Submitted by Renata Lopes (renatasil82@gmail.com) on 2017-08-21T19:15:12Z No. of bitstreams: 1 alessianahelenamachado.pdf: 2020827 bytes, checksum: 87061a02b07d6d6e92c3f1dcee06da4c (MD5) / Approved for entry into archive by Adriana Oliveira (adriana.oliveira@ufjf.edu.br) on 2017-08-24T12:04:37Z (GMT) No. of bitstreams: 1 alessianahelenamachado.pdf: 2020827 bytes, checksum: 87061a02b07d6d6e92c3f1dcee06da4c (MD5) / Made available in DSpace on 2017-08-24T12:04:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 alessianahelenamachado.pdf: 2020827 bytes, checksum: 87061a02b07d6d6e92c3f1dcee06da4c (MD5) Previous issue date: 2017-07-21 / O objetivo no presente estudo foi comparar, quantitativamente, os artefatos metálicos produzidos em imagens de tomografia computadorizada de feixe cônico (TCFC) por implantes instalados em diferentes regiões maxilomandibulares. Para isso, um total de 200 implantes, selecionados de exames de TCFC, foi dividido em quatro grupos: Grupo 1 (n = 50) - implantes localizados na região anterior da maxila; Grupo 2 (n = 50) - implantes localizados na região posterior da maxila; Grupo 3 (n = 50) - implantes localizados na região anterior da mandíbula e Grupo 4 (n = 50) - implantes localizados na região posterior da mandíbula. Os implantes ainda foram classificados em isolados ou adjacentes a outros implantes. Foram selecionados três cortes axiais de cada implante incluído na amostra (apical, médio e cervical). Nesses cortes foram mensurados os artefatos produzidos pelos implantes. Para comparar as variáveis com dois grupos foi aplicado o teste U de Mann-Whitney. Para a comparação entre os cortes axiais foram aplicados os testes de Kruskal-Wallis e Student-Newman-Keuls. A mandíbula apresentou uma quantidade de artefatos maior que a maxila (corte apical: p = 0,0024; corte médio: p < 0,0001). A região anterior produziu mais artefatos que a região posterior (corte apical: p = 0,0105; corte médio: p < 0,0316). Não houve diferença significativa na quantidade de artefatos entre implantes isolados e adjacentes e o corte cervical foi o mais acometido por artefatos. Pode-se concluir que os implantes dentários sempre produzem artefatos metálicos em imagens de TCFC, sendo esses artefatos influenciados pela localização anatômica na arcada dentária. / The objective of the present study was to compare, quantitatively, the metal artifacts produced in cone beam computed tomography (CBCT) images by dental implants installed in different maxillomandibular regions. A total of 200 implants selected from CBCT examinations were divided into four groups: Group 1 (n = 50) - implants located in the anterior maxilla; Group 2 (n = 50) - implants located in the posterior maxilla; Group 3 (n = 50) - implants located in the anterior mandible; and Group 4 (n = 50) - implants located in the posterior mandible. The implants were further classified as isolated or adjacent to other implants. Three axial slices were selected for each sampled implant (apical, middle and cervical). On each slice, the artifacts produced by the implants were counted. The Mann-Whitney U test was used to compare the variables between groups. The Kruskal-Wallis and Student-NewmanKeuls tests were used to compare the axial slices. The mandible showed a greater number of artifacts than the maxilla (apical slice: p = 0.0024; middle slice: p < 0.0001). The anterior region produced more artifacts than the posterior region (apical slice: p = 0.0105; middle slice: p < 0.0316). There was no significant difference in the number of artifacts between isolated and adjacent implants, and the cervical slice was most affected by artifacts. It can be concluded that dental implants always produce metal artifacts in CBCT images, and these artifacts are affected by the anatomical location in the dental arch.

Submitted by Geandra Rodrigues (geandrar@gmail.com) on 2018-10-24T11:31:17Z No. of bitstreams: 0 / Approved for entry into archive by Adriana Oliveira (adriana.oliveira@ufjf.edu.br) on 2018-10-24T15:48:14Z (GMT) No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2018-10-24T15:48:14Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2018-08-08 / O objetivo do trabalho foi quantificar, em imagens de tomografia computadorizada de feixe cônico (TCFC) obtidas com diferentes protocolos, os artefatos metálicos produzidos por implantes de titânio instalados em diferentes regiões da mandíbula. Os implantes foram instalados em quatro diferentes regiões (incisivo, canino, pré-molar e molar) de um phamtom e submetidos a exames de TCFC com variação da posição do objeto no interior do FOV (central, anterior, posterior, direita e esquerda), variação do FOV (6 x 13 e 12 x 13 cm) e do tamanho do voxel (0,25 e 0,30 mm). Um corte axial da região cervical de cada implante foi selecionado para quantificação. Os testes de Kruskal-Wallis e Student-Newman-Keuls foram utilizados para comparação das regiões dos dentes e entre as diferentes posições do phantom dentro do FOV. O teste de Wilcoxom foi utilizado para comparar a variação de tamanho do FOV e voxel. O teste ANOVA fatorial para avaliar a interação entre as variáveis do estudo. A região de incisivo apresentou a maior quantidade de artefatos, em comparação as outras regiões (p=0,0315). Não houve diferença significativa na variação da posição do phantom dentro do FOV (p=0,7418). O FOV menor produziu mais artefatos (p<0,0001). Ao comparar as imagens produzidas com diferentes resoluções, o menor voxel produziu mais artefatos (p<0,0001). Os artefatos metálicos sofrem influência do tamanho do FOV e do voxel, além da região anatômica. A variação da localização do phantom no interior do FOV não alterou a quantidade de artefatos. / O objetivo do trabalho foi quantificar, em imagens de tomografia computadorizada de feixe cônico (TCFC) obtidas com diferentes protocolos, os artefatos metálicos produzidos por implantes de titânio instalados em diferentes regiões da mandíbula. Os implantes foram instalados em quatro diferentes regiões (incisivo, canino, pré-molar e molar) de um phamtom e submetidos a exames de TCFC com variação da posição do objeto no interior do FOV (central, anterior, posterior, direita e esquerda), variação do FOV (6 x 13 e 12 x 13 cm) e do tamanho do voxel (0,25 e 0,30 mm). Um corte axial da região cervical de cada implante foi selecionado para quantificação. Os testes de Kruskal-Wallis e Student-Newman-Keuls foram utilizados para comparação das regiões dos dentes e entre as diferentes posições do phantom dentro do FOV. O teste de Wilcoxom foi utilizado para comparar a variação de tamanho do FOV e voxel. O teste ANOVA fatorial para avaliar a interação entre as variáveis do estudo. A região de incisivo apresentou a maior quantidade de artefatos, em comparação as outras regiões (p=0,0315). Não houve diferença significativa na variação da posição do phantom dentro do FOV (p=0,7418). O FOV menor produziu mais artefatos (p<0,0001). Ao comparar as imagens produzidas com diferentes resoluções, o menor voxel produziu mais artefatos (p<0,0001). Os artefatos metálicos sofrem influência do tamanho do FOV e do voxel, além da região anatômica. A variação da localização do phantom no interior do FOV não alterou a quantidade de artefatos.

Orientadores: Christoph Friedrich Deneke, Eduardo Granado Monteiro da Silva / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-25T16:50:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MercesSilva_Leandrodas_M.pdf: 8926273 bytes, checksum: 010f49f410852b0ba0278adfc3e091fa (MD5) Previous issue date: 2014 / Resumo: Nanomembranas livres são definidas como filmes ultrafinos constituídos por metais, óxidos ou semicondutores, com espessuras nanométricas e vastas áreas superficiais. São obtidas em geral por um processo de subcorrosão seletiva de uma camada de sacrifício, cujo papel é liberá-las gradualmente, permitindo que o relaxamento da energia elástica nelas armazenada aconteça de maneira controlada, garantindo a integridade final das estruturas. Neste trabalho, nanomembranas livres de Si suportadas por um substrato de SOI foram utilizadas como substratos complacentes para o crescimento de ilhas de InAs em uma câmara de MBE. Além disso, nanomembranas metálicas tensionadas (Ag/Ti/Cr/Ag) foram utilizadas na obtenção de microtubos metálicos enrolados. Análises detalhadas da morfologia das amostras, das estruturas das ilhas e dos microtubos, do strain em ambos os sistemas e de suas possíveis aplicações foram realizadas. A microscopia eletrônica de varredura mostrou que as estruturas permaneceram íntegras após as deformações. A microscopia de força atômica revelou uma baixa densidade de ilhas no topo das nanomembranas de Si. Ademais, possibilitou o aperfeiçoamento de parâmetros superficiais das nanomembranas metálicas e o enrolamento de microtubos com diâmetros pré definidos, garantindo convergência com o modelo analítico. Técnicas de difração de raios X e modelagem por elementos finitos foram utilizadas para elucidar os estados de strain observados em ambas as estruturas. As simulações das curvaturas do substrato complacente de Si e do microtubo metálico sugeriram, respectivamente, um gradiente de strain dependente da posição lateral de cada ilha na nanomembrana e coeficientes de strain constantes nas nanomembranas de Ti e Cr. Finalmente, cálculos envolvendo elasticidade contínua sugeriram que para uma nanomembrana de Si com espessura adequada, o InAs pode transferir strain suficiente para possibilitar o crescimento epitaxial coerente. Ainda, medidas de espectroscopia Raman em moléculas auto organizadas de 1-octadecanethiol, adsorvidas em Ag e aprisionadas entre as paredes dos microtubos metálicos, sugeriram que tal sistema pode ser utilizado como um dispositivo SERS para self-assembled monolayers / Abstract: Freestanding nanomembranes (NMs) are defined as metallic, semiconductor or oxide ultrathin films with nanometer thickness and macroscopic surface areas. In general, they are obtained by a process of selective underetching of a sacrificial layer, whose role is gradually release them, allowing relaxation of their stored elastic energy in a controlled way, ensuring integrity of the final structure. In this work, freestanding edge-supported Si nanomembranes are used as compliant substrate to the InAs growth on a SOI substrate in a MBE chamber. Furthermore, strained metallic nanomembranes (Ag / Ti / Cr / Ag) are used to obtain rolled-up metallic microtubes. A detailed analysis of sample morphology, InAs island and metallic microtube structure, strain on both systems and their possible applications is carried out. Scanning electron microscopy shows the structures stay intact during and after deformation. Atomic force microscopy reveals a lower island density on the top of the freestanding membranes. Moreover, it allowed optimizing the surface parameters of the strained metallic membranes, rolling-up tubes with pre-defined diameters and ensuring convergence with the proposed analytical model. X-ray diffraction and finite element modeling is used to elucidate the observed strain states in both structures. The bending simulations of compliant Si substrate and rolled up metallic microtube suggest, respectively, a lateral strain distribution depending on the island position on the freestanding membrane and a constant strain distribution on the Ti/Cr strained NMs. Finally, continuous elasticity calculations suggest that for a Si nanomembrane with adequate thickness, the InAs can transfer enough strain to enable coherent epitaxial growth. In addition, Raman spectroscopy measurements of 1-octadecanethiol self-assembled molecules adsorbed on an Ag nanomembrane and trapped between the microtube Ag walls suggest the system could be used as a SERS sensor for self-assembled monolayers / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: José Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-21T10:50:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AudreyRoberto_M.pdf: 3023922 bytes, checksum: ee750f675d01f2b3ceebd5d74149b16e (MD5) Previous issue date: 2012 / Resumo: Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da superficie texturizada de 15% obtida com a formação de micro-pirâmides (alturas entre 3 e 7 ?m), utilizando-se solução alcalina de NH4OH (hidróxido de amônia), que e livre da contaminação indesejável por íons de Na+ e K+ quando se utiliza soluções tradicionais de NaOH e de KOH, respectivamente, e ii) de deposição ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Vapor Deposition) da camada antirrefletora (ARC) de SiNX (nitreto de silício), que e executada em temperatura ambiente, portanto pode ser feita apos a finalização da célula sem danificar trilhas metálicas e alterar a profundidade da junção n+/p. A caracterização desta camada ARC mostrou que o nitreto tem índice de refração de 1,92 e refletância mínima de 1,03%, o que e um excelente resultado para uso em células solares (ou fotovoltaicas). Foram fabricadas cinco series de células fotovoltaicas, utilizando-se a texturização com NH4OH e a camada antirrefletora de nitreto de Si. Em quatro series utilizou-se o processo de implantação de íons de fósforo (31P+), com posterior recozimento, para a formação da região n+, enquanto que na quinta serie foi utilizado o processo de difusão térmica. As eficiências máximas para as células fabricadas são de 9% e de 12%, respectivamente, para as células feitas utilizando os processos de implantação e de difusão térmica, indicando que a implantação de íons causa danos na rede cristalina do silício, que o posterior recozimento não consegue corrigir, o que reduz a eficiência da célula / Abstract: This work presents the development of photovoltaic cells based on n+/p junction in Si substrates, with fully compatible fabrication processes with CMOS technology. The compatible processes, which are developed in this study, are the techniques: i) of Si surface texturing, with the textured surface reflection of 15% obtained by the formation of micro-pyramids (heights between 3 and 7 ?m) using NH4OH (ammonium hydroxide) alkaline solution, which is free of undesirable contamination by Na + and K + ions, when NaOH and KOH traditional solutions are used, respectively, and ii) of the ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance - Chemical Vapor Deposition) deposition of SiNx (silicon nitride) anti-reflective coating (ARC), which is carried out at room temperature and can be performed after the end of cell fabrication without damage on metallic tracks and without variation of n+/p junction depth. The ARC coating characterization presented that the silicon nitride has a refractive index of 1.92 and a minimum reflectance of 1.03%, which is an excellent result for application in solar (or photovoltaic) cells. Five series of photovoltaic cells were fabricated, using the NH4OH solution texturing and the silicon nitride antireflective coating. In the first four series, phosphorus (31P+) ion implantation process, with subsequent annealing to get the region n+, was used, while, in the fifth series was used the thermal diffusion process. The maximum efficiency values are of 9% and 12%, respectively, for cells, which were fabricated using the ion implantation and thermal diffusion processes, indicating that the ion implantation damages the silicon crystal lattice and the subsequent annealing cannot rectify, which reduces the cell efficiency / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: José Antonio Siqueira Dias / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-26T13:53:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tercariol_WalterLuis_D.pdf: 1322557 bytes, checksum: 4f45518a1a62907cd9a61afa627408c3 (MD5) Previous issue date: 2014 / Resumo: Este trabalho visa compilar três contribuições na melhoria dos projetos de reguladores de tensão com unidades de bombeamento de carga embutidos (células elevadoras de tensão Dickson - BC). A primeira aborda uma técnica inovadora de arranque na partida deste módulo elevador quando habilitado. Este projeto se refere à aceleração da inicialização do modulo BC, tendo como objetivo a diminuição do intervalo de tempo da rampa ascendente da tensão de saída Vo até atingir o nível alvo de regulação. A técnica consiste em gerenciar o aumento da freqüência do relógio de bombeamento entregue as unidades de bombeamento durante a fase de subida, quando a regulação estiver estabelecida o sistema se regenera voltando ao estado original de freqüência de bombeamento natural. Uma segunda proposta inovadora de projeto é referente à homogeneização e redução da aleatoriedade da ondulação da tensão de saída Vo, referente ao regulador com o modulo BC embutido, baseado em comparadores com trava, com proposta de redução do erro de comparação devido ao efeito aleatório durante o estagio de comparação comumente encontrado neste tipo de abordagem, a técnica consiste em suprimir o acoplamento capacitivo nocivo durante a fase de isolamento elétrico no processo de comparação mantendo o espelho de corrente do comparador na região de saturação. Esta técnica visa proporcionar uma redução significativa da capacitância de desacoplamento utilizada para filtragem da tensão Vo. Uma terceira e última contribuição é referente a uma inovadora técnica de medição indireta da tensão de saída Vo do regulador com módulo BC baseada em uma medida simples e precisa dos pares tensão da porta e fonte (VPS) e corrente elétrica do dreno (Idreno) de um dispositivo NMOS de alta tensão adicionado de modo que duas tensões conhecidas (preestabelecidas) são aplicadas na porta do dispositivo e as respectivas correntes de dreno são mensuradas e uma terceira desconhecida (oriunda do regulador elevador BC) desconhecida pode ser extrapolada de forma simples. Esta técnica visa ser útil para medição de reguladores de baixa potencia pois o carregamento do regulador (Vo) é quase nulo.Todas as inovações e melhorias propostas foram analisadas em veículos de teste (silício) e com as provas de conceito, feitas em simulações elétricas / Abstract: This work aims to compile contributions in improving designs based on voltage regulators with voltage elevator with built-in charge pump CP. The first deals with an innovative technique rump-up this module when enabled. This project refers to the acceleration of startup the CP module, aiming at the reduction of the period of stabilization of the ramp output voltage Vo to the level of regulation target. The technique is to manage increasing the frequency of pumping clock during the phase of rump up and when the setting established the system regenerates back to the original state pumping frequency. A second innovative project proposal was made on the homogenization and reduction of the ripple of the output voltage Vo, referring to the regulator with the |CP module, based on latch comparators , alignment error reduction proposal because of the random effect during the stage comparison commonly found in this type of approach, the technique is to remove the harmful capacitive coupling during electrical isolation phase on the comparison keeping the comparator current mirror in saturation region. This technique aims to provide a significant reduction in the decoupling capacitance used for filtering the voltage Vo. A third and final contribution is related to an innovative technique of indirect measurement of the output voltage Vo of the regulator module CP, based on a simple and accurate measure of the gate voltage and couples the drain electric current of a high voltage NMOS device / Doutorado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-14T10:56:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Amaral_WellingtonAvelinodo.pdf: 14948298 bytes, checksum: 62522f5a0f70fd9563d5ac2c4c4652e2 (MD5) Previous issue date: 2009 / Resumo: Este trabalho teve como finalidade o projeto e prototipagem de uma referência de tensão CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) baseada na tensão de limiar do transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor). A inovação apresentada neste trabalho é a utilização de uma arquitetura original e com alto desempenho. Nas medidas realizadas em laboratório o circuito apresentou uma variação de 11ppm/0C. Desempenho este comparável às referências do tipo bandgap. Também foi projetado um sensor de temperatura com coeficiente térmico igual a 1mV/0C. Portanto, dois circuitos foram enviados para fabricação (o circuito ceinv35 e o circuito ceinv66). O circuito ceinv35, utilizando suas estruturas de trimmer, pode operar como referência de tensão ou como sensor de temperatura. O circuito ceinv66 foi a principal configuração estudada. Ele utiliza um circuito extrator de Vth, um circuito de start-up e um amplificador operacional. O circuito extrator de Vth utiliza uma topologia inovadora. Nos dois circuitos (ceinv35 e ceinv66) foram utilizadas estruturas de trimmer para possibilitar ajustes externos. No capítulo de introdução é apresentado um "overview" dos circuitos utilizados como referência de tensão. São analisadas algumas referências do tipo bandgap e algumas técnicas usualmente utilizada para o projeto de referências de tensão CMOS. No capítulo 2 são analisados o princípio de funcionamento e todo o equacionamento do circuito proposto. No capítulo 3 são apresentados os resultados de simulação. O circuito ceinv35 apresentou um coeficiente térmico igual a 1mV/0C, funcionando ele como sensor de temperatura. Já operando como referência de tensão, a variação apresentada foi de 4:06ppm/0C. O circuito ceinv66 apresentou uma variação de apenas 3:14ppm/0C. O capítulo 4 cobre o projeto dos layouts dos circuitos. Eles foram projetados utilizando a tecnologia da AMS (Austria Microsystems) de comprimento mínimo de canal igual a 0:35_m. No capítulo 5 são apresentados os resultados da extração de parasitas dos circuitos. Após esta análise foi verificada a necessidade de reajuste dos circuitos, utilizando as estruturas de trimmer. No capítulo 6 são fornecidos os resultados experimentais dos dois circuitos. No capítulo 7 é apresentada uma alternativa para o projeto da referência de tensão sem a necessidade da utilização do circuito de start-up. Neste mesmo capítulo também é apresentada uma proposta de metodologia para projeto dos trimmers do circuito. No capítulo 8 são discutidas as inovações propostas neste trabalho e algumas conclusões sobre o projeto apresentado. / Abstract: The objective of this work is to design and prototype a CMOS voltage reference based on the threshold voltage of the MOS transistor. The innovation presented in this work is the use of an original architecture with high performance. In the laboratory measurements the circuit presented 11ppm/0C of variation. This performance is comparable to the bandgap references. A temperature sensor was also designed and presented a temperature coefficient of 1mV/0C. Therefore, two circuits were prototyped (the ceinv35 circuit and the ceinv66 circuit). The circuit ceinv35, using the trimmer structures, can operate as a voltage reference or a temperature sensor. The circuit ceinv66 was the main topology studied. It uses a Vth extractor circuit, a start-up circuit and an operational amplifier. The Vth extractor circuit uses an original topology. In both circuits (ceinv35 and ceinv66) were used trimmer structures to make possible off-chip adjusts. In the introduction chapter is presented an overview of the circuits used as voltage references. Some bandgap references and some techniques used to design CMOS voltage references are analyzed. In chapter 2 are shown the operation principles and the equations extracted of the proposed circuit. In chapter 3 are shown the simulation results. The circuit ceinv35 presented a temperature coefficient of 1mV/0C, working as a temperature sensor. On the other side, working as a voltage reference, the variation presented was 4:06ppm/0C. The circuit ceinv66 presented a variation of just 3:14ppm/0C. The chapter 4 covers the layout design of the circuits. The AMS (Austria Microsystems) technology with a minimum channel length of 0:35_m was used. In chapter 5 are presented the parasitic extraction simulations. After this analyses new adjusts were made in the circuits. The trimmers structures were used for this adjusts. In chapter 6 are provided the experimental results of both circuits. In chapter 7 is presented an alternative for the voltage reference design without using a start-up circuit. In this chapter is also presented a methodology for the trimmers design. In chapter 8 are discussed the proposed innovations and some conclusions about the design presented. / Universidade Estadual de Campi / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Doutor em Engenharia Elétrica

El presente trabajo de investigación tiene como objetivo elaborar un plan de mejora de la gestión de procura del encofrado metálico con la finalidad de reducir la variabilidad en el costo final del alquiler de encofrado y apuntalamiento durante la etapa constructiva de edificios multifamiliares ejecutados en la ciudad de Lima metropolitana. Se analizaron datos de cinco proyectos ejecutados en Miraflores, Jesús María, Barranco y Lima Cercado en los cuales se registraron diferencias económicas negativas respecto al presupuesto inicial de alquiler de encofrado. Se realizo encuestas a las personas involucradas en el proceso de procura de encofrado para identificar las causas de estas variaciones de costo y mediante herramientas de gestión se determinaron cuáles fueron las de mayor incidencia. Finalmente se estableció un plan de mejora del proceso tomando en cuenta los defectos y omisiones encontrados en las gestiones de procura de los proyectos que se tomaron como objeto de estudio y además se incorporaron algunas herramientas que permitan mejorar la comunicación entre el constructor y los proveedores de los equipos de encofrado. / The objective of this research work was to elaborate a plan to improve the management of the metallic formwork procurement in order to reduce cost overruns in the formwork rental and shoring during the construction stage of multifamily buildings executed in the city of metropolitan Lima. Data from five projects executed in Miraflores, Jesús María, Barranca and Lima Cercado were analyzed, in which negative economic differences were registered with respect to the initial formwork rental budget. Surveys were carried out among the people involved in the formwork procurement process to identify the causes of these cost variations and through management tools it was determined which were the ones with the highest incidence. Finally, a process improvement plan was established, taking into account the errors and omissions found in the projects that were taken as the object of study, and some tools were also incorporated to improve communication between the constructor and the companies that rent the formwork equipment. / Tesis

Neste trabalho avaliou-se a ação positiva da substituição de lantânio por praseodímio e de lantânio por magnésio na performance eletroquímica de eletrodos de ligas de armazenamento de hidrogênio em estado bruto de fusão e com tratamento térmico. O La foi substituído por Mg nas ligas La0,7-xMgxPr0,3Al0,3Mn0,4Co0,5Ni3,8 (x=0,0-0,7) e por Pr nas ligas La0,7-yPryMg0,3Al0,3Mn0,4Co0,5Ni3,8 (y=0,0-0,7). Os parâmetros eletroquímicos analisados foram ativação, capacidade de descarga, retenção da capacidade de descarga, autodescarga e alta taxa de descarga. As ligas apresentaram comportamento passivo em relação à corrosão. As análises por MEV/EDS e por DRX com refinamento por Rietveld revelaram a presença majoritária de fases similares às fases LaNi5, PrNi5, LaMg2Ni9 e PrMg2Ni9 em função das composições das ligas estudadas. Os parâmetros de rede e os volumes da célula unitária das fases diminuíram com a substituição crescente de La por Mg e de La por Pr. As capacidades de descarga máxima decresceram com a substituição crescente de La por Mg e de La por Pr, acompanhando o decréscimo da abundância da fase similar à fase LaNi5 e o aumento da abundância da fase similar à fase LaMg2Ni9. Comparativamente, menores taxas de autodescarga e maior estabilidade cíclica foram observadas para o eletrodo da liga na condição x=0,1, ao passo que o eletrodo da liga na condição y=0,0 apresentou maiores valores de alta taxa de descarga, indicando melhor performance cinética. / In this work, the positive action of the substitution of lanthanum by praseodymium and lanthanum by magnesium in the electrochemical performance of the as-cast and annealed hydrogen storage alloys electrodes had been evaluated. La was replaced by Mg in La0.7-xMgxPr0.3Al0.3Mn0.4Co0.5Ni3.8 (x=0.0-0.7) alloys and by Pr in La0.7-yPryMg0.3Al0.3Mn0.4Co0.5Ni3.8 (y=0.0-0.7) alloys. The electrochemical parameters analyzed were activation, discharge capacity, discharge capacity retention, self-discharge rate and high-rate dischargeability. The alloys showed a passive corrosion behavior. The analyses by SEM/EDS and XRD with Rietveld refinement revealed the majority presence of LaNi5, PrNi5, LaMg2Ni9 and PrMg2Ni9 similar reference phases depending on the compositions of the studied alloys. The lattice parameters and cell volumes of the component phases decreased with increasing substitution of La for Mg and with La for Pr. The maximum discharge capacity decreased with increasing substitution of La for Mg and with La for Pr, following the decrease in the abundance of LaNi5 similar phase and the increase in the abundance of to the LaMg2Ni9 similar phase. Lower self-discharge rates were observed for the alloy electrode when x=0.1, while higher high-rate dischargeability for the alloy electrode when y=0.0 indicated better kinetic performance, comparatively.

La memoria de tesis titulada “Inmovilización de complejos organometálicos en soportes sólidos para aplicación en catálisis” presenta una serie de trabajos encaminados a la obtención de catalizadores híbridos, que sean estables, activos, selectivos y reutilizables en reacciones de hidrogenación e hidroformilación de olefinas. Para ello, se han estudiado diversos métodos para inmovilizar complejos metálicos en materiales carbonosos y sólidos inorgánicos: adsorción física, anclaje por formación de un enlace covalente e intercambio iónico. Estos catalizadores se han usado en las reacciones mencionadas, analizando sus propiedades catalíticas (actividad y selectividad), así como la robustez de los mismos y las posibilidades de reutilización.

Tese de mestrado integrado. Engenharia Metalúrgica e de Materiais. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2011