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161	Electrothermal device-to-circuit interactions for half THz SiGe∶C HBT technologies / Interactions électrothermiques du transistor au circuit pour des technologies demi-THz TBH SiGe∶C Weisz, Mario 25 November 2013 (has links) Ce travail concerne les transistors bipolaires à hétérogène TBH SiGe. En particulier, l'auto-échauffement des transistors unitaires et le couplage thermique avec leurs plus proches voisins périphériques sont caractérisés et modélisés. La rétroaction électrothermique intra- et inter-transistor est largement étudiée. En outre, l’impact des effets thermiques sur la performance de deux circuits analogiques est évalué. L'effet d'autoéchauffement est évalué par des mesures à basse fréquence et des mesures impulsionnelles DC et AC. L'auto-échauffement est diminué de manière significative en utilisant des petites largeurs d'impulsion. Ainsi la dépendance fréquentielle de l’autoéchauffementa été étudiée en utilisant les paramètres H et Y. De nouvelles structures de test ont été fabriqués pour mesurer l'effet de couplage. Les facteurs de couplage thermique ont été extraits à partir de mesures ainsi que par simulations thermiques 3D. Les résultats montrent que le couplage des dispositifs intra est très prononcé. Un nouvel élément du modèle de résistance thermique récursive ainsi que le modèle de couplage thermique a été inclus dans un simulateur de circuit commercial. Une simulation transitoire entièrement couplée d'un oscillateur en anneau de 218 transistors a été effectuée. Ainsi, un retard de porte record de 1.65ps est démontré. À la connaissance des auteurs, c'est le résultat le plus rapide pour une technologie bipolaire. Le rendement thermique d'un amplificateur de puissance à 60GHz réalisé avec un réseau multi-transistor ou avec un transistor à plusieurs doigts est évalué. La performance électrique du transistor multidoigt est dégradée en raison de l'effet de couplage thermique important entre les doigts de l'émetteur. Un bon accord est constaté entre les mesures et les simulations des circuits en utilisant des modèles de transistors avec le réseau de couplage thermique. Enfin, les perspectives sur l'utilisation des résultats sont données. / The power generate by modern silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) can produce large thermal gradients across the silicon substrate. The device opering temperature modifies model parameters and can significantly affect circuit operation. This work characterizes and models self-heating and thermal coupling in SiGe HBTs. The self-heating effect is evaluated with low frequency and pulsed measurements. A novel pulse measurement system is presented that allows isothermal DC and RF measurements with 100ns pulses. Electrothermal intra- and inter-device feedback is extensively studied and the impact on the performance of two analog circuits is evaluated. Novel test structures are designed and fabricated to measure thermal coupling between single transistors (inter-device) as well as between the emitter stripes of a multi-finger transistor (intra-device). Thermal coupling factors are extracted from measurements and from 3D thermal simulations. Thermally coupled simulations of a ring oscillator (RO) with 218 transistors and of a 60GHz power amplifier (PA) are carried out. Current mode logic (CML) ROs are designed and measured. Layout optimizations lead to record gate delay of 1.65ps. The thermal performance of a 60GHz power amplifier is compared when realized with a multi-transistor array (MTA) and with a multi-finger trasistor (MFT). Finally, perspectives of this work within a CAD based circuit design environment are discussed. Hétéro-transistors bipolaires (HBT) Technologies térahertz Modélisation électrothermique Couplage thermique mutuel Oscillateur en anneau Retards de grille de multiplication Amplificateur de puissance Transistor à plusieurs doigts Résistance thermique Capacité thermique Impédance thermique Mesures impulsion Simulation TCAD thermique Terahertz technologies Electrothermal modeling Mutual thermal coupling Intra-device coupling Inter-device coupling Device to circuit interactions Ring oscillator Propagation gate delay Power amplifier Multi-finger transistor Thermal resistance Thermal capacitance Thermal impedance Semiconductor device characterizations Pulse measurements Semiconductor device modeling Thermal TCAD simulation
162	Kunskapsproduktion kring fetischism : Att förhålla sig till sakorienterad sexualitet Nilsson-Jatko, David January 2023 (has links) Detta projekt söker efter vägledande principer för en kunskapsproduktion kring fetischistisk sexualitet. Detta har utförts genom diskursanalytiska och genealogiska studier av hur fetischism konstrueras i olika sociokulturella sammanhang. Analysen indikerar att fetischistisk sexualitet existerar i en marginaliserad position i ett maktrelationellt landskap, där yttre grupper har olika incitament till att återge fetischism på bristfälliga, sexualiserande och andrafierande sätt. Detta medför olika problem vad gäller kunskapsproduktionen kring fetischistisk sexualitet och kan antas bidra till upprätthållandet av nuvarande sexualnormer. För att minimera dessa kunskapsproduktionsproblem föreslås åtta vägledande principer: En ansvarstagande kunskapsproduktion som utgår från subjektet; medvetenhet om stereotyper och om patologins kvardröjande ok; användande av icke-andrafierande terminologi; medvetenhet om könsorienteringsnormen; medvetenhet om politiserade begrepp; undvikande av låsning i subkulturell identitetspolitik; en förståelse för den abjektas möjligheter att tala; samt bruk av intrasektionell analys. Dessa principer kan förstås bidra till ett tillgängliggörande av forskningsfältet kring fetischism samt bidra till en allmän förståelse för sexualitet bortom kön. / This project aims to find guiding principles for a knowledge production around fetishism. This has been conducted through discourse analysis and genealogical studies of the construction of fetishism in central contexts. The analysis indicates that fetishism is marginalised in a weave of power relations, where external interests have incitaments to vilify, sexualise and otherise fetishistic sexuality. This is understood to potentially cause various problems when it comes to knowledge production around fetishism. In order to minimise these problems, eight guiding principles are suggested: A knowledge production based in the subject; awareness of lingering pathological notions and stereotypes; usage of non-othering terminology; awareness of the sex/gender orientation norm; awareness of politicised definitions; awareness of subcultural identity politics; an understanding of the abject's ability to speak; and usage of intra-sectional analysis. Fetishism fetishism research fetishism studies knowledge production queer queer theory queer studies sexology fetish fetishist gender gender studies gender and queer studies gender science norm norms sex/gender orientation norm sex orientation norm gender orientation norm orientation sexual orientation preference sexual preference minorities sexual minorities lgbt lgbtq lgbtqi lgbtqia normativity heteronorm heteronormativity erasure sexualisation sexualization marginalisation marginalization intersectionality intrasectionality opression law legislation discrimination cultural dominance Fetischism fetischismforskning fetischismstudier kunskapsproduktion kunskapsideal queer sexologi sexualvetenskap begär fetisch fetish fetischist fetishism queerteori genus genusvetenskap genusstudier norm normer könsorienteringsnorm könsorienteringsnormen läggning sexuell läggning orientering sexuell orientering preferens sexuell preferens minoriteter sexuella minoriteter hbtq hbtqi hbt hbtqia heteronorm heteronormen osynliggörande erasure sexualisering synlighet normkritik sanningsregim marginalisering intersektionalitet intrasektionalitet strukturellt förtryck lagstiftning diskrimineringslag diskrimineringslagen diskrimineringslagstiftning kulturdominans Gender Studies Genusstudier

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Electrothermal device-to-circuit interactions for half THz SiGe∶C HBT technologies / Interactions électrothermiques du transistor au circuit pour des technologies demi-THz TBH SiGe∶C

Kunskapsproduktion kring fetischism : Att förhålla sig till sakorienterad sexualitet