50 nm. Fullerenpolymere und hydriertes C60 sind die chemischen Hauptprodukte der elektrochemischen Nanostrukturierung in wässriger Lösung. Die Reduktion von Fullerenschichten in ionischen Flüssigkeiten ist aufgrund der geschlossenen Schichtoberfläche und des starken Potentialabfalls in der Fullerenschicht zunächst kinetisch gehemmt und setzt erst bei negativeren Potentialen im Bereich der Reduktion zum C60-Dianion ein. Die Reduktion der Fullerenschichten ist elektrochemisch irreversibel, zum Teil aber chemisch reversibel. Es konnte erstmals der Einsatz nanostrukturierter C60 -Schichten als aktives Halbleitermaterial in Feldeffekt-Transistoren gezeigt werden. Für die Verwendung nanostrukturierter Fullerenschichten in Feldeffekt-Transistoren wurde 11-(3-Thienyl-)undecyl-trichlorosilan als Haftvermittler eingesetzt. Die gezeigten Ergebnisse von C60 -Transistoren mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit und der erfolgreichen Verwendung nanostrukturierter Fullerenschichten in Transistorstrukturen zeigen die Möglichkeiten des C60 als aktives Halbleitermaterial auf.

Die vorliegende Arbeit behandelt die Herstellung geordneter C60-Schichten, ihre elektrochemische Nanostrukturierung in wässrigen Lösungen und ionischen Flüssigkeiten und den Einsatz geordneter und nanostrukturierter Fullerenschichten in organischen Dünnschichttransistoren. Geordnete C60-Schichten wurden durch thermische Verdampfung im Hochvakuum hergestellt. Als Substratmaterial wurden HOPG (Graphit), Glimmer und einkristallines Silizium verwendet. Die größten einkristallinen Bereiche werden auf HOPG-Substraten erhalten. Die laterale Ausdehnung der C60-Kristallite parallel zu den Graphitstufen kann bis zu 50 µm erreichen, orthogonal zu den Stufen ist das Wachstum durch die Graphitstufen begrenzt. Die elektrochemische Reduktion von C60 -Schichten in wässriger Lösung ist elektrochemisch irreversibel. Die geflossene Ladung beträgt ein Vielfaches der theoretisch möglichen Menge. Durch die Reduktion tritt eine Nanostrukturierung der Schichtoberfläche ein, die Größe der gebildeten Cluster beträgt 20 nm bis 50 nm. Fullerenpolymere und hydriertes C60 sind die chemischen Hauptprodukte der elektrochemischen Nanostrukturierung in wässriger Lösung. Die Reduktion von Fullerenschichten in ionischen Flüssigkeiten ist aufgrund der geschlossenen Schichtoberfläche und des starken Potentialabfalls in der Fullerenschicht zunächst kinetisch gehemmt und setzt erst bei negativeren Potentialen im Bereich der Reduktion zum C60-Dianion ein. Die Reduktion der Fullerenschichten ist elektrochemisch irreversibel, zum Teil aber chemisch reversibel. Es konnte erstmals der Einsatz nanostrukturierter C60 -Schichten als aktives Halbleitermaterial in Feldeffekt-Transistoren gezeigt werden. Für die Verwendung nanostrukturierter Fullerenschichten in Feldeffekt-Transistoren wurde 11-(3-Thienyl-)undecyl-trichlorosilan als Haftvermittler eingesetzt. Die gezeigten Ergebnisse von C60 -Transistoren mit hoher Ladungsträgerbeweglichkeit und der erfolgreichen Verwendung nanostrukturierter Fullerenschichten in Transistorstrukturen zeigen die Möglichkeiten des C60 als aktives Halbleitermaterial auf.

京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(情報学) / 甲第25444号 / 情博第882号 / 新制||情||148(附属図書館) / 京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻 / (主査)教授 佐藤 高史, 教授 橋本 昌宜, 教授 新津 葵一 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Informatics / Kyoto University / DFAM

研究生：江雅文(1999) 論文題目：光電產業競爭優勢之研究--以國內LCD產業為例 研究所名稱：國立政治大學企業管理學系碩士班 論文摘要： 光電產業中的「光電顯示元件」在未來高度資訊化的時代中將扮演著重要的人機界面媒介，除了筆記型電腦及LCD監視器的應用之外，在「後PC時代」中，消費性電子產品及多媒體產品的應用範圍將擴大，對顯示元件之需求量將大增。現在的消費大眾對電子產品的要求傾向輕薄、省電、低輻射、環保性。傳統的CRT(Cathode Ray Tube, 陰極射線管)顯示器已無法滿足這方面的訴求，因而各類的平面顯示器正不斷地被研發中。包括液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)、電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel)、電激發光顯示器(ELD，Electron Luminescent Display)、真空螢光顯示器(VFD，Vacuum Fluorescent Display)、發光二極體(LED，Light Emitting Diode)、場發射顯示器(FED，Field Emission Display)等。 液晶顯示器(以下簡稱LCD)則因技術已趨成熟，其需求隨著全球筆記型電腦及LCD監視器市場的成長而迅速擴增，此外，液晶顯示技術的發展也刺激了其他電子產品的創新，其範圍涵蓋了資訊、通訊及消費性電子商品等。因此，LCD產業的發展被資訊界喻為本世紀末的產業革命之一，因為其具有輕薄、省電、無輻射、不佔空間及可攜性等優勢，隨著多元化應用的推廣及技術的發展，LCD的整體市場規模將急遽成長。 由於液晶顯示器產業是一個相當重要的高科技產業，對於國內相關產業的關鍵零組件自主性與促進產業升級都有重大的影響。尤其是這個產業在技術與市場上的變化仍相當快速。目前以日本及韓國對我國之威脅最大，我國廠商要如何在這個光電市場領域中建立競爭優勢，找到適當定位，是一個很重要的課題。此外，自1997年開始，國內各大廠商及集團紛紛集資興建大尺寸TFT-LCD廠，預計在1999年至2001年間投產。究竟這個產業有何吸引力，為何能夠讓各種不同型態的廠商爭相投入，是個有趣的問題。而在一陣投資熱潮之後，業者是否會因產能過剩，面臨殺價競爭的慘烈局面，投入的業者應如何在這樣不確定的環境前題之下建立競爭優勢，則是個應認真思考的嚴肅議題。 本研究希望透過研究的過程，廣泛地探討競爭優勢的觀念，從競爭優勢形成的條件、競爭優勢的來源，到競爭優勢最後表現出的市場競爭效果，做一觀念上的釐清，以便對競爭優勢的分析有一深入的認知。進而找出一套適用於光電顯示元件LCD產業之有系統的競爭優勢分析架構。在實務上則希望能夠作為業者擬定企業競爭策略及政府擬定產業政策的基礎。 研究首先確立研究背景。在釐清研究問題與目的之後，著手蒐集相關產業資訊，並據以界定研究範圍；並根據文獻探討擬定研究架構作為LCD產業分析之基本架構。競爭優勢分析之理論基礎主要係按照Porter(1980)的五力分析架構，於初步了解台灣LCD產業的優勢、劣勢、機會與威脅之後，再根據Porter(1990)國家優勢競爭之鑽石模型概念分析我國發展LCD產業之競爭優勢形成條件，最後，再針對台灣LCD產業的未來發展提出策略建議。 本研究為一探索性研究，為釐清LCD產業的環境及條件前提，必須建立產業分析的基本資料。首先廣泛地蒐集國內外相關的文獻、報告、期刊、雜誌、報紙及新聞等次級資料，採用Porter(1980)五力分析架構及Porter(1990)國家優勢競爭之鑽石模型概念將之整理、歸納。本著資訊收集網路化的原則，透過網際網路瀏覽器廣泛地蒐集相關網站資訊。接著，對國內廠商與相關專家進行訪談，以了解國內產業最新發展動態及其對產業競爭優勢之看法，期能提出我國LCD產業之競爭優勢狀況及可行策略，作為業者之參考。 目 錄 第一章 緒論 第一節 研究背景 1 第二節 研究問題與目的 4 第三節 研究範圍 5 第二章 文獻探討 第一節 競爭優勢的觀念 7 第二節 競爭優勢及其來源 8 第三節 價值鏈模型 22 第四節 鑽石模型 24 第五節 動態競爭理論 26 第三章 研究設計 第一節 研究流程及架構 30 第二節 分析方法及資料來源 31 第三節 研究限制 32 第四章 光電產業概述 第一節 世界光電產業概述 34 第二節 我國光電產業概述 36 第三節 結論 47 第五章 LCD產業之發展概述 第一節 LCD產業概述 50 第二節 整體LCD產業發展趨勢 71 第三節 我國LCD產業發展概況 83 第四節 LCD產業未來發展趨勢 105 第六章 我國LCD產業之競爭優勢分析 第一節 我國LCD產業結構分析 117 第二節 我國LCD產業之競爭優勢分析 121 第三節 LCD產業之鑽石模型分析模式 126 第四節 我國LCD產業未來發展策略建議 130 第七章 結論與建議 第一節 結論 135 第二節 建議 138 參考文獻 141 附錄一 145

Semi conductors are of technological importance and attracted many of the re-searchers. ZnO belongs to the family of II-VI semiconductors and has material properties well suitable to UV light emitters, varistors, Schottky diodes, gas sensors, spintronics, ferroelectric devices and thin film transistors. It has been considered as a competitor to GaN, which belongs to the family of III-V semiconductors. This is due to the fact that ZnO of high quality can be deposited at lower growth temperatures than GaN, leading to the possibility of transparent junctions on less expensive substrates such as glass. This will lead to low-cost UV lasers with important applications in high-density data storage systems etc. One of the most popular growth techniques of ZnO is physical sputtering. As compared to sol-gel and chemical-vapor deposition, the magnetron sputtering is a preferred method because of its simplicity and low operating temperatures. Hence, detailed investigations were carried out on undoped and doped ZnO thin films primarily deposited by magnetron sputtering. The obtained results in the present work are presented in the form of a thesis. Chapter 1: A brief discussion on the crystal structure of ZnO material and its possible applications in the different areas such as Schottky diodes, spintronics, ferroelectric devices and thin film transistors are presented. Chapter 2: This chapter deals with various deposition techniques used in the present study. It includes the magnetron sputtering, thermal oxidation, pulsed-laser ablation and sol-gel technique. The experimental set up details and the deposition procedures are described in detail i.e., the deposition principle and the parameters that will affect the film properties. A brief note on the structural characterization equipments namely, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, transmission electron microscopy and the optical characterization equipments namely, transmission spectroscopy is presented. The transport properties of the films were studied which include Dielectric studies, impedance studies, device characterization and are discussed. Chapter 3: The optimization of ZnO thin films for Schottky diode formation and The characterization of various Schottky diodes is presented in this chapter. P-type conductivity in ZnO was implemented by the variation of partial pressure of oxygen during the sputtering and are discussed. A method to achieve low series resistance hetero-junction was achieved using thermal oxidation method and the detailed transport properties were studied. The optical investigation carried out on the ZnO thin films under various growth conditions are also presented. Chapter 4: This chapter deals with the processing, structural, electrical, optical and magnetic properties of Mn doped ZnO thin films grown by pulsed laser ablation. Structural investigations have shown that the Mn incorporation increases the c-axis length due to the relatively larger ionic size of the Mn ions. Studies conducted both at low and high concentration region of Zn1¡xMnxO thin films showed that the films are anti-ferromagnetic in nature. The transport measurements revealed that the electrical conductivity is dominated by the presence of shallow traps. Optical investigations suggested the absence of midgap absorption and confirm the uniform distribution of Mn in wurtzite structure. Chapter 5: Carrier induced ferromagnetism in Co doped ZnO thin films were studied and the results are presented in this chapter. High density targets were prepared by solid state reaction process and the thin films were deposited by pulsed laser ablation technique. Two compositions were studied and it was found that with increase in substrate temperature, c-axis length decreases. Optical studies suggested a strong mid gap absorption around 2eV and could be attributed to the d-d transitions of tetrahedral coordinated Co2+. The presence of ferromagnetism in these films makes them potential candidates for spintronics applications. Chapter 6: It has been reported in literature that o®-centered polarization will drive ferroelectric phase transition. Motivated by such results, substitution of Lithium in ZnO was studied in detail. The structural and electrical properties were investigated over a wide range of composition (0-25%). The ferroelectric studies were carried out both in metal-insulator-metal (MIM) and metal-insulator-semiconductor (MIS) configuration and are presented in this chapter. The appearance of Ferro electricity in these films makes them potential candidates for ferroelectric memory devices. Chapter 7: This chapter describes the studies conducted on Mg doped ZnO Thin films grown by multi-magnetron sputtering. The hexagonal phases of the films were evaluated. All the films exhibited c-axis preferred orientation towards (002) orientation. Micro structural evolutions of the films were carried out through scanning electron microscopy and atomic force microscopy. Ferroelectric properties were investigated in both metal-insulator-metal (MIM) and metal-insulator-semiconductor (MIS) configurations. It was observed that the Mg concentration increases the band gap and the details on optical investigations are also presented in this chapter. Chapter 8: ZnO based thin film transistors have been fabricated and characterized using ZnO as active channel layer and Mg doped ZnO as dielectric layer. Excellent leakage properties of the gate dielectric were studied and presented in this chapter. These studies demonstrated that Mg doped ZnO thin films are suitable candidates for gate dielectric applications. Conclusions: This section presents the conclusions derived out of the present work. It also includes a few suggestions on future work on this material.

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Simulation und Modellierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFETs). Mittels numerischer Simulationen wurden detaillierte Untersuchungen zu mehreren Problemstellungen durchgeführt. So wurde der Einfluss einer exponentiellen Verteilung von Trapzuständen, entsprechend dem sogenannten a-Si- oder TFT-Modell, auf die Transistorkennlinien untersucht. Dieses Modell dient der Beschreibung von Dünnschicht-Transistoren mit amorphen Silizium als aktiver Schicht und wird teils auch für organische Transistoren als zutreffend angesehen. Dieser Sachverhalt wird jedoch erstmals in dieser Arbeit detailliert untersucht und simulierte Kennlinien mit gemessenen Kennlinien von OFETs verglichen. Insbesondere aufgrund der Dominanz von Hysterese-Effekten in experimentellen Kennlinien ist jedoch eine endgültige Aussage über die Gültigkeit des a-Si-Modells schwierig. Neben dem a-Si-Modell werden auch noch andere Modelle diskutiert, z.B. Hopping-Transport zwischen exponentiell verteilten lokalisierten Zuständen (Vissenberg, Matters). Diese Modelle liefern, abhängig von den zu wählenden Modellparametern, zum Teil ähnliche Abhängigkeiten. Möglicherweise müssen die zu wählenden Modellparameter selbst separat gemessen werden, um eindeutige Schlussfolgerungen über den zugrundeliegenden Transportmechanismus ziehen zu können. Unerwünschte Hysterese-Effekte treten dabei sowohl in Transistorkennlinien als auch in Kapazitäts-Spannungs- (CV-) Kennlinien organischer MOS-Kondensatoren auf. Diese Effekte sind bisher weder hinreichend experimentell charakterisiert noch von ihren Ursachen her verstanden. In der Literatur findet man Annahmen, dass die Umladung von Trapzuständen oder bewegliche Ionen ursächlich sein könnten. In einer umfangreichen Studie wurde daher der Einfluß von Trapzuständen auf quasistatische CV-Kennlinien organischer MOS-Kondensatoren untersucht und daraus resultierende Hysterese-Formen vorgestellt. Aus den Ergebnissen läßt sich schlussfolgern, dass allein die Umladung von Trapzuständen nicht Ursache für die experimentell beobachteten Hysteresen in organischen Bauelementen sein kann. Eine mögliche Erklärung für diese Hysterese-Effekte wird vorgeschlagen und diskutiert. In einem weiteren Teil der Arbeit wird im Detail die Arbeitsweise des source-gated Dünnschicht-Transistors (SGT) aufgezeigt, ein Transistortyp, welcher erst kürzlich in der Literatur eingeführt wurde. Dies geschieht am Beispiel eines Transistors auf der Basis von a-Si als aktiver Schicht, die Ergebnisse lassen sich jedoch analog auch auf organische Transistoren übertragen. Es wird geschlussfolgert, dass der SGT ein gewöhnlich betriebener Dünnschicht-Transistor ist, limitiert durch das Sourcegebiet mit großem Widerstand. Die detaillierte Untersuchung des SGT führt somit auf eine Beschreibung, die im Gegensatz zur ursprünglich verbal diskutierten Arbeitsweise steht. Ambipolare organische Feldeffekt-Transistoren sind ein weiterer Gegenstand der Arbeit. Bei der Beschreibung ambipolarer Transistoren vernachlässigen bisherige Modelle sowohl die Kontakteigenschaften als auch die Rekombination von Ladungsträgern. Beides wird hingegen in den vorgestellten numerischen Simulationen erstmalig berücksichtigt. Anhand eines Einschicht-Modellsystems wurde die grundlegende Arbeitsweise von ambipolaren (double-injection) OFETs untersucht. Es wird der entscheidende Einfluß der Kontakte sowie die Abhängigkeit gegenüber Variationen von Materialparametern geklärt. Sowohl der Kontakteinfluß als auch Rekombination sind entscheidend für die Arbeitsweise. Zusätzlich werden Möglichkeiten und Einschränkungen für die Datenanalyse mittels einfacher analytischer Ausdrücke aufgezeigt. Es zeigte sich, dass diese nicht immer zur Auswertung von Kennlinien herangezogen werden dürfen. Weiterhin werden erste Simulationsergebnisse eines ambipolaren organischen Heterostruktur-TFTs mit experimentellen Daten verglichen.

在台灣，未來很有可能帶領台灣高科技產業向上突破的新英雄---薄晶電晶體液晶顯示器（TFT-LCD），已逐漸為人所重視，近來，TFT-LCD產業的更是利多頻傳，不但在股票成交量創下新高，股價更是一再突破新高。本文則是希望以資料包絡分析法(DEA)來比較分析台灣各家廠商（友達、華映、奇美電、廣輝、彩晶）的相對經營績效，研究範圍從2001年第四季一直到2004年的第一季，所採用的投入變數即為資產總額、營業成本、營業費用和員工人數，產出變數我們則採用營業收入和營業淨利。 總結來看，廠商在CCR和BCC模式下，雖然在平均排名上，兩個模式並不盡相同，但由時間趨勢來看，五家廠商在趨勢變動上，大致是一樣的；效率值表現較好的時期為2002Q1、和2002Q2和2004Q1，較差的則為2002Q4和2003Q1，推測其原因，一部分當然是和景氣的波動有關，但也和面板的價格波動有一定程度的相關。 藉由Tobit 迴歸分析，意味著廠商可藉由提高每人配備率、總資產週轉率、流動比率、研發費用率及經營年限等變數，可提昇廠商的整體技術效率，提供了一些政策方向供廠商參考。 以Malmquist生產力指數來看，總要素生產力的變動（Tfpch）大部分的因素，是來自於生產技術的變動(Tech）；彩晶在總要素生產力的變動上，平均有16.8%的成長，是第1名，其他的廠商則呈現不大的差別；但若以時間趨勢來看，2001Q4到2002Q1和2003Q1到2003Q2兩各階段都有滿大的成長，但在2002Q2到2002Q3和2002Q3到2002Q4兩個階段卻呈現衰退的表現。 / In Taiwan, TFT-LCD, which is likely to lead high-tech to strive upward in the future, has been receiving more and more attention. Recently, TFT-LCD industry has come into great blossom. Not only does the stock transaction amount achieve a record-breaking peak, but the stock price also makes breakthroughs at all times. This research is to use Data Envelopment Analysis(DEA) to compare and analyze the relative operating efficiency of chief leaders in the high-tech industry, including AUO, CPT, CMO, QDI to HannStar. The research ranges from the 4th quarter in 2001 to the 1st quarter in 2004. The researcher adopts input variables, which include total assets, business costs, business expenses and employees, and output variables, business revenues and business net profits, as well. On the whole, in spite of CCR and BCC model, the average order is different, but approximately similar. The quarters, which perform well, are the 1st quarter in 2002 and the 1st quarter in 2004; the bad quarters are the 4th quarter in 2002 and the 1st quarter in 2003. To speculate reasons, it has to do with the business cycle and panel board price fluctuation. Under the frame, by use of Tobit analysis, factories can strengthen total technology efficiency by raising equipment per employee, total asserts turnover, current ratio, R & D ratio, and the period of operating. It provides these factories a referential direction. In conclusion, according to Malmquist index analysis, the Tfpch is the better part from the tech. HannStar, with 16.8% average growth in Tfpch, is the top one. The other factories are nearly close. In the time period, from the 4th quarter in 2001 to the 1st quarter in 2002, and from the 1st quarter in 2003 to the 2nd quarter in 2003, the other factories has a high growth, but from the 2nd quarter in 2002 to the 3rd quarter in 2002 and from the 3rd quarter in 2002 to the 4th quarter in 2002, there is a decline in growth.

Thin Film Transistors (TFTs) are widely used in large area electronics because they offer the advantage of low cost fabrication and wide substrate choice. TFTs have been conventionally used for switching applications in large area display arrays. But when it comes to designing a sensor actuator system on a flexible substrate comprising entirely of organic and inorganic TFTs, there are two main challenges – i) Fabrication of complementary TFT devices is difficult ii) TFTs have a drift in their threshold voltage (VT) on application of gate bias. Also currently there are no circuit simulators in the market which account for the effect of VT drift with time in TFT circuits. The first part of this thesis focuses on integrating the VT shift model in the commercially available AIM-Spice circuit simulator. This provides a new and powerful tool that would predict the effect of VT shift on nodal voltages and currents in circuits and also on parameters like small signal gain, bandwidth, hysteresis etc. Since the existing amorphous silicon TFT models (level 11 and level 15) of AIM-Spice are copyright protected, the open source BSIM4V4 model for the purpose of demonstration is used. The simulator is discussed in detail and an algorithm for integration is provided which is then supported by the data from the simulation plots and experimental results for popular TFT configurations. The second part of the thesis illustrates the idea of using negative feedback achieved via contact resistance modulation to minimize the effect of VT shift in the drain current of the TFT. Analytical expressions are derived for the exact value of resistance needed to compensate for the VT shift entirely. Circuit to realize this resistance using TFTs is also provided. All these are experimentally verified using fabricated organic P-type Copper Phthalocyanine (CuPc) and inorganic N-type Tin doped Zinc Oxide (ZTO) TFTs. The third part of the thesis focuses on building a robust amplifier using these TFTs which has time invariant DC voltage level and small signal gain at the output. A differential amplifier using ZTO TFTs has been built and is shown to fit all these criteria. Ideas on vertical routing in an actual sensor actuator interface using this amplifier have also been discussed such that the whole system may be “tearable” in any contour. Such a sensor actuator interface can have varied applications including wrap around thermometers and X-ray machines.

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Simulation und Modellierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFETs). Mittels numerischer Simulationen wurden detaillierte Untersuchungen zu mehreren Problemstellungen durchgeführt. So wurde der Einfluss einer exponentiellen Verteilung von Trapzuständen, entsprechend dem sogenannten a-Si- oder TFT-Modell, auf die Transistorkennlinien untersucht. Dieses Modell dient der Beschreibung von Dünnschicht-Transistoren mit amorphen Silizium als aktiver Schicht und wird teils auch für organische Transistoren als zutreffend angesehen. Dieser Sachverhalt wird jedoch erstmals in dieser Arbeit detailliert untersucht und simulierte Kennlinien mit gemessenen Kennlinien von OFETs verglichen. Insbesondere aufgrund der Dominanz von Hysterese-Effekten in experimentellen Kennlinien ist jedoch eine endgültige Aussage über die Gültigkeit des a-Si-Modells schwierig. Neben dem a-Si-Modell werden auch noch andere Modelle diskutiert, z.B. Hopping-Transport zwischen exponentiell verteilten lokalisierten Zuständen (Vissenberg, Matters). Diese Modelle liefern, abhängig von den zu wählenden Modellparametern, zum Teil ähnliche Abhängigkeiten. Möglicherweise müssen die zu wählenden Modellparameter selbst separat gemessen werden, um eindeutige Schlussfolgerungen über den zugrundeliegenden Transportmechanismus ziehen zu können. Unerwünschte Hysterese-Effekte treten dabei sowohl in Transistorkennlinien als auch in Kapazitäts-Spannungs- (CV-) Kennlinien organischer MOS-Kondensatoren auf. Diese Effekte sind bisher weder hinreichend experimentell charakterisiert noch von ihren Ursachen her verstanden. In der Literatur findet man Annahmen, dass die Umladung von Trapzuständen oder bewegliche Ionen ursächlich sein könnten. In einer umfangreichen Studie wurde daher der Einfluß von Trapzuständen auf quasistatische CV-Kennlinien organischer MOS-Kondensatoren untersucht und daraus resultierende Hysterese-Formen vorgestellt. Aus den Ergebnissen läßt sich schlussfolgern, dass allein die Umladung von Trapzuständen nicht Ursache für die experimentell beobachteten Hysteresen in organischen Bauelementen sein kann. Eine mögliche Erklärung für diese Hysterese-Effekte wird vorgeschlagen und diskutiert. In einem weiteren Teil der Arbeit wird im Detail die Arbeitsweise des source-gated Dünnschicht-Transistors (SGT) aufgezeigt, ein Transistortyp, welcher erst kürzlich in der Literatur eingeführt wurde. Dies geschieht am Beispiel eines Transistors auf der Basis von a-Si als aktiver Schicht, die Ergebnisse lassen sich jedoch analog auch auf organische Transistoren übertragen. Es wird geschlussfolgert, dass der SGT ein gewöhnlich betriebener Dünnschicht-Transistor ist, limitiert durch das Sourcegebiet mit großem Widerstand. Die detaillierte Untersuchung des SGT führt somit auf eine Beschreibung, die im Gegensatz zur ursprünglich verbal diskutierten Arbeitsweise steht. Ambipolare organische Feldeffekt-Transistoren sind ein weiterer Gegenstand der Arbeit. Bei der Beschreibung ambipolarer Transistoren vernachlässigen bisherige Modelle sowohl die Kontakteigenschaften als auch die Rekombination von Ladungsträgern. Beides wird hingegen in den vorgestellten numerischen Simulationen erstmalig berücksichtigt. Anhand eines Einschicht-Modellsystems wurde die grundlegende Arbeitsweise von ambipolaren (double-injection) OFETs untersucht. Es wird der entscheidende Einfluß der Kontakte sowie die Abhängigkeit gegenüber Variationen von Materialparametern geklärt. Sowohl der Kontakteinfluß als auch Rekombination sind entscheidend für die Arbeitsweise. Zusätzlich werden Möglichkeiten und Einschränkungen für die Datenanalyse mittels einfacher analytischer Ausdrücke aufgezeigt. Es zeigte sich, dass diese nicht immer zur Auswertung von Kennlinien herangezogen werden dürfen. Weiterhin werden erste Simulationsergebnisse eines ambipolaren organischen Heterostruktur-TFTs mit experimentellen Daten verglichen.