• Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 98
  • 71
  • 42
  • 7
  • 5
  • 5
  • 5
  • 3
  • 2
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • Tagged with
  • 250
  • 49
  • 42
  • 29
  • 29
  • 24
  • 22
  • 19
  • 19
  • 16
  • 16
  • 15
  • 15
  • 14
  • 14
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.
231

L'imaginaire des quatre éléments dans la littérature contemporaine : analyse comparée à travers Goli Taraghi et Jean Marie Gustave Le Clézio / The imagination of the four elements in contemporary literature : a comparative analysis across Goli Taraghi and Jean-Marie Gustave Le Clézio

Safavizadeh, Nazanin 03 July 2014 (has links)
Cette thèse porte sur l'imaginaire des quatre éléments à travers la littérature comparée contemporaine, entre un auteur français, Jean-Marie Gustave Le Clézio et une auteure iranienne, Goli Taraghi. La méthodologie engagée révèle à partir des qualités sensibles propres à chaque élément, des caractères symboliques. La littérature comparée exige d'autre part, d'appréhender notre sujet avec une vision élargie aux faits culturels et sociétaux car chaque auteur porte dans son imaginaire de la nature, une mémoire à la fois personnelle et collective. Cette mémoire est en effet traversée par des événements historiques particuliers qui ont une influence certaine sur la psychologie individuelle et le rapport au monde. La part du souvenir et l'interprétation du souvenir sont par conséquent attentivement observées et nous suivons ainsi le cours que l'auteur a aménagé à chaque élément, dans l'écriture de son monde. L’étude se compose de trois parties : les première et deuxième parties concernent les domaines sensible et symbolique. La troisième partie confronte les résultats obtenus en mettant en évidence des réseaux thématiques d'images et de symboles. Enfin, la conclusion nous amène à souligner l'importance de la psychologie de chaque auteur qui délimite ainsi un territoire d'exercice pour chaque élément, ébauchant une cosmogonie dont les quatre éléments ne présentent qu'un aspect. Ce qui fait l'intérêt de l'analyse dans la littérature comparée se révèle ici riche de sens en permettant l'émergence des différences et des éléments d'universalité par-delà l'érosion que produit la mondialisation de la post-modernité. L'écrivain montre une certaine indépendance par la persistance d'attitudes singulières animées par la vigueur de l'enracinement culturel. / This thesis focuses upon the imagination of the four elements through contemporary comperative literature, between French writer Jean-Marie Gustave Le Clezio and Iranian writer Goli Taraqi. The methodology used here reveals symbolic characters from the sensitive qualities of each element. On the other hand, compared literature requires that we understand our subject with a more expanded vision based on cultural and societal facts because each writer carries in his/her own imagination of the nature at times a personal and collective memory. This memory is in fact crossed by particular historic events which have a specific influence on individual psychology and relation with the world. The share of memories and the interpretation of memories are attentively observed and we follow the way the writer has designed for each element in writing his world. This study is comprised of three parts: The first and the second parts are about sensitive and symbolic areas and the third part compares the results obtained from exposing the thematic networks of images and symbols. Finally, the conclusion brings us to underscore the importance of psychology of each writer, which determines a territory of action for each element by outlining a cosmogony whose four elements represent only a single aspect. The advantage with analysis in the compared literature here is that the latter is rich in meaning, allowing the emergence of differences and elements of universality beyond erosion resulting from the globalization of post-modernity. The writer shows a sort of independence through persistence of specific lively attitudes through the vigor of cultural roots.
232

Assentamentos prec?rios em ?reas ambientalmente sens?veis: pol?ticas p?blicas e recupera??o urbana e ambiental em Campinas / Nestings precarious in environmental sensible areas: public politics and urban and ambient recovery in Campinas

Oliveira, Giovanna Ortiz de 17 February 2009 (has links)
Made available in DSpace on 2016-04-04T18:21:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Giovanna Ortiz de Oliveira.pdf: 23204662 bytes, checksum: df2c75dda1118d191370933a8d15e75e (MD5) Previous issue date: 2009-02-17 / Throughout the brazilian urbanism history, we observe the absence of the State with more efficient measures to take care of to the habitation demand. This fact has been perpetuated during years and added the current social found problems in the large cities and contributed for the environmental degradation caused by irregular nestings. The Environmental Sensible Areas vary between environmental interests to risk areas. Beyond the predatory occupation of the urban spaces with intense urbanization without planning, the precarious nestings also contribute with the alteration of the vegetation, of the ground, hydro resources and even in the change of the microclimate, becoming also a risk to the health and the physical-mental integrity of the there resident population. These urban inadequacy must be prevented and avoided, reparable and compensatory measures with adjusted technologies must be adopted to solve the diverse problems of degradation. Ahead of such situation, it is necessary to know the public politics, especially the habitation ones, directed to equate the deriving problems of occupations and the programs and techniques of urban and environmental recovery. The city of Campinas, studied region, has similarities with other regions of Brazil, with innumerable nestings also in Environmental Sensible Areas, being, therefore, a representative case. / Ao longo da hist?ria do urbanismo brasileiro, observamos a aus?ncia do Estado com medidas mais eficazes para atender ? demanda por habita??o. Esse fato se perpetuou durante os anos e, somado com os atuais problemas sociais encontrados nas grandes , contribuiu para a degrada??o ambiental ocasionada por assentamentos irregulares. As ?reas Ambientalmente Sens?veis variam entre de interesse ambiental a ?reas de risco. Al?m da ocupa??o predat?ria dos espa?os urbanos com intensa urbaniza??o sem planejamento, os assentamentos prec?rios tamb?m contribuem com a altera??o da vegeta??o, do solo, recursos h?dricos e at? na mudan?a do microclima, tornando-se inclusive risco ? sa?de e ? integridade f?sica e mental da popula??o ali residente. Essas inadequa??es urbanas devem ser evitadas, e medidas mitigadoras, reparat?rias e compensat?rias com tecnologias adequadas devem ser adotadas para solucionar os diversos problemas de degrada??o. Diante de tal situa??o, ? necess?rio conhecer as pol?ticas p?blicas, especialmente as habitacionais, voltadas para equacionar os problemas oriundos das ocupa??es e os programas e t?cnicas de recupera??o urbana e ambiental. A cidade de Campinas, regi?o estudada, tem similaridades com outras regi?es do Brasil, com in?meros assentamentos inclusive em ?reas Ambientalmente Sens?veis, sendo, portanto, um caso representativo.
233

Analysis of ultrathin gate-oxide breakdown mechanisms and applications to antifuse memories fabricated in advanced CMOS processes / Contribution à l'analyse des mécanismes de claquage d’oxyde ultra mince et applications aux mémoires antifusibles en technologies avancées

Deloge, Matthieu 15 December 2011 (has links)
Les mémoires non-volatiles programmables une fois sont en plein essor dans le monde de l’électronique embarquée. La traçabilité, la configuration ou encore la réparation de systèmes sur puce avancés font partis des applications adressées par ce type de mémoire. Plus particulièrement, la technologie antifusible présente des propriétés de sécurité autorisant le stockage d’information sensible.Ce travail de thèse est orienté vers la compréhension des mécanismes de claquage d’oxydes minces sollicités pour la programmation des cellules antifusibles ainsi que l’intégration au niveau système de moyens de détections. Une première étape fut d’étudier les phénomènes de claquage de diélectrique type SiO2 et à haute permittivité sous l’application d’un fort champ ́électrique. Des techniques de mesures dédiées ont été développées afin de réaliser des caractérisations dans les conditions de programmation des mémoires antifusible sollicitant des temps au claquage inférieurs à la micro-seconde. Ces mesures ont ensuite permis l’étude statistique du claquage des diélectriques ainsi que la modélisation sous de hautes tensions ; hors des gammes étudiées traditionnellement dans le domaine de la fiabilité. Le modèle proposé permet l’optimisation des dimensions d’une cellule élémentaire en fonction d’un temps au claquage défini au préalable. Un mécanisme inattendu occasionnant un sur courant substrat a également été mis en évidence pendant la phase de programmation. L’étude de ce phénomène a été réalisée par des caractérisations électriques et des simulations afin de conclure sur l’hypothèse d’un déclenchement d’un transistor bipolaire parasite de type PNP dans la cellule antifusible. L’impact des conditions de programmation sur le courant de lecture mesuré sous une basse tension a également été analysé. Des structures de tests analogiques dédiés ont été conçues afin de contrôler l’amplitude du courant de programmation. Le contrôle du temps de programmation est quant à lui accompli par un système de détection de courant et de temporisation. Finalement, ces solutions sont validées par un démonstrateur d’une capacité de 1-kb conçu et fabriqué sur une technologie CMOS standard avancée 32nm. / Non-volatile one-time programmable memories are gaining an ever growing interest in embedded electronics. Chip ID, chip configuration or system repairing are among the numerous applications addressed by this type of semiconductor memories. In addition, the antifuse technology enables the storage of secured information with respect to cryptography or else. The thesis focuses on the understanding of ultrathin gate-oxide breakdown physics that is involved in the programming of antifuse bitcells. The integration of advanced programming and detection schemes is also tackled in this thesis. The breakdown mechanisms in the dielectric material SiO2 and high-K under a high electric field were studied. Dedicated experimental setups were needed in order to perform the characterization of antifuse bitcells under the conditions define in memory product. Typical time-to-breakdown values shorter than a micro second were identified. The latter measurements allowed the statistical study of dielectric breakdown and the modeling in a high voltage range, i.e. beyond the conventional range studied in reliability. The model presented in this PhD thesis enables the optimization of the antifuse bitcell sizes according to a targeted mean time-to- breakdown value. A particular mechanism leading to a high bulk current overshoot occuring during the programming operation was highlighted. The study of this phenomenon was achieved using electrical characterizations and simulations. The triggering of a parasitic P-N-P bipolar transistor localized in the antifuse bitcell appeared as a relevant hypothesis. The analysis of the impact of the programming conditions on the resulting read current measured under a low voltage was performed using analog test structures. The amplitude of the programming current was controlled in an augmented antifuse bitcell. The programming time is controlled by a programming detection system and a delay. Finally, these solutions are to be validated using a 1-kb demonstrator yet designed and fabricated in a logic 32-nm CMOS process.
234

Figurations du réel : l'exemple musical : Appuis mentaux, visées, saisies et reprojections dans l'architecture cognitive / Representations of reality : the case of music : mental anchor points, designs, input and reprojections in cognitive architecture

Letailleur, Alain 18 December 2017 (has links)
La façon dont les musiciens parviennent à reconnaître les notes, par l’écoute seule ou en pratiquant leur art, a toujours fait l’objet d’une certaine fascination. Eux-mêmes, du reste, ne savent que rarement les raisons particulières qui leur permettent de disposer ainsi d’une excellente oreille musicale : « on est doué ou on ne l’est pas » reste alors souvent le raccourci qui permet de ne pas s’aventurer plus loin dans la quête d’une véritable explication. Il faut bien admettre que cette propension à pouvoir identifier des hauteurs perçues paraît ne pas trouver de véritable fondement, et ce d’autant plus que le son musical se trouve être invisible, impalpable et relativement fugace. Pour tenter de mieux comprendre les raisons liées à cette capacité mystérieuse, nous avons pris le parti d’interroger des musiciens, professionnels ou en apprentissage, afin de les questionner sur les procédures mentales qu’ils mettent en oeuvre à l’instant de l’identification notale. La description détaillée des plus petits éléments mentaux (ou la plus petite cohabitation de microéléments mentaux) que les musiciens utilisent pour effectuer cette tâche nous fait alors entrer dans un monde fascinant, qui révèle progressivement l’organisation de nombreuses actions de bas niveau, aussi ajustées à leurs fonctions que particulièrement discrètes. Ces fragments de pensées, que nous avons nommés appuis mentaux (les musiciens se repèrent en fonction de points d’ancrages mentaux adaptés pour accéder à l’identification) peuvent être décrits, sont variés dans leurs formes d’émergence à l’esprit et adoptent différents types de missions. Il a été possible de classer l’ensemble des configurations décrites en plusieurs catégories d’approches stratégiques. Certains de ces infimes gestes internes se sont tellement automatisés au fil du temps qu’ils se trouvent enfouis dans le registre inconscient. Ils deviennent alors très difficiles, voire parfois impossibles à détecter. En y regardant de plus près, nous pouvons imaginer que ces mécanismes hautement spécialisés, décrits dans un secteur restreint du monde musical, relèvent de principes fonctionnels généraux qui semblent s’activer, en réalité, à tout instant de notre vie quotidienne, pour chaque opération que nous sommes appelés à effectuer : calculer, orthographier, créer, faire du sport, cuisiner, bricoler ou bien penser tout simplement. C’est ce que la seconde partie de recherche tente de montrer dans un premier temps, pour exposer ensuite une bien étrange problématique, concernant les rapports interactifs qui s’opèrent entre contenus perceptifs et représentationnels (de nombreux témoignages font en effet état de situations où les appuis mentaux s’invitent directement sur la scène perceptive). La confrontation de ces deux univers, à travers le maniement de ce que nous avons appelé les reprojections mentales, nous met en situation de questionner les rouages qui sont en jeu dans l’édification de la cognition humaine, et interroge sur les conséquences qu’ils impliquent vis-à-vis de notre compréhension du réel. / The way musicians identify notes has always been a fascinating subject. In order to understand this competence of theirs, we have opted to interview professional and learner musicians so as to analyse the mental methods they use to fulfil this task. A detailed description of the faintest mental processes involved in so doing opens on a bewildering world which exposes an organisation of many low level actions as adapted to their functions as they are subtle. These fragments of thoughts - which we have called mental anchor points - can be described, are varied in their ways of surfacing and can engage in diverse mission types. When subjected to closer scrutiny, we can imagine that these highly specialised mechanisms fall within the sphere of general functional principles which seem to be active at every moment of our lives, for whichever operation we try to perform: calculating, taking part in sports activities, cooking or simply thinking. This is what the second part of this study first tries to show, before disclosing a strange system of issues concerning interactive relations between perceptions and representations. Many testimonies mention situations in which mental anchor points play a prominent part in our perceptive behaviour. The confrontation of these two universes, thanks to the use of what we have called mental reprojections, makes it possible for us to examine the machinery at stake in our cognitive constructions and to analyse the consequences they imply concerning our comprehension of the real world.
235

Enhanced adhesives for the encapsulation of flexible organic photovoltaic modules / Adhésifs améliorés pour l'encapsulation des modules organiques photovoltaïques flexibles

Boldrighini, Patrick Mark 30 June 2015 (has links)
La limitation de perméation des gaz aux bordes de l’encapsulation des photovoltaïques organiques flexibles a été adressée par l’identification des chemins de perméation du vapeur d’eau et par la formulation des nanocomposites adhésives. Une version modifiée du test de calcium optique a été développée pour identifier l’importance des chemins de perméation différents présent dans l’encapsulation des modules photovoltaïques organiques flexibles. Les nanoparticules des phyllosilicates et les nanoparticules des zéolithes ont été dispersées dedans les formulations des adhésifs différents incluant les adhésifs acryliques sensibles à pression et les adhésifs UV réticulables. Les propriétés mécaniques, optiques, et barrières de vapeur d’eau des nanocomposites ont été caractérisés en plus de leur photo-stabilité sous irradiation UV. Les nanocomposites ont été également utilisés pour encapsuler les cellules photovoltaïques organiques et la stabilité des dispositifs a été évaluer sous les conditions de vieillissement accélérés d’humidité et température. / In order to address the issue of lateral water and oxygen permeation through the sides of the encapsulation and into flexible organic photovoltaic (OPV) devices, the water vapor permeation pathways were identified and several adhesive nanocomposites formulated and tested to limit these pathways. To identify the relative importance of the various water vapor permeation pathways present in the encapsulation of flexible OPV devices, a modified version of the optical calcium test was developed. Passive nanoparticles (phyllosilicates) and active nanoparticles (zeolites) were both evaluated dispersed in UV curing acrylate adhesives and acrylic block copolymer pressure sensitive adhesives. The nanocomposites were characterized for their mechanical and optical properties as well as their water vapor permeation and UV photostability. The adhesives were also used to encapsulate OPV devices and tested in accelerated humidity aging.
236

3D integration of single electron transistors in the back-end-of-line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors / Intégration 3D de dispositifs SETs dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation

Ayadi, Yosri 16 December 2016 (has links)
Les systèmes mobiles intelligents sont déjà dotés de plusieurs composants de type capteur comme les accéléromètres, les thermomètres et les détecteurs infrarouge. Cependant, jusqu’à aujourd’hui l’intégration de capteurs chimiques dans des systèmes compacts sur puce reste limitée pour des raisons de consommation d’énergie et dissipation de chaleur principalement. Le travail présenté dans cette thèse fut donc concentrée sur la démonstration de l’intégration 3D monolithique de SETs sur un substrat de technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) pour la réalisation de la fonction capteurs de gaz très sensible et ultra basse consommation d’énergie. L’approche proposée consiste à l’intégration de SETs métalliques à double grilles dans l'unité de fabrication finale BEOL (Back-End-Of-Line) d'une technologie CMOS à l’aide du procédé nanodamascene. L'objectif principal de cette thèse de doctorat peut être divisé en 4 parties : (1) la modélisation et simulation de la réponse d’capteur de gaz à base de SET à double grilles ou d’un MOSFET FD-SOI, et l’estimation de la sensitivité ainsi que la puissance consommée; (2) la caractérisation de la sensitivité du Pt comme couche sensible pour la détection du H2 par la technique de mesure de charge de surface, et le développement du procédé de texturation de surface de la grille fonctionnalisée avec les réseaux de nanotubes de carbone; (3) le développement et l’optimisation du procédé de fabrication des SETs à double grilles dans l’entité BEOL d’un substrat CMOS; et (4) la fonctionnalisation d’un MOSFET FD-SOI avec du Pt pour réalise la fonction de capteur de H2. / The need of integration of new functionalities on mobile and autonomous electronic systems has to take into account all the problematic of heterogeneity together with energy consumption and thermal power dissipation. Therefore, the work presented in this thesis is focussed on the proof of concept of 3D monolithical integration of SETs on CMOS technology for high sensitivity and ultra-low power gas sensing functionality. The proposed approach is to integrate metallic double gate-single electron transistors (DG-SETs) in the Back-End-Of-Line (BEOL) of CMOS circuits (within the CMOS interconnect layers) using the nanodamascene process. The main objective of this Ph.D. thesis can be divided into 4 parts: (1) modelling and simulation of a DG-SET and an FD-SOI MOSFET based gas sensor response, and estimation of the sensitivity as well as the power consumption; (2) investigation of Pt sensitivity to hydrogen by surface charge measurement technique and development of the sensing electrode surface texturing process with CNT networks; (3) development and optimization of DG-SET integration process in the BEOL of a CMOS substrate, and (4) FD-SOI MOSFET functionalization with Pt for H2 sensing.
237

Amplification paramétrique d'images en cavité : Effets classiques et quantiques

Gigan, Sylvain 27 October 2004 (has links) (PDF)
Cette thèse étudie l'amplification<br />d'une image par un processus paramétrique. Réaliser cette<br />amplification de manière continue nécessite de placer le milieu<br />paramétrique dans une cavité optique. En théorie, cette<br />amplification est sans bruit, et permet de générer des états<br />non-classiques du champ.<br /><br />On étudie tout d'abord classiquement la propagation d'une image<br />dans un système paraxial, puis les cavités dégénérées<br />transversalement. On en déduit un formalisme permettant de décrire<br />la transmission d'une image à travers une cavité paraxiale<br />quelconque. Ce formalisme est illustré par l'étude théorique et<br />expérimentale de la transmission d'une image à travers une cavité<br />particulière : la cavité hémi-confocale. Une partie théorique<br />s'intéresse ensuite aux spécificités de l'amplification d'image.<br />L'amplificateur paramétrique en cavité sous le seuil<br />d'oscillation, connu pour générer du vide comprimé, peut également<br />amplifier un faible signal injecté. On montre l'apparition de<br />bruit supplémentaire sur le signal amplifié, spécifique à<br />l'amplification, dû au couplage au bruit de la pompe. On étudie<br />ensuite du point de vue quantique le comportement multimode<br />transverse d'un amplificateur paramétrique optique en cavité<br />hémi-confocale.<br /><br />Enfin, une partie expérimentale étudie le comportement d'un<br />oscillateur paramétrique optique confocal au dessus du seuil et on<br />prouve qu'il produit des faisceaux non-classiques multimodes<br />transverses. On montre ensuite qu'il est possible d'amplifier de<br />manière sensible à la phase un signal dans cette même cavité sous<br />le seuil d'oscillation. Dans une seconde expérience en<br />configuration de double cavité hémi-confocale, plus stable, on<br />réalise la première amplification paramétrique multimode d'une<br />image en cavité.
238

Tailoring Surfaces to improve Biomaterials performance: piCVD & iCVD approaches

Montero Suárez, Laura 06 September 2012 (has links)
S’han dipositat capes primes d’hidrogel per tal de modificar les propietats superficials i millorar el comportament dels biomaterials. Dues de les tècniques de deposició química en fase vapor més comunes s’han estudiat per poder dur a terme aquestes modificacions. La deposició química foto-iniciada en fase vapor (piCVD) és un mètode simple, ràpid i no agressiu que permet depositari films d’hidrogel. És un mètode que s’inicia a la superfície de la mostra i que permet recobrir de manera homogènia superfícies tridimensionals com és el cas de les micro-partícules. El piCVD ofereix un ventall molt ampli d’hidrogels amb capacitat d’absorbir aigua, incorporant co-monòmers amb diferents propietats. Els hidrogels poden ser dissenyats perquè la reactivitat es localitzi a nivell superficial, millorant d’aquesta manera la funcionalització química dels hidrogels. Tanmateix, un nou mètode s’ha utilitzat per micro-estructurar les superfícies durant la deposició via piCVD per obtenir hidrogels amb comportaments especials. Els hidrogels termo-sensibles s’han obtingut via deposició química iniciada en fase vapor (iCVD). S’ha desenvolupat una llibreria d’hidrogels termo-sensibles, els quals exhibeixen una temperatura de transició molt marcada. La microbalança de quars amb dissipació (QCM-D) s’ha fet servir per analitzar la transició d’aquests films. La combinació de les propietats que ofereixen els films termo-sensibles dona la possibilitat de dissenyar una plataforma per prevenir la formació de biofilms. / Se han depositado capas delgadas de hidrogel para lamodificación superficial y mejora del comportamiento de los biomateriales. Dos de las técnicasmás comunes de deposición química en fase vapor se han estudiado para llevar a cabo estas modificaciones. La deposición química foto-iniciada en fase vapor (piCVD) es un método simple, rápido y no agresivo que permite depositar films de hidrogel. Es un método que se inicia en la superficie de la muestra y que permite recubrir de manera homogénea superficies tridimensionales como es el caso de las micro-partículas. El piCVD ofrece un abanico muy amplio de hidrogeles con capacidad de absorber agua, incorporando co-monomeros con diferentes propiedades. Los hidrogeles se pueden diseñar para que la reactividad se localice a nivel superficial, mejorando de esta manera la funcionalización química de los hidrogeles. Así mismo, un nuevo método se ha utilizado para micro-estructurar las superficies durante la deposición vía piCVD para obtener hidrogeles con comportamientos especiales. Los hidrogeles termo-sensibles se han obtenido vía deposición química iniciada en fase vapor (iCVD). Se ha desarrollado una librería de hidrogeles termo-sensibles, los cuales exhiben una temperatura de transición muy marcada. La microbalanza de cuarzo con disipación (QCM-D) se ha utilizado para analizar la transición de este film. La combinación de las propiedades que ofrecen los films termo-sensibles da la posibilidad de diseñar una plataforma para prevenir la formación de biofilms. / Thin hydrogel films have been deposited to modify surface properties and improve biomaterials performance. Two of the most common chemical vapor deposition techniques have been studied to carry out these modifications. Photo-initiated chemical vapor deposition piCVD has been developed as a simple, not aggressive and easy method for the deposition of thin hydrogel films. This method follows a versatile surface-driven reaction process that allows homogeneous coating of both 2D and 3D geometries, such as microspheres. piCVD offers the possibility to fabricate a wide range of swellable thin films, incorporating co-monomers with different properties, such as amine-reactivity, suitable for further modification. The hydrogels can be designed by nano-confining the reactivity to the near surface region, improving the chemical functionality of hydrogels. In addition, a new method to create micro-patterned surfaces can be applied during piCVD deposition to design surfaces having special behavior. Thermo-responsive thin hydrogel films have also been obtained via initiated chemical vapor deposition (iCVD). A library of thermo-sensitive films exhibiting controlled lower critical solution temperatures (LCST) has been generated. Quartz crystal microbalance with dissipation analysis has been used to analyze the phase-transition of these films. The intrinsic properties of thermo-sensitive hydrogels, such as tunable surface hydrophilicity or release of film-entrapped molecules, open the possibility to design systems for controlling biofilm formation.
239

Evaluation de la fonction microvasculaire myocardique par résonance magnétique cardiaque sensible à l'oxygène chez des transplantés cardiaques

Iannino, Nadia 04 1900 (has links)
No description available.
240

3D integration of single electron transistors in the Back-End-Of-Line of 28 nm CMOS technology for the development of ultra-low power sensors / Intégration 3D de dispositifs SET dans le Back-End-Of-Line en technologies CMOS 28 nm pour le développement de capteurs ultra basse consommation

Ayadi, Yosri January 2016 (has links)
La forte demande et le besoin d’intégration hétérogène de nouvelles fonctionnalités dans les systèmes mobiles et autonomes, tels que les mémoires, capteurs, et interfaces de communication doit prendre en compte les problématiques d’hétérogénéité, de consommation d’énergie et de dissipation de chaleur. Les systèmes mobiles intelligents sont déjà dotés de plusieurs composants de type capteur comme les accéléromètres, les thermomètres et les détecteurs infrarouge. Cependant, jusqu’à aujourd’hui l’intégration de capteurs chimiques dans des systèmes compacts sur puce reste limitée pour des raisons de consommation d’énergie et dissipation de chaleur principalement. La technologie actuelle et fiable des capteurs de gaz, les résistors à base d’oxyde métallique et les MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor- Field Effect Transistors) catalytiques sont opérés à de hautes températures de 200–500 °C et 140–200 °C, respectivement. Les transistors à effet de champ à grille suspendu (SG-FETs pour Suspended Gate-Field Effect Transistors) offrent l’avantage d’être sensibles aux molécules gazeuses adsorbées aussi bien par chemisorption que par physisorption, et sont opérés à température ambiante ou légèrement au-dessus. Cependant l’intégration de ce type de composant est problématique due au besoin d’implémenter une grille suspendue et l’élargissement de la largeur du canal pour compenser la détérioration de la transconductance due à la faible capacité à travers le gap d’air. Les transistors à double grilles sont d’un grand intérêt pour les applications de détection de gaz, car une des deux grilles est fonctionnalisée et permet de coupler capacitivement au canal les charges induites par l’adsorption des molécules gazeuses cibles, et l’autre grille est utilisée pour le contrôle du point d’opération du transistor sans avoir besoin d’une structure suspendue. Les transistors monoélectroniques (les SETs pour Single Electron Transistors) présentent une solution très prometteuse grâce à leur faible puissance liée à leur principe de fonctionnement basé sur le transport d’un nombre réduit d’électrons et leur faible niveau de courant. Le travail présenté dans cette thèse fut donc concentré sur la démonstration de l’intégration 3D monolithique de SETs sur un substrat de technologie CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) pour la réalisation de la fonction capteurs de gaz très sensible et ultra basse consommation d’énergie. L’approche proposée consiste à l’intégration de SETs métalliques à double grilles dans l’unité de fabrication finale BEOL (Back-End-Of-Line) d’une technologie CMOS à l’aide du procédé nanodamascene. Le système sur puce profitera de la très élevée sensibilité à la charge électrique du transistor monoélectronique, ainsi que le traitement de signal et des données à haute vitesse en utilisant une technologie de pointe CMOS disponible. Les MOSFETs issus de la technologie FD-SOI (Fully Depleted-Silicon On Insulator) sont une solution très attractive à cause de leur pouvoir d’amplification du signal quand ils sont opérés dans le régime sous-le-seuil. Ces dispositifs permettent une très haute densité d’intégration due à leurs dimensions nanométriques et sont une technologie bien mature et modélisée. Ce travail se concentre sur le développement d’un procédé de fonctionnalisation d’un MOSFET FD-SOI comme démonstration du concept du capteur de gaz à base de transistor à double grilles. La sonde Kelvin a été la technique privilégiée pour la caractérisation des matériaux sensibles par le biais de mesure de la variation du travail de sortie induite par l’adsorption de molécules de gaz. Dans ce travail, une technique de caractérisation des matériaux sensibles alternative basée sur la mesure de la charge de surface est discutée. Pour augmenter la surface spécifique de l’électrode sensible, un nouveau concept de texturation de surface est présenté. Le procédé est basé sur le dépôt de réseaux de nanotubes de carbone multi-parois par pulvérisation d’une suspension de ces nanotubes. Les réseaux déposés servent de «squelettes» pour le matériau sensible. L’objectif principal de cette thèse de doctorat peut être divisé en 4 parties : (1) la modélisation et simulation de la réponse d’un capteur de gaz à base de SET à double grilles ou d’un MOSFET FD-SOI, et l’estimation de la sensibilité ainsi que la puissance consommée; (2) la caractérisation de la sensibilité du Pt comme couche sensible pour la détection du H[indice inférieur 2] par la technique de mesure de charge de surface, et le développement du procédé de texturation de surface de la grille fonctionnalisée avec les réseaux de nanotubes de carbone; (3) le développement et l’optimisation du procédé de fabrication des SETs à double grilles dans l’entité BEOL d’un substrat CMOS; et (4) la fonctionnalisation d’un MOSFET FD-SOI avec du Pt pour réaliser la fonction de capteur de H[indice inférieur 2]. / Abstract : The need of integration of new functionalities on mobile and autonomous electronic systems has to take into account all the problematic of heterogeneity together with energy consumption and thermal dissipation. In this context, all the sensing or memory components added to the CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) processing units have to respect drastic supply energy requirements. Smart mobile systems already incorporate a large number of embedded sensing components such as accelerometers, temperature sensors and infrared detectors. However, up to now, chemical sensors have not been fully integrated in compact systems on chips. Integration of gas sensors is limited since most used and reliable gas sensors, semiconducting metal oxide resistors and catalytic metal oxide semiconductor- field effect transistors (MOSFETs), are generally operated at high temperatures, 200–500 °C and 140–200° C, respectively. The suspended gate-field effect transistor (SG-FET)-based gas sensors offer advantages of detecting chemisorbed, as well as physisorbed gas molecules and to operate at room temperature or slightly above it. However they present integration limitations due to the implementation of a suspended gate electrode and augmented channel width in order to overcome poor transconductance due to the very low capacitance across the airgap. Double gate-transistors are of great interest for FET-based gas sensing since one functionalized gate would be dedicated for capacitively coupling of gas induced charges and the other one is used to bias the transistor, without need of airgap structure. This work discusses the integration of double gate-transistors with CMOS devices for highly sensitive and ultra-low power gas sensing applications. The use of single electron transistors (SETs) is of great interest for gas sensing applications because of their key properties, which are its ultra-high charge sensitivity and the ultra-low power consumption and dissipation, inherent to the fundamental of their operation based on the transport of a reduced number of charges. Therefore, the work presented in this thesis is focused on the proof of concept of 3D monolithic integration of SETs on CMOS technology for high sensitivity and ultra-low power gas sensing functionality. The proposed approach is to integrate metallic double gate-single electron transistors (DG-SETs) in the Back-End-Of-Line (BEOL) of CMOS circuits (within the CMOS interconnect layers) using the nanodamascene process. We take advantage of the hyper sensitivity of the SET to electric charges as well from CMOS circuits for high-speed signal processing. Fully depleted-silicon on insulator (FD-SOI) MOSFETs are very attractive devices for gas sensing due to their amplification capability when operated in the sub-threshold regime which is the strongest asset of these devices with respect to the FET-based gas sensor technology. In addition these devices are of a high interest in terms of integration density due to their small size. Moreover FD-SOI FETs is a mature and well-modelled technology. We focus on the functionalization of the front gate of a FD-SOI MOSFET as a demonstration of the DGtransistor- based gas sensor. Kelvin probe has been the privileged technique for the investigation of FET-based gas sensors’ sensitive material via measuring the work function variation induced by gas species adsorption. In this work an alternative technique to investigate gas sensitivity of materials suitable for implementation in DG-FET-based gas sensors, based on measurement of the surface charge induced by gas species adsorption is discussed. In order to increase the specific surface of the sensing electrode, a novel concept of functionalized gate surface texturing suitable for FET-based gas sensors are presented. It is based on the spray coating of a multi-walled-carbon nanotubes (MW-CNTs) suspension to deposit a MW-CNT porous network as a conducting frame for the sensing material. The main objective of this Ph.D. thesis can be divided into 4 parts: (1) modelling and simulation of a DG-SET and a FD-SOI MOSFET-based gas sensor response, and estimation of the sensitivity as well as the power consumption; (2) investigation of Pt sensitivity to hydrogen by surface charge measurement technique and development of the sensing electrode surface texturing process with CNT networks; (3) development and optimization of the DG-SET integration process in the BEOL of a CMOS substrate, and (4) FD-SOI MOSFET functionalization with Pt for H[subscript 2] sensing.

Page generated in 0.0646 seconds